Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка методов и средств контроля высокочистого синтетического корунда и технологических сред для его получения

Диссертация: Разработка методов и средств контроля высокочистого синтетического корунда и технологических сред для его получения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Рентгенофлуоресцентный анализ является современным, высокочувствительным и экспрессным методом. Однако требует сложного и дорогостоящего оборудования и специально подготовленного высококвалифицированного обслуживающего персонала. Для анализа синтетического сапфира методом РФА необходима стадия пробоподготовки с применением специальных установок. Что усложняет и увеличивает стоимость анализа. НИР… Читать ещё >

Разработка методов и средств контроля высокочистого синтетического корунда и технологических сред для его получения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ, ПРОБЛЕМЫ И ОСНОВНЫЕ 15 ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
    • 1. 1. Проблемы аналитического контроля чистоты 16 синтетического сапфира
    • 1. 2. Аналитический контроль чистоты некоторых 19 технологических сред микро- оптоэлектроники
      • 1. 2. 1. Типы и источники загрязнений некоторых технологических сред
    • 1. 3. Современное состояние, проблемы и основные 25 характеристики методов контроля высокочистых материалов
      • 1. 3. 1. Сравнительные характеристики методов анализа 25 высокочистых веществ
      • 1. 3. 2. Методы масс-спектрального анализа
      • 1. 3. 3. Методы атомной абсорбционной спектроскопии 29 1.3.4 Метод рентгенофлуоресцентного анализа
    • 1. 4. Электрохимические методы в контроле высокочистых 33 веществ
      • 1. 4. 1. Инверсионная вольтамперометрия
      • 1. 4. 2. Сравнительные характеристики методов 38 контроля чистоты материалов
  • Выводы и постановка задачи исследований
  • Глава 2. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ОЦЕНКА, РАЗРАБОТКА И 43 «
  • ИССЛЕДОВАНИЕ АНАЛИТИЧЕСКИХ ВОЗМОЖНОСТЕЙ МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ СОДЕРЖАНИЯ ПРИМЕСЕЙ В СИНТЕТИЧЕСКОМ КОРУНДЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕДАХ
    • 2. 1. Теоретические основы метода инверсионной A3 вольтамперометрии
      • 2. 1. 1. Теория аналитического сигнала в методе ИВ
      • 2. 1. 2. Параметрическая теория аналитического сигнала 49 в методе ИВ
    • 2. 2. Теоретические основы метода рентгеноспектрального 51 анализа
    • 2. 3. Пробоподготовка высокочистого синтетического * 56 корунда для анализа методом ИВ
      • 2. 3. 1. Выбор оптимального способа пробоподготовки
      • 2. 3. 2. Методы разложения анализируемых проб
      • 2. 3. 3. «Мокрые» способы разложения
      • 2. 3. 4. «Сухие» способы разложения
      • 2. 3. 5. Исследования по выбору оптимального способа 66 переведения в раствор проб синтетического корунда
  • Выводы к главе
  • Глава 3. РАЗРАБОТКА БЛОКА ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ ЯЧЕЙКИ ИНВЕРСИОННО-ВОЛЬТАМПЕРОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ЧИСТОТЫ СИНТЕТИЧЕСКОГО КОРУНДА И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕД
    • 3. 1. Аппаратурные особенности ИВ определения
      • 3. 1. 1. Многоканальный аналитический комплекс СТА
      • 3. 1. 2. Разработка измерительной ячейки СТА-М
      • 3. 1. 3. Определение инструментальной погрешности 90 измерения ячейки СТА-М
      • 3. 1. 4. Сравнительный анализ экспериментальных 91 исследований
  • Выводы к главе
  • Глава 4. МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ МАССОВОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСЕЙ ЦИНКА, КАДМИЯ, СВИНЦА И МЕДИ В ВЫСОКОЧИСТЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ СРЕДАХ И СИНТЕТИЧЕСКОМ КОРУНДЕ
    • 4. 1. Исследование взаимного влияния металлов на 94 аналитический сигнал в методе ИВА
    • 4. 2. Выбор оптимальных условий определения цинка, 98 кадмия, свинца и меди
      • 4. 2. 1. Выбор рабочего электрода
      • 4. 2. 2. Выбор фонового электролита
      • 4. 2. 3. Выбор потенциала электролиза 103 4.2.4 Выбор оптимального времени электролиза
    • 4. 3. Результаты опытно-промышленных испытаний методик 106 ИВ определения
      • 4. 3. 1. Анализ технологических сред
      • 4. 3. 2. Методика контроля чистоты азотной, соляной и 108 серной кислот
      • 4. 3. 3. Методика контроля чистоты синтетического 109 корунда
    • 4. 4. Методические особенности определения примесей методом рентгенофлуоресцентного анализа (сопоставительный анализ) 4.4.1 Аналитическое оборудование рентгенофлуоресцентный сканирующий спектрометр VRA
  • Выводы к главе

АКТУАЛЬНОСТЬ Высокочистые вещества являются приоритетными объектами исследований в различных отраслях промышленности. На их базе развиваются основополагающие отрасли новой техники — атомная, радиои электронная промышленность, волоконная оптика и др. С каждым годом повышаются требования к чистоте веществсодержание отдельных микропримесей уже на-уровне.

