Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе

Диссертация: Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты диссертационной работы были доложены на III Международном семинаре ISSCRM-2000 «Карбид кремния и родственные материалы» (Великий Новгород, 2000) — III Международном совещании по карбиду кремния и сопутствующим материалам (Н. Новгород, 2000) — II Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000… Читать ещё >

Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЯ ДЕФОРМАЦИИ
    • 1. 1. Сравнительный анализ металлических и полупроводниковых тензопреобразователей
    • 1. 2. Физический принцип преобразования деформации датчика (тензорезистивный эффект)
    • 1. 3. Изготовление полупроводниковых тензопреобразователей и их основные характеристики
    • 1. 4. Анализ известных технических решений
  • ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ
    • 2. 1. Способы получения и особенности технологии роста гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/S
    • 2. 2. Диффузионная технология создания гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si с использованием твердофазного кремния и углерода
    • 2. 3. Легирование гетероэпитаксиальных слоев 3C-SiC на кремниевых подложках в процессе роста
  • ГЛАВА 3. КАЧЕСТВЕННЫЙ И КОЛИЧЕСТВЕННЫЙ АНАЛИЗ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ 3C-SiC/S
    • 3. 1. Рентгеноструктурный анализ гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC/S
    • 3. 2. Электронографические исследования гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC/S
    • 3. 3. Морфология поверхности гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC/S
    • 3. 4. Химический анализ состава гетероэпитаксиальных слоев 3C-SiC/S
      • 3. 4. 1. Методика проведения количественного анализа состава
      • 3. 4. 2. Количественный анализ состава гетероэпитаксиальных пленок
    • 3. C-SiC/S
      • 3. 5. Исследование гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si методом отражательной ИК-спектроскопии
  • ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР 3C-SiC/S
    • 4. 1. Модели гетеропереходов
    • 4. 2. Энергетические диаграммы анизотипных гетеропереходов n-SiC/p-Si и p-SiC/n-S
    • 4. 3. Энергетические диаграммы изотипных гетеропереходов n-SiC/n-Si и p-SiC/p-S
    • 4. 4. Гомопереходная структура p-n-SiC/S
    • 4. 5. Анализ электрофизических свойств кубического карбида кремния и гетероструктур на его основе
  • ГЛАВА 5. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ЭЛЕКРОФИЗИЧЕСКИХ И ТЕНЗОМЕТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК СТРУКТУР SiC/S
    • 5. 1. Методика изготовления образцов и экспериментальные установки
    • 5. 2. Результаты экспериментальных исследований вольт-фарадных характеристик гетероструктур 3C-SiC/S
    • 5. 3. Результаты экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик гетероструктур 3C-SiC/S
    • 5. 4. Результаты экспериментальных исследований тензометрических характеристик пленок 3C-SiC/S

Актуальность работы.

Выполненный обзор публикаций по тензопреобразователям показал, что проблема сохранения высокой чувствительности полупроводникового материала к деформации в области высоких рабочих температур датчика остается актуальной. Повышение максимальной рабочей температуры интегральных тензо-преобразователей — важная практическая задача. Она может быть решена при использовании широкозонных полупроводниковых материалов, например, карбида кремния.

Высокотемпературные приборы необходимы авиационной и космической технике, машиностроению, автомобильной промышленности. Кремний, широко используемый базовый материал для различного рода полупроводниковых датчиков, в силу своих физико-химических свойств не может быть использован без потери надежности на порядок при температуре выше 150 °C [1].

Однако очевидные преимущества полупроводниковых датчиков (наилучшее соотношение показателей цена/эффективность) диктуют необходимость поиска новых полупроводниковых материалов, в том числе полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, реализованных на базовом оборудовании массовой полупроводниковой технологии кремния.

Выращивание пленок кубического карбида кремния (3C-SiC) достаточно больших площадей пригодных для серийной технологии производства полупроводниковых приборов, было достигнуто с помощью гетероэпитаксиальной технологии. Из-за сходства типа кристаллической структуры, технологичности и доступности основным материалом подложки является кремний.

В последнее время сформировалось новое направление полупроводниковой микроэлектроники — высокотемпературная электроника на основе структур из широкозонных полупроводниковых материалов. Например, МОП-транзистор на гетероструктуре SiC/Si работает до 450 °C [2]. Таким образом, карбид кремния как полупроводниковый материал перспективен для применения его в датчиках, работающих в условиях высоких температур до 350 °C.

Цель работы.

Целью работы является исследование гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC, полученных на кремниевых подложках химическим газотранспортным методом, и создание тензопреобразователей для применения их в датчиках ускорения, перемещения, усилия, анализа вибраций при эксплуатации в условиях возможно более высоких температур.

