Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Технология осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления

Диссертация: Технология осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Реализация метода реактивного магнетронного распыления осложнена отсутствием обобщенной методики, позволяющей обоснованно провести корректный выбор диапазонов изменения основных технологических параметров при разработке конкретного процесса. Кроме того, в применяемом технологическом оборудовании, как правило, не реализована возможность оперативного контроля устойчивости процесса осаждения пленки… Читать ещё >

Технология осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПРИМЕНЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ ПЛЁНОК ОКСИДА ТАНТАЛА
    • 1. 1. Кристаллическая структура и физические свойства
      • 1. 1. 1. Кристаллическая структура
      • 1. 1. 2. Диэлектрические свойства
      • 1. 1. 3. Ток утечки
      • 1. 1. 4. Оптические характеристики пленок оксида тантала
      • 1. 1. 5. Неравновесный заряд
    • 1. 2. Области применения
    • 1. 3. Методы осаждения
    • 1. 4. Реактивное магнетронное распыление
  • Выводы и постановка задач диссертационного исследования
  • ГЛАВА 2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ И ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
    • 2. 1. Экспериментальное технологическое оборудование
      • 2. 1. 1. Экспериментальная установка для осаждения однослойных оксидных структур
      • 2. 1. 2. Экспериментальная установка для осаждения двухслойных структур
      • 2. 1. 3. Испытания экспериментальной установки
    • 2. 2. Стенд для измерения оптических спектров отражения и пропускания плёночных структур
    • 2. 3. Стенд для измерения вольт-амперных характеристик
    • 2. 4. Стенд для измерение неравновесного заряда в плёнке диэлектрика
      • 2. 4. 1. Модель измерительного устройства
      • 2. 4. 2. Потенциал на границах пленки
      • 2. 4. 3. Потенциал на электродах
      • 2. 4. 4. Динамический режим
      • 2. 4. 5. °. Измерение заряда в пленке методом динамического конденсатора с компенсацией
      • 2. 4. 6. Стенд для измерения неравновесного заряда
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛАЗМЫ РАЗРЯДА ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ТАНТАЛОВОЙ МИШЕНИ В РЕАКТИВНОЙ СРЕДЕ
    • 3. 1. Особенности распыления танталовой мишени в реактивной газовой среде
    • 3. 2. Исследование плазмы
      • 3. 2. 1. Распыление мишени в среде аргона
      • 3. 2. 2. Распыление мишени в среде кислорода
      • 3. 2. 3. Распыление мишени в среде аргона и кислорода
      • 3. 2. 4. Нестационарные условия работы мишени
    • 3. 3. В АХ магнетронного разряда
    • 3. 4. Основные положения методики разработки технологии осаждения пленок
      • 3. 4. 1. Точки неустойчивости процесса
      • 3. 4. 2. Алгоритм выхода в рабочий режим
      • 3. 4. 3. Устойчивость процесса осаждения пленки
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПЛЕНОК
    • 4. 1. Основные этапы технологии пленок
    • 4. 2. Технологические параметры
    • 4. 3. Объемный расход кислорода
    • 4. 4. Ток разряда
    • 4. 5. Парциальное давление аргона
    • 4. 6. Температура подложки
    • 4. 7. Потенциал смещения на подложке
    • 4. 8. Состав и структура
    • 4. 9. Дополнительная термообработка
  • Выводы
  • ГЛАВА 5. РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРАКТИЧЕСКОМУ ПРИМЕНЕНИЮ ПЛЕНОК ОКСИДА ТАНТАЛА
    • 5. 1. Электроника
      • 5. 1. 1. Ток утечки пленки
      • 5. 1. 2. Элементы электронных компонентов
    • 5. 2. Устройства для стимуляция репарации поврежденных тканей
      • 5. 2. 1. Инжекция заряда
      • 5. 2. 2. Релаксация заряда в воздушной среде
      • 5. 2. 3. Релаксация заряда в модели биологической среды
      • 5. 2. 4. Релаксация заряда при внешних воздействиях
      • 5. 2. 5. Влияние материала подложки на релаксацию заряда
      • 5. 2. 6. Электростимуляции репарации поврежденных тканей
  • Выводы

Оксиды переходных металлов представляют собой материалы, которые проявляют полупроводниковые, ферромагнитные, сегнетоэлектрические, электрохромные, фотохромные и другие свойства. В связи с этим открываются широкие возможности для изготовления пленочных структур с новыми электрическими, магнитными и оптическими характеристиками.

Среди оксидов металлов переходной группы значительный интерес вызывает оксид тантала (ТагС^)*. Благодаря своим уникальным свойствам пленки Та205 находят применение в различных областях [1].

Так, например, высокая диэлектрическая проницаемость (е ~ 25−50), низкие токи утечки, высокая электрическая прочность и химическая инертность позволяют рассматривать этот материал в качестве защитного покрытия элементов приборов вакуумной и плазменной электроники [2].

Одновременно с этим достигнутая в кремниевой микроэлектронике проектная норма 32 нм заставляет искать новые диэлектрические Ь^Ь-/: материалы для подзатворного диэлектрика в МОП-структурах. Здесь пленки Та205, наряду с ТЮ2 и НЮ2, рассматривают в качестве возможных альтернатив традиционному оксиду кремния [3,4].

Новым направлением в использовании пленочных оксидных структур является медицина. Такие покрытия позволяют повысить биосовместимость имплантатов [5] или обеспечить бактерицидные свойства материалов [6].

Способность пленок Та2Об длительное время сохранять инжектированный неравновесный заряд и высокая биосовместимость с живой тканью открывают возможности широкого применения таких покрытий в медицине (в частности для реализации метода стимуляции близкодействующими электростатическими полями репаративных процессов в поврежденных тканях).

7]. Здесь и далее химическая формула Та205 используется в качестве синонима термина «оксид тантала». Корректной для дефектных по кислороду пленок оксидов является формула ТазС^ (см. главу 4).

Спектр технологий осаждения пленок Та205 чрезвычайно широк [8]. Различные группы исследователей, используя свой технологический опыт и имеющееся оборудование, получают пленочные структуры, изучают их электрофизические свойства, создавая, таким образом, фундамент развития материаловедения в электронике.

Среди многообразия технологий нельзя выделить наиболее универсальный метод. Как правило, выбор метода определяется, в первую очередь, особенностями технологического процесса изготовления конкретного устройства. Наиболее стабильные электрофизические свойства пленок достигается применением реактивного магнетронного распыления материалов [9], [10]. Этот метод, обеспечивая высокую скорость осаждения пленок, позволяет получать пленки с высокой химической чистотой, плотностью, адгезией к подложке и равномерностью физических свойств по площади поверхности подложки. Необходимо отметить возможность нанесения покрытий этим методом на поверхность подложек большой площади и сложной геометрической формы [11].

