Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Технология интегральных микросхем истокового повторителя для преобразователей информации

Диссертация: Технология интегральных микросхем истокового повторителя для преобразователей информации
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Сравнение электрических параметров изготовленной ИМС истокового повторителя и существующих аналогов показало, что в разработанной ИМС они были значительно улучшены. Разработанная ИМС функционирует при напряжении питания от 0,8 В, имеет средний коэффициент передачи по напряжению 0,58, что на 35% больше чем в ИМС КБ1402 у.е.1 и на 41% — чем в ИМС КА1436 у.е.1. Новая ИМС обладает повышенным входным… Читать ещё >

Технология интегральных микросхем истокового повторителя для преобразователей информации (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Исследование существующих ИМС истокового повторителя и постановка задачи
    • 1. 1. Особенности работы ИМС истокового повторителя с малогабаритными электретными микрофонами
    • 1. 2. Сравнительный анализ существующих ИМС истокового повторителя
    • 1. 3. Сравнительный анализ физической структуры и технологии изготовления существующих ИМС истокового повторителя 24 Основные
  • выводы и постановка задачи
  • Глава 2. Разработка аналитической модели ИМС истокового повторителя
    • 2. 1. Метод определения параметров схемотехнической модели полевого транзистора в ИМС истокового повторителя
      • 2. 1. 1. Вывод соотношений для определения параметров модели полевого транзистора
    • 2. 2. Вывод аналитических соотношений для формулирования требований к параметрам элементов ИМС
      • 2. 2. 1. Выбор порогового напряжения полевого транзистора и площади диода смещения
      • 2. 2. 2. Выбор сопротивления нагрузки полевого транзистора
    • 2. 3. Определение требований к геометрическим размерам канала полевого транзистора
  • Выводы
  • Глава 3. Технологическое и физико-топологическое моделирование разрабатываемой ИМС истокового повторителя
    • 3. 1. Моделирование технологического маршрута изготовления ИМС истокового повторителя
    • 3. 2. Исходные параметры диффузионных профилей легирования структуры полевого транзистора
    • 3. 3. Геометрические размеры структуры полевого транзистора
    • 3. 4. Учет физических эффектов, происходящих в канале полевого транзистора, и выбор модели для численного расчета
    • 3. 5. Выбор глубины канала структуры полевого транзистора
    • 3. 6. Физико-топологическое моделирование полевого транзистора в составе электрической принципиальной схемы ИМС
      • 3. 6. 1. Учет параметров диода смещения при моделировании принципиальной схемы ИМС
      • 3. 6. 2. Моделирование влияния геометрических размеров канала полевого транзистора на коэффициент передачи по напряжению и 91 ток потребления ИМС
    • 3. 7. Определение минимального напряжения питания ИМС
    • 3. 8. Моделирование входного импеданса и выходного сопротивления ИМС
    • 3. 9. Моделирование напряжения шумов на выходе ИМС
    • 3. 10. Методика проектирования и выбора параметров элементов
  • ИМС истокового повторителя
  • Выводы
  • Глава 4. Экспериментальное исследование разработанной ИМС истокового повторителя
    • 4. 1. Измерения электрических параметров ИМС истокового повторителя
    • 4. 2. Сравнение результатов экспериментальных исследований и физико-топологического моделирования ИМС
    • 4. 3. Сравнение результатов экспериментальных исследований и схемотехнического моделирования ИМС
  • Выводы

Актуальность темы

К настоящему времени в технологии проектирования устройств преобразования информации произошли заметные изменения, связанные с появлением новой элементной базы микроэлектроники и новых типов первичных преобразователей информации. Одними из самых распространенных преобразователей информации на сегодняшний день стали малогабаритные электретные микрофоны ввиду высокой чувствительности и малых габаритов, что позволило использовать их в устройствах преобразования и усиления звуковой информации: радиомикрофоны, минигарнитуры, микропередатчики охранных устройств, слуховые аппараты. С появлением новых типов электретных микрофонов, имеющих уменьшенные габариты, важной технической задачей является разработка микромощных согласующих интегральных микросхем, позволяющих сократить размеры, энергопотребление и улучшить характеристики устройств преобразования информации.

