Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Технология получения чистых кристаллогидратов нитрата и ацетата марганца и создание на их основе катодных покрытий электролитических конденсаторов

Диссертация: Технология получения чистых кристаллогидратов нитрата и ацетата марганца и создание на их основе катодных покрытий электролитических конденсаторов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Диссертационная работа посвящена разработке и совершенствованию технологий получения чистых кристаллогидратов нитрата и ацетата марганца и пленок диоксида марганца, получаемых пиролизом растворов марганцевых солей на пористом аноде электрических конденсаторов. В современной промышленности нитрат и ацетат марганца используется для получения чистого диоксида марганца, применяемого в электронике… Читать ещё >

Технология получения чистых кристаллогидратов нитрата и ацетата марганца и создание на их основе катодных покрытий электролитических конденсаторов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Основные направления развития производства веществ высокой чистоты
    • 1. 2. Анализ литературных источников по способам получения марганцевых солей
      • 1. 2. 1. Способы получения нитрата марганца
      • 1. 2. 2. Способы получения ацетата марганца
    • 1. 3. Выводы
  • 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И МЕТОДЫ АНАЛИЗА
    • 2. 1. Методы анализа химического состава сырья и получаемых продуктов
    • 2. 2. Методика исследования ширины метастабильной зоны растворов нитрата и ацетата марганца
    • 2. 3. Методики исследования кинетики кристаллизации
    • 2. 4. Методика пропитки высокопористых танталовых подложек растворами нитрата марганца и терморазложения с получением оксидной пленки
    • 2. 5. Методика термического анализа
    • 2. 6. Рентгенофазовый анализ
    • 2. 7. Электронная микроскопия
  • 3. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КИНЕТИКИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СОЛЕЙ МАРГАНЦА
    • 3. 1. Анализ научных данных о закономерностях протекания массовой кристаллизации веществ из растворов
    • 3. 2. Исследование кинетики кристаллизации гексагидрата нитрата марганца
      • 3. 2. 1. Определение показателя преломления растворов нитрата марганца
      • 3. 2. 2. Исследование устойчивости раствора нитрата марганца к переохлаждению
      • 3. 2. 3. Кинетические закономерности стадии роста кристалла гексагидрата нитрата марганца
      • 3. 2. 4. Исследование скорости массовой кристаллизации гексагидрата нитрата марганца
    • 3. 3. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТЕТРАГИДРАТА АЦЕТАТА МАРГАНЦА
      • 3. 3. 1. Определение растворимости ацетата марганца и показателя преломления его растворов при различной концентрации
      • 3. 3. 2. Исследование устойчивости пересыщенных растворов ацетата марганца
      • 3. 3. 3. Кинетические закономерности стадии роста кристалла тетрагидрата ацетата марганца
      • 3. 3. 4. Исследование скорости массовой кристаллизации тетрагидрата ацетата марганца
  • 4. СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРАТА И АЦЕТАТА МАРГАНЦА ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ
    • 4. 1. Совершенствование технологии получения нитрата марганца высокой чистоты
      • 4. 1. 1. Анализ результатов проведенных исследований по очистке гексагидрата нитрата марганца кристаллизацией
      • 4. 1. 2. Предварительная очистка металлического марганца
      • 4. 1. 3. Комплексная технология получения чистого гексагидрата нитрата марганца
    • 4. 2. Совершенствование технологии получения тетрагидрата ацетата марганца высокой чистоты
      • 4. 2. 1. Исследования процесса очистки ацетата марганца путем кристаллизации насыщенного раствора
      • 4. 2. 2. Анализ результатов проведенных исследований по очистке тетрагидрата ацетата марганца кристаллизацией
      • 4. 2. 3. Очистка исходного сырья карбоната марганца слабым раствором уксусной кислоты
      • 4. 2. 4. Очистка исходного сырья карбоната марганца слабым раствором азотной кислоты
      • 4. 2. 5. Комплексная технология получения ацетата марганца высокой чистоты
    • 4. 3. Выводы
  • 5. ПОЛУЧЕНИЕ КАТОДНОГО ПОКРЫТИЯ ДИОКСИДА МАРГАНЦА НА ПОВЕРХНОСТИ ТАНТАЛОВОГО АНОДА ПУТЕМ ТЕРМОРАЗЛОЖЕНИЯ РАСТВОРОВ НИТРАТА МАРГАНЦА
    • 5. 1. Исследование процесса формирования пленки диоксида марганца на танталовой подложке
    • 5. 2. Исследование влияния состава исходного сырья на размер частиц диоксида марганца
    • 5. 3. Исследование процесса формирования пленки диоксида марганца в пористом танталовом аноде
      • 5. 3. 1. Исследование влияния ультразвука на процесс пропитки тантал ового анода
      • 5. 2. 2. Исследование влияния глицерина на формирование слоев диоксида марганца на поверхности тантал ового анода
    • 5. 4. Выводы

