Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

СТМ/СТС исследования квантово-размерных эффектов в островковых пленках Pb на поверхностях Si

Диссертация: СТМ/СТС исследования квантово-размерных эффектов в островковых пленках Pb на поверхностях Si
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При этом, необходимо отметить, что в отличие от объемного макроскопического сверхпроводника, в нашем случае магнитной энергией (эффект Мейсснера) можно пренебречь. Фазовая диаграмма исследованного островка определяется балансом энергии конденсации и кинетической энергией куперовсих пар. В силу сказанного, несколько меняется смысл понятия «вихрь»: квантования магнитного потока не происходит… Читать ещё >

СТМ/СТС исследования квантово-размерных эффектов в островковых пленках Pb на поверхностях Si (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Актуальность и проблематика
  • Основные результаты и положения, выносимые на защиту
  • ГЛАВА 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Поверхность Si (lll)
    • 1. 2. Вицинальные поверхности. Поверхность Si (557)
    • 1. 3. Рост пленок РЬ на поверхности Si (111)
    • 1. 4. Самоорганизация в пленках РЬ на вицинальных поверхностях S
  • ГЛАВА 2. Исследование поверхности: теория и эксперимент
    • 2. 1. Сканирующая туннельная микроскопия
    • 2. 2. Иглы СТМ
    • 2. 3. Принцип действия СТМ
      • 2. 3. 1. Топографические режимы работы СТМ
      • 2. 3. 2. Режим спектроскопии (СТС)
    • 2. 4. Дифракция медленных электронов
    • 2. 5. Экспериментальные установки
      • 2. 5. 1. Экспериментальный комплекс МЗ
      • 2. 5. 2. Сверхвысоковакуумный электронный спектрометр LAS
  • ГЛАВА 3. Структура вицинальной поверхности Si (557)
    • 3. 1. Процедура подготовки игл и образцов
    • 3. 2. СТМ исследования структуры поверхности Si (557)
    • 3. 3. Исследования структуры поверхности Si (223) с помощью ДМЭ
    • 3. 4. Зависимость структуры поверхности Si (557) от температурного режима подготовки поверхности
    • 3. 5. Выводы по главе 3
  • ГЛАВА 4. Рост островковых пленок РЬ на поверхности S
    • 4. 1. Подготовка поверхности образца: условия напыления
    • 4. 2. СТМ исследования роста островковых пленок РЬ на поверхности Si (lll)
    • 4. 3. СТМ исследования роста островковых пленок РЬ на вицинальных поверхностях S
    • 4. 4. Выводы по главе 4
  • ГЛАВА 5. Исследование влияния размеров островков РЬ на их сверхпроводящие свойства
    • 5. 1. Выбор объекта исследований
    • 5. 2. Краткое теоретическое введение
    • 5. 3. СТС исследование сверхпроводящих свойств островка Р
    • 5. 4. Выводы по главе 5

Актуальность и проблематика.

Огромное количество работ в последнее время посвящается исследованиям различных свойств систем типа «тонкая металлическая пленка на полупроводниковой подложке». В исследования таких систем были вовлечены такие мощные экспериментальные методики, как дифракция медленных электронов, Оже-спектроскопия, и многие другие. Изобретение туннельного микроскопа существенно облегчило задачу экспериментального изучения таких систем.

С другой стороны, изучению такого типа объектов посвящено большое количество теоретических работ, призванных объяснить наблюдаемые экспериментаторами явления. Сравнительно недавно появившаяся так называемая «модель электронного роста», объясняющая необычные особенности роста свинцовых пленок на поверхности Si (lll) в последнее время стремительно развивается. В то же время, при всем многообразии работ, посвященных изучению этой проблемы, множество вопросов до сих пор остаются без ответа. Так, например, практически неизученным остается механизм роста пленок РЬ на вицинальных поверхностях, таких, как например Si (557).