Ввиду малой емкости преобразователя — мембраны (5−10 пФ) электретные микрофоны обладают повышенным выходным электрическим сопротивлением, для согласования которого с низким входным сопротивлением усилителя предназначена ИМС истокового повторителя. Основная функция ИМС — предварительное усиление электрического сигнала, вырабатываемого преобразователем информации. ИМС истокового повторителя характеризуется основным электрическим параметром — коэффициентом передачи по напряжению, который определяет главные электроакустические параметры электретного микрофона — его минимальную чувствительность и шумы. Коэффициент передачи в идеальном случае должен стремиться к единице и зависит от характеристик основного элемента ИМС истокового повторителя — полевого транзистора с управляющим /?-я~переходом. Существующие ИМС истоковых повторителей (КБ1402 у.е.1 и КБ1403 у.е.1), которые производились для электретных микрофонов серии М4 Тульского завода ОАО «Октава», имели коэффициент передачи по напряжению 0,35−0,4 при проходной емкости схемы измерения С5 = 10 пФ. Измерения показывают, что из-за недостаточно большого входного импеданса коэффициент передачи по напряжению этих микросхем резко падает при уменьшении эквивалентной проходной емкости С^ (рис. 1).

Q питание.

Cs V, входО.

VT.

С;

Лч/.

VVD выходО 2.

R, общий.

Рис. 1. Принципиальная схема ИМС истокового повторителя с эквивалентным источником сигнала на входе.

ИМС истокового повторителя работает от напряжения воздушно-цинковой батарейки или аккумулятора (1,2−1,5 В), на которых возникают пульсации напряжения питания вследствие больших токов в нагрузке ИМС-усилителя и конечного внутреннего сопротивления батарейки. Проникая на вход усилителя через электретный микрофон, пульсации увеличивают искажения выходного сигнала, и для их подавления применяют ЯС-фильтр, который можно исключить, если запитывать истоковый повторитель от внутреннего стабилизатора ИМС-усилителя (0,9−0,95 В). При этом важно, чтобы ИМС истокового повторителя была работоспособна при напряжении питания 0,8−0,9 В.

В России и СНГ вопросы создания истоковых повторителей для малогабаритных электретных микрофонов решались Ивановым A.A., Семяки-ным Ф.В., Вяхиревым В. Б., Алексеевым В. Ф. Решением данных задач за рубежом посвящены работы Р. С. Loizou, G.H. ArmandP. Bergveld, Van der Donk. В то же время возможности создания микросхем истоковых повторителей с улучшенными параметрами для преобразователей с малой емкостью мембраны до конца не изучены, и в настоящее время в России и СНГ не производят ИМС истокового повторителя и малогабаритные электретные микрофоны, работающие при напряжении питания 0,9 В. В связи с разработкой на ОАО «Октава» новых электретных микрофонов (серии М2 и М7) для малогабаритных внутри-канальных слуховых аппаратов, возникла необходимость в повышении их звуковой чувствительности и разработке новой ИМС истокового повторителя с высоким коэффициентом передачи по напряжению, способной работать при малой ё-мкости мембраны (около 5 пФ) и напряжении питания 0,8−0,9 В.

Цель работы состоит в разработке технологии проектирования и изготовления ИМС истокового повторителя с заданной совокупностью электрических параметров и характеристик для первичных преобразователей информации, в частности, для электретных микрофонов.

Методы исследования. Для решения поставленных задач использовались методы схемотехнического анализа, линейной алгебры, математической статистики, численные методы решения дифференциальных уравнений. Моделирование проводилось с использованием пакета программ САПР TCAD фирмы ISE Integrated Systems Engineering AG, Швейцария. Экспериментальное исследование разработанной ИМС осуществлялось по стандартным методикам измерений.

Научная новизна работы заключается в следующем:

— разработан метод определения параметров схемотехнической модели полевого транзистора по результатам измерений электрических параметров ИМС истокового повторителя, учитывающий режим работы полевого транзистора в составе ИМС и позволяющий определять параметры модели с погрешностью от 3 до 24% без изготовления и измерения параметров тестовых полевых транзисторов;

— выведены аналитические соотношения и разработана аналитическая модель ИМС истокового повторителя, позволяющие сформулировать начальные требования к геометрическим размерам канала полевого транзистора в топологии ИМС;

— разработана методика проектирования ИМС истокового повторителя, устанавливающая критерии и последовательность выбора параметров элементов ИМС, что позволяет создавать микросхемы с требуемым набором электрических параметров и значительно улучшить их по сравнению с существующими аналогами: снизить минимальное напряжение питания до 0,9 В, более чем на 35% повысить коэффициент передачи по напряжению, в 2 раза увеличить входной импеданс, на 60% понизить выходное сопротивление.