Задачи диссертационной работы.

1. Получение гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si химическим газотранспортным методом с использованием твердофазного кремния и углерода.

2. Изучение количественного и качественного структурного состава гетероэпитаксиальных слоев 3C-SiC.

3. Изучение электрофизических характеристик гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si.

4. Формирование тензочувствительных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si и исследование их тензометрических характеристик.

Новые научные результаты.

1. В настоящей работе для получения гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si использовалась диффузионная технология, разработанная в Самарском государственном университете и защищенная авторскими свидетельствами [3−6]. Получены анизотипные p-SiC/n-Si, n-SiC/p-Si, изотипные p-SiC/p-Si, n-SiC/n-Si гетеропереходы, а также структуры с гомопереходом p-n-SiC/n-Si, p-n-SiC/p-Si и n-p-SiC/n-Si.

2. Проведено исследование атомно-кристаллической, морфологической структуры и количественного состава гетероэпитаксиальных пленок 3C-SiC методами электронографии и рентгеноструктурного анализа. Установлено, что полученные пленки являются монокристаллическими, морфология поверхности пленок зеркальная. Методом Оже-спектроскопии показано, что состав пленок.

3C-SiC по толщине близок к стехиометрическому. Определены концентрации примесей в пленках 3C-SiC методом отражательной ИК-спектроскопии. Кон.

17 3 18 3 центрация примесей составляла 5 10 см" в пленках n-SiC и 3−10 см" в пленках p-SiC. Показано, что экспериментальные значения концентраций примесей находятся в согласии с технологическими условиями получения гетероструктур SiC/Si.

3. Впервые рассчитаны параметры энергетических зонных диаграмм полученных гетеропереходов SiC/Si и гомоперехода SiC/SiC с использованием экспериментально определенных значений концентраций примесей в исследуемых пленках карбида кремния для случая резкого р-п-перехода и в отсутствии состояний на границе раздела полупроводников. Определены изгибы энергетических зон, контактная разность потенциалов на переходе, толщина слоев объемного заряда в полупроводниках, образующих переход. На основании полученных данных показано, что между подложкой Si и слоем SiC существует потенциальный барьер, «развязывающий» слой и подложку по току, так что эпи-таксиальный слой оказывается электрически изолированным от подложки.

4. Исследованы вольт-фарадные характеристики гетероструктур 3C-SiC/Si. По напряжению отсечки на вольт-фарадных характеристиках определены поверхностные плотности ловушек на границе гетероперехода SiC/Si. Значения поверхностных плотностей ловушек лежали в пределах (2,3−2,8)-1012 см" 2.

5. Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур 3С-SiC/Si при комнатной температуре в темноте. Установлено, что вид прямой ветви вольт-амперной характеристики анизотипных гетеропереходов хорошо описывается уравнением эмиссионно-рекомбинационной модели с коэффициентом неидеальности р = 2,3 для p-SiC/n-Si и (3 = 2,7 для n-SiC/p-Si. Показано, что вольт-амперные характеристики изотипных (n-SiC/n-Si, p-SiC/p-Si) гетеропереходов подобны вольт-амперной характеристике системы из двух Шоттки-диодов, соединенных последовательно навстречу друг другу.

6. Изготовлены тензочувствительные элементы на основе гетерострук-тур 3C-SiC/Si. Впервые проведены исследования тензочувствительности полученных структур на сжатие до деформации 0,03%. Показано, что деформация сжатия приводит к уменьшению сопротивления пленок SiC. Установлено, что зависимость относительного изменения сопротивления пленок от деформации сжатия линейная.

7. Определены коэффициенты тензочувствительности для структур p-SiC/n-Si, n-SiC/p-Si, p-SiC/p-Si, p-n-SiC/n-Si и p-n-SiC/p-Si. Установлено, что наибольшим коэффициентом тензочувствительности обладают пленки 3C-SiC р-типа проводимости с кристаллографической ориентацией (111).

8. Показано, что тензочувствительные элементы на основе p-SiC/n-Si и p-n-SiC/n-Si позволяют измерять деформацию в диапазоне температур 20-к350°С с коэффициентом преобразования при 20 °C равным 40-^60 и 100^-120 соответственно.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

1. В рамках химического газотранспортного метода в открытой системе с использованием твердофазных источников Si и С получены гетероэпитакси-альные структуры 3C-SiC/Si.

