Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путем применения AlGaAs гетероструктур

Диссертация: Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путем применения AlGaAs гетероструктур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для амплитудных детекторов оптимальна кусочно — линейная (N=1) ВАХ J (U)~U с изломом в начале координат. Для смесителя на основной гармонике гетеродина желательна квадратичная (N=2) ВАХ J (U)~U2 (Рис. 1.4). Эта идеальная ВАХ имеет гораздо меньшую кривизну, чем экспонента, и дает спектр смесителя, состоящий только из 5 спектральных линий. Для гармоникового смесителя желательна кубическая (N=3) ВАХ… Читать ещё >

Разработка технологического метода повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путем применения AlGaAs гетероструктур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Актуальность работы
  • Цель и задачи работы
  • Научная новизна работы
  • Практическая ценность работы
  • Основные положения, представляемые к защите
  • 1. Технологические методы нанесения пленок для изготовления квантоворазмерных гетероструктур
    • 1. 1. Термическое и электронно — лучевое испарение
    • 1. 2. Химическое осаждение из паровой фазы
    • 1. 3. Лазерная эпитаксия
    • 1. 4. Жидкофазная эпитаксия
    • 1. 5. Ионно — плазменные методы, включая магнетронное напыление
    • 1. 6. Плазмохимическое осаждение
    • 1. 7. Молекулярно — лучевая эпитаксия (МЛЭ)
      • 1. 7. 1. Легирование при МЛЭ
      • 1. 7. 2. МЛЭ + плазменные методы
  • 2. Тенденции развития РЭС с применением квантоворазмерных гетероструктур
    • 2. 1. Обзор физико — технологических аспектов применения квантоворазмерных гетероструктур для РЭС
      • 2. 1. 1. Квантоворазмерные приборы и их микроэлектронные прообразы
      • 2. 1. 2. Одноэлектронный транзистор (ОЭТ)
      • 2. 1. 3. Квантовые нити, квантовые точки и клеточные автоматы
      • 2. 1. 4. Связь резонансной и кулоновской энергии с видом ВАХ
      • 2. 1. 5. Резонансно туннельные диоды (РТД) и резонансно -туннельные транзисторы (РТТ)
      • 2. 1. 6. Проблемы технологии квантоворазмерных электронных приборов
      • 2. 1. 7. Молекулярная электроника
      • 2. 1. 8. Эквивалентная схема РТД
      • 2. 1. 9. Расчеты ВАХ квантоворазмерных электронных приборов
    • 2. 2. Обзор физико — технологических аспектов шумов в квантоворазмерных гетероструктурах
      • 2. 2. 1. Фликкер — шум
      • 2. 2. 2. Дробовой и тепловой шумы
      • 2. 2. 3. Квантовый шум
      • 2. 2. 4. Низкочастотный шум в РТД
      • 2. 2. 5. Дробовой шум в гетероструктурах
  • Связь параметров AlGaAs квантоворазмерной гетероструктуры со степенью ее
    • 3. 1. Математическое моделирование токопереноса в квантоворазмерных гетероструктурах
    • 3. 2. Расчет вероятности прохождения Z (E) электрона поперек квантоворазмерных слоев
    • 3. 3. Результаты расчетов прозрачности Z (E) в зависимости от напряжения и параметров слоев РТД
      • 3. 3. 1. Зависимости положения Ео, ширины Г и амплитуды f резонансного пика прозрачности Z от напряжения U на РТД
      • 3. 3. 2. Зависимости положения Eq, ширины Г и амплитуды f резонансного пика прозрачности Z от высот Vbi, Vb2 туннельных барьеров
      • 3. 3. 3. Зависимости положения Eq, ширины Г и амплитуды f пика прозрачности Z от толщин Nb], Nm туннельных барьеров
      • 3. 3. 4. Зависимости положения Е0 и ширины Г резонансного пика прозрачности Z от ширины Nw и уровня дна Vw ямы
      • 3. 3. 5. Зависимости положения Ео и ширины Г резонансного пика прозрачности Z от ширины Nw ямы и высоты Vb барьеров
    • 3. 4. Аналитическая формула ВАХ квантоворазмерных гетероструктур для диодов
      • 3. 4. 1. Диапазон форм ВАХ
      • 3. 4. 2. Формула экспоненциальной ВАХ ДБШ
      • 3. 4. 3. Максимальная плотность тока
      • 3. 4. 4. Сопротивление контакта между атомами
  • Численное моделирование спектров смесителей по заданной ВАХ диода
    • 4. 1. Методика расчетов спектров
    • 4. 2. Эталонные спектры и погрешности расчетов
    • 4. 3. «Квадратичная» и «кубичная «спектральные линии
    • 4. 4. Преимущества РТД над ДБШ в спектральной области
    • 4. 5. Влияние сопротивления R на спектры
    • 4. 6. Диапазон возможных спектров смесителей на РТД
  • Метод молекулярно — лучевой эпитаксии (МЛЭ) изготовления AlGaAs квантоворазмерных гетероструктур с заданной степенью ВАХ
    • 5. 1. Эффузионные ячейки
    • 5. 2. Контроль по отражательной дифракции быстрых электронов (ДБЭ или
  • RHEED)
    • 5. 3. Измерение потока ионизационной лампой
    • 5. 4. Счет монослоев по колебаниям интенсивности на экране ДБЭ
    • 5. 5. Колебания интенсивности отраженного света
    • 5. 6. Поведение частиц при эпитаксиальном росте AlxGaixAs
    • 5. 7. Технология производства AlGaAs гетероструктур для диодов с заданной степенью ВАХ
    • 5. 8. Технологические диаграммы параметров слоев AlGaAs квантоворазмерных гетероструктур для диодов
    • 5. 9. Проверка результатов работы на опытных образцах диодов и смесителей
  • 6. Выводы и заключение

Актуальность работы.