Диссертационная работа посвящена разработке и совершенствованию технологий получения чистых кристаллогидратов нитрата и ацетата марганца и пленок диоксида марганца, получаемых пиролизом растворов марганцевых солей на пористом аноде электрических конденсаторов. В современной промышленности нитрат и ацетат марганца используется для получения чистого диоксида марганца, применяемого в электронике, в производстве конденсаторов, источников тока, топливных элементов, диэлектрических ферромагнетиков, нанолюминофоров, металлополимерных нанокомпозитов, легирующих добавок и катализаторов.

Во всех указанных областях к марганцевым соединениям предъявляются различные требования к химическому составу, размерам и форме кристаллических частиц, от которых зависят товарные характеристики продуктов и области их применения. В настоящее время нитрат и ацетат марганца получают в основном взаимодействием металлического марганца, гидроксида марганца или карбоната марганца с разбавленными кислотами (азотной или уксусной). В результате процесса взаимодействия указанных компонентов образуется соответствующий раствор, который в дальнейшем подвергают очистке, упариванию и кристаллизации.

По требованиям фирмы МЕРК (Германия) в нитрате и ацетате марганца содержание примесей не должно превышать следующих значений (%): хлорид-ион — 0,001- сульфат-ион — 0,005- аммоний — 0,05- Са — 0,001- Сс1 — 0,0005- Со — 0,0005- Си — 0,0005- Бе — 0,0005- № - 0,0005- РЬ — 0,0005- Ъъ -0,0005, содержание основного вещества — не менее 99%. Анализ современного состояния производства и качества марганцевых солей показал, что производимые в ОАО «Элеконд» (г. Сарапул) кристаллогидраты ацетата и нитрата марганца не обладает высокой чистотой, требуемой для производства высококачественных конденсаторов. Существующие технологические решения не обеспечивают получение ацетата и нитрата марганца высокого качества и требуют дальнейшего совершенствования.

Использование нитрата и ацетата марганца отечественного производства в качестве сырья (прекурсоров) для получения электрических конденсаторов приводит к образованию рыхлой пленки диоксида марганца с плохими адгезионными и электрическими характеристиками, не соответствующими заданным параметрам конденсаторов. В связи с этим ОАО «Элеконд» вынуждено закупать нитрат и ацетат марганца за рубежом, что повышает стоимость продукции и вызывает зависимость выполнения заказов МО РФ от иностранных поставщиков. Основными поставщиками на ОАО «Элеконд» солей марганца реактивной квалификации на сегодняшний день являются страны Западной Европы (ФРГ, Великобритания), которые добились определенного прогресса в получении высокочистых соединений.

В связи с вышеизложенным, разработка и совершенствование технологии производства чистых гексагидрата нитрата марганца и тетрагидрата ацетата марганца и создание на их основе качественных катодных покрытий электролитических конденсаторов является актуальной проблемой.

В качестве сырья для производства нитрата и ацетата марганца реактивной чистоты используется металлический марганец и марганец (II) углекислый основной водный марки «Ч» (МпС0з-тМп (0Н)2-пН20 — ГОСТ 7205–77). По данным анализов на атомно-абсорбционном спектрофотометре металлический марганец содержит (%): Мп — 99,0711%, Сс1 — 0,0008%, Ре -0,0361%, 81 — 0,7%, Си — 0,0102%, РЬ — 0,0122%, Хп — 0.0077%, Б — 0.6%, Со — 0.0011%, Са — 0.0593%, С1 — 0.009%, 804 — 0%, № - 0,0015%. Анализ карбоната марганца показал содержание следующих примесей (%): хлориды — 0,0173, кальций — 0,9 614, Бе — 0,577, РЬ — 0,005, Си — 0,002.