Практическая значимость исследования. Полученные в диссертации теоретические и практические результаты позволяют создавать качественно новые приборы для медицины — слуховые аппараты, работающие при пониженном напряжении (до 0,9 В), для измерительной техники, осуществлять диагностику параметров ИМС:

— разработанный метод определения параметров схемотехнической модели полевого транзистора Шихмана-Ходжеса позволяет экстрагировать параметры модели полевого транзистора (коэффициент, определяющий крутизну, пороговое напряжение, коэффициент модуляции длины канала, барьерные ё-мкости /"-«-переходов) в составе ИМС истокового повторителя без изготовления тестовых полевых транзисторов;

— разработанная физическая структура полевого транзистора в ИМС истокового повторителя позволяет получить пороговое напряжение в пределах 0,6−0,8 В, сохранить стабильность электрических параметров ИМС при понижении напряжения питания до 0,9 В, исключить дополнительные навесные элементы .К С-фильтра;

— разработанные двухмерная физико-топологическая модель полевого транзистора с неоднородно легированным каналом и аналитическая модель ИМС истокового повторителя позволяют реализовать технологию проектирования и изготовления микросхемы с заданной совокупностью электрических параметров.

Реализация и внедрение результатов работы. Рекомендации и результаты, полученные в диссертационной работе, внедрены при разработке и производстве ИМС истокового повторителя на ООО «НПП «Инмикротех», г. Саранск (акт о внедрении в приложении к диссертации). Опытная партия электретных микрофонов серии М4 на основе разработанной ИМС была изготовлена и испытана на предприятии ОАО «Октава», г. Тула. Результаты испытаний показали, что электроакустические параметры микрофонов соответствуют предъявляемым к ним техническим нормам, а разработанная ИМС пригодна для их серийного производства (акт об испытаниях в приложении к диссертации).

На защиту выносятся:

— метод определения параметров схемотехнической модели полевого транзистора по результатам измерений электрических параметров ИМС истокового повторителя с целью выработки требований к технологии производства ИМС с улучшенными электрическими параметрами без изготовления и измерения параметров тестовых полевых транзисторов;

— аналитические соотношения, устанавливающие связь электрических параметров ИМС истокового повторителя с физико-топологическими параметрами канала полевого транзистора и параметрами элементов ИМС;

— физическая структура полевого транзистора с управляющим р-п-переходом и технологический маршрут изготовления ИМС истокового повторителя, позволяющие получить пороговое напряжение полевого транзистора в пределах 0,6−0,8 В и сохранить стабильность электрических параметров ИМС при понижении напряжения питания до 0,9 В;

— методика проектирования ИМС истокового повторителя, которая устанавливает критерии и последовательность выбора параметров элементов ИМС и позволяет изготовлять новые качественные микросхемы для преобразователей информации;

— топология кристалла ИМС истокового повторителя с оптимальными параметрами элементов (размеры канала, площадь диода смещения, сопротивление нагрузки).

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Международной научно-технической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики» (г. Саранск, МГПИ, 2003 г.), ХХХ1П-ХХХУ Огаревских чтениях Мордовского государственного университета им. Н. П. Огарева (г. Саранск, 2004;2007 г. г.), Международной научно-технической конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (г. Ульяновск, УлГУ, 2006 г.), Всероссийской научно-технической конференции «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (г. Саранск, МГУ им. Н. П. Огарева, 2005;2006 г. г.), Всероссийской научно-практической конференции «Электроника-2006» (г. Москва, МИЭТ, 2006 г.), Всероссийской научно-технической конференции «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники» (г. Пенза, ПТУ, 2006 г.), Всероссийской научно-технической конференции «Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников и источников света» (г. Саранск, МГПИ, 2007 г.), Конференции молодых ученых, аспирантов и студентов Мордовского государственного университета им. Н. П. Огарева (г. Саранск, 2006, 2007 г. г.).