Основными тенденциями развития технологических процессов в производстве радио — электронных систем (РЭС) сегодня являются технологии для обеспечения повышения рабочих частот до сотен гигагерц, расширения рабочей полосы частот до десятков гигагерц, обработки импульсов наносекундной длительности, расширения динамического диапазона до 140 дБ, выполнения РЭС в виде одной интегральной схемы типа процессора (Рис. 1.1).

РЭС.

РЛС.

Обнаружение.

Цифр, cam.

Передача информации.

Спец. РЭС.

Спец. задачи.

Тенденции: Повышение дальности, поыехозащи -«ценности, точности Повышение плотности информации (быстродействия) Повышение чувствительности, стойкости к помехам, снижение массы и размеров.

Модуль: — Наносекундные импульсы, рабочие частоты > 100 ГГц, интегральное выполнение на 1 кристалле.

Супергетеродинный приемник мощность Р — 10 мВт i.

Характеристика: Частотный спектр J (W) j. i I I частота W — 1 ГГц.

Рис. 1.1. Тенденции развития технологии в производстве РЭС.

В состав большинства РЭС (радио — локационных станций, систем цифровой связи и специальных РЭС) входит супергетеродинный приемник, основным узлом которого является нелинейный преобразователь спектра радиосигналов.

Поэтому для выполнения вышеперечисленных задач актуальна разработка технологического процесса, обеспечивающего улучшение характеристик такого нелинейного преобразователя. Он состоит из смесителя и гетеродина. Основной характеристикой смесителя является его частотный спектр, то есть зависимость мощности от частоты на выходе смесителя, когда на его вход поступают гармонические колебания гетеродина и сигнала. Этот спектр определяется нелинейной вольтамперной характеристикой (ВАХ) J=J (U) диода в смесителе (Рис. 1.2).

Поэтому для улучшения характеристик нелинейного преобразователя актуальна задача создания технологии для производства диода с такой формой ВАХ J=J (U), которая приводила бы к желаемому виду частотного спектра смесителя, в частности к уменьшению интеркомбинационных составляющих nW[±mWc частот гетеродина Wr и сигнала Wc (где пит — целые числа). Все ныне применяемые диоды имеют экспоненциальную ВАХ вида J=J (U) =a-[exp ((3U)-l]. Таковы, например, диоды с барьером Шотки (ДБШ) и диоды с р—п — переходами. Большая кривизна такой экспоненциальной ВАХ приводит к обилию интеркомбинационных частот nWr±mWc в спектре смесителя вместо одной полезной частоты Wn^ Wr — Wc (Рис. 1.2).

Чтобы в смесителе увеличить долю мощности сигнала, преобразуемую в эту единственную полезную частоту ¥-Пч в нынешних смесителях применяют частотные фильтры (Рис. 1.3), уменьшающие мощности интеркомбинационных составляющих nWr±mWc. Эти фильтры препятствуют вышеперечисленным тенденциям развития технологии то" J -10 «Л Ссштр о j-e (^u-1) ==> -10 напряжение U — 1 В.

J (W), дБ.

II.

П Wq ¦ И Wj iMii.

2 3 4 5 W/WQ.

Рис. 1.2. ВАХ диода и спектр смесителя на этом диоде. в производстве РЭС, в частности, из-за своих больших размеров делают невозможным изготовление смесителя в виде одной интегральной схемы.

С другой стороны, со времени появления первых диодов известны идеальные формы ВАХ (степени N в формуле J (U)~UN) диодов, дающие.

1. J-U2 для смесителя на основной гармонии гетеродина: j. /: Спектр t>

5 ЛИНИЙ.

J (W).

2W,.

О 2WS.

WG" WS L.

WG+Wg.

Ir.

0 1 2 3 4 5 W/WG.

2. J — U3 для гармоникового смесителя: J.

J — U3 ,.

Спектр 2WG-We.

8 линий.

W6 3WG w,.

2WG+WS 2WS+WG.

I ,.

0 1/ 2 3 4 5 W/W,.

2Ws-Wg/.

Рис. 1.4. Требуемые степени NBAX J (U)~UN диода для смесителя. теоретический минимум интеркомбинационных составляющих гетеродина и сигнала, но не было ни материала с такими ВАХ, ни технологии его изготовления.

Для амплитудных детекторов оптимальна кусочно — линейная (N=1) ВАХ J (U)~U с изломом в начале координат. Для смесителя на основной гармонике гетеродина желательна квадратичная (N=2) ВАХ J (U)~U2 (Рис. 1.4). Эта идеальная ВАХ имеет гораздо меньшую кривизну, чем экспонента, и дает спектр смесителя, состоящий только из 5 спектральных линий. Для гармоникового смесителя желательна кубическая (N=3) ВАХ диода J (U)~U3. Эта ВАХ имеет кривизну больше, чем у квадратичной ВАХ и меньше, чем у экспоненциальной ВАХ.

Кубическая ВАХ дает спектр смесителя из 8 спектральных линий.

Таким образом, актуальны следующие вопросы:

4 ток J (U#exp (U).

Рис. 1.5. Искомый материал.

1. Существует ли материал, из которого можно пытаться создать диод с неэкспоненциальной ВАХ (Рис. 1.5).

2. Если такой материал существует, то какова связь его характеристик со степенью его ВАХ.

3. С какой точностью нужно задавать эти характеристики, чтобы получить заданную степень ВАХ.

4. Какой технологический метод позволит изготовить этот материал с нужной точностью.

Итак, объектом исследования является диодный нелинейный преобразователь спектра радиосигнала, а предметом исследования — материал для диода с заранее заданной неэкспоненциальной формой ВАХ и технологический процесс изготовления этого материала.

Цель и задачи работы.