Значительное количество работ посвящено изучению сверхпроводящих свойств свинца па поверхностях Si (lll). Экспериментально показаны зависимости Нс и Тс от толщины пленок, влияние формы островков на расположение вихрей и т. д. Возможности формирования различных конфигураций вихрей в тонких островковых пленках РЬ на поверхности Si также посвящен ряд работ. Однако до настоящего момента в литературе нет сведений о том, как будут вести себя сверхпроводящие свойства в островковых пленках, островки в которых помимо малой толщины обладают латеральными размерами, сравнимыми с длиной когерентности и много меньшими лондоновской глубины проникновения.

Цель данной диссертационной работы состоит в экспериментальном исследовании влияния размеров островков РЬ на их сверхпроводящие свойства методами сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС). Для достижения этой цели в рамках данной работы были решены следующие экспериментальные и методические задачи:

• отработка методики подготовки упорядоченных атомно-чистых поверхностей Si (lll) и вицинальных к ним,.

• изучение роста островковых пленок РЬ на поверхностях Si (lll) и, в том числе, вицинальных к ним,.

• исследование сверхпроводящих свойств нано-островков РЬ на поверхности Si (lll) в режиме сильного размерного квантования.

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Методами СТМ и ДМЭ исследована атомная структура поверхности' Si (557). Обнаружено, что формирование той или иной структуры поверхности обусловлено различиями в процедуре подготовке поверхности.

2. Методами СТМ исследован механизм роста островковых пленок на поверхностях Si (111) и Si (557). Было обнаружено, что рост островков РЬ на поверхности Si (lll) имеет анизотропный характер, а островки, получающиеся в результате роста, обладают интересными свойствами, в частности, ограняются со временем (старение). Рост свинца на вицинальной поверхности Si (557) сопровождается образованием слоистой структуры, что объясняется с позиций модели «Электронного роста». При этом кристаллографическая плоскость Pb (lll) наклонена на 1° относительно плоскости Si (lll).

3. Методами СТМ/СТС исследованы сверхпроводящие свойства островка РЬ с латеральными размерами порядка много меньшими Aeff в магнитном поле и показано, что в исследуемом случае реализуются только три состояния: без вихря, с одним вихрем в центре образца и нормальное состояние.

Научная новизна положений ;

• Впервые предложено объяснение наличия различных периодов расположения ступеней на вицинальной поверхности Si (557).

• Впервые экспериментально обнаружено формирование слоистой структуры островков, которая формируется в ходе роста островковых пленок РЬ на вицинальных поверхностях Si (557).

• Впервые осуществлено экспериментальное наблюдение методами СТМ/СТС перехода островка РЬ на поверхности Si (lll) из безвихревого состояния в состояние с одним вихрем и последующего перехода в нормальное состояние.

По материалам данной диссертационной работы опубликованы следующие статьи:

1. T. Cren, D. Fokin, F. Debontridder, V. Dubost and D. Roditchev «Ultimate Vortex Confinement Studied by Scanning Tunneling Spectroscopy», Phys.Rev.Lett. 102 (2009) 127 005.

2. A.N.Chaika, D.A.Fokin, S.I.Bozhko, A.M.Ionov, F. Debontridder, V. Dubost, T. Cren, and D. Roditchev «Regular stepped structures on clean Si (hhm) 7×7 surfaces», Journal of applied Physics, 105 (2009) 34 304 i.

3. A.N.Chaika, D.A.Fokin, S.I.Bozhko, A.M.Ionov, F. Debontridder, T. Cren, D. Roditchev «Atomic structure of a regular Si (223) triple step staircase», Surface Science 603 (2009) 752−761.

4. А. Н. Чайка, Д. А. Фокин, С. И. Божко, A.M.Ионов, F. Debontridder, V. Dubost, T. Cren, D. Roditchev ''Регулярные системы ступеней на базе чистых поверхностей Si (hhm)7×7″, Известия РАН. Серия физическая, 73 (2009) 716−718.

