Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов
Диссертация
Автору принадлежит постановка задач исследования, выполнение значительной части экспериментов, расчетов, систематизация и анализ результатов. По инициативе автора был осуществлен комплекс работ по моделированию газодинамического процесса в реакторе. Автором проведен анализ влияния движения подложки в газовом потоке на скорость роста эпитаксиального слоя, ему принадлежит одна из ведущих ролей… Читать ещё >
Список литературы
- Электроника СБИС: Проектирование мик-роструктур. М.: Мир, 1989,236 с.
- Твердотельные устройства СВЧ в технике связи. М.: Радио и связь, 1988, 288с.
- Петров СВ., Прокопьев Е. П., Белоусов B.C. Опытнопромышленная эпитаксия кремния: Новая аналитическая модель.// Петербургский журнал электроники, 1996, № 1 (10), с. 29−40.
- Semi.http://www.semi.org/wps/portal/pagr/120/pa. 120/133?id=7703& StartRow=l
- Петров СВ., Сигалов Э. Б., Панков Н. С. Эпитаксиальные реакторы для различных областей полупроводникового Электронная промышленность, 1990, № 3, с. 3−6.
- Самойликов В.К. Оптимизация технологического оборудования и процесса газофазной эпитаксии кремния производства СБИС. /Дисс. на соискание докт, техн. наук. М.: 1996.
- Сигалов Э.Б. Принципиальные основы создания оборудования для производства эпитаксиальных структур кремния в газофазных процессов/Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 1990.
- Макушин М. В. Современное состояние и перспективы развития рынка эпитаксиальных пластин. /Зарубежная электронная техника, ЦНИИ Электроника, в. 4, 2001, с.53−59.
- Каблуков А.Л. Разработка и исследование афегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра./Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.:2003. Ю. Сажнев СВ., Миркурбанов Х. А., Тимофеев В. Н. Состояние проблемы разработки эпитаксиальных установок Оборонный комплекс научно-техническому профессу России. М ВИМИ, 2003, 4, с. 43−45. 162 производства.//
- Hammond М. Epitaxial Silicon Reactor Tehnology -A Review, pt. l SST, 1988, V31, N5, p. 159−164.
- Макушин M. B. Заводы no обработке пластин диаметром 300 мм: переход от опытного к массовому производству. /Зарубежная электронная техника, ЦНИИ Электроника, в. 4, 2000, с.3−15.
- Козлов Ю. Ф. Оценка влияния технологических факторов на вольт-емкостные характеристики детекторов ядерных частиц Известия высших учебных заведений, Электроника, № 4, 2002, с.4447.
- Грушичев А.В., Самойликов В.К. Расчет температурного поля, возникающего в теле подложки Всеросс. конф. «Электроника и автоматика», тез. докл.М.: 1995, с.217−219.
- Bentini G., Correro L, Donalato Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Electronic Materials/ Eds.S.R. Wilson, R. Powei, D.E. Davis. Pitsburg, MRS, 1987, 265−272
- Самойликов B.K., Николин В. Б., Кононов В.Ю. Система измерения действительной
- Козлов Ю. Ф., температуры Павлова «ТЕМИКС» Сидоров А.И. Электронная Измерение промышленность, 1996, № 4, с.44−45 СВ., распределения температурного поля при помощи кремниевых структур, имплантированных фосфором.// Электротехника, сер. Материалы, вьш.7, 1982, с, 31−33.
- Белоусов B.C., Козлов Ю. Ф., Сидоров А. И., Сальников Л. А. Термоспутник Авт. Свид. № 1 347 814 с приоритетом от 14.01.1985 г.
- Akiyama N., Inove Y, Suzuki Т. Critical Radial Temperature Gradient Induction Slip Dislocations in Silicon Epitaxy Using Dual Heating of 163
- Концевой Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых структур. М.: Радио и связь, 1982,239с.