В качестве кандидата на роль материала с неэкспоненциальной ВАХ можно рассмотреть стопку слоев квантоворазмерной толщины из тройного твердого раствора AlxGaixAs (Рис. 1.6), иными словами, AlGaAs квантоворазмерную гетероструктуру. Из литературы известно, что начальные участки ВАХ J=J (U) резонансно — туннельных диодов (РТД), построенных из таких AlGaAs гетероструктур, имеют ВАХ менее крутые, чем экспонента.

Итак, гипотезой исследования является предположение о том, что материалом с заранее заданной неэкспоненциальной ВАХ может служить слоистая квантоворазмерная AlGaAs гетероструктура (называемая в дальнейшем просто AlGaAs гетероструктура).

Таким образом, относительно слоистых AlGaAs гетероструктур как нового материала для получения заданной формы ВАХ есть три актуальных технологических вопроса: z:

AlxGaixAs <-гетерослои jtokJ (U).

Рис. 1.6. AlGaAs гетероструктура.

1. Какова связь характеристик (параметров) AlGaAs гетероструктуры со степенью N ее ВАХ J (U)~UN.

2. С какой точностью нужно задавать эти параметры, чтобы получить заданную степень ВАХ AlGaAs гетероструктуры.

3. Какой технологический метод позволит изготовить AlGaAs гетероструктуру с нужной точностью.

Итак, цель работы заключается в следующем: разработать технологический метод повышения эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов путем применения.

AlGaAs гетероструктур.

Для достижения этой цели надо решить следующие задачи.

1. Установить пригодность AlGaAs гетероструктуры на роль материала с неэкспоненциальной ВАХ.

2. Установить связь параметров AlGaAs гетероструктуры со степенью ее ВАХ.

3. Построить диаграммы этой связи с указанием допусков на параметры для получения заданной степени ВАХ.

4. Определить технологический метод нанесения пленок, позволяющий изготовить AlGaAs гетероструктуры с нужной точностью по этим диаграммам.

5. Проверить этот метод на макетах диодов и смесителей.

При решении этих задач использовались следующие методы.

1. Метод молекулярно — лучевой эпитаксии для изготовления AlGaAs гетероструктур.

2. Метод математического моделирования для решения следующих задач. а. Установление пригодности AlGaAs гетероструктуры на роль материала с неэкспоненциальной ВАХ. б. Установление связи параметров AlGaAs гетероструктуры со степенью ее ВАХ. в. Установление связи этой ВАХ со спектром смесителя на диоде из этой гетероструктуры.

Научная новизна работы.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Предложены слоистые AlGaAs гетероструктуры в качестве нового материала для получения заданной формы ВАХ.

2. Определен технологический метод нанесения пленок, позволяющий изготовить AlGaAs гетероструктуры с наперед заданной степенью ВАХ для нелинейных диодных преобразователей спектра радиосигналов.

3. Предложена аналитическая модель начального участка ВАХ РТД, позволяющая установить связь параметров AlGaAs гетероструктуры со степенью ее ВАХ.

4. Технологический метод и предложенная модель ВАХ проверены на макетах диодов и смесителей.

5. Расчитаны и получены AlGaAs гетероструктуры с кубической ВАХ, близкой к оптимальной ВАХ для гармоникового смесителя.

Практическая ценность работы.

Практическая ценность работы заключается в том, что:

1. Предложены слоистые AlGaAs гетероструктуры в качестве нового материала для получения заданной формы ВАХ.

2. Построены диаграммы связи параметров AlGaAs гетероструктуры со степенью ее ВАХ.

3. Определен технологический метод нанесения пленок, позволяющий изготовить AlGaAs гетероструктуры с нужной точностью по этим диаграммам.

4. Технологический метод проверен на AlGaAs гетероструктурах с заданной кубической ВАХ, близкой к оптимальной ВАХ для гармоникового смесителя.

5. Разработана методика численного моделирования спектров смесителей по заданным ВАХ диода.

6. Созданы и испытаны макеты смесителей с диодами на базе AlGaAs гетероструктур с заданной кубической ВАХ,.

Основные положения, представляемые к защите.

1. Слоистые AlGaAs гетероструктуры в качестве нового материала для получения заданной формы ВАХ.

2. Технологический метод нанесения пленок, позволяющий изготовить AlGaAs гетероструктуры с наперед заданной степенью ВАХ для нелинейных диодных преобразователей спектра радиосигналов.

3. Аналитическая модель начального участка ВАХ РТД, позволяющая установить связь параметров AlGaAs гетероструктуры со степенью ее ВАХ.

4. Диапазон степеней ВАХ AlGaAs гетероструктур, которые позволяет получить разработанная технология.

5. Диаграммы связи параметров AlGaAs гетероструктуры со степенью ее ВАХ.

6. Методика численного моделирования спектров смесителей по заданным.

ВАХ диода J=J (U).

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [1—6].

6.

Заключение

и выводы.

При разработке технологического метода эксплуатационных показателей нелинейных преобразователей спектра радиосигналов были получены следующие результаты:

1. Предложены слоистые AlGaAs квантоворазмерные гетероструктуры в качестве нового материала с заранее заданной степенью N ВАХ J (U)~UN Эта степень нужна разная для разных типов преобразователя спектра. На Рис. 6.1 некоторые требуемые формы квадратичная (N=2) и кубичная (N=3) сравниваются с единственно доступной на сегодня экспоненциальной ВАХ ДБШ.

2. Определен технологический метод нанесения пленок, позволяющий изготовить AlGaAs гетероструктуры с наперед заданной степенью ВАХ для нелинейных диодных преобразователей спектра радиосигналов. Этим методом является метод МЛЭ, обеспечивающий требуемые точности нанесения слоев по толщине и химическому составу.