7 6.

10″ —10″ % мае. ограничивает применение некоторых материалов в современной технике. Данные аналитического контроля являются основными показателями чистоты веществ, а возможностями анализа нередко ограничиваются возможности дальнейшей очистки.

Классификация существующих методов и критерии выбора аналитического оборудования как средства* высокочувствительного оперативного контроля чистоты материалов микроэлектроники указывают на преимущества электроаналитического оборудования — как наиболее приемлемого средства контроля, что связано с его высокой разрешающей способностью, возможностью определения большого количества примесей и широким диапазоном определяемых концентраций.

Эффективный высокочувствительный контроль примесного содержания в синтетическом корунде и некоторых технологических средах микрооптоэлектроники имеет два важнейших аспекта: аналитический и технологический.

Первый состоит в том, что результаты анализа с высокой степенью корреляции соответствуют воздействию на качество синтетического корунда именно этих элементов-примесей.

В технологическом плане наличие указанных примесей в синтетическом корунде, высокочистых средах, воде и т. д. существенно влияет на электрофизические, оптические и другие параметры материалов, веществ и приборов в микрооптоэлектронике.

Специфика аналитического определения примесного содержания синтетического корунда, технологических сред связана с многокомпонентностью объекта анализа, относительно низким содержанием искомых примесей и многовариантностью < целей оценки как следствия применения для разнообразных областей науки и техники.

Требуемая высокая чувствительность методов контроля диктуется двумя факторами:

— отсутствием отечественных стандартов на синтетический корунд и изделия из него,.

— необходимостью приближения к международным стандартам чистоты в технологических средах микронаноэлектроники (10~6% против 10″ 3%, регламентируемых в РФ).

В связи с этим, весьма актуальными и целесообразными являются исследования, направленные на разработку и создание методов и средств, обеспечивающих экспрессный высокочувствительный контроль высокочистых технологических сред и синтетического корунда.

Основными факторами, необходимыми для выбора метода высокочувствительного аналитического определения примесного состава являются: верхний и нижний интервалы его содержания, чувствительность и избирательность метода, точность и экспрессность определения, стоимость анализа, возможность автоматизации и т. д.

Удовлетворение этих требований становится возможным благодаря изучению и применению новых методов и приемов, их развитию и совершенствованию, разработке и внедрению нового аналитического оборудования, использованию современных достижений науки и техники. Анализ литературных данных и исследований, проведенных в наших работах и работах других авторов по определению примесей в высокочистыхтехнологических средах и синтетическом корунде, свидетельствует о том, что среди: инструментальных методов анализа приоритетное место занимают, электрохимические методы.

ОБЪЕКТОМИССЛЕДОВАНИЯ данной диссертационной работы является высокочувствительный'. экспресс-контроль примесного содержания? в высокочистых технологических средах: и синтетическом корунде. ¦ :

ПРЕДМЕТ ИССЛЕДОВАНИЯ — синтетический корунд, высокочистые технологические среды (включая высокочистые воды), используемые в производственных линиях по выпуску сапфировых подложек. ¦ - ,.

Работа является дальнейшим развитием теоретических и экспериментальных исследованийотечественных и зарубежных ученых и специалистов в, области методов контролявысокочистых материалов. Экспериментальные исследования проводилисьна современном отечественном и импортном аналитическом оборудовании, а также на специально изготовленных средствах контроля:

Диссертационная работа является составной частью фундаментальных и прикладных исследований в области методов контроля воды и других объектов окружающей среды, предусмотренных Федеральными Целевыми Программами:

— «Национальная технологическая база» (2002;2006 г. г.);

— «Научные исследования! высшей школы по приоритетным? направлениям науки и техники» (2002;2006 г. г.). ,.

Результаты исследований авторадиссертации использованы при проведении следующих НИР:

1. НИР «Разработка технологии электрохимического синтеза новых материалов класса „stripping“ для микрои наноэлектроники». Федеральная Целевая Программа: «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» (20 022 006 гг), подпрограмма: 208 «Электроника». Раздел: 208.01. «Материалы для микрои наноэлектроники». Номер государственной регистрации НИР: 1 200 303 893.

2. НИР «Разработка методологии аналитического контроля и сертификации качества сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия». Федеральная Целевая Программа: «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» (2002;2006 г. г.), подпрограмма: 208 «Электроника». Раздел: 208.01. «Материалы для микрои наноэлектроники». Номер государственной регистрации НИР: 1 200 303 729.

3. НИР: «Теоретические и экспериментальные основы методологии высокочувствительного контроля жидких сред в технологии очистки поверхности полупроводниковых пластин» Номер государственной регистрации НИР: 1 200 207 908.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Разработка методов и средств контроля высокочистых технологических сред и синтетического корунда.