- Сажнев СВ., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х. А., Механизм формирования линий скольжения в полупроводниковых пластинах при высокотемпературной 2004, с.
- Харламов Р.В. Разработка технологии производства кремниевых эпитаксиальных структур для силовых приборов /Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 2000 г.
- Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве, Мн.: Навука i тэхшка. 1992, 240 с
- Сигалов Э. В., Волков Н. С. Установки ЭПРТКВАР для эпитаксии кремния Электронная промышленность, 1989, № 11, с. 27−39
- Epitaxial Reactor РЕ3061, LPE s.p.a., Milan, Italy, March, 1999.
- Epsilon E 2000, Single-wafer Epitaxial Reactor, ASM International, April, 1999.
- Epsilon E 3000, 300 mm Epitaxial Reactor, ASM, A World of Production, Solutions, ASM International, April, 1999. 29. Epi Centura, Applied Materials, Specification, May, 1995.
- Семенченко A. H., Райнова Ю. П., Чистяков Ю. Д. Тенденции рвития оборудования для газофазной эпитаксии кремния Сб. Технология, организация производства и оборудование, сер.7, М.: ЦНИИ Электроника, 1989, вып.8 (1455), 47 с.
- Увеличение диаметра пластин и связанные с этим проблемы технологических процессов //Дэнси Дзаире, 1983, V.22, р. 16-
- Site and System Preparation обработке //Материаловедение, 164
- Чистяков Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники М Металлургия, 1979, 408 с.
- Самойликов В.К., Батюк Н., Шварц К. М. Экспериментальные исследования тепломассообмена при осаждении слоев из газовой фазы при пониженном давлении Минский международный форум «Теплообмен», Избранные доклады, секц.
- Райнова Ю. П., Турилин С М Антоненко К.И. и др. Исследование газовых потоков при эпитаксии кремния Неорганические материалы, 1955, т.31,№ 2, с. 151−154.
- Антоненко К.И., Арендаренко А. А., Райнова Ю. П. и др. Исследование газовых потоков в реакторе радиального типа при эпитаксии GaAs Изв. РАН. Механика жидкости и газа, 1996, 6, с. 118−124.
- Попов В.И., Любарский А.И, Самойликов В. К. Методы расчета и исследований процесса эпитаксиального осаждения кремния Сб. «Спец. технол. оборудование для производства изделий МЭ» сер, III. «Микроэлектроника» М.: ЦНИИ «Электроника», 1972, в. 1(9), 39 с.
- Попов В. П. Тепломассоперенос в эпитаксиальном реакторе вертикального типа
- Симметричный нафев //ИФЖ, 1989, т.56, № 6, с, 242−248. 39, Попов В, П, Тепломассоперенос в эпитаксиальном реакторе вертикального типа 2, Несимметричный нагрев //ИФЖ, 1989, т.57, № 1,с.23−27.
- Fottiadis D. I. Bockhold I, et, al. Flow and Heat Transfer in CVD Reactors: Comparison of Raman Temperature Measurement and Finite 165
- Fottiadis D. I., Yensen K. F. Termophoresist of Solid Particlies in Horisontal Chemical Vapour Deposition Reactors J. Cryst. Growth. 1990, V. 102, N 4 p. 743−761.
- Андриевский P. A., Спивак H. И. Прочность тугоплавких соединений и материалов на их основе. Справочник. Челябинск: Металлургия, 1989, 370 с.
- Srinivason G. R. Recent Advances in Silicon Epitaxy and its Application for High Performance Integrated Circuits Reactors J. Cryst. Growth. 1984, V. 70, N 4, p. 201−207. 44.0rigima M. Low Pressure Silicon Epitaxy. //J. Electrochem. Soc. 1977, V. 124, N 6 p. 903−908.
- Элементная база. Нормаль газовых систем (АО НИИТМ). М.: НИИТМ, 2000.