5. D.A.Fokin, S.I.Bozhko, V. Dubost, F. Debontridder, A.M.Ionov, T. Cren, D. Roditchev «Electronic Growth of Pb on the Vicinal Si Surface» Phys.Rev.B, submitted.

А также сделаны доклады на конференциях:

1. Dubost V., Fokin D., Cren Т., Debontridder F., Sacks W., Bozhko S. and Roditchev D. «Growth and Control of Pb — Nanoislands on Si by STM». HighMatTech-2007, 15−19 октября 2007 г., Киев, Украина.

2. А. Н. Чайка, A.M.Ионов, Д. А. Фокин, С. И. Божко, Д.Родичев. «Исследования атомной и электронной структуры атомно-чистых поверхностей Si (hhm) методами ДМЭ, ФЭС и СТМ». VI Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ-2007), 12−17 ноября 2007 г., Москва, Россия.

3. А. Н. Чайка, Д. А. Фокин, С. И. Божко, A.M. Ионов, F. Debontridder, V. Dubost, Т. Cren, D. Roditchev. «Регулярные системы ступеней на базе чистых поверхностей Si (hhm) 7×7». Первый международный междисциплинарный симпозиум «Физика низкоразмерных систем и поверхностей» (LDS-2008), 5−9 сентября 2008 г., п. Лоо, Россия.

4. Т. Cren, F. Debontridder, D. Fokin, V. Dubost and D. Roditchev. «New STM Facility in Paris: Ultra-low Temperature, High Magnetic Fields, Ultrahigh Vacuum STM/STS with in-situ Growth and Surface Characterization». Cryoconference 2008, 8−13 сентября 2009, Miraflores de la Sierra (Мадрид), Испания.

5. D.A.Fokin, A.N.Chaika, S.I.Bozhko, A.M.Ionov, F. Debontridder, V. Dubost, T. Cren, D.Roditchev. «Atomic structure of the regular step arrays on clean Si (557) surfaces: STM, LEED and photoemission studies». 26th European Conference on Surface Science (ECOSS-26), 30.08.2009;04.09.2009, Парма, Италия.

6. D.A.Fokin, S.I.Bozhko, V. Dubost, F. Debontridder, A.M.Ionov, T. Cren, D.Roditchev. «Electronic growth of 3-dimensional Pb islands on the Si (557) surface». 26th European Conference on Surface Science (ECOSS-26), 30.08.2009;04.09.2009, Парма, Италия.

7. T. Cren, D. Fokin, F. Debontridder, V. Dubost and D. Roditchev, «Ultimate Vortex Confinement Studied by Scanning Tunneling Spectroscopy», GDR 2426, Physique Quantique Mesoscopique, 5−8 октября 2009, Aussois, Франция.

8. T. Cren, D. Fokin, F. Debontridder, V. Dubost and D. Roditchev, «Ultimate Vortex Confinement Studied by Scanning Tunneling Spectroscopy», I.F. Schegolev Memorial Conference «Low-Dimensional Metallic and Superconducting Systems» 11−16 Октября, 2009, Черноголовка, Россия.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитированной литературы. Во введении обоснован выбор темы диссертации, сформулированы цель и задачи работы, основные положения, представленные к защите, научная новизна и положение данной работы относительно полученных ранее результатов, описан порядок распределения материала по главам.

5.4. Выводы по главе 5.

Исследованы сверхпроводящие свойства островка РЬ для случая d ~ 3£е//effМетодами СТС показано, что в островках такого размера реализуются только три состояния: безвихревое, одновихревое и нормальное. Получены карты распределения поверхностных токов в зависимости от величины приложенного магнитного поля, и дано качественное объяснение исследованного эффекта. По-видимому, для реализации состояния с двумя и более вихрями внутри островка, необходимо исследовать островок с большими латеральными размерами.