3. Предложена аналитическая модель начального участка ВАХ РТД, позволяющая установить связь параметров AlGaAs гетероструктуры со степенью ее ВАХ. Для этого получена формула [108, 109] начального участка ВАХ J=J (U) РТД (6.1), совпадающая с формулой Шульмана —.

J (t/) = J0 In + аъщ>{ури) 1 + а ехр (-(1 — у) ри).

6.1).

Брокерта ВАХ РТД [110, 111] на участке до пикового тока. Предложенная модель содержит параметр о^ехр (—(ЗЕВ), определяющий степень N ВАХ. Этот ключевой параметр, а зависит от эффективной высоты барьера Ев = Eq.

OJ 0.4 0.6.

U/(Um"-«. «B,.

Рис. 6.2. Диапазон степеней ВАХ при Umax=0.5 В.

ЕР, который должен преодолеть электрон, чтобы попасть с уровня Ферми Ер предбарьерных слоев на резонансный уровень Ео в потенциальной яме между барьерными слоями.

При изменении Ев от 0 до 0,2 эВ форма ВАХ J (U)~UN меняется от линейной (N=1) до пятой (N=5) степени (Рис. 6.2).

4. Получены диаграммы связи параметров AlGaAs квантоворазмерной гетероструктуры со степенью N ее ВАХ (Рис. 6.3). Эти диаграммы есть зависимости Ев (хА1,М, п) введенного ранее модельного параметра Ев от трех параметров гетероструктуры: 1) М толщины среднего слоя ямы, 2) хА1 — содержания алюминия в барьерных слоях, 3) nSi — концентрации легирующей примеси Si в крайних слоях. В полученных диаграммах Ев (хА1, М, п) определили области параметров AlGaAs слоев, нужные для получения требуемой степени N.

Эти области зависят от заранее заданного рабочего диапазона напряжений Umax нелинейного преобразователя спектра, то есть от планируемой амплитуды гетеродина, как показано в Таблица 5. При этом химический состав слоев описывается двумя величинами: молярной долей алюминия х (А1) в тройном сплаве AlxGal xAs в диапазоне от хА1=0 до хА1=1, задаваемой с погрешностью ±0.01, концентрацией nSi легирующей примеси.

1С 1 | Q 1.

Si в диапазоне от nSi =10 см до nSi =10 см задаваемой с погрешностью ±1015 см-3, толщиной L слоев в диапазоне от L=0,565 нм до L=2000 нм, задаваемой с погрешностью 0,565 нм (толщина одного слоя GaAs).

Рис. 6.3. N (xAl, М.

5. Технологический метод и предложенная модель ВАХ проверены на макетах диодов. Для этого по диаграммам были найдены области параметров AlGaAs слоев, нужные для получения кубической (N=3) и кусочно — линейной (N=1).