2. Результаты исследования атомно-кристаллической, морфологической структуры и количественного состава гетероэпитаксиальных пленок карбида. Показано, что пленки 3C-SiC являются монокристаллическими, морфология поверхности пленок зеркальная, состав гетероэпитаксиальных пленок SiC по толщине близок к стехиометрическому. Концентрация примесей равна 5−1017 см-3 в пленкахn-SiC и 3−1018 см" 3 в пленках p-SiC.

3. Параметры энергетических диаграмм гетеропереходов SiC/Si и гомо-перехода SiC/SiC, рассчитанные с использованием экспериментально определенных значений концентраций примесей исследуемых пленок SiC для случая резкого р-п-перехода и в отсутствии состояний на границе раздела полупроводников.

4. Результаты исследования вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик изотипных и анизотипных гетеропереходов 3C-SiC/Si. Установлено, что вид прямой ветви вольт-амперных характеристик анизотипных гетеропереходов хорошо описывается уравнением эмиссионно-рекомбинационной модели, вольт-амперные характеристики изотипных гетеропереходов подобны вольт-амперной характеристике системы из двух Шоттки-диодов, соединенных последовательно навстречу друг другу.

5. Результаты исследования тензочувствительности пленок 3C-SiC для структур p-SiC/n-Si, n-SiC/p-Si, p-SiC/p-Si, p-n-SiC/n-Si и p-n-SiC/p-Si. Установлено, что наибольшим коэффициентом тензочувствительности обладают пленки 3C-SiC р-типа проводимости с кристаллографической ориентацией (111). Коэффициентом тензочувствительности при 20 °C равным 50-^60 для структуры p-SiC/n-Si и 110-^120 для структуры p-n-SiC/n-Si.

Научно-практическая ценность работы.

Результаты работы могут быть использованы для получения и исследования пленок 3C-SiC на кремнии и изготовления на их основе различного рода полупроводниковых приборов, в том числе и тензопреобразователей, работающих в условиях экстремальных температур до 350 °C.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы были доложены на III Международном семинаре ISSCRM-2000 «Карбид кремния и родственные материалы» (Великий Новгород, 2000) — III Международном совещании по карбиду кремния и сопутствующим материалам (Н. Новгород, 2000) — II Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2000) — II Международной конференции молодых ученых и студентов «Актуальные проблемы современной науки» (Самара, 2001) — IV Международной теплофизической школе «Теп-лофизические измерения в начале XXI века» (Тамбов, 2001) — VIII Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-8» 9.

Екатеринбург, 2002) — VIII Международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 2002).

Работа выполнялась по программе сотрудничества Министерства образования РФ и Министерства обороны РФ, 2001 г., и финансировалась из фонда Губернских грантов, 2001 г. Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, в том числе 3 статьи и 5 докладов на научно-технических конференциях и семинарах. Объем работы.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка используемой литературы из 119 наименований, содержит 63 рисунка, 11 таблиц. Общий объем диссертации составляет 146 стр.

Основные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом:

1. Показано, что химическим газотранспортным методом можно получать гетероэпитаксиальные структуры 3C-SiC/Si.

2. Получены изотипные p-SiC/p-Si, n-SiC/n-Si, анизотипные p-SiC/n-Si, n-SiC/p-Si гетероструктуры, а также структуры p-n-SiC/n-Si, p-n-SiC/p-Si, n-p-SiC/n-Si.

3. Исследованы атомно-кристаллическая, морфологическая структура и количественный состав гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния. С помощью рентгеновского и электронографического методов установлено, что полученные пленки SiC имеют монокристаллическую структуру. Установлено, что морфология поверхности гетероэпитаксиальных пленок SiC зеркальная. Методом Оже-спектроскопии показано, что состав гетероэпитаксиальных пленок SiC по толщине близок к стехиометрическому.

4. Впервые определены параметры энергетических диаграмм идеальных гетеропереходов SiC/Si и гомоперехода SiC/SiC с использованием экспериментально определенных значений концентраций примесей исследуемых пленок карбида кремния. Определены изгибы энергетических зон, толщина слоев объемного заряда в полупроводниках, контактная разность потенциалов на переходе. Расчеты проведены для случая резкого р-п-перехода и в отсутствии состояний на границе раздела полупроводников.

5. Из анализа энергетических диаграмм установлено, что между подложкой и слоем SiC существует потенциальный барьер, «развязывающий» слой и подложку по току, так что эпитаксиальный слой оказывается электрически изолированным от подложки.

6. Исследованы вольт-фарадные характеристики гетероструктур 3C-SiC/Si. По напряжению отсечки на вольт-фарадных характеристиках определены поверхностные плотности ловушек на границе гетероперехода SiC/Si. Значения поверхностных плотностей ловушек лежали в пределах (2,3+2,8)-1012 см" 2.