Метод реактивного магнетронного распыления обладает высокой гибкостью в управлении процессом осаждения одиночных слоев. Потенциально он дает возможность осаждать композиционно градиентные пленки и формировать неравновесные составы. Управление осуществляется регулированием нескольких независимых переменных (расходы аргона и кислорода, электрическая мощность на мишени, температура подложки, потенциал смещения на подложке и др.).

Реализация метода реактивного магнетронного распыления осложнена отсутствием обобщенной методики, позволяющей обоснованно провести корректный выбор диапазонов изменения основных технологических параметров при разработке конкретного процесса. Кроме того, в применяемом технологическом оборудовании, как правило, не реализована возможность оперативного контроля устойчивости процесса осаждения пленки. В связи, с чем представляется перспективным использовать для этих целей оптическую эмиссионную спектроскопию (ОЭС) как метода, который позволяет, во-первых, наблюдать за составом плазмы тлеющего разряда и состоянием мишени в процессе осаждения пленки. Во-вторых, ОЭС служит эффективным инструментом для исследования процесса осаждения пленок оксидов методом реактивного магнетронного распыления [12].

Целью данной диссертационной работы является исследование и разработка технологии осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления.

Для достижения поставленной цели необходимо решить ряд задач:

Задача первая: разработать и изготовить комплекс экспериментального оборудования для осаждения и исследования пленок оксида тантала.

Задача вторая: экспериментально исследовать физические процессы и явления, происходящие при осаждении пленки.

Задача третья: сформировать общую методику разработки технологии осаждения оксидных пленок методом реактивного магнетронного распыления.

Задача четвертая: разработать технологию осаждения пленок оксида тантала методом реактивного магнетронного распыления.

Задача пятая: экспериментально исследовать свойства пленок и влияние на них технологических параметров.

Задача шестая: выработать рекомендации по практическому применению разработанной технологии для изготовления приборов вакуумной и плазменной электроники и других приложений.

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, приложения и списка литературы, содержащего 157 наименований.

Основные результаты, полученные в главе 5, состоят в следующем:

1. Рекомендовано практическое применение пленок Та205 осажденных по разработанной технологии, в качестве перспективного материала для элементов газоразрядной техники, микроэлектроники и устройств медицинского назначения.

2. Установлено, что ток утечки в пленках Та205Л имеет низкий уровень и формируется за счет двух основных механизмов: эмиссии Шоттки и эффекта Пула-Френкеля. Причем по мере увеличения температуры эмиссия Шоттки становится менее ярко выраженной, а эффект Пула-Френкеля проявляется сильнее.

3. Разработаны методы инжекции в пленку неравновесного отрицательного заряда.

4. Установлено, что релаксация встроенного технологического заряда проходит по однозонной модели. Изменение потенциала пленки при хранении на воздухе в течении 250 суток не превышает 15% от начального значения.

5. Установлено, что релаксация инжектированного в осажденную пленку Та2С>5 х заряда проходит по двухзонной модели и характеризуется высокой скоростью релаксации в первой зоне.

6. Установлено, что при релаксации заряда в модельной среде возникает эффект восстановления потенциала пленки в связи с десорбцией положительных ионов модельной среды.

7. По результатам исследования процесса релаксации заряда при внешних воздействиях (стерилизации) рекомендован метод химической стерилизации и гамма-облучения, оказывающие минимальное воздействие на электрические свойства пленок.

8. Установлено, что металл подложки на которую осаждается пленка оказывает существенное влияние на скорость релаксации заряда. В связи с этим при изготовлении устройств медицинского назначения рекомендовано нанесение на их поверхность буферного подслоя тантала толщиной не более 500 нм, что позволяет существенно увеличить время релаксации заряда.

9. При использовании пленок в медицинских приложениях рекомендовано применять методику создания встроенного технологического заряда, как обеспечивающую максимально длительное время релаксации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основные научные результаты выполненной диссертационной работы состоят в следующем:

1 .Разработан комплекс технологического и измерительного оборудования для исследования технологии осаждения оксидных пленок методом реактивного магнетронного распыления.

2. Исследована плазма аномального тлеющего разряда при реактивном магнетронном распылении.

3. Предложены основные положения методики разработки технологии осаждения пленок оксидов методом реактивного распыления.

4. Разработана технология осаждения аморфных пленок Та205х методом реактивного магнетронного распыления.

5. Рекомендовано практическое применение разработанной технологии в производстве приборов вакуумной и плазменной электроники и других приложениях.

Научная новизна.

Существенно новые научные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Разработаны теоретические основы компенсационного метода измерения поверхностного потенциала диэлектрической пленки, используемого для контроля технологического процесса.

2. Установлены особенности физических процессов и явлений происходящих при осаждении пленки. Исследование проведено по спектрам испускания плазмы аномального тлеющего разряда при распылении танталовой мишени в инертной и реактивной средах и вольт-амперным характеристикам разряда.

3. Исследовано влияние основных и вспомогательных технологических параметров на химический состав, кристаллическую структуру и физические свойства пленок.

4. Установлено, что при электрическом поле менее 1 мВ/см ток утечки в пленках Та205 имеет низкий уровень и формируется за счет двух основных механизмов — эмиссии Шоттки и эффекта Пула-Френкеля.

5. Установлено, что релаксация встроенного в осажденную пленку технологического заряда в осажденной пленке проходит по однозонной модели и характеризуется малой скоростью релаксации. Релаксация инжектированного в поверхность осажденной пленки Та205 заряда проходит по двухзонной модели и характеризуется высокой скоростью релаксации в первой зоне.

6. Установлено, что металл подложки, на которую осаждена пленка, оказывает существенное влияние на скорость релаксации неравновесного заряда.

Практическая ценность.

В применении к пленочным оксидным структурам ценность представляют:

1. Комплекс рекомендаций по составу и техническим характеристикам экспериментального технологического оборудования для осаждения пленок Та205 методом реактивного магнетронного распыления.

2. Комплекс технологического и измерительного оборудования для исследования технологии осаждения оксидных пленок методом реактивного магнетронного распыления.

3. Методика разработки технологии осаждения пленки оксида, основанная на обобщенной неизотермической физико-химической модели и результатах эксперимента.

4. Результаты анализа возможных последствий нестабильности работы устройств, обеспечивающих в системе распыления расход реактивного газа и ток разряда.

5. Использование оптической эмиссионной спектроскопии (ОЭС) как метода, который позволяет наблюдать за состоянием плазмы и служит эффективным инструментом исследования и контроля технологического процесса.

