Разработка технологии лазерного разделения приборных пластин на кристаллы
Диссертация
В зависимости от используемых материалов подложек можно классифицировать твердотельные приборы на основе кремния, сапфира, арсенида и фосфида галлия, нитридов галлия и алюминия, фосфида индия, карбида кремния, оксида цинка, алмаза, керамикисэндвич — подложеккремний на сапфире, металлических подложек и других материалов. Данный признак определяет основные параметры оборудования для разделения… Читать ещё >
Список литературы
- И. Шахнович. «Твердотельные СВЧ-приборы и технологии. Невоспетые герои беспроводной революции», Электроника, 2005, № 4(62), 12с.
- Asif Anwar. «What are the Prerequisites for Survival in the GaAs Industry?», GaAs MANTECH Digest, 2005.3. «Динамика рынков GaAs промышленности», Информационный сборник Новости СВЧ-Техники, 2005, № 9, 14с.
- Бочкин О.И., Брук В. А., Никифорова-Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1983. 112с.
- Обработка полупроводниковых материалов. В. И. Карбань, И. Кой, В. В. Рогов и др.: под. ред. Новикова Н. В., Бертольди В. Киев: Наукова думка, 1982. 256с.
- Резка неметаллических материалов алмазными кругами, Г. В. Шуваев, В. К. Сорокин, Ю. Н. Зимицкий, «Машиностроение», Москва, 1989.
- Patent № 2006/99 774 A1 (USA). Laser processing method of gallium nitride substrate. 2006.
- Patent № 2005/115 078 A1 (Japan). Diamond scriber. Inventors / Takayuki Horiuchi, Adachi-ku, Tsuyoshi Numakura, Yuzawa-shi. -2005.
- Patent № 2005/279 740 A1 (USA). Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser with edge detection. 2005.
- Park J., Sercel P. «High-speed UV laser scribing boosts blue LED industry,» Compound Semiconductor, December 2002, Volume 8, Number.
- Mingwei Li, Andrew Held «Meeting industry needs with laser micromachining,» Solid State Technology, October 2003.
- Conversations with Jeff Sercel, president, JPSA Inc., Hollis, NH, a laser integrator that provides turnkey laser workstations to the semiconductor industry and contract laser-manufacturing services.
- Patent № 6,580,054 (USA). Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser.-2003.
- Patent № 3 408 805 (Japan). Laser beam machining method / Fukuyo Fumitsugu, Fukumitsu Kenji, Uchiyama Naoki, Wakuta Toshimitsu. 2002.
- Patent № 2006/79 069 A1 (USA). Silicon wafer laser processing method and laser beam processing machine. 2006.
- Bernold Richerzhagen «Chip singulation process with a water jet-guided laser,» Solid State Technology, April 2001.
- Richerzhagen, «Development of, a System for Transmission of Laser Energy,» thesis work, EPFL, Switzerland, 1994.
- A. C. 708 686 СССР, МКИ4 C03 В 33/02. Способ резки стекла / Е. К. Белоусов, В. С. Кондратенко, В. В. Чуйко (СССР). 1977.
- Патент РФ № 2 024 441, МКИ5 СОЗ В 33/02. Способ резки хрупких материалов / В. С. Кондратенко. 1991.
- Белоусов Е.К., Кондратенко B.C., Мачулка Г. А., Чуйко В. В. Управляемое термораскалывание стекла с помощью лазерногоизлучения. // Электронная промышленность, № 9, 1988, с.65−68.
- Бартенев Г. М., Фридкин Р. З. Измерение коэффициента истинной теплопроводности стекла при высоких температурах. // Стекло. Труды института стекла, № 1, 1972, с. 14−17.
- Бартенев Г. М. Механические свойства и тепловая обработка стекла. -М.: Стройиздат, 1960. 166 с.
- Lumley R.M. Controlled separation of brittle materials using a laser. J. of the Amer. Cer. Soc., 1969, v. 48, No.9, p.850−854.
- Кондратенко B.C. Исследование и разработка процесса резки стекла методом лазерного управляемого термораскалывания. // Дисс. канд. техн. наук, Москва, 1983, с. 179.