Публикации. Основные результаты диссертационной работы отражены в 16 публикациях, из них 1 статья в издании, рекомендованном ВАК РФ.

Выводы.

1. Сравнение электрических параметров изготовленной ИМС истокового повторителя и существующих аналогов показало, что в разработанной ИМС они были значительно улучшены. Разработанная ИМС функционирует при напряжении питания от 0,8 В, имеет средний коэффициент передачи по напряжению 0,58, что на 35% больше чем в ИМС КБ1402 у.е.1 и на 41% - чем в ИМС КА1436 у.е.1. Новая ИМС обладает повышенным входным импедансом, превышая по этому параметру существующие аналоги не менее чем в 2 раза. Выходное сопротивление уменьшено почти на 60% по сравнению с аналогами. Электрические параметры разработанной ИМС позволяют улучшить параметры малогабаритных электретных микрофонов для слуховых аппаратов.

2. Пониженное минимальное напряжение питания 0,8 В разработанной ИМС позволяет использовать для питания малогабаритных электретных микрофонов напряжение внутреннего стабилизатора усилителя слухового аппарата (0,9−0,95 В). Это позволяет снизить искажения на выходе усилителя слухового аппарата и исключить дополнительные навесные элементы ЫС-фильтра.

3. Проведены экспериментальные исследования разработанной ИМС ис-токового повторителя и испытания партии электретных микрофонов серии М4, собранных на основе изготовленных ИМС, на предприятии ОАО «Октава», г. Тула. Положительные результаты испытаний микрофонов подтверждаются соответствующими документами (прил. 2).

4. С использованием метода, разработанного в главе 2, определены параметры схемотехнической модели полевого транзистора изготовленной ИМС истокового повторителя, которые использованы при её- схемотехническом моделировании в САПР ТСАЕ). Относительная погрешность между значениями параметров, полученными по результатам измерений и моделирования, не превышает 11%, что подтверждает точность и адекватность разработанного метода.

5. Сравнение результатов экспериментальных исследований и физико-топологического и схемотехнического моделирования в САПР ТСАО показали, что максимальное расхождение по параметрам составляет: 3% по коэффициенту передачи по напряжению, 11% по току потребления, 23% по входному импедансу, 24% по выходному сопротивлению. Это подтверждает адекватность разработанной физико-топологической и схемотехнической моделей ИМС истокового повторителя, которые достаточно точно описывают электрические параметры разработанной ИМС.

Заключение

.

В результате работы решена технологическая проблема производства информационно-измерительных приборов и их элементов, заключающаяся в разработке технологии проектирования и изготовления ИМС истокового повторителя с заданной совокупностью электрических параметров и характеристик для первичных преобразователей информации, в частности, для электретных микрофонов. При этом получены следующие результаты и выводы.

1. Проанализированы существующие интегральные микросхемы истокового повторителя, выбрана принципиальная электрическая схема для разрабатываемой ИМС и определены критические параметры элементов, наиболее сильно влияющие на электрические параметры ИМС, выбрана физическая структура полевого транзистора, которая позволяет понизить напряжение питания до 0,9 В и получить стабильные электрические параметры, предложен технологический маршрут изготовления ИМС, при котором пороговое напряжение полевого транзистора не превышает 0,8 В.

2. Разработан метод определения параметров схемотехнической модели полевого транзистора по результатам измерений электрических параметров ИМС истокового повторителя с целью определения с высокой точностью параметров модели без использования тестовых полевых транзисторов, с учётом режима работы полевого транзистора в составе ИМС.

3. На основе выведенных аналитических соотношений построены зависимости электрических параметров ИМС истокового повторителя от геометрических размеров канала полевого транзистора, из которых следует: для получения максимального коэффициента передачи ИМС по напряжению полевой транзистор должен иметь максимальную глубину канала, минимальную длину и оптимальную ширину канала (установленную из зависимости коэффициента передачи по напряжению от ширины канала).