С учетом вышеизложенного, для достижения поставленной цели диссертационной работы сформулированы следующие задачи исследований:

— Провести критический анализ существующих методов определения примесного содержания в высокочистых технологических средах и синтетическом корунде.

— Улучшить метрологические характеристики высокочувствительного экспресс-контроля электроаналитическими методами, применение которых ведет к существенному упрощению и удешевлению анализа.

— Провести государственную аттестацию разработанных методик выполнения измерений (МВИ) в органах ГОССТАНДАРТА. -Провести опытно-промышленное внедрение разработанных методов в аналитическую практику. НАУЧНАЯ НОВИЗНА.

Научная новизна полученных результатов состоит в теоретическом обосновании, экспериментальном обеспечении и разработке методов и средств контроля высокочистых технологических сред и синтетического корунда.

Впервые разработана концепция и методические приемы инверсионновольтамперометрического высокочувствительного экспресс-контроля примесей в высокочистом синтетическом корунде на уровне от 0,1 ррш до 250 ррш.

Впервые разработана концепция и методические приёмы инверсионно — вольтамперометрического высокочувствительного экспресс-контроля примесей в высокочистых технологических средах на уровне от 2-xlO" 5 мг/дм3.

Предложена и апробирована модифицированная измерительная ячейка с целью уменьшения погрешности анализа в нижнем рабочем диапазоне определяемых содержаний.

Разработан метод пробоподготовки высокочистого синтетического корунда для анализа методом инверсионной вольтамперометрии.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ 1. Проведена государственная аттестация в Комитете РФ по стандартизации, метрологии и сертификации ГП «ВНИИМ им. Д.И.Менделеева» МВИ цинка, кадмия, свинца и меди в пробах высокочистой воды (ВНИИМ им. Д. И. Менделеева свидетельство № 242/72−2006).

2. Проведена государственная аттестация в Комитете РФ по стандартизации, метрологии и сертификации ГП «ВНИИМ им. Д.И.Менделеева» МВИ цинка, кадмия, свинца и меди в пробах синтетического сапфира методом инверсионной вольтамперометрии (ВНИИМ им. Д. И. Менделеева свидетельство № 242/137−07).

3. Проведено опытно-промышленное внедрение разработанных методов контроля в аналитическую практику промышленных предприятий. Эффективность разработанных методов контроля достаточно убедительно подтверждена актами внедрения в ООО «Юнисаф», НПК «Технологический центр» МИЭТ.

4. Результаты исследований использованы в учебном процессе при разработке и постановке лабораторных практикумов по курсам: «Экология», «Химия окружающей среды», «Экология территорий», «Физико-химические методы анализа», «Аналитическая химия» и др. ДОСТОВЕРНОСТЬ И ОБОСНОВАННОСТЬ РЕЗУЛЬТАТОВ.

РАБОТЫ подтверждена:

— положительными результатами серийных и промышленных испытаний методики контроля примесного содержания цинка, кадмия, свинца и меди в высокочистых технологических средах и синтетическом корунде;

— комплексным характером проведенных исследований- -сравнительными результатами сопоставительных анализов методам рентгенофлуоресцентного анализа. Возможность практического использования разработанных методов контроля подтверждается их успешным внедрением в аналитическую практику промышленных предприятий и научно-исследовательских институтов.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на научных конференциях:

— III Всероссийской научной конференции «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» (Томск, 2004 г.).

— 8 Международного Симпозиума молодых ученых, аспирантов и студентов «Техника экологии чистых производств в XXI веке: Проблемы и Перспективы» (МГУИЭ, 2004 г.);

— Всероссийской научнотехнической конференции «Новые материалы и технологии. НМТ-2004» (МАТИ-РГТУ им. К. Э. Циолковского, ноябрь 2004 г.);

— 1 и 2 научно — практических конференциях «Исследование, разработка и применение высоких технологий в промышленности» (Санкт — Петербург, 2005 г., 2006 г.);

— VII Международная конференция «Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». (Ульяновск:УлГУ, 2005 г.);

— II Всероссийской научно — практической конференции «Окружающая среда и здоровье» (Пенза, август 2005 г.);

— V Международной научно-практической конференции «Экология и безопасность жизнедеятельности» (Пенза, 2005 г.);

— Международной конференции «Химия, химическая технология и биотехнология на рубеже тысячелетий» (Томск, 2006 г.);

— Всероссийского молодежного научно-инновационного конкурса «Электроника-2006» (МГИЭТ, 30 ноября 2006 г.);

— Научно-технической конференции «Новые материалы и технологии НМТ-2006» (МАТИ-РГТУ им. К. Э. Циолковского, 2006 г.),.

— Всероссийской — научно-технической конференции «Приоритетные направления развития науки и технологий» (РХТУ им. Д. И. Менделеева, Тула, 2006 г.),.

— 13 ой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электроника и энергетика» (МЭИ, 2007 г.),.

— 14-той Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика -2007» (МИЭТ, 2007).

ПУБЛИКАЦИИ.