6. Технология осаждения аморфных пленок Та205х.

7. Методы инжекции в пленку неравновесного отрицательного заряда.

8. Практическое применение разработанной технологии, для изготовления защитных покрытий в приборах вакуумной и плазменной электроники и диэлектрических покрытий для микроэлектроники и устройств медицинского назначения.

9. Нанесение на поверхность изделий медицинского назначения, изготовленных из титана, буферного подслоя тантала толщиной не более 500 нм, увеличивающего время релаксации неравновесного заряда.

Достоверность и обоснованность научных положений и выводов.

Достоверность результатов диссертационной работы подтверждается:

1. Применением при аналитическом описании физических моделей математических методов электродинамики.

2. Использованием персональных компьютеров для проведения анализа моделей осаждения и контроля слоев пленочных структур с помощью специализированных пакетов и авторских программ.

3. Проведением комплексных исследований по изготовлению и контролю слоев оксидов тантала на большом количестве образцов с использованием разработанных автором методов.

4. Использованием персональных компьютеров для проведения оптических измерений, статистической обработки экспериментальных результатов с помощью специализированных программ.

5. Апробацией основных научных результатов на научных, научно-технических конференциях, симпозиумах и семинарах различного уровня в течение 15 лет.

6. Опубликованием 24 статьи в отечественных и зарубежных научных реферируемых журналах и изданиях, рекомендованных ВАК Минобрнауки России.

Реализация в науке и технике.

1. Значительная часть теоретических и экспериментальных исследований диссертационной работы выполнена в рамках Федеральной целевой программы «Интеграция науки и высшего образования России на 2002;2006 годы» (государственный контракт № У-0032 от 31.07.2002 г.), а также следующих проектов, поддержанных Российским фондом фундаментальных исследований: «Синтез и исследование композиционного биоактивного материала Та205/ТЬ> (грант 04−03−32 253), «Синтез новых композиционных материалов на основе многослойных наноструктур Та205/ТЮ2 и исследование их физико-химических свойств» (грант 10−03−845-а), Фондом содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере «Разработка установки и технологии нанесения биоактивных электретных нанопокрытий на изделия медицинского назначения» (госконтракт 5828р/8180 от 31.03.2008 г.) и Комитетом по науке и высшей школе Правительства Санкт-Петербурга «Разработка технологии и создание принципиально нового биоактивного электретного материала на основе тонких плёнок оксида тантала» (договор № 352/09 от 30.10.2009 г.).

2. Разработанные в диссертационной работе методы, принципы и требования используют в производстве изделий и в исследовательской работе ОАО «НПП ЭЛЕКТРОН» г. СПб, ОАО «Завод Магнетон» г. СПб, СПбГУЗ «Елизаветинская больница» г. СПб.