- Сажнев СВ., Миркурбанов Х. А., Тимофеев В. Н. Прецизионный термоконвективный регулятор расхода газа для технологического оборудования" Оборонный комплекс научно-техническому прогрессу России. М ВИМИ, 2003, 2, стор 25−27.
- Сигалов Э. Б., Волков Н.С, Иванов В. И. Совершенствование конструкции подложкодержателей //Сб. Физико-термическое оборудование и автоматизация. 431 981, с. 11−12 М.: ЦНИИ «Электроника»,
- Сигалов Э. Б., Волков Н.С, Иванов В. Н. Подложкодержатели высокотемпературных реакторов для эпитаксии кремния Технология п/п приборов. Таллинн: Валгус, 1082, с. 93−95 49. А. С 1 208 855 СССР, МКИ Boij 17/
- Подложкодержатель для газотермической обработки подложек Х. А Миркурбанов., Э. Б. Сигалов, Н. С Волков- 1984 166
- Bentini G., Correro L, Donalato С Defects Introduced in Silicon Wafers During Rapid Isothermal Annealing: Thermoelastic and Thermoplastic Effects// Jap. J. Appl. Phys., 1984, V. 56, N10, p. 29 222 929
- Schoen N. С Thermoelastic Stress Analysis of Pulsed Electron Beam Recrystallization of Ion-Implanted Silicon Jap. J. Appl. Phys., 1980, V. 51, N9, p. 4747−4751
- Тимофеев В. Н., Сажнев СВ., Миркурбанов Х. А. «Расчет напряженно-деформированного состояния и оценка размеров зоны пластической деформации в полупроводниковой пластине при осесимметричном температурном нагружении». //Материаловедение, 2002, 9 с. 2−5
- Сажнев СВ., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х. А. Влияние закона распределения температуры пластины с.7−9.
- Сажнев СВ., Тимофеев В. Н., Миркурбанов Х. А. Напряженнодеформированное состояние тонкой круглой Ттолупроводниковой пластины при действии массовых сил Сб. «Научные основы технологий, материалов, приборов и систем электронной техники» -М.: МИЭТ, 2002, с.65−72
- Сосунов А. Г. Теплофизические исследования и разработка реакторного блока установки быстрой термической обработки. Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 2000.
- Каблуков А.Л., Кандыба П.Е, Самойликов В. К. Моделирование устройств ИК-нагрева для обработки подложки большого 167 по радиусу пластической полупроводниковой деформации при на размер зоны высокотемпературном нафужении Материаловедение, 2003, № 1,
- Волков А.Ф., Куценко В. К., Новиков В.В, Папков Н. С, Петров СВ., Суворов В. М. Мягкие режимы термообработки основа бездефектной
- Борисенко образования технологии микросхем. A.M., Яшин скольжения К.Д. в Электронная Особенности пластинах промышленность, 1980, 10 (94), с. 53−57. В.Е., Дорофеев линий монокристаллического кремния при импульсной термообработке некогерентным светом Электронная техника, сер.
- Материалы, 1985, № 7, с. 3−5
- Райнов Ю.А. Исследование температурных и концентрационных полей при росте автоэпитаксиальных слоев кремния и совершенствование технологий их производства. Дисс. на соискание канд. техн. наук, М.: 1977, с. 18−19.
- Попов В. П, Минкина В. Г. Вопросы тепло- и массообмена массообмена. Минск: 1977, с. 18−19.
- Кутателадзе С С Основы теории теплообмена. Новосибирск. Наука, 1970, 659 с.
- Болгарский А.В., Мухачев Г. А., 1Ц>кин В.К. Термодинамика и теплопередача. М Высш. шк., 1975,495 с.
- Варгафтик Н.Б. Справочник по теплофизическим свойствам газов и жидкостей. М.: Наука, 1972,720с.
- Цонг X. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров. М.: Атомиздат, 1982, 217с.