В результате анализов и сопоставления составов исходного сырья и кристаллических продуктов реактивной чистоты установлено, что основными примесями, уровень загрязнения которых превышает допустимые значения в исходном сырье, используемом для получения готового продукта, являются ионы хлора, кальция, железа, свинца и меди. В связи с этим основной задачей при разработке технологии получения чистого нитрата и ацетата марганца явилась разработка способов удаления указанных примесей из исходного сырья или кристаллического осадка получаемых солей.

В данной работе проанализированы основные направления развития производства чистых веществ в России и за рубежом. В литературном обзоре рассмотрены способы получения гексагидрата нитрата и тетрагидрата ацетата марганца реактивной квалификации. На основании литературного обзора сформулирована цель работы — разработка и совершенствование технологии производства чистых гексагидрата нитрата марганца и тетрагидрата ацетата марганца и создание на их основе качественных катодных покрытий электролитических конденсаторов. Для достижения указанной цели были поставлены следующие задачи:

— изучить закономерности стадии кристаллизации гексагидрата нитрата марганца и тетрагидрата ацетата марганца, влияющих на чистоту продуктов;

— разработать способы очистки от основных загрязняющих примесей исходного сырья, поступающего на производство кристаллических продуктов;

— разработать технические решения, направленные на совершенствование технологии производства гексагидрата нитрата и тетрагидрата ацетата марганца;

— разработать способ интенсификации процесса пропитки пористого танталового анода, обеспечивающего повышение содержания марганца в аноде и снижение числа стадий пропитки;

— установить закономерности процесса получения качественных катодных покрытий на поверхности танталового анода электролитических конденсаторов при термическом разложении растворов нитрата марганца.

Решение поставленных задач позволит усовершенствовать действующий технологических комплекс по производству чистых марганцевых прекурсоров, используемых в технологии получения танталовых конденсаторов, а таюке повысить качество пленки диоксида марганца, обеспечивая повышение качества электрических конденсаторов.

1 ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

5.4 Выводы.

В результате проведенных исследований по нанесению пленки диоксида марганца на танталовую подложку установлено:

1. Термический анализ процесса терморазложения нитрата марганца показал, что схему превращений твердой фазы, протекающих при нагревании гексагидрата нитрата марганца до 600 °C, можно представить в следующем виде:

Мп (М)3)2−6Н20-> Мп (Ж)з)2−2,17Н20-> Мп (ОН)ЫОэ Мп02-+Мп203 Терморазложение нитрата марганца до диоксида марганца происходит в диапазоне температур 209,8°С-376,2°С с максимумом эндоэффекта при 250 °C. При достижении температуры 290 °C образование диоксида марганца практически завершается, так как изменение массы почти не происходит. Термическое разложение Мп02 до Мп203 протекает при температурах 490 — 559,8°С с максимумом эндоэффекта при 528,8°С. Полное удаление воды и оксидов азота в результате нагрева 15% раствора Мп (М03)2 наступает при температуре 290 °C в течение 5 мин.

2. Увеличение концентрации исходного раствора способствует снижению интенсивности процесса кипения, росту толщины и массы слоя пленки диоксида марганца. Повышение температуры нагрева выше 310 °C приводит к уменьшению размеров частиц диоксида марганца. Для равномерного формирования слоя диоксидной пленки процесс терморазложения нитрата марганца следует проводить при максимальной скорости нагрева.

3. Поверхностно-активные вещества (глицерин, этиленгликоль, бутиленгликоль, полиакрил амид), вводимые в раствор нитрата марганца, влияют на формирование плотной пленки, величину адгезии и размер формируемых частиц диоксида марганца. Наиболее сильное влияние оказывает глицерин, вводимый в количестве 0.5%. Установлено, что введение 0,5% добавки глицерина в раствор нитрата марганца позволяет снизить количество пропиток танталового анода без ущерба снижения массы диоксида марганца.

4. Исследованы закономерности процесса однослойной пропитки пористого танталового анода раствором нитрата марганца с концентрацией 10% с удалением и без удаления воздуха с использованием ультразвуковой обработки и без обработки. Установлено, что пропитка анода в режиме с удалением воздуха, а также с ультразвуковой обработкой ускоряет процесс, способствует повышению содержания оксида марганца на поверхности анода.

5. Исследована скорость пропитки пористого анода в капельном режиме. Выявлено, что длительность впитывания анодом первой капли раствора практически не зависит от концентрации раствора нитрата марганца (при концентрациях Мп (МОз)2 от 10 до 25%), что объясняется высокими капиллярными силами и заполнением в первую очередь макропор в пористом объеме анода. Длительность впитывания последующих порций раствора нитрата марганца возрастает с увеличением концентрации раствора.