При этом, необходимо отметить, что в отличие от объемного макроскопического сверхпроводника, в нашем случае магнитной энергией (эффект Мейсснера) можно пренебречь. Фазовая диаграмма исследованного островка определяется балансом энергии конденсации и кинетической энергией куперовсих пар. В силу сказанного, несколько меняется смысл понятия «вихрь»: квантования магнитного потока не происходит, поскольку поле проникает в образец полностью, и речь идет о радиальном градиенте фазы волновой функции и обращении последней в ноль в центре островка.

Заключение

.

В заключение сформулируем основные результаты, полученные в рамках данной работы:

• Создана экспериментальная установка, позволяющая проводить исследования поверхности методами СТМ/СТС в условиях сверхвысокого вакуума (Р<10−10мБар), сверхнизких температур (до 0,28К) и в магнитных полях (до 8Т) с возможностью подготовки образцов in-situ.

• Изучена атомная структура поверхности Si (557) и показано, что в зависимости от способа подготовки поверхности, она может содержать фасетки Si (lll)-7×7, Si (223), Si (7 7 10), Si (557). А также предложены модели атомной структуры тройной ступени.

• Обнаружено, что рост островков РЬ на ступенчатой поверхности Si (557) сопровождается образованием слоистой структуры. Предпочтительная толщина слоя составляет 7 монослоев (2нм), а плоскость Pb (lll) наклонена на 1° по отношению к плоскости Si (lll). Образование слоистой структуры обусловлено квантованием энергетического спектра электронов и объясняется с позиций модели электронного роста.

• Исследованы сверхпроводящие свойства островка РЬ для случая d ~ 3Се// «С Aeff. Методами СТС показано, что в островках такого размера реализуются только три состояния: безвихревое, одновихревое и нормальное. Это означает, что изученный случай соответсвует вихревому пределу: в образцах меньшего размера вихревое состояние не реализуется, а в больших островках возможны многовихревые состояния.

Перспективы.

В качестве дальнейших исследований, перспективными представляются эксперименты по изучению многовихревых состояний островков. Для этого предполагается использование в качестве объектов исследования островков больших латеральных размеров. Помимо этого, представляется интересным проведение исследований сверхпроводящих свойств островков более сложной геометрии (см. рис. 5.6). В частности, исследование вихревой конфигурации в зависимости от толщины образца. Для этого планируется использовать островки, содержащие корону (см. Гл.1). Более того, результаты, полученные в главе 4 настоящей диссертационной работы, позволяют предположить интересное поведение сверхпроводящих свойств в островках свинца на вицинальных поверхностях, поскольку в этом случае островок имеет переменную толщину.

Рис. 5.6. (а) СТС изображение при V=0 островка РЬ па поверхности Si в магнитном поле Н — 90 mT, Т — 350 мК, демонстрирующее вихревую конфигурацию из трех вихрей в центре островка. (Ь)СТС изображение при.

V—0 островка РЬ на поверхности Si в магнитном поле 180 мТ — 6 вихрей. Корона островка выполняет роль ловушки для вихрей. (с)СТС изображение при V=0 островка РЬ на поверхности Si в магнитном поле 450 mT вблизи критического поля.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Прежде всего, я хочу выразить искреннюю признательность и благодарность Сергею Ивановичу Божко за отзывчивое руководство и неоценимую помощь в поиске ответов на многочисленные вопросы, возникшие в процессе написания данной диссертационной работы. Его глубокие знания в тех областях науки, которые затрагивает данная работа, существенно облегчили задачу и придали работе дополнительный интерес. Также хочется выразить надежду на продолжение совместной работы после защиты данной диссертации.

Я также благодарю Дмитрия Юрьевича Родичева, профессора университета Paris VI, под руководством которого проходила французская половина работы над диссертацией, за его каждодневную поддержку и живое участие в руководстве работой. Я получил огромное удовольствие, работая под его руководством в его группе.

Огромное спасибо Тристану Крену за плодотворные дискуссии и время, потраченное на проведение экспериментов в рамках этой работы, его виртуозное владение методами СТМ/СТС мне сильно помогло в осуществлении задуманного.