7. Исследованы вольт-амперные характеристики гетероструктур 3C-SiC/Si при комнатной температуре в темноте. Установлено, что вид прямой ветви вольт-амперной характеристики анизотипных гетеропереходов хорошо описывается уравнением эмиссионно-рекомбинационной модели с коэффициентом неидеальности [3 = 2,3 для p-SiC/n-Si и (3 = 2,7 для n-SiC/p-Si. Показано, что ВАХ изотипных (n-SiC/n-Si, p-SiC/p-Si) гетеропереходов подобны ВАХ системы из двух Шоттки-диодов, соединенных последовательно навстречу друг другу.

8. Впервые исследован тензорезистивный эффект в пленках 3C-SiC до деформации 0,03%. Установлено, что при деформации сжатия сопротивление пленок уменьшается. Для структур p-SiC/n-Si, n-SiC/p-Si, p-SiC/p-Si, p-n-SiC/n-Si и p-n-SiC/p-Si определены коэффициенты тензочувствительности. Установлено, что наибольшим коэффициентом тензочувствительности облада.

134 ют пленки 3C-SiC р-типа проводимости с кристаллографической ориентацией (111). Изготовлены чувствительные элементы датчика деформации на основе структур p-SiC/n-Si и p-n-SiC/n-Si, позволяющие измерять деформацию в диапазоне температур 20-^3 50 °C с коэффициентом тензочувствительности К = 50-г60 для структуры p-SiC/n-Si и К = 110−4-120 для структуры p-n-SiC/n-Si.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Главной целью диссертационной работы было исследование пленок 3C-SiC, выращенных на кремниевых подложках химическим газотранспортным методом, и изучение возможности применения их для создания тензопреобра-зователей, способных работать в области высоких температур до 350 °C.