6. При концентрациях раствора нитрата марганца 10−20% акустическое воздействие на пропитку увеличивает приращение массы пористого анода, а при концентрации раствора 25% - снижает. Поскольку с ростом концентрации и плотности раствора возрастает интенсивность ультразвукового воздействия, то этот результат свидетельствует о пороговых значениях ультразвукового поля, выше которого использование ультразвука неэффективно.

7. Ультразвуковая обработка при пропитке раствором нитрата марганца с концентрацией ниже 25% приводит к улучшению пленочного покрытия за счет гомогенизации распределения диоксида марганца на поверхности. Установлено влияние частоты и мощности ультразвуковой обработки на эффективность пропитки анода концентрированным раствором нитрата марганца (62%). С увеличением частоты поля и снижением мощности происходит увеличение степени пропитки.

8. Определено распределение марганца на внешней и внутренней поверхностях анода в процессе многослойных операций пропитки. Показано, что на внутренней поверхности (в сколе) анода содержание марганца выше, чем на внешней. Насыщение диоксидом марганца происходит нелинейным образом и вклад первых пропиток выше, чем последних, что связано с характером заполнения пор различных размеров.

9. Внутри анода наблюдаются области различной плотности частиц. В более плотной области анода (с меньшими размерами пор) содержание марганца в 2 раза меньше. Наличие областей с различными размерами пор связано с условиями спекания микрочастиц, входящих в состав пористого анода.

10. Исследована внешняя пленка диоксида марганца, формируемая при пропитке концентрированным раствором нитрата марганца (62%). Установлено, что при действии ультразвука она разрывается, что приводит к нарушениям покрытия. Таким образом, использование ультразвука при пропитке верхнего покрытия анода нецелесообразно.

11. Установлено, что неполное протекание процесса терморазложения нитрата марганца в порах анода приводит к образованию микротрубок кристаллов нитрата марганца, которые нарушают пленочное покрытие диоксида марганца. Показано отрицательное влияние ионов аммония содержащихся в растворе нитрата марганца на токи утечки танталовых конденсаторов.

6 ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

1. На основании анализа научно-технической литературы определены пути совершенствования технологий получения чистых кристаллогидратов нитрата и ацетата марганца, а также получения качественных катодных покрытий диоксида марганца на танталовых анодах электролитических конденсаторов. Установлено, что перспективным направлением развития технологий чистых соединений марганца является совершенствование стадий кристаллизации и очистки осадка путем десорбции примесей. Эффективным направлением получения качественных катодных покрытий диоксида марганца является повышение степени пропитки пористых танталовых анодов и введение ПАВ в исходный раствор нитрата марганца перед стадией термического разложения.

2. Установлено влияние основных факторов (скорости перемешивания и охлаждения раствора, концентрации примесей, температуры насыщения) на ширину метастабильной зоны растворов (величину выдерживаемого пересыщения) и скорость роста кристаллов гексагидрата нитрата марганца и тетрагидрата ацетата марганца. Получены математические зависимости, описывающие величину выдерживаемого пересыщения и кинетику роста кристаллогидратов Мп (ЪЮ3)2−6Н20 и Мп (СН3С00)2−4Н20, позволяющие управлять процессом массовой кристаллизации чистых продуктов.

3. Разработан способ селективной очистки металлического марганца и карбоната марганца от трудно удаляемых в процессе кристаллизации примесей и способы снижения содержания примесей ионов хлора, кальция, железа, свинца, меди при кристаллизации, созревании и промывке осадков Мп (ЪЮз)2−6Н20 и Мп (СН3С00)2−4Н20. Установлены оптимальные режимы процессов выщелачивания исходного сырья, кристаллизации, созревания и промывки, необходимые для управления производством и обеспечивающие очистку осадков Мп (Ы03)2−6Н20 и Мп (СН3С00)2−4Н20 в технологии получения чистых продуктов.

4. Установлены закономерности процесса пропитки пористого танталового анода раствором нитрата марганца с использованием ультразвуковой обработки и ПАВ (глицерин, бутиленгликоль, этиленгликоль, полиакриламид). Выявлено влияние частоты, интенсивности ультразвуковой обработки, концентрации раствора на степень пропитки пористого анода и качество катодного покрытия. Разработан способ интенсификации процесса пропитки пористого танталового анода путем ультразвуковой обработки и введения ПАВ, обеспечивающий повышение содержания марганца в пористом аноде и снижение числа стадий пропитки в пористом аноде конденсатора.