3. Физические представления, теоретические результаты и практические методы, полученные в диссертации, использованы автором в лабораторных практикумах дисциплин «Технология материалов и изделий электронной техники» и «Основы физики вакуума» для студентов СПбГЭТУ «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), а также при создании учебного пособия «Технология материалов и изделий электронной техники», изданного в 2010 году.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Технология тонких пленок (справочник). Под ред. J1. Майселла, Нью-Йорк, 1970, Пер. с англ., М., «Сов. Радио», 1977, 768 с.
  2. High k dielectrics for low temperature electronics / Pereira L., Barquinha P., Fortunato E. et al.// Thin Solid Films, 2008, Vol. 516, pp. 1544−1548.
  3. Oxides, oxides, and more oxides: high-k oxides, ferroelectrics, ferromagnetics, and multiferroics./ Izyumskaya N., Alivov Ya., Morkoc H. et al.// Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 2009, Vol. 34, pp. 89−179.
  4. Поверхность имплантата ее роль и значение в остоеинтеграции / Павленко А. В., Горбань С. А., Илык P.P. и др. // Современная стоматология, 2009, № 4, С. 101−108
  5. Biomedical response of tantalum oxide films deposited by DC reactive unbalanced magnetron sputtering Yang W.M., Liu Y.W., Zhang Q. et al.// Surface & Coatings Technology, 2007, Vol. 201, pp. 8062−8065.
  6. А.И., Конструкции имплантатов для остеосинтеза / Сборник научных трудов Эволюция остеосинтеза, СПб, Издательство МОРСАР АВ, 2005 г., С. 13−15
  7. Н.С. (гл. ред.) Химическая энциклопедия: в 5 т. — Москва: Советская энциклопедия, 1995. — Т. 4. — С. 494. — 639 с.
  8. Optical and mechanical properties of tantalum oxynitride thin films deposited by reactive magnetron sputtering / Banakh O., Steinmann P.A., Dumitrescu-Buforn L. et al.// Thin Solid Films, 2006, Vol. 513, pp. 136−141.
  9. А.И., Магнетронные распылительные системы, Киев, Аверс, 2008, 244 с.
  10. Oxides, oxides, and more oxides: high-k oxides, ferroelectrics, ferromagnetics, and multiferroics / N. Izyumskaya, Ya. Alivov, H. Morkoc et al.// Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences, 2009, Vol. 34, pp. 89−179.
  11. А. А., Шаповалов В. И. Пленки оксидов переходных металлов: физика и технология реактивного распыления СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2009. 176 с.
  12. Structure and optical analysis of Ta2Os deposited on infrasil substrate / Osama A. Azim, M.M. Abdel-Aziz // Applied Surface Science, 2009, Vol. 255, pp. 4829^1835.
  13. Renju R. Krishnan. Microstructural, optical and spectroscopic studies of laser ablated nanostructured tantalum oxide thin films./ Renju R. Krishnan, Gopchandran K.G., MahadevanPillai V.P. // Applied Surface Science, 2009, Vol. 255, pp. 7126−7135.
  14. Effect of substrate temperature on the structural, optical and electrical properties of dc magnetron sputtered tantalum oxide films / Jagadeesh Chandra S.V., Uthanna S., Mohan Rao G. et al.// Applied Surface Science, 2008, Vol. 254, pp. 1953−1960.
  15. Dependence of electrical properties on interfacial layer of Ta2Os films. / Lee J.-W., Ham M.-H., Maeng W.-J. et al.// Microelectronic Engineering, 2007, Vol. 84, pp. 2865−2868.
  16. High temperature annealing effect on structure, optical property and laser-induced damage threshold of Ta2Os films / Xu Ch., Xiao Q., Ma J. // Applied Surface Science, 2008, Vol. 254, pp. 6554−6559.
  17. Stability and effect of annealing on the optical properties of plasma-deposited Ta2Os and Nb205 films / Masse J.-P., Szymanowski H., Zabeida O. // Thin Solid Films, 2006, Vol. 515, pp. 1674−1682.
  18. Huang A.P., Chu P. K., Crystallization improvement of Ta2Os thin films by the addition of water vapor, Journal of Crystal Growth, 2005, Vol. 274, pp. 73−77.
  19. The characteristics of thin film electroluminescent displays produced using sol-gel produced tantalum pentoxide and zinc sulfide / Kavanagh Y., Alam M.J., Cameron D.C. et al.// Thin Solid Films, 2004, Vol. 447 -448, pp. 85−89.
  20. High k dielectrics for low temperature electronics / Pereira L., Barquinha P., Fortunato E. et al.//Thin Solid Films, 2008, Vol. 516, pp. 1544−1548.
  21. Hea X., Wuc J., Li X. Effects of the post-annealing ambience on the microstructure and optical properties of tantalum oxide films prepared by pulsed laser deposition, Journal of Alloys and Compounds, 2009, Vol. 478, pp. 453157.
  22. Anodic Ta2Os for CMOS compatible low voltage electro wetting-on-dielectric device fabrication / Li Y., Parkes W., Haworth L.I. //Solid-State Electronics, 2008, Vol. 52, pp. 13 821 387.
  23. Dielectric property of (Ti02)x-(Ta205)i.x thin films / Gan J.-Y., Chang Y.C., Wu T.B. et al.// Appl. Phys. Lett., 1998, Vol. 72, No. 3, pp. 332−334.
  24. Thin Film Prossesing and Integration Methods to Enable Affordable Mobile Communications Systems / Cole M. W., Nothwang W. D., Joshi P. C. et al.// Integrated Ferroelectrics, 2005, Vol. 71, pp. 29—44.
  25. Deposition and annealing of tantalum pentoxide films using 172 nm excimer lamp / Zhang J.-Y., Lim B., Boyd I. W. et al.// Applied Surface Science, 2000, Vol. 154−155, pp. 382 386.
  26. Modified space-charge limited conduction in tantalum pentoxide MIM capacitors / Martinez V., Besset C., Monsieur F. et al.//Microelectronic Engineering, 2007, Vol. 84, pp. 2310−2313.
  27. Deloffre E. Electrical properties in low temperature range (5 K-300 K) of Tantalum Oxide dielectric MIM capacitors / Deloffre E., Montes L., Ghibaudo G.// Microelectronics Reliability, 2005, Vol. 45, pp. 925−928.
  28. Effect of microwave radiation on the properties of Ta2Os-Si microstructures/ Atanassova E., Konakova R.V., Mitin V.F. et al. // Microelectronics Reliability, 2005, Vol. 45, pp. 123−135.
  29. Pecovska-Gjorgjevich M. Electrical properties of thin RF sputtered Ta2Os films after constant current stress / Pecovska-Gjorgjevich M., Novkovski N., Atanassova E.// Microelectronics Reliability, 2003, Vol. 43, pp. 235−241.
  30. Atanassova E. Breakdown fields and conduction mechanisms in thin Ta205 layers on Si for high density DRAMs / Atanassova E., Paskaleva A.// Microelectronics Reliability, 2002, Vol. 42, pp. 157−173.
  31. Atanassova E. Thermal Ta2Os—alternative to Si02 for storage capacitor application, Microelectronics Reliability, 2002, Vol. 42, pp. 1171−1177.