Основные положения диссертационной работы опубликованы в 26 печатных источниках, в том числе в 2 статьях в научных журналах, входящих в Перечень периодических и научно-технических изданий, выпускаемых в Российской Федерации, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертации на соискание степени кандидата наук.

ЛИЧНЫЙ ВКЛАД АВТОРА.

Основные научные и практические результаты получены автором лично. Автору принадлежит формулировка цели работы и постановка задач, обоснование и выбор путей их решения, разработка методик исследований, выполнение экспериментов, анализ, интерпретация и обобщение результатов, формулировка и разработка научных положений, выносимых на защиту.

Главными из них являются:

— сравнительный анализ современных аналитических методов, применяемых при контроле примесей в высокочистых средах;

— обоснование и выбор условий пробоподготовки высокочистого синтетического корунда для анализа;

— формулировка основных требований, апробирование модифицированной измерительной ячейки.

НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ.

1. Концепция и методические приемы пробоподготовки высокочистого синтетического корунда для аналитического контроля примесного состава.

2. Концепция и методические приемы высокочувствительного инверсионно-вольтамперометрического определения цинка, кадмия, свинца и меди в пробах высокочистых технологических сред от 2-хЮ" 5 мг/дм3.

3. Концепция и методические приемы высокочувствительного инверсионно-вольтамперометрического определения цинка, кадмия, свинца и меди в пробах высокочистого синтетического корунда на уровне от ОД ррш до 250 ррш.

4. Теоретическое обоснование и опытная реализация нового конструкторского решения модифицированной измерительной ячейки.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ ДИССЕРТАЦИИ

«.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения по основным результатам работы, выводов, списка использованной литературы и приложений. Работа содержит 137 страниц машинописного текста, включая 17 таблиц, 28 рисунков и список литературы из 140 наименований.

Выводы к главе 4.

1) Разработана и аттестована методика выполнения измерения содержания (массовой концентрации) цинка, кадмия, свинца и меди в пробах высокочистой и артезианской вод в химических лабораториях методом инверсионной вольтамперометрии (ВНИИМ им. Д. И. Менделеева свидетельство № 242/72−2006).

2) Разработана и аттестована методика выполнения измерений массовой доли цинка, кадмия, свинца и меди в пробах синтетического сапфира в химических лабораториях методом инверсионной вольтамперометрии (ВНИИМ им. Д. И. Менделеева свидетельство № 242/137−07).

3) Рентгенофлуоресцентный анализ является современным, высокочувствительным и экспрессным методом. Однако требует сложного и дорогостоящего оборудования и специально подготовленного высококвалифицированного обслуживающего персонала. Для анализа синтетического сапфира методом РФА необходима стадия пробоподготовки с применением специальных установок. Что усложняет и увеличивает стоимость анализа.

4) Результаты анализа образцов синтетического сапфира, полученные методом РФА совпадают в пределах погрешности с результатами РЕВ анализа.

123 ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

1. Установленона основании систематизированного анализа методов контроля высокочистых, веществ, что инверсионная вольтамперометрия обладает высокой чувствительностью и разрешающей способностью, возможностью одновременного определения большого количества примесей и широким диапазоном определяемых концентраций при низкой стоимости оборудования. '.

2, Результаты анализа литературы показали отсутствие методик выполнения, измерений примесей в. синтетическом корунде. и высокочистых технологических средах на уровне ОДррт методом инверсионной вольтамперометрии, И: соответственно, необходимость их разработки.

3. Теоретически обоснован, и разработан единственный приемлемый способ пробоподготовки синтетического корунда для анализа методом ИВ: сплавление с щелочными плавнями в платиновом тигле, при? 850 °C, в течение 15 минут.

4. Разработана модифицированная измерительная ячейка вольтамперометрического анализатора, позволяющая уменьшить величину погрешности, измерения силы. тока.

Введение

в измерительную ячейку пяти поддиапазонов регистрируемого тока с различным коэффициентом усиления привело к уменьшению погрешности измерения анодного тока до 0,16%, что превосходит большинство, российскихи зарубежных приборов данного класса. .

5. Проведено экспериментальное сравнение разработанной измерительной ячейки с. известными аналогами. Получены лучшие метрологические характеристики (более высокая точность, меньшее значение среднеквадратичного отклонения).

Исследовано влияние потенциала электролиза, времени электролиза, рН раствора и соотношения концентраций определяемых элементов на аналитический сигнал (анодный ток) метода инверсионной вольтамперометрии при определении цинка, кадмия, свинца и меди в синтетическом корунде. Установлен режим проведения анализа: потенциал электролиза (-1,2,) В, время электролиза 1 минута, рН<3.

Проведён сравнительный анализ образцов синтетического корунда методами рентгено-флуоресцентного анализа и ИВ. Полученные данные коррелируют друг с другом в пределах погрешности, что подтверждает правильность разработанной методики.