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Исследование направлений применения резонансно-туннельного диода в интегральных схемах СВЧ диапазона /А.М.Георгиевский, Д. В. Громов, К. В. Дудинов и др. //Микроэлектроника, — 1996, — Т.25, № 4.- С.249−258.
  2. Гармониковый смеситель СВЧ диапазона на РТД /Ю.А.Иванов, К. В. Малышев, Ю. М. Перунов, Н. В. Федоркова. //СВЧ техника и телекоммуникационные технологии.: Тез. докл. 8 Междунар. Крымская конф. -Севастополь, 1998.- Т.2.- С.590−591.
  3. Ю.А., Малышев К. В., Перунов Ю. М. Численное моделирование смесителей на резонансно-туннельных диодах //СВЧ техника и телекоммуникационные технологии.: Тез. докл. 8 Междунар. Крымская конф. -Севастополь, 1998.- Т.2.- С.597−598.
  4. Нанодиод для смесителей / Ю. А. Иванов, К. В. Малышев, Ю. М. Перунов, Н. В. Федоркова. //СВЧ техника и телекоммуникационные технологии.: Тез. докл. 12 Междунар. Крымская конф. Севастополь, 2002 — Т.2.- С.491—492.
  5. Ю.А., Малышев К. В., Федоркова Н. В. Наноэлектроника на базе многослойных гетероструктур //Известия вузов. Машиностроение- 2003-№ 5 С.73−78.
  6. Ю.А., Малышев К. В., Федоркова Н. В. Формирование ВАХ AlGaAs нанодиодов //СВЧ техника и телекоммуникационные технологии.: Тез. докл. 14 Междунар. Крымская конф. Севастополь, 2004.- С.532−534.
  7. Н.К., Рубцова Р. А., Орлова H.J1. Проблема селективного легирования в методе гидридной эпитаксии и электрофизические свойства квантово -размерных гетероструктур Ga/GaSi:B //Физика и техника полупроводников.-1999.- Т. ЗЗ, № 3.- С.311−315.
  8. С.И., Цветков Д. В., Черенков А. Е. Установка для выращивания слоев GaN на подложках большой площади методом газофазной хлоридно -гидридной эпитаксии //Письма в ЖТФ 1998 — Т.24, № 20 — С.58−65.
  9. Н.В., Звонков Б. Н. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений //www.unn.ac.ru/rus/books/metfiles/labgaas.pdf.-1999- 16 с.
  10. С.В., Бергуш Н. Н. Лазерная эпитаксия гетероструктур HgCdTe/Si //Физика и техника полупроводников 2001 — Т.35, № 4- С.387−389.
  11. С.В. Модулированная лазерным излучением эпитаксия теллурида свинца //Физика и техника полупроводников 1998 — Т.32, № 3- С.299—302.
  12. Особенности роста жидкофазных эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме /Д.А.Бауман, А. В. Гаврилин, В. А. Иванцов и др //Физика и техника полупроводников.-2001.- Т.35, № 10.- С. 1184−1187.
  13. Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs /В.Л.Альперович, Ю. Б. Болховитянов, С. И. Чикичев и др //Физика и техника полупроводников-2001Т.35, № 9.- С.1102−1110.
  14. А.Г., Марченко В. А. Магнетронное напыление при повышенных давлениях: процессы в газовой среде //Журнал технической физики, — 1998.- Т.68, № 7, — С.24−33.
  15. Экспериментальная установка с одним ионным пучком и новый метод одновременного осаждения слоев металлов и имплантации /Ф.Ф.Комаров, А. А. Комаров, П. Жуковски и др // Журнал технической физики 2003- Т.73, № 5.-С. 109−114.
  16. Е.А. Осаждение пленок а-С:Н в тлеющем разряде на постоянном токе с областью магнетронной плазмы, локализованной вблизи анода //Журнал технической физики.- 2002.- Т.72, № 6.- С.3510.
  17. Плазмохимическое напыление и эмиссионные свойства углеродных пленок, осаждаемых при низкой температуре /А.Я.Виноградов, А. Н. Андронов, А. И. Косарев, А. С. Абрамов //Физика и техника полупроводников 2001 — Т.35, № 6.- С.698−702.
  18. Молекулярно лучевая эпитаксия твердых растворов кадмий — ртуть -теллур на «альтернативных» подложках /Ю.Г.Сидоров, С. А. Дворецкий,
  19. B.С.Варавин и др //Физика и техника полупроводников- 2001 Т.35, № 91. C. 1092−1101.
  20. Молекулярно пучковая эпитаксия переменно — напряженных многослойных гетероструктур для сине-зеленых лазеров на основе ZnSe /С.В.Иванов, А. А. Торопов, С. В. Сорокин и др //Физика и техника полупроводников.- 1998.- Т.32, № 10.- С.1272−1276.
  21. Самоформирование квантовых точек Ge в гетероэпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно резонансного диода на ее основе /Л.В.Соколов, А. С. Дерябин, А. И. Якимов и др //Физика твердого тела — 2004-Т.46, № 1- С.91−93.
  22. В.М. Лазеры на квантовых точках: управление характеристиками при выращивании методом молекулярно пучковой эпитаксии //http: //link.edu.ioffe.ru /winter /2003 /main /ustinov- 2003- 5 с.
  23. Ш. Г., Шабанов В. Н., Шабанов А. В. Выращивание дельта -легированных слоев методом молекулярно лучевой эпитаксии кремния с одновременной бомбардировкой поверхности роста низкоэнергетическими ионами //Письма в ЖТФ.- 1997.- Т.23, № 7.- С.67−72.
  24. Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно лучевой эпитаксии /В.Г.Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков и др //Физика и техника полупроводников.- 2001- Т.35, № 8 — С.954−959.
  25. В.П., Рубцова Р. А. Особенности метода сублимационной молекулярно лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si:Er/Si //Физика и техника полупроводников — 2000- Т.34, № 5-С.519−525.
  26. Механизм глубокого легирования Fe эпитаксиальных GaAs/AlGaAs -гетероструктур /И.Я.Герловин, Ю. К. Долгих, С. А. Елисеев и др //Физика и техника полупроводников 1999.- Т. ЗЗ, № 3 — С.302−305.