  32. Effect of Ti doping on Ta2Os stacks with Ru and A1 gates / Paskaleva A., Tapajna M., Atanassova E. et al.// Applied Surface Science, 2008, Vol. 254, pp. 5879−5885
  33. Influence of the metal electrode on the characteristics of thermal Ta2Os capacitors / Atanassova E., Spassov D., Paskaleva A.// Microelectronic Engineering, 2006, Vol. 83, pp. 1918−1926.
  34. Effect of Bottom Electrode of ReRAM with Ta205 / Ti02 Stack on RTN and Retention / Terai M., Sakotsubo Y., Saito Y.// Electron Devices Meeting (IEDM), 2009, p.312−315
  35. Resistance Controllability of Ta20s/Ti02 Stack ReRAM for Low-Voltage and Multilevel Operation / Terai M., Sakotsubo Y., Kotsuji S.// IEEE Electron Device Letters, 2010, Vol. 31, No. 3, pp. 204−206.
  36. Novkovski N., Analysis of the improvement of Al-Ta20s/Si02-Si structures reliability by Si substrate plasma nitridation in N20, Thin Solid Films, 2009, Vol. 517, pp. 4394−4401.
  37. Shvets V.A. Electronic structure and charge transport properties of amorphous Ta2Os films / Shvets V.A., Aliev V.Sh., Gritsenko, S.S. // Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, Vol. 354, pp. 3025−3033.
  38. Overview about the optical properties and mechanical stress of different dielectric thin films produced by reactive-low-voltage-ion-plating / Hallbauer A., Huber D., Strauss G.N. et al.// Thin Solid Films, 2008, Vol. 516, pp. 4587^1592.
  39. Effect of substrate temperature on surface roughness and optical properties of Та2С>5 using ion-beam sputtering / Yoon S.G., Kim H.K., Kim M.J. // Thin Solid Films, 2005, Vol. 475, pp. 239- 242.
  40. Effect of sputtering pressure and rapid thermal annealing on optical properties of ТагС^ thin films / Ji-cheng Z., Di-tian L., You-zhen L. et al.// Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 2009, Vol. 19, pp. 359−363.
  41. Tien C.-L. Influence of ejection angle on residual stress and optical properties of sputtering Та205 thin films, Applied Surface Science, 2008, Vol. 255, pp. 2890−2895.
  42. Tien C.-L. Effects of ion energy on internal stress and optical properties of ion-beam sputtering Ta205 films / Tien C.-L., Lee C.-C. // Journal of Modern Optics, 2003, Vol. 50, No. 18, pp. 2755−2763.
  43. Lai F.-D. High-transmittance attenuated phase-shift masks using three-stack (ТагС^хХАЬОзЭьх coatings for the 90 nm-technology node, Microelectronic Engineering, 2004, Vol. 73−74, pp. 63−68.
  44. The study of optical and microstructural evolution of Ta205 and Si02 thin films by plasma ion assisted deposition method / Liu W.-J., Guo X.-J., Chien C.-H. et al.// Surface & Coatings Technology, 2005, Vol. 196, pp. 69- 75.
  45. Comparision of residual stress and optical properties in Ta205 thin films deposited by single and dual ion beam sputtering / Yoon S.G., Kim Y.T., Kim H.K. et al.// Materials Science and Engineering B, 2005, Vol. 118, pp. 234−237.
  46. Properties of cosputtered Si02-Ta205-mixtures / C. Polenzky, C. Rickers, M. Vergohl et al.// Thin Solid Films, 2009, Vol. 517, pp. 3126−3129.
  47. Effect of assist ion beam voltage on intrinsic stress and optical properties of Ta205 thin films deposited by dual ion beam sputtering / Yoon S.G., Kang S.M., Jung W.S. et al.// Thin Solid Films, 2008, Vol. 516, pp. 3582−3585.
  48. The study of optical and microstructural evolution of Та2Об and Si02 thin films by plasma ion assisted deposition method / Liu W.-J., Guo X.-J., Chien C.-H. et al.// Surface & Coatings Technology, 2005, Vol. 196, pp. 69- 75.
  49. Stodolny M. Synthesis and characterization of mesoporous ТагС^-ТЮг photocatalysts for water splitting, Catalysis Today, 2009, Vol. 142, pp. 314−319.
  50. Электреты / Под ред. Сесслера Г., М.: Мир., 1983, 487 с.
  51. А.И. О формировании отрицательного заряда в анодных окисных пленках в процессе их роста./ Зудов А. И., Зудова J1.A.// Электрохимия, том IX, вып. 3, 1973, с. 331 — 333.
  52. Ю.А. Электретный эффект и его применение. // Соросовский образовательный журнал. — 1997. — № 8. — С. 92−98.
  53. В.Н. Внешнее электрическое поле анодных оксидных пленок./ Лобуш-кин В.Н., Таиров В. Н. // Электрохимия, т. 12, вып. 5, 1976, с. 779 780
  54. Исследование объемного заряда анодных оксидных пленок/ Лобушкин В. Н., Соколова И. М. Таиров В.Н. и др.// Электрохимия. Вып. т. 12, вып. 5, 1976, с. 392 396.
  55. А.Н. Электреты. М.: Наука, 1978. 192 с.
  56. М.С. Восстановление поверхностного потенциала аморфного оксида тантала./ Моргунов М. С., Ханин С. Д. // ФТТ. Том 26, в. 12, 1984, с. 3545 3547.
  57. Reduction of defect states of tantalum oxide thin films with additive elements / Salam K.M.A., Fukuda H., Nomura S. et al.// Materials Science in Semiconductor Processing, 2003, Vol. 6, pp. 531−533.
  58. Effects of additive elements on improvement of the dielectric properties of Ta2Os films formed by metalorganic decomposition / Salam K.M.A., Fukuda H., Nomura S. et al.// J. Appl. Phys., 2003, Vol. 93, No. 2, pp. 1169−1175.
  59. Structural and electrical properties of crystalline (l-x)Ta205 xTi02 thin films fabricated by metalorganic decomposition / Salam K.M.A., Fukuda H., Nomura S. et al.// Applied Surface Science, 2002, Vol. 190, pp. 88−95.
  60. Simulation and dielectric characterization of reactive dc magnetron cosputtered (Ta205)i. x (Ti02)x thin films / Westlinder J., Zhang Y., Engelmark F. et al.// J. Vac. Sci. Technol. B, 2002, Vol.20, No. 3, pp. 855−861.
  61. Deman A.-L. Growth related properties of pentacene thin film transistors with different gate dielectrics / Deman A.-L., Erouel M., Lallemand D.// Journal of Non-Crystalline Solids, 2008, Vol. 354, pp. 1598−1607.
  62. Investigation of Ta205/Si02/4H-SiC MIS capacitors /, Zhao P., Rusli, B.K. Lok, F.K. et al.// Microelectronic Engineering, 2006, Vol. 83, pp. 58−60.
  63. Kristof J. Investigation of Ru02/Ta205 thin film evolution by thermogravimetry combined with mass spectrometry / Kristof J., Szilagyi T., Horvath E.// Thin Solid Films, 2005, Vol. 485, pp. 90 94.
  64. Sub-micron period grating structures in Ta2Os thin oxide films patterned using UV laser post-exposure chemically assisted selective etching / Pissadakis S., Ikiades A., Tai C.Y. et al.// Thin Solid Films, 2004, Vol. 453 -454, pp. 458−461.