Проведена государственная аттестация методик выполнения измерений цинка, кадмия, свинца и меди в высокочистой воде, синтетическом корунде и изделиях в органах Росстандарта, что подтверждает их практическую значимость.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.С., Сухановская А. И. Методы анализа чистых химических реактивов. М.: Химия, 1984. 280 с.
  2. Методы анализа веществ высокой чистоты. Под ред. Алимарина И. П. М.: Наука, 1985.-528 с.
  3. Методы получения и анализа веществ особой чистоты. Под ред. Девятых Г. Г. М.: Наука, 1980. — 210 с.
  4. Успехи аналитической химии. Под ред. Золотова Ю. А., Петриковой М. И., -М.- Наука, 1984. 361 с.
  5. Ю.С., Радауцан С. И., Копанская JI.C., Старум Т. Г. Аналитическая химия полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975. — 217 с.
  6. Ю.А., Кузьмин Н. М. Концентрирование микроэлементов. М.: Химия, 1982.228с.
  7. Методы анализа веществ высокой чистоты. Под ред. Алимарина И. П. М.: Наука, 1965. 528 с.
  8. Методы получения и анализа веществ особой чистоты. Под ред. Девятых Г. Г.-М.: Наука, 1970.-210 с.
  9. Успехи аналитической химии. Под ред. Золотова Ю. А. Петриковой М.И., -М.- Наука, 1974. 361 с.
  10. Ю.С., Радауцан С. И., Копанская Л. С., Старум Т. Г. Аналитическая химия полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975. — 217 с.
  11. Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок. Под ред. Алимарина И. П., Луфт БД. М.: Наука, 1977. 305 с.
  12. И.П., Луфт БД., Кузнецов Ю. П., Дворянкин В. Ф. «Проблемы анализа микрообъектов в электронной технике» В Кн. Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок. -М.: Наука, 1977, с. 5−8.
  13. Получение и анализ веществ высокой чистоты. Под ред. Девятых Г. Г. М.: Наука, 1978, 275 с.
  14. М.С., Крючкова О. Н., Рамендик Г. И. Аналитические возможности искровой масс-спектрометрии. М- Атомиздат, 1982.-222 с.
  15. Ю.А., Кузьмин Н. М. Концентрирование микроэлементов. М.: Химия, 1982,-284 с.
  16. И.Г., Буянова Л. Н., Шелпакова И. Р. Химико-спектральный анализ веществ высокой, чистоты, Новосибирск: Наука. 1980. — 224 с.
  17. Бартенев B JL, Брюнин В. Н., Федотов ВКонтроль технологических сред в производстве ИС //Электронная промышленность. 1985, Вып. З (141), с.80−84.
  18. И.А., Денисов Л-К., Ихенов Д. А., Сальников М. А., Сивоволов В. А. и др. Контроль содержания, органических примесей- в технологических средах микроэлектроники с помощью лазерного флуориметра //Электронная промышленность. 1986, Вып. З (151), с.62−64.
  19. И.Г. Лаборатория, контроля чистоты полупроводниковых материалов института неорганической химии СО АН СССР. Ж. аналит. химии, 1982, т. 37, № 10, с. 1903 1907.
  20. Ю.А., Алимарин И. П. Методы и проблемы современной аналитической химии высокочистых веществ- // Методы анализа высокочистых веществ. М.: Наука, 1987! с.23−54.
  21. А.В. Оптоэлектроника как область науки и техники. Учебное, пособие.—М-: Микрон-принт, 2001.-147 с:
  22. Райцын Е. Р: Создание пьезоэлектрических гетероструктур на основе нитрида алюминия методом реактивного испарения. // Дисс. канд. техн. наук. М.: МИЭТ. 1987. 214с.
  23. Н.В., Добрынин А.В-, Малюков Б. А. и др- Особенности кристаллизации сложных гетероструктур нитридов алюминия и галлия //
  24. Тез. 3го Вссрос. совсщ. по нитридам, М.: МГУ, 1999 г., с21−22:
  25. Xu Jianwei, Zhou Vongzong, Zhou Giioqing, Xu Ke, Deng Peizhen and Xu Jun. Growth of large-sized- sapphire boules. by temperature gradient technique (TGT)// Journal of Crystal Growth, Volume 193, Issues 1−2.-1998. -p. 123−126.
  26. J. A. Schneider, S. E. Guthrie, M. D. Kriese, W. M. Clift and N. R. Moody. Impurity effects on. the adhesion of aluminum films on sapphire substrates// Materials Science andiEngineering A Volume 259jTssue 2.-1999.-p. 253−260.,
  27. K. P. D. Lagerlof and R. W. Grimes. The defect chemistry of sapphire (a-Al203)//ActaMatcrialia Volume 46, Issue 16.-1998.-p. 5689−5700
  28. Liu L., J.H. Edgar/ Substrates, for gallium nitride epitaxy // Materials' Science and Engineering, R 37.-2002.-p. 61−127.