4. По результатам двухмерного физико-топологического моделирования ИМС истокового повторителя получены зависимости электрических параметров ИМС от геометрических размеров канала, из которых следует, что все размеры канала полевого транзистора для получения максимального коэффициента передачи по напряжению ИМС должны выбираться оптимальными (глубина канала -0,45 мкм длина канала ~2 мкм, ширина канала ~1 мм). Установленные оптимальные геометрические размеры канала полевого транзистора позволяют создавать более совершенные ИМС истокового повторителя для преобразователей информации, в частности, для электретных микрофонов слуховых аппаратов.

5. Предложена физическая структура полевого транзистора в ИМС истокового повторителя и параметры технологического маршрута изготовления ИМС, которые позволяют получить пороговое напряжение полевого транзистора в пределах 0,6−0,8 В и сохранить работоспособность ИМС при понижении напряжения питания до 0,9 В.

6. Разработанная методика проектирования ИМС истокового повторителя, основанная на схемотехнической и физико-топологической моделях ИМС, позволяет проектировать микросхемы с заданной совокупностью электрических параметров для информационно-измерительных приборов.

7. Разработанная топология ИМС с установленными оптимальными параметрами канала полевого транзистора обеспечивает получение новых качественных свойств преобразователей информации — малогабаритных электретных микрофонов слуховых аппаратов.

8. Экспериментальные исследования ИМС подтвердили теоретические выводы и адекватность разработанной физико-топологической и схемотехнической моделей ИМС истокового повторителя.

Публикации по теме диссертационной работы.

В изданиях, рекомендованных ВАК РФ, опубликовано:

1. Никитанов C.B. Влияние параметров канала полевого транзистора на характеристики интегральной микросхемы истокового повторителя / В.П.Паде-ров, С. В. Никитанов // Известия высших учебных заведений. Электроника. — М.: МИЭТ, 2007. — № 3. — С. 30−35.

Публикации в других изданиях:

2. Никитанов C.B. Расчет параметров модели полевого транзистора в ИМС истокового повторителя для слухового аппарата / В. П. Падеров, Д. П. Владимиров, С. В .Никитанов // Электроника и информационные технологии — 2002: Сборник научных трудов. — Саранск: СВМО, 2002. — С. 147−152.

3. Никитанов С. В. Метод экстракции параметров модели полевого транзистора из измерений характеристик ИМС истокового повторителя / В. П. Падеров, Д. П. Владимиров, С. В .Никитанов // Фундаментальные и прикладные проблемы физики: Тез. докл. 4 Междунар. конф.- Мордов. гос. пед. ин-т. — Саранск, 2003.-С. 108.

4. Никитанов С. В. Экстракция параметров модели полевого транзистора из измерений коэффициента передачи интегральной микросхемы истокового повторителя / В. П. Падеров, Д. П. Владимиров, С. В .Никитанов // Полупроводниковые и газоразрядные приборы. — 2003. — № 1. — С. 23−27.

5. Никитанов С. В. Метод экстракции параметров моделей элементов ИМС истокового повторителя / В. П. Падеров, С. В. Никитанов // «Электроника». Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция: Тезисы докладов / МИЭТ. -М., 2003. — С. 91−92.

6. Никитанов С. В. Методика проектирования ИМС истокового повторителя / С. В. Никитанов, В. П. Падеров // XXXIII Огаревские чтения. Материалы науч. конф.: в 2-х ч. — Саранск, 2005. — С. 237−238.

7. Никитанов C.B. Оптимизация геометрических размеров ПТУП в ИМС истокового повторителя / С. В. Никитанов, В. П. Падеров, Ю. В. Горячкин // XXXIV Огаревские чтения: материалы науч. конф.: в 2 ч. — Саранск, 2006. — С. 221−222.

8. Никитанов C.B. Увеличение коэффициента передачи ИМС истокового повторителя / С. В .Никитанов, В. П. Падеров // Материалы нано-, микрои опто-электроники: физические свойства и применение: сб. тр. 4-й межрегион, молодежной науч. шк. Саранск, 5−7 окт. 2005 г. — Саранск, 2005. — С. 174.

9. Никитанов C.B. Зависимость параметров ИМС истокового повторителя от геометрических размеров полевого транзистора / С. В. Никитанов, В. П. Падеров, А. В. Бочкарев // Материалы XI научной конференции молодых ученых, аспирантов и студентов Мордовского государственного ун-та им. Н. П. Огарева. — Саранск, 2006. — С. 5−6.