- Михеев М.А., Михеева, И.М. Основы Теплопередачи. М., Энергия. 1977 г., 319 с. в процессах осаждения из газовой фазы //Сб. «Проблемы тепло- и 168 64. Конструкционные материалы. Справочник под ред. Лзамасова Б. Н., М.: Машиностроение, 1990, 688 с.
- Излучательные свойства твёрдых материалов. Справочник./Под ред. А. Б. Шейндлина. М., Энергия. 1974, 472 с.
- Слэрроу Э.М., Сесс Р. Д. Теплообмен излучением. М.: Энергия, 1971,295 с.
- Тимошенко СП., Войновский-Кригер Пластины и оболочки. М.: Энергия, 1974,472 с.
- Справочник машиностроителя. Т. 3, М.: ГНТИ, 1962, 650 с.
- Тимошенко С П Гудьер Дж. Теория упругости. М.: Наука, 1975, 575 с.
- Сажнев СВ., Тимофеев В. Н. Процессы быстрой термической обработки и оборудование на их основе Оборонный комплекс научно-техническому профессу России, 2003, Я22, с. 24−31. 75.3вероловлев особенностей В.М., Панков Н. С, Суворов в реакторе В.М. с Изучение нагрева подложек пониженным давлением. Электронная техника, сер. Материалы, вып.5 (190), 1984, с. 58−61.
- Физические величины. Справочник под ред. И. С, Григорьева, М.: Энергоатомиздат. 1991, 1200 с.
- Машиностроение оборудование и (Энциклопедия), системы том 1II-8, в Технологии, электронном управления машиностроении. М. Машиностроение, 2000,740 с.
- Bloem J., Goemans A.N. Slip in Silicon Epitaxy J. Appl. Phys., 1972, V43,N3,p.l281−1283.
- Fisher A.W., Schnable G.L. Minimizing process induced slip silicon wafers by slow heating and cooling. J. Electrochem. Soc. 1976, V.123,N3,p.434−435 169
- Высокотемпературная ползучесть окисных огнеупоров Обзор, сер. П, вып. 2, И. И. Вишневский, ЦНИИ чер. мет. 1976 43 с.
- Вишневский И.И., Аксельрод Е. И., Тальянская Н.Д тела, 1974, т.16,№ 5,с. 1530−1533
- Аксельрод Е.И., Боярина И. Л., Вишневский И. И. Изв. АН СССР. „Неорганические материалы“, т. 10, № 5, с. 876−880
- Иванов В.И., Сигалов Э. Б., Костромин А. А. Подложкодержатель для газовой эпитаксии А.С. 93 105 СССР МКИН01 21/00.
- Суворов В.А., Тверское В. А., Шерстнева А. А. Особенности генерации линий скольжения в эпитаксиальных кремния. Сб. „Применение эпитаксиальной структурах в технологии Физ. тв. производстве силовых полупроводниковых приборов“, ч. II, Таллин, 1978, с. 56−61.
- Волков А.Ф., Панков Н. С., Суворов В. М., Тверсков В. А. Исследование причины генерации линий скольжения в процессе эпитаксиального наращивания. Сб. Применение эпитаксиальной технологии в производстве силовых полупроводниковых приборов», ч. II, Таллин, 1978, с. 48−55.
- Павилайнен B.C., Тимофеев В. П., Шоршоров М. Х., Гревцев Н. В. Кристаллоструктурные характеристики деформированных слоев Si при различной ориентации и типах легирующей примеси.// Физ. хим. обр. материалов. 1973, № 2, с.77−80
- Павилайнен B.C., Тимофеев В. Н. Влияние отжига на глубину нарушенного слоя монокристаллов кремния после шлифовки //Физ. хим. обр. материалов. 1972, № 4, с.80−83. 170
- Хоникомб Р. Пластическая деформация металлов М.: Мир, 1972, 400 с.