5. Исследован процесс получения катодных покрытий диоксида марганца путем терморазложения растворов нитрата марганца с добавками ПАВ. Выявлено влияние концентрации раствора, вида и концентрации ПАВ, частоты и интенсивности ультразвуковой обработки на качество катодных покрытий диоксида марганца. Найдены оптимальные условия, обеспечивающие повышение качества катодных покрытий.

6. Доказано отрицательное влияние ионов аммония, содержащихся в исходном растворе нитрата марганца, на токи утечки танталовых конденсаторов. Обнаружен эффект образования микротрубок нитрата марганца на поверхности и внутри пористого танталового анода, ухудшающий качество катодного покрытия на танталовых конденсаторах при неполном протекании процесса терморазложения. Разработаны мероприятия, устраняющие причины снижения качества катодного покрытия диоксида марганца в электрических конденсаторах.

7. Усовершенствованы технологии получения чистых прекурсоров гексагидрата нитрата марганца и тетрагидрата ацетата марганца. В цехе по производству гексагидрата нитрата марганца и тетрагидрата ацетата марганца (ОАО «Элеконд») проведены промышленные испытания разработанных технических решений, позволившие предприятию получить из отечественного сырья качественные прекурсоры, удовлетворяющие требованиям международных стандартов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. Г., Чурбанов М. Ф. Методы получения веществ особой чистоты. М.: Высш. Школа, 1985. 64с.
  2. A.A., Гринберг Е. Е., Красавин В. П., Фетисов Ю. М. Металлорганические соединения особой чистоты // Реактивы и особо чистые вещества: Тр. НИИТЭХим. М.: 1982. — Вып. 5. — С. 1.
  3. Г. Г., Еллиев В. М. Глубокая очистка веществ. М.: Высш. Школа, 1990. -192 с.
  4. Г. Г. Теория и практики глубокой очистки веществ // Тр. VII Всесоюз. конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ. — Горький: ГГУ, 1985. — С. 3.
  5. A.B., Пойлов В. З., Лановецкий С. В. и др. Перспективные направления получения диоксида марганца / Вестник Пермского государственного технического университета. Химическая технология и биотехнология. № 8 ПГТУ, 2008, С. 16−31.
  6. Химическая энциклопедия: В 5 т.: Т. 2: Даффа-Меди Х46/ Редкол.: Кнунянц И. Л. (гл. ред.) и др. М.: Сов. Энцикл., 1990. 671с.
  7. Патент RU 2 186 032, 2002.07.27, МПК C01G45/00, Способ получения манганита металла / Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН, Михалева Е. В., Васильев В. Г., Слободин Б. В., Носов А. П. (Россия).
  8. Патент RU 99 123 785, 2001.09.27, МПК C01G45/00, Способ получения манганита металла / Институт химии твердого тела Уральского отделения РАН, Михалева Е. В., Васильев В. Г., Слободин Б. В., Носов А. П. (Россия).
  9. Патент SU 1 682 315, 1991.10.07, МПК C01G45/08, Способ получения раствора азотнокислого марганца (II)/ Способ получения манганита металла / Холодная Л. И., Доброхотов В. П., Карлов В. П., Палеха М. Н., Бутузов Г. Н. (СССР).
  10. Патент SU 861 319, 1990.12.10, МПК C01G45/08, Способ получения марганца азотнокислого четырехводного/ Соляус A.C., Леонтьева Л. А., Бомштейн В. Е., Мельников В. Д., Лебеденко Ю. П., Желнина Г. Е., Горовой Г. Г. (СССР).
  11. Позин.М. Е. Технология минеральных солей, 4.1. Л.: Химия, 1970, с.792
  12. Patent US 4,943,418, 1990.07.24, Method of preparing high-purity manganese compounds / Kambe, et al.
  13. Patent US 4,276,268, 1981.06.30, Process for preparing manganese nitrate solution / Welsh, et al.
  14. Patent Korean 1 020 000 013 629, 2000.06.03, Preparing method for purified manganese salt / Jung, Gyeong Su Mun, Ui Yeong Song, Yeong Mok.