Эта работа во многом обязана своим появлением Александру Николаевичу Чайке, проделавшему огромную работу, посвященную исследованиям структуры вицинальных поверхностей кремния. Результатом совместной работы с ним стала публикация трех статей в научных журналах и несколько докладов на международных конференциях.

Я также благодарен Андрею Михайловичу Ионову за частые и полезные обсуждения различных вопросов, возникавших в ходе написания диссертации.

Я не могу не поблагодарить еще раз всю группу профессора Родичева за их помощь в редактировании французской версии диссертации.

В заключение, я бы хотел произнести слова благодарности всем коллегам, всем моим друзьям и моей семье, моей супруге, за их моральную поддержку на протяжении всех четырех лет, ушедших на написание этой диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. H.J. Fink, A.G. Presson, Phys. Rev, 151, 219−228 (1966)
  2. В. Baelus, F. Peeters, Phys. Rev. В 65, 104 515 (2002)
  3. V. V. Moshchalkov, X. G. Qiu, and V. Bruyndoncx, Phys. Rev. В 55, 117 931 997)
  4. V. A. Schweigert and F. M. Peeters, Phys. Rev. В 57, 13 817 (1998)
  5. V. A. Schweigert, F. M. Peeters, and P. S. Deo, Phys. Rev. Lett. 81, 27 831 998)
  6. J. J. Palacios, Phys. Rev. В 58, R5948 (1998)
  7. G. M. Braverman, S. A. Gredeskul, and Y. Avishai, Phys. Rev. В 59, 120 391 999)
  8. J. J. Palacios, Phys. Rev. Lett. 84, 1796 (2000)
  9. V. Hakim, A. Lemaitre, and K. Mallick, Phys. Rev. В 64, 134 512 (2001)
  10. В. J. Baelus, L. R. E. Cabral, and F. M. Peeters, Phys. Rev. В 69, 64 506 (2004)
  11. L. R. E. Cabral, B. J. Baelus, and F. M. Peeters, Phys. Rev. В 70, 144 523 (2004
  12. L. F. Chibotaru, A. Ceulemans, V. Bruyndoncx, and V. V. Moshchalkov, Nature London 408, 833 (2000)
  13. L. F. Chibotaru, A. Ceulemans, V. Bruyndoncx, and V. V. Moshchalkov, Phys. Rev. Lett. 86, 1323 (2001)
  14. V. R. Misko, V. M. Fomin, J. T. Devreese, and V. V. Moshchalkov, Phys. Rev. Lett. 90, 147 003 (2003)
  15. L. F. Chibotaru, G. Teniers, A. Ceulemans, V. V. Moshchalkov, Phys. Rev. В 70, 94 505 (2004)
  16. R. Geurts, M. V. Milosevic', and F. M. Peeters, Phys. Rev. Lett. 97, 137 002 (2006)
  17. А. К. Geim, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, J. G. S. Lok, J. С. Maan, A. E. Filippov, F. M. Peeters, Nature, 390, 259 (1997)
  18. W.A.Little, R.D.Parks Phys.Rev.Lett. 9, 9 (1962)
  19. K.Oura, V.G.Lifshits, A.A.Saranin, A.V.Zotov, M. Katayama «Surface Science. An Introduction», Springer, 2003
  20. S.M.Sze «Physics of Semiconductor Devices», Willey, 1983
  21. D. Haneman, Phys. Rev., 121, 1093, (1961)