10. Никитанов C.B. Новая ИМС истокового повторителя для малогабаритных электретных микрофонов / C.B.Никитанов, В. П. Падеров // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сб. тр. 5-й Всероссийской молодежной науч. шк., Саранск, 3−6 окт. 2006 г. — Саранск, 2006. — С. 155.

11. Никитанов C.B. Моделирование влияния параметров канала полевого транзистора на параметры ИМС истокового повторителя / С. В. Никитанов, В. П. Падеров // Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аспекты микроэлектроники: сбор, статей Всероссийской науч.-техн. конф. — Пенза, 2006. — С. 53−58.

12. Никитанов C.B. Влияние параметров канала на характеристики ИМС истокового повторителя / С. В. Никитанов, В. П. Падеров // Опто, наноэлектрони-ка, нанотехнологии и микросистемы: Труды VIII международной конференции. — Ульяновск, 2006. — С. 117.

13. Никитанов C.B. Разработка ИМС истокового повторителя для малогабаритных электретных микрофонов / С. В. Никитанов, В. П. Падеров // Наука и инновации в Республике Мордовия: материалы V респ. науч.-практ. конф., Саранск, 8−9 фев. 2006 г. — Саранск, 2006. — С. 549−550.

14. Никитанов C.B. Разработка интегральной микросхемы истокового повторителя для малогабаритных электретных микрофонов / C.B.Никитанов, В. П. Падеров // Всероссийский молодежный научно-инновационный конкурс-конференция «Электроника — 2006»: тезисы докладов конференции / МИЭТ. — М., 2006.-С. 52.

15. Никитанов C.B. Моделирование истокового повторителя / С.В.Ники-танов, В. П. Падеров // Фундаментальные и прикладные проблемы физики полупроводников и источников света: тез. докл. V Всероссийской конф. / под ред.

B.К. СвешниковаМордовс. гос. пед. ин-т. — Саранск, 2007. — С. 113.

16. Никитанов C.B. Исследование ИМС истокового повторителя /.