  15. Патент RU 2 294 921 CI 2007.03.10, Способ получения ацетата марганца (II) / Курский государственный технический университет, Иванов A.M., Пожидаева С. Д.,
  16. Patent CN 1 626 495, 2005.06.15, Method for preparing manganese acetate / Meixing Chemical со ltd Shangh, Shen Malin Yao.
  17. Patent CN 1 562 483, 2005.01.12, B01J31/28, New technique for reclaiming catalyzes of cobalt acetate and manganese acetate / Li Shaotong.
  18. Patent CN 87 107 709, 1987.11.12, C01G45/04, Extraction method of cobalt (manganese) acetate / Petro-Chemical Plant, Tianjin Petro-Chemical Corporation, Gui Fu, Shen Changying, Song Zhensheng, Wang Shugui.
  19. Patent CN 93 107 509, 1993.06.24, B01J38/74, Ion-exchange recovery method of cobalt and manganese ions in acetate solution / Petrochemical Inst., Heilongjiang Academy of Sciences, Cai Luhang.
  20. Patent GB 1 395 989, 1975.05.29, C07C53/10, Process for the recovery of a manganese acetate catalyst / Hoechst AG.
  21. Patent CS 235 417, 1985.05.15, C07C53/10, Method of crystalline manganese acetate production for special purposes / Tesarik Bohumil- Fousek Josef- Bouda Josef- Thuer Stanislav.
  22. .В. Рефрактометрические методы химии. — JI.: Химия, 1983. -352 с.
  23. И.В. Физико-химическая эволюция твердого вещества. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2006. 309 с.
  24. В.Д. Кристаллы и кристаллизация. — М.: Гостехиздат, 1954. -411 с.
  25. Г. Рост кристаллов. — М.: Издатинлит, 1954. — 407 с.
  26. Л.Н. Кристаллизация из растворов в химической промышленности. М.: Химия, 1968. — 304 с.
  27. В.И. Промышленная кристаллизация. — Л.: Химия, 1969- 122с.
  28. А.В. Промышленная кристаллизация. — М.: Химия, 1969. 240 с.
  29. Nyvlt J., Ulrich J. Admixtures in Crystallization. VCH Verlagsgesellschaft mbH, 1995,-395p.
  30. Mersmann A. Crystallization technology handbook. Marcel Dekker, Inc., 2001, 781 p.
  31. Стрикленд-Констебл Р. Ф. Кинетика и механизм кристаллизации / Пер. с англ, под ред. Лунина Ю. А. — Л.: Недра, 1971. 299 с.
  32. Д.Б. Кристаллизация. —М.: Металлургия, 1972. 342 с.
  33. Е.В. Кристаллизация в химической промышленности. — М.: Химия, 1979.-343 с.
  34. О.М. Массовая кристаллизация из растворов / О. М. Тодес, В. А. Себалло, А. Д. Гольцикер. — Л.: Химия, 1984. 231 с.
  35. Nyvlt J., Sohnel О., Matuchova М., Broul М. The Kinetics of Industrial cristallization. Prague: Academia, 1985.
  36. Е.Б. Кинетика роста и растворения кристаллов. — Л.: Ленингр. ун-т, 1979. 246 с.
  37. Ю.А. Кластеры и малые частицы. М.: Наука, 1986. — 456с.
  38. Laaksonen A., Talanquer V. Oxtoby D. V. Nucleation: Measurements, theory, and atmospheric applications //Annu. Rev. Phys. Chem. 1995. — V 46. — P. 486 489.
  39. Zakin M.R., Brickman R.O., Cox D.M., Kaldor A.J. Chem. Phys. 1988. — V. 88.- P.6605−6610.
  40. Shi F. Size dependent thermal vibrations and melting in nanocrystals // J. Mater. Res. 1994. — V.9, — № 5. — P. 1307−1313.
  41. Kashchiev D. Nucleation: Basic Theory with Applications. Oxford, Batterworth-Heinemann, 2000. 55 lp.
  42. А.И., Куни Ф. М., Щекин A.K. Термодинамические и кинетические основы теории мицеллообразования. 1. Общие положения // Коллоидн. журн. 2000. -Т.62, № 2. — С. 199−203.
  43. Muller A., Reuter Н., Dillinger S. Supramolecular Inorganic Chemistry: Small Guests in Small and Large Hosts // Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1995. Vol. 34. -P. 2328−2361.
  44. Muller A., Beckmann E., Bogge H., Schmitmann M., Dress A. Angew. Chem., Int. Ed.-2002, Vol. 41, P. 1154- 1162.