  22. K.C.Pandey, Phys. Rev. Lett, 47, 1913 (1981)
  23. V.G.Lifshits «Electron Spectroscopy and Atomic Processes on Silicon Surface», Moscow-Nauka, 1985 in Russian.
  24. V.G.Lifshits, A.A.Saranin and A.V.Zotov, Surface phases on silicon. «Preparation, Structures and properties», Wiley, 1994
  25. G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, and E. Weibel, «7×7 Reconstruction on Si (lll) resolved in real space», Phys. Rev. Letters 50 (1983) 120−123
  26. K. Takayanagi, Y. Tanishiro, and S. Takahashi, J. Vac. Sci. Technol. A 3 (1985) 1502
  27. A. Kirakosian, R. Bennewitz, J. N. Crain, Th. Fauster, J.-L. Lin, D. Y. Petro-vykh, and F. J. Himpsel, Appl. Phys. Lett. 79, 1608 (2001)
  28. M. Henzler, R. Zhachuk, Thin Solid Films 428, 129−132 (2003)
  29. S.A. Teys, K.N. Romanyuk, R.A. Zhachuk, B.Z. Olshanetsky, Surf. Sci. 600, 4878 4882 (2006)
  30. D.-H. Oh, M. K. Kim, J. H. Nam, I. Song, C.-Y. Park, S. H. Woo, H.-N. Wang, C. Hwang, J. R. Ahn, Phys. Rev. B, 77, 155 430 (2008)
  31. R.Zhachuk, S. Pereira, Phys. Rev. B, 79, 77 401 (2009)
  32. A.A.Baski, L.J.Whitman, Phys. Rev. Lett., 74, 956 (1995)
  33. A.A. Baski, S.C. Erwin, L.J. Whitman, Surf. Sci, 392, 69 (1997)
  34. S. Song, Mirang Yoon, S.G.J.Mochrie, G.B.Stephenson, S.T.Milner, Surf. Sci, 372, 37, (1997)
  35. Mirang Yoon, S.G.J. Mochrie, M.W. Tate, S.M. Gruner, E.F.Eikenberry, Surf. Sci., 411, 70 (1998)
  36. V.I.Mashanov, B.Z.Ol'shanetskii, Pis’ma Zh. Eksp. Teor. Fiz., 36, 290 (1982) JETP Lett. 36, 355, 1982.
  37. R.J.Phaneuf, Ellen D. Williams, Phys. Rev. B, 41, 2991 (1990)
  38. В.Z.Olshanetsky, S.A.Teys, Surf. Sci, 230, 184 (1990)
  39. Jian Wei, X.-S. Wang, J. L. Golberg, N. C. Bartelt, and Ellen D. Williams, Phys. Rev. Lett. 68, 3885 (1992)
  40. M. Degawa, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi Surface Review and Letters, 6, 977 (1999)
  41. K. Yagi, H. Minoda, and M. Degawa, Surf. Sci. Rep. 43, 45 (2001)
  42. Y.-N. Yang, Elain S. Fu, Ellen D. Williams Surf. Sci., 356, 101 (1996)
  43. A.V.Latyshev, A.L.Aseev, A.B.Krasilnikov and S.I.Stenin Surf. Sci, 213, 157 (1996)
  44. A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev Surf. Sci. 311, 395 (1994)
  45. Takashi Senoh, Hiroki Minoda, Yasumasa Tanishiro, Katsumichi Yagi, Surf. Sci., 357, 518 (1996)
  46. Hiroi Yamaguchi and Katsumichi Yagi Surf. Sci, 287, 820 (1993)
  47. Hiroi Yamaguchi and Katsumichi Yagi Surf. Sci, 298, 408 (1993)
  48. M.Degawa, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi J. Phys.: Condens. Matter 11 L551-L556 (1999)
  49. T.Suzuki, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi Surf. Sci., 496, 179 (2002)