C.В.Никитанов, В. П. Падеров // XXXV Огаревские чтения: материалы науч. конф.: в 2 ч. — Саранск, 2007. — С. 245−246.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ш. Российские микрофоны для профессионалов / Ш. Вахитов // Техника кино и телевидения. 2005. — № 1−2. — С. 53−55.
  2. А.А. Исследование работы емкостных микрофонов / А. А. Иванов, Ф. В. Семякин // Техника средств связи. Сер. «Техника проводной связи». 1984. — № 3. — С. 35−43.
  3. Газета «ЭРА» Online Электронный ресурс. / Научно-Производственная Компания «ЭРА». М., [200-]. — Режим доступа: http://www.era-tv.ru/erapress/200 206/4.asp. — Загл. с экрана.
  4. Subminiature Silicon Integrated Electret Capacitor Microphone / Murphy et. al. // IEEE Transaction on Electrical Insulation. 1989 — vol. 24. — No. 3, June. -pp. 495−498.
  5. Miniature Electret Microphones / Fraim et. al. // Journal of the Audio Engineering Society. 1970. — vol. 18. — No. 5, Oct. — pp. 511−517.
  6. Electrets in Miniature Microphones / Fraim et. al. // Journal of the Acoustical Society of America. 1973.-vol. 53.-No. 6.-pp. 1601−1608.
  7. Subminiature Hearing Aid Microphones / Murphy et. al. // 1985 IEEE. Rethprinted with permission from 5 Int’l. Symposium on Electrets, (IS5). Heidelberg, West Germany, 1985. — Sep. 4−6. — pp. 732−737.
  8. Основы аудиологии и слухопротезирования / В. Г. Базров и др. М.: Медицина, 1984.-256 с.
  9. ГОСТ 10 893–87 1987. Аппараты слуховые электронные. Общие технические условия. Введ. 1987−07−01. — М.: Госстандарт СССР: Издательство стандартов, 1987. -V, 49 е.: ил.
  10. ГОСТ Р51 024−97 1997. Аппараты слуховые электронные реабилитационные. Общие технические условия. Введ. 1997−07−01. — М.: Госстандарт России: Издательство стандартов, 1997. — V, 87 е.: ил.
  11. DeafNet.Ru Сеть глухих, слабослышащих и всех Электронный ресурс. / Институт Открытое Общество — фонда Сороса. — М., [199-]. — Режим доступа: http://www.deafnet.ru. — Загл. с экрана.
  12. Loizou P.C. Introduction to Cochlear Implants / P.C. Loizou // IEEE Eng. Med. Biol. Mag. 1999. — vol. 18, Jan.-Feb. — pp. 32−42.
  13. В.Б. Согласующие ИС для миниатюрных электретных микрофонов / В. Б. Вяхирев, В. А. Гудков, М. П. Духновский, А. Ю. Печенин // Электронная промышленность. 1995. — № 6. — С.33−35.
  14. А.З. Истоковый повторитель микрофонный предусилитель КБ1402 у.е.1−1 / А. З. Познанский, Т. Р. Попкович, А. А. Саганенко, А. А. Шибин. // Электронная промышленность. — 1983. — вып. 4. — С. 18.
  15. Микросхемы интегральные бескорпусные типа П-94. Технические условия. 1994. Введ. 01.04.1994. — Саранск, 1994. — 6 с.
  16. Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс- пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 630 с.
  17. А.Б. Проектирование аналоговых интегральных схем /
  18. A.Б.Гребен- пер. с англ. — М.: Энергия, 1976. 256 е.: ил.
  19. П. Искусство схемотехники: В 2-х томах / П. Хоровиц, У. Хилл- пер. с англ. -М.: Мир, 1983.-Т. 1.-598 с.
  20. Martson R. Principles and Circuits. Part 2. Field-effect Transistors / R. Martson // Nuts & Volts Magazine. 2000. — vol.6, June. — pp. 1−3.
  21. Разработка серии специализированных аналоговых интегральных микросхем для слуховых аппаратов: Отчет о НИР (промежут.) / Мордов. ун-т- Рук.
  22. B.П.Падеров. № ГР 1 200 200 126. Саранск, 2003. — 39 с.
  23. C.B. Методика проектирования ИМС истокового повторителя / С. В .Никитанов, В. П. Падеров // XXXIII Огаревские чтения. Материалы науч. конф.: в 2-х ч. Ч. 2. Естественные и технические науки. Саранск, 2005. -С. 237−238.
  24. Воздушно-цинковые батарейки // Исток-Аудио 10 лет. 2005. — сен. (№ 3). — С. 26−27.
  25. В.Ф. Монолитный истоковый повторитель с гигаомным входным сопротивлением / В. Ф. Алексеев, О. В. Дворников. Минск: БГУИР: Минск, науч.-иссл. приборостр. ин-т, 1996. — 7 с.
  26. О.В. Схемотехника биполярно-полевых аналоговых микросхем. Часть 6. Составные схемы включения биполярных и полевых транзисторов / О. В. Дворников // Журнал Chip News/Инженерная микроэлектроника. -2005.-№−6.-С. 42−49.
  27. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. Пер. с англ. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Мир, 1984. — 456 с.
  28. А. И. Технология производства полупроводниковых и интегральных микросхем / А. И. Курносов, В. В. Юдин М.: Высшая школа, 1986. -368 с.