  45. Pound G. M., La Мег V. K. J. Amer. Chem. Soc. 1952. — Vol.74. — P. 23 232 331.
  46. Д. E. Проблемы современной кристаллографии. — М.: Наука, 1975.-127 е.
  47. И.В., Берлинер Л. Б. Кристаллизация солей из пересыщенных растворов. Кинетический режим // Теор. основы хим. технологии. 1979. -т. 13, № 4. — С. 530−537.
  48. Auer S., Frenkel D. Prediction of absolute crystallization rates in hard-sphere colloids //Nature. -2001. Vol. 409. — P. 1020−1023.
  49. И.В., Козловская Э. Д., Кутепов A.M. и др. Концентрированные и пересыщенные растворы. — М.: Химия, 2002. 456с.
  50. И.В., Китова Е. Н., Горбачевский А. Я. и др Механизм посткристаллизационного упорядочивания кристаллогидратов // Журн. физ. Химии. 1993. — Т.67, № 1. — С. 75−79.
  51. Dmitriev A., Spillman Н., Lin N., Barth J.V., Kern К. Modular assembly of twodimensional metal-organic coordination networks at a metal surface //Angew. Chem., Int. Ed., 2003. Vol.42. — P. 2670−2673.
  52. И. В., Печников В. Г. Изотопный обмен в перемешиваемых суспензиях // Журн. физ. химии. 1970. — №> 44. — С. 2239−2245.
  53. Bloss W. J., Rewley D. M., Cox R. A., Junes R. L. Kinetics and products of the IO self-reaction // J. Phys. Chem. 2001. — Vol. 105. — P. 7840−7854.
  54. Katz J., Lihavainen H., Ruder M., Salter B. Photoinduced nucleation: A novel tool for detecting molecules in air at ultra-low concentrations // J. Chem. Phys. -2000. Vol. 112, № 19. — P. 8363−8366.
  55. Skubnevskaya G.I., Dubtsov S.N., Dultsev E.N., Dultseva G.G., Tsang W. New nanoparticle formation under UV impact on acetaldehyde vapor in nitrogen and air flow. // J. Phys. Chem. 2004, Vol. 108. — P. 11 393−11 398.
  56. Villarica R. M., Samoriski В., Chaiken У., Novick S. E. Translational energy release following multiphoton dissociation of organometallics // Appl. Surf. Sci. 1996.-Vol. 106.-P. 99−107.
  57. Strikland-Constable R.F. Kinetics and Mechanism of Crystallization. N.Y., Acad. Press, 1968. P.236
  58. А. А. Современная кристаллография. Т. 3. — M.: Наука, 1980. — 320с.
  59. Pope М.Т., Muller A. Angew. Polyoxometalate Chemistry: An Old Field with New Dimensions in Several Disciplines // Chem., Int. Ed. Engl. 1991. — Vol. 30. -P. 34−48.
  60. Handbook of Porous Solids (Eds Schuth F, Sing K.S.W., Weitkamp J.). Wiley-VCH Verlag, Germany, 2002. 309 p.
  61. Gvozdev N. V., Rasshkovich L. N., Yaminsky 1. V. Observation on crystal growth of lysozyme protein crystals by atomic force microscopy // Macromol. Symp., 2000. Vol. 160. — P. 49.
  62. W., Теория скорости реакции в гетерогенных системах // Z. phyz. Chem. 1904. — Vol. 47 Р.56 -62.
  63. Gilmer G.H., Bennema P. Simulation of Crystal Growth with Surface Diffusion //J. Appl. Phys. 1972. — Vol. 43. P. 1347−1360.
  64. Bennema P. The importance of surface diffusion for crystal growth from solution //J. Crystal Growth. 1969. -Vol.5. P. 29−43.
  65. Nielsen A.E., Sohnel O. Interfacial tensions electrolyte crystal-aqueous solution, from nucleation data // J. Crystal Growth. -1971. Vol. 11. P.233−242.
  66. В.Э. Физико-химические основы процесса обогащения марганцевых руд. Диссертация на соискание ученой степени канд. хим. Наук, Л., 1980.
  67. Е. И. Исследование пересыщенных водных растворов солей // Тр. Всес. НИИМеталлургии. № 42. Ленинград, 1960.
  68. А.В., Лановецкий С. В., Пойлов В. З. и др. Исследование устойчивости раствора нитрата марганца // Известие вузов. Химия и химическая технология. Т. 52, в. 1., 2009, С 62−65.