В процессе выполнения работы согласно поставленным задачам были получены гетероэпитаксиальные пленки 3C-SiC на кремниевых подложках. Методами рентгеновского анализа и электронной микроскопии исследована атомно-кристаллическая структура и морфология поверхности полученных гетероэпитаксиальных пленок. Методом электронной Оже-спектрокопии определен количественный состав пленок SiC. Методом ИК-спектроскопии определены концентрации примесей в пленках. Показана перспективность применения полученных пленок для изготовления полупроводниковых приборов, в частности чувствительных элементов датчиков деформации, работающих в условиях высоких температур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. Методы отвода тепла от полупроводниковых приборов // Электроника. 1980. № 1.-С. 44−53.
  2. П.А., Челноков В. Е. Полупроводниковый карбид кремния технология и приборы // ФТП. — 1995. Т.29. Вып. 11. — С. 1921−1942.
  3. В.И. Способ получения карбида кремния / АС СССР № 1 436 544 от 08.07.1988.
  4. В.И., Комов А. Н., Смыслов В. И., Блатов В. Г., Соколова А. А. / АС СССР № 179 902 от 10.10.1982.
  5. А.Н., Кочетков В. Ю., Чепурнов В. И. / АС СССР № 223 477 от 24.10.1984.
  6. А.Н., Чепурнов В. И. Способ получения эпитаксиальных пленок карбида кремния / АС СССР № 731 113 от 21.08.1980.
  7. Аш Ж. Датчики измерительных систем. М.: Мир, 1992. — Кн.1. — 432 с.
  8. Ф. Электронные измерительные приборы и методы измерений. М.: Мир. — 1990. — 326 с.
  9. Yamanaka М., Daimon Н., SakumaE., Misawa S., Kazuhiro Е., Yoshida S. Temperature dependence of electrical properties of nitrogen-doped 3C-SiC // J.Appl.Phys. 1987. Vol.60. — P. L533-L535.
  10. ГридчинВ.А., Любимский B.M., Берлинский A.C. Особенности проектирования поликремниевых интегральных тензопреобразователей // Приборы и системы управления. 1993. № 5. — С. 23−24.
  11. Ю.В., Марченко А. Н., Ващенко И. И. Полупроводниковые резисторы в электронике. М.: Энергоиздат. — 1988. — 260 с.
  12. Справочник физико-химических величин. М.: Мир. — 1990. — С. 244.
  13. О. Методы отвода тепла от полупроводниковых приборов // Электроника. 1980. № 21. — С. 44−48.
  14. Ю.А., Вольфсон А. А., Ломакина Г. А., МоховЕ.Н., Остроумов Г. А. Высокотемпературный интегральный тензорезисторный элемент из карбидакремния // Приборы и системы управления. 1981. № 1. — С. 22−25.
  15. Г. Датчики. М.: Мир, 1989. — 118 с.
  16. Измерительные преобразователи давлений и разности давлений // Контрольно-измерительная техника. 1986. № 36. — С. 5−6.
  17. .С., Заседателев С. М. Полупроводниковые датчики механических величин на современном этапе // Приборы и системы управления. 1981. № 1. — С. 16−19.
  18. Р.И., Лавитская Е. Н. Способ улучшения характеристик полупроводниковых датчиков со струнным резонатором // Приборы и системы управления. -1998. № 1. С. 51−53.
  19. И.Б., Карцев Е. А. Математическое моделирование и оптимизация параметров микромеханического датчика давлений в вакууме // Приборы и системы управления. 1998. № 5. — С. 31−35.
  20. В.Ч., Шимкявичюс Ч. И. Перспективные датчики абсолютного давления// Приборы и системы управления. 1996. № 6. — С. 27−29.
  21. Пьезорезистивный сенсор давлений. Halbleitervorrichtung mit einem piezoresistiven Drucksensor: Заявка 4 309 207 ФРГ, МКИ6 G 01 L 9/06/Hartauers.: Texas Instruments Deutschland GmbH.-№ 43 092 071- Заявл. 22.3.93- Опубл. 29.9.94.
  22. В.П. Тензометрический преобразователь с частотным выходом // Приборы и системы управления. 1997. № 8. — С. 45−46.
  23. Датчик давления. Pressure sensor: Заявка 2 307 744 Великобритания, МКИ6 G01L 9/00/Stansfeld J.W.- Solartron Group Ltd., № 96 248 901- Заявл. 29.11.96- Опубл. 4.6.97- НКИ GIG.
  24. В. Д. Полупроводниковые многофункциональные сенсоры широкого применения (Z-сенсоры) // Приборы и системы управления.- 1999. № 1.-С. 38−41.
  25. Р. Джонсон. Крестообразный датчик давления // Электроника. 1980. № 21. — С. 9−10.
  26. Р. Новые области применения кремниевых полупроводниковых датчиков // Электроника. 1980. № 24. — С. 28−30.
  27. Ю.Д., Суханов В. И., Стучебников В. М., Федоров В. И. // Приборы и системы управления. 1990. № 3. — С. 25−28.
  28. В.А., СаринаМ.П., Любимский В. М., СаблинА.В. Датчик давления на основе поликремниевого тензопреобразователя // Приборы и системы управления. 1990. № 3. — С. 21−25.