  65. Geretovszky Zs. Correlation of compositional and structural changes during pulsed laser deposition of tantalum oxide films / Geretovszky Zs., Szorenyi T., Stoquert J.-P. et al.// Thin Solid Films, 2004, Vol. 453 -454, pp. 245−250.
  66. Effects of the post-annealing ambience on the microstructure and optical properties of tantalum oxide films prepared by pulsed laser deposition / Hea X., Wuc J., Li X.// Journal of Alloys and Compounds, 2009, Vol. 478, pp. 453157.
  67. Solid electrolyte of tantalum oxide thin film deposited by reactive DC and RF magnetron sputtering for all-solid-state switchable mirror glass / Tajima K., Yamada Y., Bao S. et al.// Solar Energy Materials & Solar Cells, 2008, Vol. 92, pp. 120−125.
  68. A note on fast protonic solid state electrochromic device: Ni0x/Ta205/W03x / Subrahmanyam A., Suresh Kumar C., Muthu Karuppasamy et al.// Solar Energy Materials & Solar Cells, 2007, Vol. 91, pp. 62−66.
  69. Electrochemical evaluation of Ta2Os thin film for all-solid-state switchable mirror glass / Tajima K., Yamada Y., Bao S. et al.// Solid State Ionics, 2009, Vol. 180, pp. 654−658.
  70. Schmitt K. Interferometric biosensor based on planar optical waveguide sensor chips for label-free detection of surface bound bioreactions / Schmitt K., Schirmer B., Hoffmann C. ll Biosensors and Bioelectronics, 2007, Vol. 22, pp. 2591−2597.
  71. Hemmersam A.G. Adsorption of fibrinogen on tantalum oxide, titanium oxide and gold studied by the QCM-D technique / Hemmersam A.G., Foss M., Chevallier J.// Colloids and Surfaces B: Biointerfaces, 2005, Vol. 43, pp. 208−215.
  72. The biocompatibility of the tantalum and tantalum oxide films synthesized by pulse metal vacuum arc source deposition / Leng Y.X., Chen J.Y., Yang P. et al.// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2006, Vol. 242, pp. 30−32
  73. A simple particulate sol-gel route to synthesize nanostructural Ti02-Ta20s binary oxides and their characteristics / Mohammadi M.R., Fray D.J., Sadrnezhaad S.K. et al.// Materials Science and Engineering B, 2007, Vol. 142, pp. 16−27.
  74. Mohammadi M.R. Development of nanocrystalline Ti02-Er203 and Ti02-Ta20s thin film gas sensors: Controlling the physical and sensing properties / Mohammadi M.R., Fray D.J.// Sensors and Actuators B, 2009, Vol. 141, pp. 76−84.
  75. Interfacial varactor characteristics of ferroelectric thin films on high-resistivity Si substrate / Lan W.-A., Wang T.-C., Huang L.-H. // Applied Physics Letters, 2006, Vol. 89, pp. 902−910.
  76. High capacity oxide/ferroelectric/oxide stacks for on-chip charge storage / Zhong S., Alpay S. P., Mantese J. V. et al.// Applied Physics Letters, 2006, Vol. 89, pp. 902 906.
  77. Kakio S. Suppression of bulk wave radiation from leaky surface acoustic waves by loading with thin dielectric films / Kakio S., Hishinuma K., Nakagawa Y.// J. Appl. Phys., 2000, Vol. 87, No. 3, pp. 1440−1447.
  78. A. «Accelerated testing for time dependent dielectric breakdown (TDDB) evaluation of embedded DRAM capacitors using tantalum pentoxide / A. Inani, V. Koldyaev, S. Graves // Microelectronics Reliability, 2007, Vol. 47, pp. 1429−1433.
  79. High-K dielectric deposition in 3D architectures: The case of Ta20s deposited with metal-organic precursor TBTDET / L. Pinzelli, M. Gros-Jean, Y. Brechet et al. // Microelectronics Reliability, 2007, Vol. 47, pp. 700−703.
  80. Low-voltage, high-performance n-channel organic thin-film transistors based on tantalum pentoxide insulator modified by polar polymers / L. Lan, J. Peng, M. Sun et al.// Organic Electronics, 2009, Vol. 10, pp. 346−351
  81. Subrahmanyam A. A note on fast protonic solid state electrochromic device: Ni0x/Ta205/W03-x / A. Subrahmanyam, C. Suresh Kumar, K. Muthu Karuppasamy // Solar Energy Materials & Solar Cells, 2007, Vol. 91, pp. 62−66.
  82. Lutzenkirchen-Hecht D. Time-resolved in situ investigations of reactive sputtering processes by grazing incidence X-ray absorption spectroscopy / D. Lutzenkirchen-Hecht, R. Frahm, // Surface Science, 2006, Vol. 600, pp. 4380384.
  83. Tajima K All-solid-state switchable mirror on flexible sheet /, K. Tajima, Y. Yamada, S. Bao // Surface & Coatings Technology, 2008, Vol. 202, pp. 5633−5636.
  84. Studies on the structure and electrical characteristics of oxide layers synthesized by reactive ion implantation into tantalum / V. Singh, A.D. Yadav, S.K. Dubey et al.// Surface & Coatings Technology, 2009, Vol. 203, pp. 2632−2636.
  85. Electrochemical evaluation of Ta2Us thin film for all-solid-state switchable mirror glass / K. Tajima, Y. Yamada, S. Bao et al.// Solid State Ionics, 2009, Vol. 180, pp. 654−658.
  86. Optical properties in the UV range of a Ta20s inverse opal photonic crystal designed by MOCVD / F. Piret, M. Singh, C.G. Takoudis et al.// Chemical Physics Letters, 2008, Vol. 453, pp. 87−91.
  87. Surface functionalization of radiopaque Ta20s/Si02 / H. Schulz, S. E. Pratsinis, H. Rueggeret al.// Colloids and Surfaces A: Physicochem. Eng. Aspects, 2008, Vol. 315, pp. 79−88.
  88. Ta2U5 as gate dielectric material for low-voltage organic thin-film transistors / C. Bartic, H. Jansen, A. Campitelli et al.// Organic Electronics, 2002, Vol. 3, pp. 65−72.
  89. Fabrication of photonic crystals in tantalum pentoxide films / U. Huebner, R. Boucher, W. Morgenroth et al. // Microelectronic Engineering, 2005, Vol. 78−79, pp. 422428.
  90. Fabrication and characterization of Ta20s photonic feedback structures / T. Wahlbrink, J. Bolten, T. Mollenhauer et al. // Microelectronic Engineering, 2008, Vol. 85, pp. 1425−1428.
  91. Horvath E., Investigation of Ta20s thin film evolution by thermogravimetry / Thin Solid Films, 2005, Vol. 486, pp. 92 96.
  92. Bao-song L. Preparation and electrocatalytic properties of Ti/Ir02-Ta205 anodes for oxygen evolution / L. Bao-song, L. An, G. Fu-xing, // Trans. Nonferrous Met. Soc. China, 2006, Vol. 16. pp. 1193−1199.
  93. Kawamura M. Ta2U5 thin films prepared by reactive sputtering / Kawamura M., Sasaki K., Itoh H. // Vacuum, 2009, Vol. 82, pp. 528−530.
  94. Surface sol-gel synthesis of ultrathin titanium and tantalum oxide films / M. Fang, C. H. Kim, B. R. Martin et al. // Journal of Nanoparticle Research, 1999, Vol. 1, pp. 43−49.
  95. High quality r.f. sputtered metal oxides (Ta205, НЮ2) and their properties after annealing / H. Grugera, Ch. Kunath, E. Kurth et al.//Thin Solid Films, 2004, Vol. 447 448, pp. 509−515.