  29. С.М., Обработка и защита поверхности полупроводниковых- приборов: М.: Энергия, 1970. — 296 с. '
  30. .Г., Князев А. С. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике. К.: Техника, 1990, с.5−28.
  31. Grudner M. Wet chemical treatments of Si surfaces: Chemical composition and morfology // Solid State Technology Vol 34. No. 2. Feb. 1991. P. 69−75.
  32. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. Ковалева А. А. «Новые технохимические процессы и оборудование жидкостного химического снятия слоев полимеров в планарном микроэлектронном производстве» М., МИЭТ, 2000. 170 с.
  33. Skidmore К. Cleaning techniques for wafer surfaces // Semiconductor International. Vol. 10. No. 8. Aug. 1987.
  34. McHatton C., Gumbert C.M. Eliminating backgrind defects with wet chemical etching//Solid state technology. Vol. 41., No. 11., Nov. 1998. P. 85−90.
  35. Hattory T. Environmentally friendly single-wafer spin cleaning // Solid state technology. Vol. 42. No. 11. Nov. 99. P. 73−80.
  36. Meuris M., Merteus P.W., Opdebeeck A. The IMEC clean: a new concept for particle and metal removal on Si surfaces // Solid State Technology. Vol. 38. No. 7. Jul. 1995. P. 109.
  37. Hall R.M. Investigating particle, metallic deposition in megasonic4 wafer cleaning//MICRO. Vol. 14. No. 7. July/August. 1996. P. 81−90:
  38. Ю. Проектирование технологии очистки в процессе изготовления СБИС // Гл. 1. Технология прецизионной очистки. Всесоюзный центр переводов. No. М-35 457. 1984. С. 1−63. •
  39. А.И. Курносов, В. В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов // «Судостроение». 1965. С. 20−24.
  40. BurggraafP. Water cleaning: brush" and high-pressure scrubbers // Semiconductor International. Vol. 4. No. 7. Jul. 1981.
  41. OCT 11 029.003−80 «ИЭТ. Вода, применяемая в производстве. Марки, технические требования, методы очистки и контроля».
  42. Диссертация на соискание ученой степени к.т.н. Жиркова М. В. «Разработка методов и средств контроля параметров технологии водоподготовки в производстве изделий микроэлектроники». М.: МИЭТ, 2003. 190 с.
  43. Д., Ю. П. Райнова. Физико-химические основы технологии микроэлектроники.-М.:"МЕТАЛЛУРГИЯ", 1979.-е. 408.
  44. W.Kern, «The Evolution of Silicon Wafer Cleaning Technology"//Electrochem. Soc., Vol. 197, No.6, p. 1887, 1990.
  45. K. Yoneda „Wafer Clean Technology for Sub Micron Processing“, // Techical Proceeding Semicon Japan, p.162, 1991.
  46. Vic Comello „Semiconductor International“, p.76, March, 1991.
  47. В.П., Вахрушев М. Ю., Гизатуллин M.P. „Очистка пластин кремния от органических примесей“//Электронная промышленность, 1993, № 4, с.33−34.
  48. Kern W. Radiochemical study of semiconductor surface contamination//RCA Rev. 1970. — № 6, p.203−264.
  49. В. Т., Васильев М. А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов. Киев: Наукова думка, 1982. — 399с.
  50. Ф.А. Поверхностные загрязнения и методы их исследования // Методы анализа высокочистых веществ. М.: Наука, 1987. с.75−93.
  51. Диссертация на соискание ученой степени д.х.н. Юделевича И. Г. „Исследования в области анализа веществ высокой чистоты и полупроводниковых материалов“ Новосибирск, Институт неорганической химии СО АН СССР, 1972. 420 с.
  52. И.Р., Юделевич И. Г. Послойный химико-спектральный анализ арсенида галлия. // Методические разработки в области материаловедения полупроводниковых и твердотельных структур. Новосибирск, 1982, с. 62.
  53. Г. И., Дергиев В. И., Васюта Ю. В. Общий, послойный и локальный анализ компактных диэлектриков на масс-спектрометре с искровым лоточником ионов. Ж. аналит. химии, 1979, т. 34, № 7, с. 1361 — 1372.
  54. .И., Майоров Н. А., Недлер В. В., Смирнов А. Ю. Использование ионной бомбардировки для послойного анализа материалов спектральными методами. Ж. аналит. химии, 1975, т. 30, № 1, с. 33−39.
  55. И.А., Сабатовская B.JL, Свердлина С. А., Хоркина А. С., Виноградова М. С., Кузьмин Н. М. Комбинированный высокочувствительный метод определения примесей в эпитаксиальных структурах кремния. Заводск. лаборатория, 1971, т. 37, № 9, с. 1071 — 1077.