  50. I. Brihuega, P. Mallet, L. Magaud, S. Pons, O. Custance, J. M. Gomez-Rodriguez, and J.-Y. Veuillen, Phys.Rev.B 69, 155 407 (2004)
  51. H.H.Weitering, D.R.Heslinga, T. Himba, Phys. Rev. B, 45 5991 (1992)
  52. K. Budde, E. Abram, V. Yeh, and M. C. Tringides, Phys. Rev. B, 61, R10602 (2000)
  53. I.B.Altfeder, K.A.Matveev and D.M.Chen, Phys. Rev. Lett. 78, 2815 (1997)
  54. M.Hupalo, S. Kremmer, V. Yeh, L. Berbil-Bautista, E. Abram, M.C.Tringides, Surf. Sci., 493, 526 (2001) и ссылки, приведенные в работе
  55. М. Jalochowski and Е. Bauer, J. Appl. Phys. 63, 4501(1988)
  56. C.M.Wei and M.Y.Chou Phys. Rev. В 66, 233 408 (2002)
  57. Shao-Chun Li, Xucun Ma, Jin-Feng Jia, Yan-Feng Zhang, Dongmin Chen, Qian Niu, Feng Liu, Paul S. Weiss and Qi-Kun Xue, Phys. Rev. В 74, 75 410 (2006)
  58. Z. Kuntova, M. Hupalo, Z. Chvoj, M.C. Tringides, Surf. Sci. 600, 4765−4770 (2006)
  59. Zhenyu Zhang, Qian Niu, and Chih-Kang Shih, Phys. Rev. Lett. 80, 5381 (1998)
  60. W. B. Su, S. H. Chang, W. B. Jian, C. S. Chang, L. J. Chen, and Tien T. Tsong, Phys. Rev. Lett. 86, 5116 (2001)
  61. P. Czoschke, Hawoong Hong, L. Basile, and T.-C. Chiang, Phys. Rev. В 72, 75 402 (2005)
  62. M.Hupalo, M.C.Tringides, Phys. Rev. В 65, 115 406 (2002)
  63. V. Yeh, L. Berbil-Bautista, C. Z. Wang, К. M. Ho, and M. C. Tringides Phys. Rev. Lett., 85, 5158 (2000)
  64. M.Hupalo, V. Yeh, L. Berbil-Bautista, S. Kremmer, E. Abram, and M.C.Tringides, Phys. Rev. В 64, 155 307 (2001)
  65. С. A. Jeffrey, E. H. Conrad, R. Feng, M. Hupalo, C. Kim, P. J. Ryan, P. F. Miceli, and M. C. Tringides Phys. Rev. Lett. 96, 106 105 (2006)
  66. L.L.Wang, X.C.Ma, P. Jiang, Y.S.Fu, S.H.Ji, J.F.Jia, and Q.K.Xue, Phys. Rev. В 74, 73 404 (2006)
  67. C.-S.Jiang, S.-C.Li, H.-B.Yu, D. Eom, X.-D.Wang, Ph. Ebert, J.-F. Jia, Q.K.Xue, and C.-K. Shih, Phys. Rev. Lett. 92, 106 104 (2004)
  68. Hawoong Hong, C.-M.Wei, M.Y. Chou, Z. Wu, L. Basile, H. Chen, M. Holt, T.-C. Chiang, Phys. Rev. Lett. 90, 76 104 (2003)
  69. Y.-F. Zhang, J.-F. Jia, Z. Tang, T.-Z. Han, X.-C. Ma, Q.-K. Xue, Surf. Sci 596, L331-L338 (2005)
  70. Y.-F. Zhang, J.-F. Jia, T.-Z. Han, Z. Tang, Q.-T. Shen, Y. Guo, Z.Q. Qiu, Q.-K. Xue, Phys. Rev. Lett. 95, 96 802 (2005)
  71. R. Otero, A .L. Vazquez de Parga, R. Miranda, Phys. Rev. В 66, 115 401 (2002)
  72. M. Hupalo, M. C. Tringides Phys. Rev. B, 75, 235 443 (2007)
  73. H. Okamoto, D. Chen, T. Yamada, Phys. Rev. Lett. 89, 256 101 (2002)
  74. S.-C. Li, J.-F. Jia, X. Ma, Q.-K. Xue Appl. Phys. Lett. 89, 123 111 (2006)
  75. Z. Kuntova, M. Hupalo, Z. Chvoj, M. C. Tringides Surf. Sci, 600, 4765 (2006)