  29. Ф.Ф., Гранковский Э. В., Дроздов А. К. и др. Некоторые вопросы получения карбида кремния и эпитаксиальных структур на его основе // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Межвузовский сборник. Л.: ЛИЯФ, 1979. — С. 226−240.
  30. Е.Н., Водаков Ю. Ф., Ломакина Г. А. Проблемы управляемого получения легированных структур на базе карбида кремния // Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Межвузовский сборник. Л.: ЛИЯФ, 1979. — С. 136−149.
  31. Vodakov Yu.A., Mokhov E.N., Ramm M.C., Roenkov A.D. Epitaxial Growth of SiC layers by sublimation Sendwich method 1 // Cryst.Res.&Techn. 1979. № 14(6).-P. 729−741.
  32. Mokhov E.N., Schulpina I.L., Tregubova D.S., Vodakov Yu.A. Epitaxial Growthof SiC layers by sublimation Sandwich method II // Cryst.Res.&Techn. 1981. № 16(8).-P. 879−886.
  33. Ferry D.K. High-field transport in wide-band-gap semiconductors // Phys.Rew.Bl. 1975. V.12. — P. 2361−2369.
  34. Yoshinobu Т., Nakayama M., Shiomi H., Fuyuki Т., Matsunami H. Atomic level control in gas source MBE growth of cubic SiC // J.Cryst.Growth. 1990. V.99. -P. 520−524.
  35. Yoshinobu Т., Fuyuki Т., Matsunami H. Interface modification by hydrocarbon gas molecular beams in heteroepitaxy of SiC on Si // Jpn. J.Appl.Phys. 1991. № 6(B). — P. L1086-L1088.
  36. Motoyama S., Kaneda S. Low-temperature growth of 3C-SiC by the gas sours molecular beam epitaxial method // Appl.Phys.Lett. 1989. V.54. № 3. — P. 242−243.
  37. Kaneda S., Sakamoto Y., Nishi С., Kanaya M., Hannai S. The growth of single crystal of 3C-SiC of the Si substrate by the MBE method using multi electron beam heating // Jpn. J.Appl.Phys. 1986. V.25. № 9. — P. 1307−1311.
  38. Motoyama S., Morikazu N., Nasu M., Kaneda S. Carbonization process for low-temperature growth of 3C-SiC by the gas-source molecular beam epitaxial method //J.Appl.Phys. — 1990. V.68. № 1. — P. 101−106.
  39. M. 3C-SiC(001)/Si (001) interface formation by carbonization: simulations and experiments // Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials. ICSCRM-95. — Kyoto, Japan. — 1995. — P. 329.
  40. Kitabatake M. Single phase 3C-SiC (001)/Si (001) growth by surface controlled epitaxy // Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials. ICSCRM-95. -Kyoto, Japan. — 1995. — P. 177.
  41. Nishino S., Suhara H., Ono H., Matsunami H. Epitaxial growth and electrical characteristics of cubic SiC on Silicon // J.Appl.Phys. 1987. V.61. № 10. — P. 48 894 893.
  42. Furumura Y., Doki M., Mieno F., Eshita Т., Suzuki Т., Maeda M. Heteroepitaxial (3-SiC on Si // J.Electrochem.Soc. 1988. Y.135. № 5. — P. 1255−1260.
  43. Nagasawa H., Yamaguchi Y. Suppression of etch pit and hillock formation on carbonization of Si substrate and low temperature growth of SiC // J.Cryst.Growth. -1991. V.115.-P. 612−616.
  44. Kim H.J., Davis R.F. Theoreticaly predicted and experimentally determined effects of the Si/(Si+C) gas phase ratio on the growth and character of monocrystalline beta silicon carbide films // J.Appl.Phys. 1986. V.60. № 8. -P. 2897−2902.
  45. Chaudhry M.I., Wright R.L. Fabrication and properties of policrystallin-SiC/Si structures for Si heterojunction devices // Appl.Phys.Lett. 1991. V.59. № 1. -P. 5154.
  46. Hattori Y., Suzuki Т., Murata Т., Yasuda K., Saji M. Growth mechanism of 3C-SiC at a low temperature region in low-pressure CVD // J.Cryst.Growth. 1991. V.115.-P. 607−611.
  47. Takahashi K., Nishino S., Saraie J. Effekt of acceptor impurity addition in low temperature growth of 3C-SiC // J.Cryst.Growth. 1991. V. l 15. — P. 617−622.
  48. Shinohara M., Yamanaka M., Misawa S., Okumura H., Yoshida S. C-V caracteristics of MOS-structures fabricated of Al-doped p-type 3C-SiC epilayers growth on Si by chemical vapor deposition // Jpn. J.Appl.Phys. 1991. V.30. № 2. -P. 240−243.
  49. Fatemi M., Nordquist P.E. An x-ray topographic study of (3-SiC films on Si substrates // J.Appl.Phys. 1987. V.61. № 5. — P. 1883−1890.
  50. Suzuki A., Furukawa K., Higashigaki Y., Harada S., Nakajima S., Inoguchi T. Epitaxial growth of (3-SiC single crystals by successive two-step CVD // J.Cryst.Growth. 1984. V.70. — P. 287−290.
  51. Addamiano A., Klein P.H. Chemically formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide on silicon single crystals // J.Cryst.Growth. 1984. V.70. — P. 291−294.