  27. Получение GaN молекулярно — пучковой эпитаксией с активацией азота ВЧ- емкостным магнетронным разрядом /В.В.Мамутин, В. Н. Жмерик, Т. В. Шубина и др //Письма в ЖТФ.- 1998.- Т.24, № 12.- С.30−35.
  28. Молекулярно пучковая эпитаксия GaAsN на GaAs с использованием плазменного источника, возбуждаемого постоянным током /А.Е.Жуков, Е. С. Семенова, В. М. Устинов, E.R.Weber //Журнал технической физики — 2001 — Т.71, № 10 — С.59−65.
  29. The Impact of Scaling Down to Deep Submicron on CMOS RF Circuits /Q.Huang, F. Piazza, P. Orsatti, T. Ohguro //Journal of Solid-State Circuits.- 1998.-Vol.33, № 7-P. 1023−1036.
  30. Overview of Nanoelectronic Devices /D.G.Gordon, M.S.Montemerlo, J.C.Love, et al //Proceedings of the IEEE.- 1997.- Vol.85, № 4.- P.521−540.
  31. Goser K., Pacha C. System and Circuit Aspects of Nanoelectronics //Solid—State Circuits.: Mat. symp. 24th European ESSCIRC Conf. Hague, 1998 — P. l-12.
  32. Prospects for Quantum Integrated Circuits /R.T.Bate, G.A.Frezier, W.R.Frensley et al //Quantum Well and Superlattice Physics.- 1987.- Vol. 792.- P.26−35.
  33. Wang Y.H., Houng M.P., Wei H.C. Observation of N and S — Shaped Negative Differential Resistance Behavior in AlGaAs/GaAs Resonant Tunneling Structure //Solid State Electronics.- 1991.- Vol. 34, № 4.- P. 413-^18.
  34. Su Y.K., Wang R.L., Wang Y.H. Negative Differential Resistance in GaAs Delta- Doping Tunneling Diodes //Japanese Journal of Applied Physics.— 1991.— Vol. 30, № 2B.-P. 292−294.
  35. Wang R.L., Su Y.K., Wang Y.H. A Novel GaAs Delta Doping Induced Triangle- Like Double Barrier Tunneling Diode //Solid State Electronics.- 1991, — Vol. 34, № 2.-P. 223−224.
  36. Neikirk D.P., Kesan V. Quantum Well Devices will Challenge HEMTs //Microwaves and RF.- 1986.- Vol. 25, № 7.- P. 93−97.
  37. GaAs Fild Effect Transistor with an Atomically Precise Ultrashort Grate /H.L.Stormer, K.W.Baldwin, L.N.Pfeiffer, K.W.West //Applied Physics Letters-1991.- Vol. 59, № 9.- P. 1111−1113.
  38. Resonant Tunneling in Submicron Double Barrier Heterastructures /В. Su, VJ. Goldman, M. Santos, M. Shayegan //Applied Physics Letters.- 1991 — Vol. 58, № 7 — P. 747−749.
  39. Abdallah N.B., Pinaud O. A Mathematical Model for the Transient Evolution of a Resonant Tunneling Diode //C. R. Math. Acad, Sci. Paris-2002- VoL 334, № 4-P 283−288
  40. Silicon-based nanoelectronics and nanoelectromechanics /A.Tilke, A. Erbe, L.Pescini. et al //Superlattices and Microstructures 2000.- Vol. 27, № 5/6.- P. 597 601
  41. Гетероструктуры с квантовыми точками. Получение, свойства, лазеры. Обзор /Н.Н.Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин и др. //Физика и техника полупроводников, — 1998 Т. 32, — С. 385−410.
  42. Electron transport through double quantum dots /W.G.van der Wiel, S. De Franceschi, J.M.Elzerman et al //Reviews of Modern Physics — 2003- Vol. 75, № 1—1. P. 1—22.
  43. Bryant G.W. Resonant Tunneling in Zero Dimensional Nanostructures //Physical Review В.- 1989.- VoL 39, № 5.- P. 3145−3152.
  44. Asymmetric Resonant Tunnelling Diodes as Microwave Detectors /R.T.Syme, M.J.Kelly, A. Condie, I. Dale //Electronics Letters 1990 — Vol. 26, № 22 — P. 19 041 906
  45. Avidence for Coherent Interaction Between Quantum Well States in AlAs/GaAs Triple Barier Heterostructures /D-A.Collins, D.H.Chow, DJZ.-Y.Tmg et al //Superlattices and Microstructures- 1990 Vol. 8, № 4 — P. 455-^58.
  46. Resonant tunneling devices and logic circuits: lateral tunneling devices /M.A.Reed, J.N.Randall, RJ. Aggarwal et al //unpublished briefing Texas Instruments Corp.- Dallas, 1995. (Presented at the ARPA ULTRA Program Rev- Boulder, 1995).
  47. Measurement of Negative Differential Conductance to 40 GHz for Vertically Integrated Resonant Tunneling Diodes /P.Mounaix, P. Bedu, D. Lippens, E. Barbier //Electronics Letters.- 1991.-Vol. 27, № 15-P, 1358−1360.
  48. L.Y.Chen, C.S.Ting. Dynamic Properties of Double — Barrio* Resonant-Tunneling Structures //Physical Review В.- 1991, — Vol. 43, № 3.- P. 2097−2105.
  49. SPICE Model of the Resonant-Tunneling Diode /R.Brown, O.B.McMahon, L.J.Mahoney, K.M.Molvar //Electronics Letters.- 1996 Vol. 32, № 10, — P. 938 940
  50. Schulman J.N., De-Los Santos HJ., Chow D.H. Physics-Based RTD Cunent-Voltage Equation //IEEE Electron Device Letters.- 1996.- Vol. 17 P. 220−222.
  51. A Monolithic 4-Bit 2-Gsps Resonant Tunneling Analog-to-Digital Converter /T.P.E.Broekaert, B. Brar, J.P.A.van der Wagt et al. //IEEE Journal of Solid State Ctaciiite.- 1998 — Vol. 33-P 1342−1349
  52. Аналитическое выражение начального участка ВАХ РТД: Научно-технический отчет о НИР «Джейран-МРП-2» (итоговый). /Ассоциацияспециальной микроэлектроники (АСЭ). Руководитель НИР Ю. А. Иванов. ГР № 5 087 692, Инв № 137.- М., 1997.- 140 с.
  53. Su W.P., Schrieffer J.R., Heeger A.J. Solitons in Polyacetylene //Physical Review Letters.- 1979.- Vol. 42, № 25.- P. 1698−1701.
  54. Resonant Tunneling Diodes: Models and Properties /J.P.Sun, G.I.Haddad, P. Mazumder, JX. Schulman//ElectronicsLetters 1998.- Vol. 86,№ 4-P. 641−661.