  56. Определение примесей в пленках окисла и нитрида кремния на кремниевой подложке. /Юделевич И.Г., Шелпакова И. Р., Буянова JI.H., Чучалина J1.C., Щербакова О. Н., Середнякова Т. П., Зеленцова J1.B. Ж. аналит. химии, 1974, т. 29, № 3, с. 518 — 522.
  57. Г. Н. Новые направления работ и перспективы развития искровой масс-спектрометрии. Ж. аналит. химии. 1983, т. 38, № 11, с. 2036 — 2050.
  58. В.А., Сапрыкин А. Н., Шелпакова И. Р., Юделевич И. Г. Выбор оптимальных условий послойного анализа полупроводниковых структур на искровом спектрометре. Ж. аналит. химии, 1987, т. 33, № 7, с. 1274−1280.
  59. И.Р., Сапрыкин А. И., Юделевич И. Г. Искровой масс-спектрометрический анализ материалов высокой чистоты с концентрированием примесей // Методы анализа высокочистых веществ. М.: Наука, 1987. с.143−156.
  60. Ю.В., Догадкин Н. Н., Кучинская О. И. // Структура и свойства соединений А2В6: Науч. Труды МИСиС. М.: Металлургия. 1983, № 146. С.29−35.
  61. Helmut Baltruschat, Differential Electrochemical Mass Spectrometry, J Am Soc Mass Spectrom, 2004, 15, 1693c.
  62. . В. // Атомно-абсорбционный спектральный анализ М.: Наука, 1966−392 с.
  63. Ю.Н., Борисов А. Г., Никитина Н. Г., Суханова Л. С., Петрова В. З. Методы исследования состава и структуры материалов электронной техники. -М.:МИЭТ, 1997. 256 с.
  64. У. Атомно-абсорбционная спектроскопия. Пер. с англ. под ред. Б .В. Львова и др. М.: Химия, I97L — 307 с.
  65. А.И. Материалы для полупроводниковых приборов иинтегральных схем. М.: Высшая школа, 1975. — 342 с.
  66. О.А., Кузнецов Ю. Н., Кузовлев И. А. Применение электрохимического растворения примесей при атомно-абсорбционном анализа поверхностных загрязнений пластин Si. Электронная техника. Сер.6. Материалы, 1985, вып. 3, с. 45 — 50
  67. М.Н., Шманенкова Г. И., Кондратьева Г. И. // Методы аналитического контроля полупроводниковых материалов: Науч. Тр. ГИРЕДМЕТа.М., 1996. Т.71. С.128−133
  68. Slavin W» Sprague S. Perkin-Elmer Atomic Absorption Newsletter, № 17, January, 1964.
  69. Sprague S., Slavin W., Perkin-Elmer Atomic Absorption Newsletter, No 20, May, 1964.
  70. Сб. Методы анализа химических реактивов и препаратов. Вып. 10., Атомно-абсорбционный анализ, ИРЕА, М., 1965, 250 с.
  71. Koirtyohaun S. R., Feldman С., in J. Е. Forrelle and E. Lanterman, eds., Developments in Applied Spectroscopy, Vol. 3, Plenum Press, New York, 1964, J p. 180.
  72. И.П., Луфт Б. Д., Кузнецов Ю. П., Дворянкин В. Ф. «Проблемы анализа микрообъектов в электронной технике» В Кн. Современные методы анализа микрообъектов и тонких пленок. -М.: Наука, 1977, с. 5−8.
  73. X. А., Пфейфер Г. Г., Уинслоу Э. Г., Земани П. Д. Применение поглощения и испускания рентгеновских лучей, Металлургиздат, М., 1964.
  74. Henke В. L., X-Ray Optics and X-Ray Microanalysis, Academic Press, New York, 1963.
  75. Campbell W. J., Leon M., Thatcher J., Advances in X-Ray Analysis, 1, Plenum Press, New York, 1960, p. 193.
  76. A.A., Пучеров H.H., Чеснокова Т. Д. Методы анализа на пучках заряженных частиц Киев: Наук, думка, 1987.-152 с.
  77. Castaing R., Electron Probe Microanalysis, in L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics, Vol. 13, Academic Press, New York, 1960, p. 370.
  78. БлохинМ. А. Физика рентгеновских лучей, М.:Наука, 1987. 307 с.
  79. Clark G.L., ed. Encyclopedia of X-Rays and Gamma Rays, Reinhold, New1. York, 1963.410 р.
  80. Smith R- W., ed., Symp. on X-Ray and Electron Probe Analysis, ASTM Spec. Tech. Publv,№ 349, 1964.
  81. Прецизионные рентгеновские и электрохимические приборы, рентгеновские диагностические аппараты-, приборы лабораторной технологии /Официальный каталог Международной выставки конференции- «Человек, город и окружающая среда» (Москва, июнь 1998 г.), с. 22.
  82. Рентгенофлуоресцентный анализ под ред. Н.Ф. Лосева- Новосибирск «Наука» Сибирское отделение, 1991 175 с.
  83. Диссертация на соискание ученой степени д.х.н. Каплина А. А. «Инверсионный вольтамперометрический анализ микрообъектов, слоев кристаллов: и пленок» Томск, Томский политехнический университет, 1985- 468 с.