  52. A., Sprague J.A. «Buffer-layer» technique for the growth of single crystal SiC on Si // Appl. Phys. Lett. 1984. V.44. № 5. — P. 525−527.
  53. Shibahara K., Nishino S., Matsunami H. Antiphase-domain-free growth of cubic
  54. SiC on Si (100) // Appl.Phys.Lett. 1987. V.50. № 26. — P. 1888−1890.
  55. Nutt S.R., Smith D.J., Kim H.J., Davis R.F. Interface structures in beta-silicon carbide thin films //Appl.Phys.Lett. 1987. V.50. № 4. — P. 203−205.
  56. Shibahara K., Nishino S., Matsunami H. Surface morphology of cubic SiC (100) grown on Si (100) by chemical vapor deposition // J. Cryst Growth. 1986. Y.78. — P. 538−544.
  57. Nishino S., Suhara H., Ono H., Matsunami H. Epitaxial growth and electrical characteristics of cubic SiC on silicon // J.Appl.Phys. 1987. V.61. № 10. — P. 48 894 893.
  58. Matsunami H., Nishino S., Tanaka T. Heteroepitaxial growth of p-SiC on Silicon substrate using SiCl4-C3H8-H2 system//J.Cryst.Growth. 1978. V.45. — P. 138−143.
  59. Jocobson K.A. Growth, texture and surface morphology of SiC layers // J.Electrochem.Soc.: Solid State Science. 1971. V.118. № 6. — P. 1001−1006.
  60. Ohshita Y. Low temperature and selective growth of (5-SiC using SiH2Cl2/i-C4Hi0/HCl/H2 system//Appl.Phys.Lett. 1990. V.57. № 6. — P. 605−607.
  61. Cimalla Y., Pezoldt J., Ecke G., Eichhorn G. The buffer layers in RPCVD of SiC // Technical Digest of Int. Conf. on SiC and Related Materials. ICSCRM-95. -Kyoto, Japan. — 1995. — P. 328.
  62. Matmudur R.M., Seijiro F. Preparation and electrical properties of amorphous SiC/crystalline Si p±n heterostructure // Jpn. J.Appl.Phys. 1984. V.23. № 5. — P. 515−524.
  63. Furumura Y., Doki M., Mieno F., Eshita Т., Suzuki Т., Maeda M. Heteroepitaxial (3-SiC on Si//J.Electrochem.Soc. 1988. V.135, № 5.-P. 1255−1260.
  64. Kruangam D., Endo Т., Degushi M. Amorphous Silicon carbide thin film emitting diode // Opto-electron-Dev. and Technol. 1986. № 1. — P. 67−84.
  65. Л.И., Власкина С. И., Ивашенко Л. А. Пленки карбида кремния, полученные плазмохимическим осаждением И Оптоэлектрон. и полупр. техн. -1990. Вып. 17. С. 46−51.
  66. Deguchi М., Kitabatake М., Hirao Т. Synthesis of (3—SiC layer in Silicon by carbon ion «Hot» implantation // Jpn. J.Appl.Phys. 1992. V.31. № 2(A). — P. 343 347.
  67. П.А., Баранов E.K., Демаков К. Д. и др. Исследование образования монокристаллических слоев Р—SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования // ФТП. 1987. Вып.21. № 5. — С. 920−922.
  68. А.Н., Чепурнов В. И., Фридман Т. П. Гетероструктуры p-SiC/Si для высокотемпературной электроники // Материалы Ш межд. совещ. по карбиду кремния и сопутствующим материалам. Н. Новгород, 2000. — С. 86−88.
  69. А.Н., Чепурнов В. И., Фридман Т. П. Термопреобразователи на пря-мосмещенном барьере структуры (З-SiC/Si // Материалы III межд. семинара ISSCRM-2000 «Карбид кремния и родственные материалы». Великий Новгород, 2000.-С. 106−107.
  70. Nishino S., Suhara Н., Ono Н., Matsunami Н. Epitaxial growth and electrical characteristics of cubic SiC on silicon // J.Appl.Phys. 1987. V.61. № 10. — P. 48 894 893.
  71. К.А. Электронограммы и их интерпретация. М.: Мир, 1971. -С. 256.
  72. В.И., Фридман Т. П. Высокочувствительный датчик температуры на основе гетероэпитаксиальной структуры SiC/Si // Микросистемная техника. -2002. № 2.-С. 17−21.
  73. В.Б. Модификация поверхности монокристаллов CdS в результате электронного облучения // Поверхность. 1996. Т.7. — С. 23−29.
  74. Many A., Goldstein Y. Auger electron spectroscopy for quantitative analysis // Appl.Phys.Lett. 1988. V.53. № 3. — P. 192−194.
  75. Handbook of auger electron spectroscopy / Eds Lawrence E. David et al. Physical Electronics Industries Inc. 6509 Flying Cloud Drive Eden Praire, Minessota 55 343. -1976.
  76. Shar J.S., Zhang X.G., Osgood R.M. Laser-assisted photoelecrtochemical etching of n-type beta-SiC // J.Electrochem.Soc. 1992. Y.139. № 4. — P. 1213−1216.
  77. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. -368 с.
  78. Addamiano A., Klein Р.Н. Chemically formed buffer layers for growth of cubic silicon carbide on silicon single crystals // J.Cryst. Growth. 1984. V.70. — P. 291−294.
  79. C.H., Атажанов Ш. Р., ПузовИ.П. Исследование гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si методом отражательной ИК- спектроскопии // Уч. Записки Ульяновского гос. ун-та. Сер. физ. 1997. Вып. 1(3). — С. 35−39.