- Кондратенко B.C. Высокоэффективный метод лазерного управляемого теромраскалывания хрупких материалов. // Интеграл, № 2 (28), 2006, с. 20−21.
- Ли Сек Чжун. Разработка технологии и оборудования для лазерного управляемого термораскалывания плоских дисплейных панелей. // Дисс. канд. техн. наук, Москва, 2005, с. 157.30. http://www.rayotek.com
- Кондратенко B.C., Борисовский В. Е., Гиндин П. Д., Сек-Джун Ли, Наумов A.C. Разработка технологии лазерного управляемого термораскалывания плоских дисплейных панелей, Приборы, № 4 (58), 2005, с. 35 38.
- Саврук М.П., Коэффициенты интенсивности напряжений в телах с трещинами, т. 2, в «Механика разрушения и прочность материалов» -Справочное пособие в 4-х томах, Киев, Наукова Думка, 1988
- Панасюк В.В., Андрейкив А. Е., Партон В. З. Основы механики разрушения материалов, т.1, в «Механика разрушения и прочность материалов» Справочное пособие в 4-х томах, Киев, Наукова Думка, 1988
- Корн Г., Корн Т. Справочник по математике, М., Наука, 1977
- Исаченко В.П., Осипова В. А., Сукомел А. С., Теплопередача, М.,"Энергоиздат", 1968
- Юдаев Б.Н. Теплопередача, М., Высшая школа, 1973
- Уонг X. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров-М., Атомиздат, 1979
- Кондратенко B.C., Борисовский В. Е., Гиндин П. Д., Колесник В. Д., Сорокин А. В., Черных С. П., Наумов А. С. Установка для лазерной резки приборных пластин, Приборы, № 4 (70), 2006, с.38−43.
- Новацкий В. Теория упругости, М., Мир, 1975.
- Опто-технологическая лаборатория, www.optotl.ru.
- Kondratenko V., Tchernykh S., Gindin P. Laser Controlled Thermocracking Die Separation Technique for Sapphire Substrate Based Devices // 5th International Conference on Nitride Semiconductors, May 25, 2003, Nara, Japan.
- Kondratenko V., Tchernykh S., Gindin P. Laser controlled thermocracking die separation technique for sapphire substrate based devices // Phys. Stat. Sol. (a), 2003.
- Kondratenko V., Tchernykh S., Gindin P. Laser controlled thermocracking die separation technique for sapphire substrate based devices // Лазеры в науке, технике, медицине: Тез.докл.Х1У Международной конф. 15−19 сентября 2003 г. -Адлер, 2003.
- Kondratenko V., Tchernykh S., Gindin P. Laser controlled thermocracking die separation technique for sapphire substrate based devices // Светодиоды и лазеры, — 2003.- № 1−2.
- Kondratenko V., Gindin P., Tchernykh S. Laser thermal-cleaving technology for silicon wafers // Abstracts of Technical Symposium SEMI Expo CIS 2003, October 1, 2003, Moscow.
- Наумов A.C. Новая технология разделения приборных пластин на кристаллы // Сборник трудов молодых ученых и специалистов МГАПИ№ 6, часть 1,2005, Москва. с. 112 — 115.
- Кондратенко B.C., Борисовский В. Е., Гиндин П.Д., Колесник
- B.Д., Наумов A.C., Сорокин A.B., Черных С. П. Установка для лазерной резки приборных пластин // Приборы, № 4 (70), 2006. Москва.-С.38−43.
- Кондратенко B.C., Борисовский В. Е., Гиндин П. Д., Наумов A.C. Лазерное технологическое оборудование для резки приборных пластин из различных материалов // Вестник МГУПИ, № 7, 2007, с. 64 -72.
- Кондратенко B.C., Кондратенко A.B., Наумов A.C., Черных
- C.П. Исследование качества резки кристаллов светодиодов методом ЛУТ. // Сборник трудов международной научно-технической конференции «Информационные технологии внауке, технике и образовании», том I, 12−19 ноября 2006 г., Египет.
- Жималов А.Б., Солинов В. Ф., Кондратенко B.C., Каплина Т. В. Лазерная резка флоат-стекла в процессе его выработки. // Стекло и керамика, № 10, 2006, с. 3−5.