- Шульце Г. Металлофизика. М.: Мир, 1971, 505с.
- Трефилов В.И., Мильман Ю. В., Фирстов А. Физические основы прочности тугоплавких металлов. Киев: Наукова думка, 1975, 3 Юс.
- Бернер Р., Кронмюллер Г. Пластическая деформация монокристаллов. М.: Мир, 1969, 270 с. 95. HOTT Дж. Основы механики разрушения. М.: Металлургия, 1978, 255 с.
- Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972, 590 с.
- Стрельченко С, Матьяш А. А. Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений, А В ИЗ газовой фазы. Обзоры по эл. технике. Материалы, вып. 8(678), 1979, ЦНИИ «Электроника».
- Бакин Н.Н., Борисенко Л. А. Гетероэпитаксия арсенида галлия на кремнии. Обзоры по эл. технике. Микроэлектроника, вып. 4(472), 1989, ЦНИИ «Электроника».
- Устинов В.И., Захаров Б. Г., Большакова Г. В. Дислокации в эпитаксиальных слоях соединений, А В и твердых растворов на их основе. Обзоры по эл. технике. Материалы, вып. 5(493), 1977, ЦРГИИ «Электроника».
- Мацуи, Исида и др. Деформация решетки в гетероэпитаксиальных слоях. Сообшение
- Выращивание GaAs на 171
- Sokai S. New method to relax thermal stress in GaAs grown on Si substrates//Apphed Physics letters.-1987-V51,N14, p. 1069−1071.
- Справочник «Водород» (Свойства, получение, хранение, транспортирование, применение) Под ред. Д. Ю. Гамбурга. М.: Химия, 1989,350 с.
- Справочник машиностроителя Т.6, М.: Машиностроение, 1964, 540 с.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика. Т. VI, Гидродинамика. М.: Наука, 1986.
- Шлихтинг Г. Теория пофаничного слоя. М.: Наука, 19 969. исследования течений вязкой жидкости. М.: Мир, 1972, 240с.
- Рябцев Н.Г., Кузнецова Ф. А., Сб. «Металлургия в электронике» М.: Металлургия, 1970, с. 8. 108. Шоу Д. У. Теория роста и методы выращивания кристаллов. Сборник «Рост кристаллов» М.: Мир, 1977, 280с.
- Пинка У.А., Авотс А. А. Система профамм для проведения теплодинамических с.2401−2402. ПО. Белый В. И., Кузнецов Ф. А., Коковин Г. А. Процессы роста и структура монокристаллических слоев полупроводников. 4.
- Новосибирск, «Наука», 1968, с. 135.
- Косорев А.Н., Карпухин В. В., Мармалюк А. А. Кинетика роста эпитаксиальных слоев GaAs в системе триэтилгаллий арсин водород в горизонтальном реакторе //Мат-лы электронной техники № 4, 2001, с 56−58. расчетов с использованием библиотеки термодинамических свойств веществ. ЖФХ, 1978, т 52, № 9, Юб. Госмен А. Д., Пан В. М., Ранчел А. К. и др. Численные методы 172
- Tapr CM. Краткий курс теоретической механики. М.: Наука, 1974,478 с.
- Ботвинкин O.K., Запорожский А. И. Кварцевое стекло. М.: Стройиздат, 1965, 350 с.
- Падалица А.А., Мармалюк А. А., Залесский И. Д. и др. «Получение гетерокомпозиций JnAso.ss Sbo.17/ CaAs пригодных для создания матричных фотоприемников на 3−5 мкм, методом мосгидридной эпитаксии"//Мат-лы электронной техники № 4, 1999, с 21−23.
- Habuka М., Katayata, Sumba М., Okuyama К. Numerical Evaluation of on Silicon Thin Growth from SiHCb Hi Gas Mixture in a Horizontal Chemical Vapon Deposition Reactor. Jpn. J. Appl. Phys., 1994, p. 1977−1985. 173