  80. А.Н., Чепурнов В. И., Фридман Т. П. Тензопреобразователи на основе гетероструктуры (3-SIC/SI // Материалы III международного семинара ISSCRM-2000 «Карбид кремния и родственные материалы». Великий Новгород, 2000. -С. 108−109.
  81. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -М.: Мир, 1975.-462 с.
  82. .Л., Пурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Советское радио, 1979. — 232 с.
  83. Van der Merwe J.H. Single-Crystal Films. (Ed. Francombe M.H. and Sato H.) -U.K.: Pergamon Press, 1964. P. 139.
  84. А.С. Электрические свойства гетеропереходов 3C-SiC/Si // ФТП. -1994. Т.28. Вып.10. С. 1742−1749.
  85. Palmour J.W., Kong H.S., Davis R.F. Characteri2ation of device parameters in high-temperature metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in P-SiC thin films // J.Appl.Phys. 1988. V.64. № 3. — P. 2168−2177.
  86. Daimon H., Yamanaka M., Shinohara M., Sakuma E., Misawa S., Endo K. Operation of Shottky-barrier field-effect-transistors of 3C-SiC up to 400 °C //
  87. Appl.Phys.Lett. 1987. V.51. № 25. — P. 2106−2108.
  88. У.Р., Рой P.M. Карбид кремния. М.: Мир, 1972. — 386 с.
  89. М.И., Саидбеков Д. Т. Травление SiC // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1972. Т.8. № 2. — С. 378−380.
  90. С.В., Дмитриев В. А., Иванов Н. Г., Попов И. В., Семенова Г. Н. Обработка кристаллов карбида кремния в расплаве КОН //В сб.: «Технология быстродействующих силовых приборов». Таллин, Валгус, 1984. — С. 182−186.
  91. В.В., Таиров Ю. М. Карбид кремния перспективный материал электронной техники//Изв. вузов. Электроника. — 1997. № 1. — С. 10−37.
  92. Wessels B.W., Gatos Н.С. Electronic properties of epitaxial 6H silicon carbide // J.Phys.Chem.Sol. 1977. V.38. — P. 345−350.
  93. Ю.А., Остроумов А. Г. Карбид кремния материал для твердотельной электроники // Измерения, контроль, автоматизация. — 1987. Т.62. № 2. -С. 53−60.
  94. Patryk L. Electron mobilities in SiC polytypes // J.Appl.Phys. 1967. V.38. -P. 50−52.
  95. Barret D.L., Campell R.B. Electron mobility measurements in SiC polytypes // J.Appl.Phys. 1967. V.38. — P. 53−59.
  96. Patryk L. High electron mobility of cubic SiC // J.Appl.Phys. 1966. V.37. -P. 4911−4913.
  97. Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях. М.: Мир, 1970. — 384 с.
  98. Ferry D.K. High-field transport in wide-band-gap semiconductors // Phys.Rew.B 1. 1975. V.12. — P. 2361−2369.
  99. Sasaki K., Sakuma E., Misawa S., Yoshida S., Gonda S. High-temperatureelectrical properties of 3C-SiC epitaxial layers grown by chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett. 1984. V.46. № 1. — P. 72−73.
  100. Yamanaka M., Daimon H., Sakuma E., Misawa S., Yoshida S. Temperature dependence of electrical properties of n- and p-type 3C-SiC // J.Appl.Phys. 1987. V.61. № 2. — P. 599−603.
  101. Yamanaka M., Daimon H., Sakuma E., Misawa S., Endo K. Temperature dependence of electrical properties of nitrogen-doped 3C-SiC // Jap. J.Appl.Phys. -1987. V.5. P. L533-L535.
  102. Nishino S., SuharaH., Ono H. and Matsunami H. Epitaxial growth and electrical characteristics of cubic SiC on silicon // J.Appl.Phys. 1987. V.61. № 10. — P. 48 894 893.
  103. Shor J.S. High temperature ohmic contact metallizations for n-type 3C-SiC // J.Electrochem.Soc. 1994. V.141. -P. 579−582.
  104. Т.П. Тензопреобразователи на основе гетероструктуры (3-SIC/SI // Материалы II всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Санкт-Петербург, 2000. — С. 103.
  105. А.Н., Чепурнов В. И., Фридман Т. П. Бифункциональный датчик температура-деформация для теплофизическких исследований // Материалы IV межд. теплофизической школы «Теплофизические измерения в начале XXI века». Тамбов, 2001. — С. 36−37.
  106. С.А., Батаронов И. А., Дрожжин А. И., Рощупкин A.M. Изменение электросопротивления тензорезисторов при изгибе // ФТП. 1993. Т.27. Вып.6. — С. 937−942.
  107. В.И. Сопротивление материалов. М.: Наука, 1970. 544 с.
  108. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т.VII.: Теория упругости. М.: Наука, 1987. — 246 с.
  109. Т.П. Преобразователи деформации на основе SiC на Si подложке // Материалы VIII всеросс. науч. конф. студ.-физиков и молодых уч. Екате
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!