  55. Winstead В., Ravaioli U. A Coupled Shrodinger/Monte Carlo Technique for Quantum- Corrected Device Simulation //Electronic Materials.: Mat. Conf. — Notre Dame, 2001.- C.532−534.
  56. Моделирование резонансно — туннельных структур /И.И. Абрамов, А. В. Бондаренко, И. В. Шеремет, И. А. Якубовский //СВЧ техника и телекоммуникационные технологии.: Тез. докл. 7 Междунар. Крымская конф. — Севастополь, 1997.-С. 395−397.
  57. Jensen K.L., Buot F.A. The Effects of Scattering on Current — Voltage Characteristics, Transient Responce and Particle Traectories in the Numerical Simulation of Resonant Tunneling Diodes //Journal of Applied Physics 1990 — Vol. 67, № 12.- P. 7602−7607.
  58. Shilren L., Ringhofer C., Ferry D.K. A Wigner Function-Based Quantum Ensemble Monte Carlo Study of a Resonant Tunneling Diode //IEEE Transactions on Electron Devices 2003 — Vol. 50, № 3.- P. 769−773.
  59. Leo J., MacDonald A.H. Disorder — Assisted Tunneling through a Double — Barrier Resonant Tunneling Structure //Physical Review- 1991 — Vol. В 43, № 12 — p 9763−9771
  60. A New Fabrication Technology for AlGaAs/GaAs HEMT LSl’s Using InGaAs NonaHoyed Ohmic Contacts /S. Kuroda, N. Harada, T. Katakami et al /ЯЕЕЕ Transactions on Electron Devices 1989.- Vol. 36, № 10.- P. 2196−2202.
  61. Temperature Effects for Current Transport in Resonant Tunneling Structures /G.D. Shen, D.X. Xu, M. Willander, G.V. Hansson //Applied Physics Letters-1989.- Vol, 36, № 10.- P. 2196−2202.
  62. Rossel С., Gueret P., Meier H.P. Tunneling through Asymmetric Double -Barrier Quantum Well Heterostructures //Journal of Applied Physics- 1990— Vol. 67, № 2.-P. 900−903.
  63. Wittmer M. Conduction Mechanism in PtSi/Si Schottky Diodes //Physical Review В.- 1991.- Vol. 43, № 5.- P. 4385−4395.
  64. De Vos A. The Quantum Diode //Semiconductor Science Technology — 1991 — Vol. 6, № 1.-P. 370−377.
  65. He M., Gu B.Y. Effects of the Localized State Inside the Barier on Resonant Tunneling in Double Barier Quantum Wells //Physical Review В.- 1990.— Vol. 41, № 5 — P. 2906−2911.
  66. Zehe A. Resonant Tunneling through Double Barrier Single V — Shaped Quantum Well //Superlattices and Microstructures- 1990- Vol. 7, № 1.- P. 75−79.
  67. Sa’ar A., Kan S.C., Yariv A. Incoherent Resonant Tunneling without Reflection in Asymmetric Double Barrier Structures //Journal of Applied Physics 1990- Vol. 67, № 8.-P. 3892−3894.
  68. Calderon G.G., Rubio A., Romo R. Decay Widths for Double Barrier Resonant Tunneling //Journal of Applied Physics — 1990- Vol. 69, № 6 — P. 3612−3615.
  69. Boykin T.B., van der Wagt J.P.A., Harris J.S. jr. Tight — Binding Model for GaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes //Physical Review.- 1991- Vol. 43, № 6 — P. 4777—4784.
  70. New Degrees of Freedom in Resonant Tunneling Heterostrueture Devices /D.D. Coon, E. Sorar, K.M.S.V. Bandara, N. Urban //Journal of Applied Physics — 1991-Vol. 69, № 8.- P. 4344−4348.
  71. Coon D.D., Liu H.C. Quantum Well with Textured Interfaces //Superlattices and Microstructures.- 1989.- Vol. 6, № 4.- P. 409−4012.
  72. Abbott D. Overview: I Involved Problems of Noise and Fluctuations //Chaos 2001.- Vol. 11, № 3.- P. 526−538.
  73. Aguado R., Kouwenhoven L.P. Double Quantum Dots as Detectors of High-Frequency Quantum Noise in Mesoscopic Conductors //Physical Review Letters.— 2000.-Vol. 84, № 9.- P. 1986−1989.
  74. Kish L.B., Harmer G.P., Abbott D. Information Transfer Rate of Neurons: Stochastic Resonance of Shannon’s Information Channel Capacity //Fluctuation and Noise Letters.-2001.-Vol. 1,№ 1.-P. L13-L19.
  75. Noninvasive Control of Stochastic Resonance /J.F.Lindner, J. Mason, LNeff et al //Physical Review.- 2001.- Vol. E 63, № 4, — P. 1107−1115.
  76. G.Vilar J.M., Gomila G., Rubi J.M. Stochastic Resonance in Noisy Nondynamical Systems //Physical Review Letters 1998 — Vol. 81, № 1.- P. 14−17.
  77. Исследование стохастического резонанса в электрической цепи с туннельным диодом /В.М.Карташов, А. Ф. Котов, С. А. Решетняк, Ю. С. Филимонов //Письма в ЖТФ.- 2000.- Vol. 26, № 5.- Р. 67−75.
  78. Ван дер Зил А. Шум. Источники, описание, измерение- М.: Сов. радио, 1973.-228 с.
  79. Giant Suppression of Shot Noise in Double Barrier Resonant Diode: a Signature of Coherent Transport /V.Ya-Aleshkin, L. Reggiani, N.V.Alkeev et al //Semiconductor Science and Technology 2003.- Vol. 18, № 1- P. L35- L38.
  80. Current Noise in Resonance Tunnel Diodes Based on InGaAIAs Heterostructures /N.V.Alkeev, V.E.Lyubchenko, C.N.Ironside et al //Journal of Communications Technology and Electronics.- 2002.- Vol. 47, № 2, — P. 228−231.
  81. Enhanced Shot Noise in Resonant Tunneling: Theory and Experiment /G.Iannaccone, G. Lombardi, M. Macucci, B. Pellegrini //Physical Review Letters.— 1998.-Vol. 80, № 5.-P. 1054^1057.
  82. KieBlich G. Electronic Noise a Langevin Approach //www.nlds.physik.tu-beHin.de.
  83. Weichold M.H., Villareal S.S., Lux R.A. Low — Frequency Noise Measurements on AlGaAs/GaAs Resonant Tunnel Diodes //Applied Physics Letters.— 1989.— Vol. 55, № 19.-P. 1969−1971.