  69. Т.Г., Трейвус Е. Б., Пунин Ю. О., Касаткин А. П. Выращивание кристаллов из растворов. Л.: «Недра», 1983. — 200с.
  70. Е.Б. Введение в термодинамику кристаллогенезиса. Л.: Ленингр. ун-т. 1990.152 с.
  71. Botsaris G.D., Denr E.G. Growth Rates of Aluminum Potassium Sulfate Crystals in Aqueous Solutions // Ind. Eng. Chem. Fundam. 1970, Vol. 9, № 2. P. 276−283.
  72. C.B. Степанов A.B. Пойлов В. З. и др. Кинетические закономерности стадии роста кристалла гексагидрата нитрата марганца // Известие вузов. Химия и химическая технология. Т. 52, в. 12., 2009. С 3740.
  73. Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. — М.: Химия, 1965. -389 с.
  74. Г. Г., Еллиев Ю. Е. Глубокая очистка веществ. М.: Высшая школа. 1990.192 с.
  75. Методы получения особо чистых неорганических веществ / Б. Д. Степин, И. Г. Горштейн, Г. 3. Блюм и др. Л.: Химия, 1969. — 480с.
  76. C.B. Степанов A.B. Пойлов В. З. и др. Исследование устойчивости пересыщенных растворов ацетата марганца // Известие вузов. Химия и химическая технология. Т. 53, в. 4., 2010. С 63−66.
  77. Е.В. Кристаллические вещества и продукты. Методы оценки и совершенствования свойств. — М.:Химия, 1986,224 с.
  78. C.B. Степанов A.B. Пойлов В. З. и др. О растворимости ацетата марганца в водных растворах //Сб. тр. I международной научно-практической конференции «Интеграция науки и производства». Тамбов.2008. С 188−190.
  79. A.B. Степанов, C.B. Лановецкий, В. З. Пойлов и др. Разработка технологии получения гексагидрата нитрата марганца марганца / XI Краевая научно-практическая конференция «ХИМИЯ И ЭКОЛОГИЯ 2009», Пермь, 2009. С 78−79.
  80. A.B. Способ получения кристаллогидрата ацетата марганца// Химическая прмышленность сегодня. 2010. — № 8. — С. 22−25.
  81. A.B., Лановецкий C.B., Пойлов В. З. и др. Совершенствование технологии производства тетрагидрата ацетата марганца / XI Краевая научно-практическая конференция «ХИМИЯ И ЭКОЛОГИЯ- 2009», Пермь, 2009, С 81−82.
  82. Ю.В. Основы электронной и полупроводниковой техники. -М.: Энергия, 1972. 536с.
  83. Р., Мелоди Б. Процессы для изготовления полупроводниковых танталовых конденсаторов с низким ESR // CARTS, Калифорния, США. -1998.-С. 129−133.
  84. А. Кай. Танталовые конденсаторы. Особенности применения //Журнал Электронные компоненты. 2000. — № 3. — С. 20−25.
  85. Патент Японии № 08−45 748 (71) Ida Takashi, Yoshida Masanori, Yoshimoto Kikuo, Abe Fuyuki. Method for manufacturing solid electrolytic capacitor. 1997.
  86. Патент РФ № 2 073 278. Бедер Jl.K., Бездворных Т. В., Ершова Н. Ю., Косюк Л. М., Чупахина Е. А., Яковлева Н. М. Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов. 1997.
  87. Патент Японии № 08−355 095 (71) Mori Ikuo, Naradani Kazunori, Nogami Katsunori, Anzai Naoki, Yokoyama Yutaka. Method for manufacturing solid electrolytic capacitor. 1998.
  88. Патент РФ № 2 007 111 999. ДиФранко Дино Ф. (US), ХАРДИ Кеннет Л. (US). Способ получения электрода, электродов (варианты) и электролитическая ячейка (варианты). 2008.
  89. . Г. Применение акустических колебаний в химико-технологических процессах (процессы и аппараты химической и нефтехимической технологии). М.: Химия, 1983. — 192 с.
  90. В.З., Лановецкий С. В., Кузьминых К. Г., Смирнов С. А., Степанова А. В. Интенсификация процесса пропитки танталовой матрицы растворами нитрата марганца // Химическая прмышленность сегодня. — 2010. № 10. — С. 5−10.
  91. А.Е., Иванов В. К., Третьяков Ю. Д. Сонохимический синтез неорганических материалов // Успехи химии. -2007. Т.76, № 2. — С. 147−168.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!