  76. R. Feng, E. H. Conrad, M. C. Tringides, C. Kim, P. F. Miceli Appl. Phys. Lett. 85, 3866 (2004)
  77. M. Hupalo, J. Schmalian, M. C. Tringides, Phys. Rev. Lett. 90, 216 106 (2003)
  78. E. Hoque, A. Petkova, M. Henzler, Surf. Sci, 515, 312 (2002)
  79. K. S. Kim, W. H. Choi, H. W. Yeom, Phys. Rev. B, 75, 195 324
  80. M. Czubanowski, A. Schuster, S. Akbari, H. Pfniir, C. Tegenkamp,'New Journal of Physics 9, 338 (2007)
  81. H. Morikawa, K. S. Kim, D. Y. Jung, H. W. Yeom, Phys. Rev. В 76, 165 406 (2007)
  82. С. Tegenkamp, Z. Kallassy, H.-L. Giinter, V. Zielasek, H. Pfniir, Eur. Phys. J. В 43, 557 (2005)
  83. С. Tegenkamp, J. Phys:Condens.Matter, 21, 13 002 (2009)
  84. Binnig G., Rohrer H., IBM J.Res.Dev. 30, 355−369 (1986)
  85. G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber E. Weibel, Appl. Phys. Lett. 40 178 (1982)
  86. J.Tersoff, Phys. Rev. B, 40, 11 990 (1989)
  87. J.Bardeen, Phys. Rev. Lett. 6, 57 (1961)
  88. J.Tersoff, D.R.Hamann, Phys. Rev. B, 31, 805 (1985)
  89. J.Tersoff, D.R.Hamann, Phys. Rev. Lett. 50, 1998 (1983)
  90. V.L.Mironov «Principles of Scanning Probe Microscopy Inst. Phys. Mi-crostruct., Nizhni Novgorod, 2004 in Russian.
  91. M.Berthe, these «Electronic transport in quantum confined systems» 2007
  92. A.N. Chaika, D.A. Fokin, S.I. Bozhko, A.M. Ionov, F. Debontridder, V. Dubost, T. Cren and D. Roditchev, J. Appl. Phys, 105, 34 304 (2009)
  93. A.N. Chaika, D.A. Fokin, S.I. Bozhko, A.M. Ionov, F. Debontridder, T. Cren and D. Roditchev, Surf.Sci.603, 752−761 (2009)
  94. S. Ino, J. Phys. Soc. Jpn. 21, 346 (1966)
  95. J. G. Allpress and J. V. Sanders, Surf. Sci. 7, 1 (1967).
  96. K. Kimoto and I. Nishida, J. Phys. Soc. Jpn. 22, 940 (1967).
  97. T. Ben-David, Y. Lereah, G. Deutscher, J. M. Penisson, A. Bourret R. Kof-man, P. Cheyssac, Phys. Re v. Lett. 78, 2585 (1997)I
  98. S. Kibey, J.B. Liu, D.D. Johnson, H. Sehitoglu, Acta Materialia 55, 68 432 007)
  99. T.Cren, D. Fokin, D. Roditchev, W. Pogosov Phys.Rev.B 2010 готовится к публикации
  100. C.Brun, I-P.Hong, F. Patthey, I.Yu.Skladneva, R. Heid, P.M.Echenique, K.B.Bohnen, E.V.Chulkov, W.-D.Schneider, Phys.Rev.Lett. 102, 207 002 (2009)
  101. T.Nishio, T. An, A. Nomura, K. Miyachi, T. Eguchi, H. Sakata, S. Lin, N. Hayashi, N. Nakai, M. Machida, Y. Hasegawa, Phys.Rev.Lett. 101, 1 670 012 008)
  102. D. Eom, S. Qin, M.-Y. Chou, and С. K. Shih, Phys. Rev. Lett. 96, 27 005 (2006)
  103. T.Nishio, M. Ono, T. Eguchi, H. Sakata, Y. Hasegawa Jpn. J. Appl. Phys. 46, L880 (2007)
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!