  96. Reith T.M. The reactive sputtering of tantalum oxide: Compositional uniformity, phases, and transport mechanisms / Т. M. Reith, P. J. Ficalora // J. Vac. Sci. Technol. 1983. -V. l.-P. 1362−1369.
  97. Preparation and characterization of tantalum oxide films produced by reactive DC magnetron sputtering / Ngaruiya J. M., Venkataraj S., Drese R. et al. // Phys. Stat. Sol. 2003. -Vol. 198.-P. 99−110.
  98. Simulation and dielectric characterization of reactive dc magnetron cosputtered (Ta205)l x (TiO)x thin films / Westlinder J., Zhang Y., Engelmark F. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. — 2002. — Vol. 20, № 3. — P. 855−861.
  99. Model relating process variables to film electrical properties for reactively sputtered tantalum oxide thin films / Jain P., Bhagwat V., Rymaszewski E. J. et. al. // J. Appl. Phys. -2003. Vol. 93. — P. 3596−3604.
  100. Structural and optical properties of thin lead films produced by rective direct current magnetron sputtering / Venkataraj S., Drese R., Kappertz O. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 2001. -V. 188.-P. 1047−1058.
  101. Ф.Г. Зондовая диагностика сильноионизированной плазмы инертных газов при атмосферном давлении.: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 1997
  102. О.В. Электрическй зонд в плазме. М., Атомиздат, 1969
  103. А.А., Суриков В. Т. Масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой. Образование ионов. Екатеринбург: УРО РАН, 2006. 276 с.
  104. Н.А. Что в имени твоем, масс-спектрометрия? Российский федеральный ядерный центр Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики. ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ», 20с.
  105. P. Н. Optical diagnostics for thin film processing. San Diego: Academic Press, 1996.-P.815.
  106. Optical diagnostics of d.c. and r.f. argon magnetron discharges / Dony M.F., Ricard A., Dauchot J.P. et al. // Surf. Coat. Technol. 1995. — V. 74−75. — P. 479184.
  107. Investigation on optical emission spectra during ECR plasma enhanced magnetron sputtering carbon nitride film deposition / Xu J., Ma Т., Zhang J., Deng X. et al. // Intern. J. Modem Phys. В 2002. — V. 16. — P. 1120−1126.
  108. Oxygen active species in an Ar-02 magnetron discharge for titanium oxide deposition / Vancoppenolle V., Jouan P.-Y., Ricard A. et al. // Appl. Sur. Sci. 2002. — V. 205. — P. 249 255.
  109. Deposition of TiOx thin film using the grid-assisting magnetron sputtering / Jung M. J., Kim Y. M., Chung Y. M. et al. // Thin Solid Films. 2004. — V. 447148. — P. 430−435.
  110. Lounsbury J. B. Effects of Added O2 upon Argon Emission from an rf Discharge // J. Vac. Sci. Technol. 1969. — V. 6. — P. 836−842.
  111. Hopwood J., Qian F. Mechanisms for highly ionized magnetron sputtering // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — P. 758−765.
  112. Г. Спектры и строение двухатомных молекул. М.: Изд. иностр. литер., 1949. 403 с.
  113. М. А. Атомная и молекулярная спектроскопия. М.: Изд. физ.-мат. литер. 1962. 892 с.
  114. Optical diagnostics of d.c. and r.f. argon magnetron discharges / Dony M.F., Ricard A., Dauchot J.P. et al. // Surf. Coat. Technol. 1995. — V. 74−75. — P. 47984.
  115. Lopez J., Zhu W., Freilich A. et al. Time-resolved optical emission spectroscopy of pulsed DC magnetron sputtering plasmas // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. — Vol. 38. — P. 17 691 780.
  116. E.T. Получение окисных пленок переменной толщины в плазме газового разряда // Вакуумные технологии и борудование. Харьков, 2001.- С.279−282.
  117. Heller, J. Reactive sputtering of metalls in oxidising atmospheres / J. Heller // Thin Solid Films.- 1973.-V. 17.-P. 163−176.
  118. Electrical characteristics of thin ТагОз films deposited by reactive pulsed direct-current magnetron sputtering / J.-Y. Kim, M. C. Nielsen, E. J. Rymaszewski et. al // J. Appl. Phys. -2000.-V. 87.-P. 1448−1452.
  119. Goranchev, B. D.C. Cathode sputtering: Influence of the oxigen content in the gas flow on the discharge current / B. Goranchev, V. Orlinov, V. Popova // Thin Solid Films. 1976. — V. 33.-P. 173−183.
  120. The characterization of TiN thin films using optical reflectivity measurements / M. R. L. Glew, A. Vollmer, S. L. M. Schroeder et. al. //J. Phys. D: Appl. Phys. 2002. — V. 35. — P. 2643−2647.
  121. Mechanism of reactive sputtering of Indium III: A general phenomenological model for reactive sputtering / H. Eltoukhy, B. R. Natarajan, J. E. Green e et. al. // Thin Solid Films. -1980.-V. 69.-P. 229−235.
  122. Hysteresis effects in the sputtering process using two reactive gases / H. Barankova, S. Berg, C. Nender, et. al. // Thin Solid Films 1995. — V. 260. — P. 181−186.
  123. Kusano, E. An investigation of hysteresis effects as a function of pumping speed, sputtering current, and Ог/Аг ratio, in Ti-02 reactive sputtering processes / E. Kusano // J. Appl. Phys. 1991. -V. 70. — P. 7089−7096.
  124. Schiller, S. Reactive high rate d.c. sputtering: deposition rate, stoichiometry and features ofTiO* and TiN* films with respect to the target mode / S. Schiller, G. Beister, W. Seiber // Thin Solid Films. 1984. — V. 111. — P. 259−268.
  125. Maniv, S. Discharge characteristics for magnetron sputtering of Al in Ar and Аг/Ог mixtures / S. Maniv, W. D. Westwood // J. Vac. Sci. Technol. 1979. — V. 17. — P. 743−751.
  126. Maniv, S. High rate deposition of transparent conducting films by modified reactive planar magnetron sputtering of Cd2Sn alloy / S. Maniv, C. J. Miner, W. D. Westwood // J. Vac. Sci. Technol.-1981.-V. 18.-P. 195−198.
  127. Maniv, S. Pressure and angle of incidence effects in planar magnetron sputtered ZnO layers / S. Maniv, W. D. Westwood, E. Colombini // J. Vac. Sci. Technol. 1982. — V. 20. — P. 162−170.
  128. Reith, T.M. The reactive sputtering of tantalum oxide: Compositional uniformity, phases, and transport mechanisms / Т. M. Reith, P. J. Ficalora // J. Vac. Sci. Technol. 1983. -V. l.-P. 1362−1369.
  129. Avaritsiotis, J. N. A reactive sputtering process model for symmetrical planar diode systems / J.N. Avaritsiotis, C.D. Tsiogas // Thin Solid Films. 1992. — V. 209. — P. 17−25.
  130. Zhu, S. Simulations of reactive sputtering with constant voltage power supply / S. Zhu, F. Wang, W. Wu // J. Appl. Phys. 1998. — V. 84. — P. 6399−6408.