  84. Ф., Штулик Н., Юлакова Э. Инверсионная вольтамперометрия. -М.: Мир, 1980.-278 с.
  85. Я., КутаЯ. Основы полярографии. —М.: Мир, 1965. 559 с.
  86. Кольтгоф И-И., Лингейн Дж.Дж. Полярография. М.: Мир, 1978. — 502 с.
  87. Mann С.К. Electrochemical Reactions in Nonqueous Systems.-Marcell Dekker, New York, 1969.-236 p.
  88. Галюс 3- Теоретические основы электрохимического анализа. М.: Мир, 1974.- 552 с.
  89. F.K., Казаков В. Е. Современные полярографы. Ж. Завод. Лаб., 1999, т. 65, № 11 с.3−12.
  90. F.K., Казаков В. Е. Электроаналитическое оборудование фирмы «Bioanalytical systems». Ж. аналит. хим., 2000, т. 55, № 2. с.212−217.
  91. А.Г., Каплин А. А., Карбаинов Ю. А., Назаров Б. Ф., Колпакова Н. А., Слепченко Г. Б., Иванов Ю. А. Инверсионная вольтамперометрия в работах Томской научной школы. Химия и химическая технология. 2000, т.43, вып. 3, с.8−33.
  92. A.M., Полярографические методы в аналитической химии. М.: Химия, 1983,-328 с.
  93. Г. К., Майстренко-В.Н., Вяселев М. В., Основы современного*электрохимического анализа.-М.: «Мир», Бином. Лаборатория знаний, 2003,-592 с.
  94. .Я., Пац Р.Г., Салихджанова Р.М.-Ф. Вольтамперометрия переменного тока. М.: Химия, 1985. — 264 с.
  95. Салихджанова Р.М.-Ф., Гинзбург. Полярографы и их эксплуатация в практическом анализе и исследованиях. М.: Химия, 1988. — 160 с.
  96. Ю.А. Теоретические основы инверсионной вольтамперометрии растворов комплексов металлов (в т.ч. экстрактов) на ртутных электродах ограниченного объема. Дисс. докт. хим. наук. М.: 1982.-340 с.
  97. Е.Я., Никулина И. Н. Современное состояние метода инверсионной вольтамперометрии твердых фаз. Ж. аналит. химии, 1974, т. 29, № 6. с. 1177−1193.
  98. Х.З., Нейман Е. Я. Твердофазные реакции в электроаналитической химии. М.- Химия, 1982. — 264 с.
  99. С.П., Ковалева А. Ю., Еремин Г. В., Хаханин С.Ю «Проблемысертификации подложек сапфира для производства приборов на основе GaN» // Тез. Докл. Всероссийской научно-технической конференции «Новые материалы и технологии», М.: МАТИ, 2002, Т.4. с. 98.
  100. Бок Р. Методы разложения в аналитической химии: — М.: Химия, 1984.
  101. Я., Повондра П., Шульцек 3. Методы разложения горных пород и минералов.-М.: Мир, 1968.
  102. Москвин Л-. Н., Царицына Л. Г. Методы разделения и концентрирования в аналитической химии.— Л.: Химия, 1991.
  103. Ю.А., Савостин А. П. Методы пробоотбора и пробоподготовки.-М.: «Мир», Бином. Лаборатория знаний, 2003.-241 с.
  104. .Б., Петрий О. А. Введение в электрохимическую кинетику.-М.: Высшая школа, 1975.
  105. Галюс 3. Теоретические основы электрохимического анализа. -М.: Мир, 1974.
  106. А.А. «Разработка и госаттестация методологии контроля наносодержаний примесей в синтетическом сапфире» / Тез. докл. 14-той Всеросс. межвуз. н.-техп. • конф. студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика 2007″ (М.:МИЭТ, 2007), с. 372.
  107. Т.И. Хаханина, А. Ю. Ковалева, А. А. Гурская „Мониторинг концентрации лития и тяжелых металлов в питьевой воде методом инверсионной вольтамперометрии“ / „Медицинская техника“, 2006, № 6, с. 38−40.
  108. Т.И. Хаханина, А. А. Гурская „Применение инверсионной вольтамперометрии для контроля содержания микропримесей в синтетическом сапфире“ /"Электроника, Известия вузов», 2008, № 1, с. 79−83.
  109. Т.И., Гурская А. А. «Инверсионно- вольтамперометрический контроль органических загрязнений в воде» / Сб. материалов V Международной н.-практ. конф. «Экология и безопасность жизнедеятельности» (Пенза, 2005), с. 287−289.
  110. Ковалева А. Ю, Гурская А. А., Хаханин С. Ю. и др. «Анализ наносодержаний экотоксикантов в природных и биологических объектах» / VII Международн. конф. «Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». -Ульяновск:УлГУ, 2005. с. 214.
  111. А.Ю., Гурская А. А. «Электроаналитика в высокочувствительном экспресс контроле наносодержаний лития и фтора в воде» / Материалы н.-техн. конф. «Новые материалы и технологии НМТ-2006» (МАТИ-РГТУ им. К. Э. Циолковского, 2006), Т. З, с. 76−77.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!