  29. Э.А. Конструкция и технология микросхем: учеб. пособие для радиотехнических специальностей вузов / Э. А. Матсон. Минск: Выш.шк., 1985.-207 с.
  30. A.C. Технология и конструирование интегральных микросхем: учеб. пособие для вузов / А. С. Березин, О. Р. Мочалкина. 2-е изд., перераб и доп. — М.: Радио и связь, 1992. — 320 е.: ил.
  31. Massobrio G. Semiconductor Device Modeling with SPICE / G. Massobrio, P. Antognetti- Second Edition. McGraw-Hill, Inc., 1988. — 479 p.
  32. В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0 /В.Д.Разевиг. М.: Солон, 1999. — 698 с.
  33. В.Д. Система сквозного проектирования OrCAD 9.2 / В. Д. Разевиг. М.: Солон-Р, 2001. — 519 с.
  34. Архангельский А.Я. PSpice и Design Center. В 2-х ч. Часть 1. Схемотехническое моделирование. Модели элементов. Макромоделирование: Учебное пособие / А. Я. Архангельский. М.: МИФИ, 1996. — 236 с.
  35. Архангельский А.Я. PSpice и Design Center. В 2-х ч. Часть 2. Модели цифровых и аналого-цифровых устройств. Идентификация параметров моделей. Графические редакторы: Учебное пособие / А. Я. Архангельский. М.: МИФИ, 1996.-212 с.
  36. ISE-TCAD Release 7.0: User’s Manual. ISE-AG Inc, 2000.
  37. ГОСТ 19 799 1974. Микросхемы интегральные аналоговые. Методы измерения электрических параметров и определения характеристик. — Введ. 1974−05−15. — М.: Госстандарт СССР: Изд-во стандартов, 1992. — V, 68 с.
  38. В.П. Метод экстракции параметров моделей элементов ИМС истокового повторителя / В. П. Падеров, С. В. Никитанов // «Электроника». Всероссийская научно-техническая дистанционная конференция: Тезисы докладов / МИЭТ. М, 2003. — С. 91−92.
  39. С. Аналоговые интегральные схемы / С. Соклоф- пер. с англ. — М.: Мир, 1988.-583 с.
  40. И. Операционные усилители / И. Достал- пер. с англ. М.: Мир, 1982.-512 с.
  41. И.П. Основы микроэлектроники / И. П. Степаненко. М.: Сов. радио, 1980. — 424 с.
  42. C.B. Влияние параметров канала на характеристики ИМС истокового повторителя / С. В. Никитанов, В. П. Падеров // Опто, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды VIII международной конференции. — Ульяновск, 2006. С. 117.
  43. Горячкин Ю.В. TCAD 7.0. Книга 1: Структура и состав ISE TCAD 7.0. Графический интерфейс GENESISe: учебное пособие / Ю. В. Горячкин, С. А. Нестеров, Б.П.Сурин- Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2003. 72 с.
  44. Ю.В. Физико-топологическое моделирование в САПР TCAD / Ю. В. Горячкин, С. А. Нестеров, Б. П. Сурин. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2006. — 124 с.
  45. Ю.В. Технологическое моделирование в САПР TCAD / Ю. В. Горячкин. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2007. — 40 с.
  46. MDRAW ISE-TCAD 7.0: User’s Manual / ISE-AG Inc. 2000. — No. 9. -132 p.
  47. DESSIS ISE-TCAD 7.0: User’s Manual. ISE-AG Inc, 2000. — No. 12. -432 p.
  48. Bank R.E. Numerical Methods for Semiconductor Device Simulation / R.E.Bank, DJ. Rose, W. Fichtner // IEEE Trans, on Electron Devices. 1983. — Vol. ED-30. — pp. 1031−1041.
  49. Bank R.E. Global Approximate Newton Methods / R.E.Bank, D J. Rose // Numer. Math. 1981. — Vol. 37. — pp. 279−295.
  50. Bank R.E. Transient Simulation of Silicon Devices and Circuits / R.E.Bank, W.M.Coughran, W. Fichtner, E.H.Grosse, D.J.Rose, R.K.Smith // IEEE Trans, on Electron Devices. 1985. — Vol. CAD-4. — pp. 436151.
  51. В.П. Влияние параметров канала полевого транзистора на характеристики интегральной микросхемы истокового повторителя / В. П. Падеров, С. В. Никитанов // Известия высших учебных заведений. Электроника. — М.: МИЭТ, 2007. № 3. — С. 30−35.
  52. Armand G.H. General Considerations of Noise in Microphone Preamplifiers / G.H.Armand, Van der Donk, J.A. Voorthuyzen, P. Bergveld // Sensors and Actuators. 1991-A, 25−27.-pp. 515−520.
  53. C.B. Разработка интегральной микросхемы истокового повторителя для малогабаритных электретных микрофонов / С. В. Никитанов,
  54. B.П.Падеров // Всероссийский молодежный научно-инновационный конкурс-конференция «Электроника 2006»: тезисы докладов конференции / МИЭТ. -М., 2006.-С. 52.
  55. C.B. Исследование ИМС истокового повторителя /
  56. C.В.Никитанов, В. П. Падеров // XXXV Огаревские чтения: материалы науч. конф.: в 2 ч. Ч. 2. Естественные и технические науки- отв. за вып. В. Д. Черкасов. Саранск, 2007. — С. 245−246.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!