  131. Zhu, S. Abnormal steady states in reactive sputtering / S. Zhu, F. Wang, W. Wu // J. Vac. Sci. Technol. 1999. — V. 7. — P. 70−76.
  132. A physical model for eliminating instabilities in reactive sputtering / T. Larsson, H.O. Blom, C. Nender et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. — V. 6. — P. 1832−1836.
  133. Frequency response in pulsed DC reactive sputtering processes / L.B. Jonsson, T. Nyberg, I. Katardjiev et. al. // Thin Solid Films. 2000. — V. 365. — P. 4318.
  134. Reactive sputtering using two reactive gases / P. Carlsson, C. Nender, H. Barankova et. al. // J. Vac. Sci. Technol. A.- 1993.-V. 11.-P. 1534−1539.
  135. The role of mass transfer in solution photocatalysis at a supported titanium dioxide surface / S. Ahmed, С. E. Jones, T. J. Kemp et. al. // Phys. Chem. Chem. Phys. 1999. — V. 1. -P. 5229−5233.
  136. The formation of nano-sized selenium-titanium dioxide composite semiconductors by photocatalysis / Т. T. Y. Tan, M. Zaw, D. Beydoun et. al. // J. Nanoparticle Research. 2002. -V. 4.-P. 541−552.
  137. Effects of substrate temperature on properties of pulsed dc reactively sputtered tantalum oxide films / P. Jain, J.S. Juneja, V. Bhagwat et. al. // J.Vac.Sci.Technol. A. 2005. — V. 23. -P. 512−519.
  138. Cheng, H.E. The effect of substrate temperature on the physical properties of tantalum oxide thin films grown by reactive radio-frequency sputtering. / H.E. Cheng, C.T. Mao // Mater. Research Bulletin.-2003.-V. 38.-P. 1841−1849
  139. , С. Научные основы вакуумной техники. / С. Дэшман. М.: Мир, — 1964. — 716 с. (Dushman S. Scientific foundations of vacuum technique. New York-London, John Wiley and Sons, Inc. 1962).
  140. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып. 2. Распыление сплавов и соединений: пер с англ. / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, — 1986. — 484 с.
  141. Shimizu, R. Preferential sputtering / R. Shimizu // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1986. — Vol. 18, N 1−6. — P. 486−495.
  142. Kelly, R. The sputtering of oxides. Part I: A Survey of the experimental results / R. Kelly, N.Q. Lam // Radiation Effects. 1973. — V. 19. — P. 39−47
  143. Hopwood, J. Mechanisms for highly ionized magnetron sputtering / J. Hopwood, F. Qian // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — P. 758−765.
  144. Murti, D.K. Structural and compositional changes in ion-bombarded ТагОз / D.K. Murti, R. Kelly, Z.L. Liau // Sur. Sci. 1979. — Vol. 81, N 2. — P. 571−588.
  145. Г. А. Изменение рентгеновских фотоэлектронных спектров пленок железо-иттриевого граната под действием ионной бомбардировки /Тюлиев Г. А., Чернакова А. К., В. И. Шаповалов // ФТТ. 1989. — Т. 31, Вып. 8. — С. 117−121.
  146. К.В. Физика полупроводников: Учебник для вузов. / М. -Энергоатомиздат, 1985, 392 с.
  147. Fu, Z.-W. Influence of atomic layer deposition parameters on the phase content of Ta205 films. Thin Solid Films. 1999. — V. 340. — P. 164−168.
  148. Ozer, N. Structural and optical properties of sol-gel deposited proton conducting ТагСЬ films / N. Ozer // J. Sol-Gel Sci. Technol. 1997. — V. 8. — P. 703−709.
  149. Chandra, S.D. Enhanced dielectric properties of modified ТагСЬ thin films / S.D. Chandra, C.J. Pooran, B.D. Seshu // Mat. Res. Innovat. 1999. — V. 2. — P. 299−302.
  150. Научные издания, рекомендованные ВАК
  151. AI. Комлев А. Е. Итерационная процедура обработки оптического спектра пропускания тонких диэлектрических пленок / A.A. Барыбин, А. Е. Комлев, В. И. Шаповалов // Известия Государственного электротехнического университета. 2004, Вып.2. — С.36−42.
  152. А2. Комлев А. Е. Релаксация электретного состояния в аморфной пленке оксида тантала, осажденной на титан// Известия Государственного электротехнического университета. 2005, Вып.2. — С.52−59
  153. A3. Комлев А. Е. Влияние термообработки на структуру пленок оксида тантала, выращенных на титане / В. А. Жабреев, Ю. А. Быстров, В. И. Шаповалов, А. Е. Комлев и др. // Письма в ЖТФ. 2004. — Т.30, Вып.1 — С. 1−5.
  154. A4. Комлев А. Е. Частотная дисперсия пленок оксида тантала / Барыбин A.A., Ю. А. Быстров, В. И. Шаповалов, А. Е. Комлев и др. // Письма в ЖТФ. 2006. — Т.32, Вып.2 — С. 61−66.
  155. А6. Комлев А. Е. Изменение оптических свойств аморфных пленок оксидов переходных металлов в результате формирования нанокристаллической фазы./ В. И. Шаповалов, Л. П. Ефименко, А. Е. Комлев и др.// Физика и химия стекла.- 2009, Т. 35, № 6, с. 820−828
  156. А7. Комлев А. Е. Диагностика плазмы при распылении танталовой мишени / Ю. И. Пастушенко, А. Е. Комлев, В. И. Шаповалов // Известия Государственного электротехнического университета. 2010, Вып.7. — С. 14−21
  157. А8. Комлев А. Е. Исследование состава плазмы методом оптической эмиссионной спектроскопии при распылении танталовой мишени./ Комлев А. Е., Пастушенко Ю. И., Шаповалов В. И. // Вакуумная техника и технология. 2010. — Т. 20, № 2. — С. 121−127.1. Патенты
  158. А9. Способ изготовления имплантата с электретными свойствами для остеосинтеза. Патент на изобретение № 2 146 112 Российская Федерация, МПК 7А61В17/56. / Ласка В. Л., Быстров Ю. А., Комлев и др./: опубл. 20.10.1997.
  159. А10. Устройство для изготовления имплантата с электретными свойствами для остеосинтеза. Патент на изобретение № 2 082 437 Российская Федерация МПК 6A61L27/00. / Ласка В. Л., Хомутов В. П., Комлев А. Е. и др./ опубл 27.06.1997
  160. All. Стоматологический имплантат. Патент на полезную модель. № 48 475 Российская Федерация. МПК А61С8/00. / Быстров Ю. А., Бычков А. И., Комлев А. Е. и др/.: опубл. 27.10.2005.
  161. AI2. Аппликатор для заживления ран. Патент на полезную модель № 78 075 Российская Федерация. МПК A61L15/00 /Быстров Ю.А., Комлев А. Е., Василевич C.B. и др./: опубл. 20.11.2008.1. Статьи из других журналов
  162. AI4. Комлев А. Е. Ионно-плазменная технология создания развитого микрорельефа на поверхности стоматологического имплантата / Алешин H.A., Быстров Ю. А., Комлев А. Е. и др. / Современные наукоемкие технологии, № 11 2005 г. -С.20
  163. Статьи в материалах конференций
  164. Al8. Комлев А. Е. Методика формирования электретных свойств покрытий из окиси тантала на фиксаторах для остеосинтеза / И. М. Соколова, B. J1. Ласка, А. Е. Комлев // Тезисы докладов НПК «Внутренний остеосинтез». СПб. — 1995. — С. 7779.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!