  84. Noise Characteristics of Si/SiGe Resonant Tunneling Diode /Y.Okada, J. Xu, H.C.Liu //Solid State Electronics.- 1989.- Vol. 32, № 9.- P. 797−800.
  85. C.A., Овчинников К. Д., Кислицын Э. Б. Источники l/F-шума в лавинно пролетных диодах из арсенида галлия //Журнал технической физики.- 1997.- Vol. 67, № 8.- Р. 65−70.
  86. Gomila G., Bulashenko О.М., Rubi J.M. Local Noise Analysis of a Schottky Contact: Combined Thermionic-Emission-Diffusion Theory //Journal of Applied Physics.- 1998.- Vol. 83, № 5.- P. 2619−2630.
  87. Bulashenko O.M., Rubi J.M. Self-Consistent Theory of Shot Noise in Nondegenerate Ballistic Conductors //Physical Review. В.- 2000- Vol. 61, № 8 P. 5511−5528.
  88. Effect of Long-Range Coulomb Interaction on Shot—Noise Suppression in Ballistic Transport /T.Gonzalez, O.M.Bulashenko, J. Mateos et al //Physical Review-1997.- Vol. В 56, № 11p. 6424−6427.
  89. Bulashenko O.M., Rubi J.M. Self-Consistent Theory of Current and Voltage Noise in Multimode Ballistic Conductors //Physical Review. В.- 2002 Vol. 66, № 8.-P. 5310−5326.
  90. Ван дер Зил А. Флуктуации в радиотехнике и физике — М-Л.: Госэнергоиздат, 1958.-296 с.
  91. Wyatt J.L. jr, Coram G.J. Nonlinear Device Noise Models: Satisfying the Thermodynamic Requirements /ДЕЕЕ Transactions on Electron Devices- 1999.— Vol. 46, № 1- P. 184−193.
  92. Coulomb Suppression of Surface Noise /V.A.Kochelap, V.N.Sokolov, O.M.Bulashenko, J.M.Rubi //Applied Physics Letters 2001.- Vol. 78, № 14.- P. 2003−2005.
  93. Microwave Noise of DBRT Diode over Full Bias Voltage Range /J.I.M.Demarteau, H.C.Heyker, J.J.M.Kwaspen et al //Electronics Letters- 1991 — Vol. 27, № 1.- P. 7−8.
  94. Shot Noise in Self-Assembled InAs Quantum Dots /А. Nauen, I. Hapke-Wurst, F. Hohls et al //Physical Review. В.- 2002.- Vol. 66, № 16.- P. 1303−1307.
  95. НЧ шум в Ino.2Gao.8As/GaAs/InGaP лазерах на квантовых ямах /Н.В.Байдусь, А. В. Беляков, А. В. Моряшин и др. //Semiconductors.: Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP-973 799. Нижний Новгород, 2003.- С. 150−160.
  96. Биспектр 1/f шума в наноразмерных полупроводниковых диодах на основе GaAs /А.В.Якимов, А. В. Беляков, А. В. Моряшин и др. //Semiconductors.: Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP—973 799. Нижний Новгород, 2003 — С. 174−184.
  97. Взрывной и 1/f шум в светоизлучающих диодах на квантовых точках /А.В.Беляков, Л. К. Дж.Фандамме, М. Ю. Перов, А. В. Якимов //Semiconductors.: Труды 3-го совещания по проекту НАТО SfP-973 799. — Нижний Новгород, 2003.-С. 129−142.
  98. Turley P.J., Teitsworth S.W. Electronic Wave Functions and Electron Confined Fonon Matrix Elements in GaAs/AlxGal-xAs Double — Barier Resonant Tunneling Structures //Physical Review. В.- 1991- Vol. 44, № 78- P. 3199−3210.
  99. Resonant tunneling times in superlattice structures /J.-W.Choe, H.-J.Hwang, A.G.U.Perera et al //Journal of Applied Physics.- 1996.- Vol. 79, № 10 P. 75 107 513.
  100. Kim Y., Shin S., Lee K. Architecture and Algorithm for High Precision Image Rejection and Spurious Rejection Mixers Using Digital Compensation //IEEE MTT-S Digest.-New York, 2002.-P. 799−802.
  101. Computer-Aided Circuit Analysis Tools for RFIC Simulation: Algorithms, Features, and Limitations /K.Mayaram, D.C.Lee, S. Moinian et al //IEEE Transactions on Circuits and Systems. Analog and Digital Signal Processing.- 2000.— Vol. 47, № 4.-P. 274−286.
  102. Anselm A. An Introduction to MBE Growth //www.ece.utexas.edu /projects/ece/mrc /groups /streetjmbe /mbechapter.html—1997.- 20 p.
  103. Rinaldi F. Basics of Molecular Beam Epitaxy (MBE) //www-opto.e-technik.uni-ulm.de/forschung/jahresbericht/2002/ar2002fr.pdf-2002 8 p.
  104. Исследование квантовых ям InxGaixAs/GaAs методами низкотемпературной фотолюминесценции и рентгеновской дифрактометрии /С.В.Евстигнеев, Р. М. Имамов, А. А. Ломов и др //Физика и техника полупроводников 2000 — Т.34, № 6 — С.719−726.
  105. А.И., Черепанов В. А., Пчеляков О. П. Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности кремния (100) методом регистрирующей дифрактометрии //Физика и техника полупроводников— 2001.— Т.35, № 9 — С. 1032−1035.
  106. Аналитическое выражение начального участка ВАХ РТД: Научно-технический отчет о НИР «Джейран-МРП-2» (итоговый). /Ассоциация специальной микроэлектроники (АСЭ). Руководитель НИР Ю. А. Иванов. ГР № 5 087 692, Инв № 137.- М., 1997.- 140 с.
  107. Ю.А., Малышев К. В., Федоркова Н. В. Формирование ВАХ AlGaAs нанодиодов //СВЧ техника и телекоммуникационные технологии.: Тез. докл. 14 Междунар. Крымская конф. Севастополь, 2004.- С.532−534.
  108. Schulman J.N., De-Los Santos H.J., Chow D.H. Physics-Based RTD Current-Voltage Equation /ЛЕЕЕ Electron Device Letters 1996, — Vol. 17 — P. 220−222.
  109. A Monolithic 4-Bit 2-Gsps Resonant Tunneling Analog-to-Digital Converter /T.P.E.Broekaert, B. Brar, J.P.A.van der Wagt et al. //ШЕЕ Journal of Solid State Circuits.-1998.-Vol. 33.-P. 1342−1349.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!