Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
Диссертация
Актуальность работы обусловлена большой практической значимостью поликристаллических полупроводников с барьерным механизмом электропроводности. Помимо общеизвестных црименений этих материалов в электрофотографии и твердотельной электронике, следует указать на перспективы применения поликристаллических полупроводниковых окислов в качестве фотоприемников для утилизации солнечной энергии. Физический… Читать ещё >
Список литературы
- Быоб P. Фотоцроводимость твердых тел. — M.: Ш, 1962, 558 с.
- Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971, 480 с.
- Ржанов А.В. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник. М.: Наука, 1976, 279 с.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в не1фисталлических веществах. М.: Мир, 1982, т.1, с.368- т.2, с. 662.
- Шейнкманн М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках. ФТП, 1976, т.10, в.2, с.209−233.
- Teylor W.E., Odell N.H., Fan H.J. Grain boundary barriers in Germanium. Phys.Rev., 1952, v.88, N 4, p.867−875*
- Teylor W.E., Fan H.Y. D.c. characteristics of high resistance barriers of crystal boundaries in germanium. Phys.Rev., 1950, v.78, N 3, p.335.
- Odell N.H., Fan Н.У. Impedance characteristics of grain boundaries in high resistivity N-type germanium. Phys. Rev., 1950, v.78t N 3, p.334.
- Barbot J., Bouat J., Launay A., Thuiller J.C. Frequency dependence of the conductivity in monocrystalline Selenium. Phys.stat.Sol. (a), 1971, v.7, N 1, p.113−116.
- Lemercier C. Frequency dependence of the conductivity in trigonal Selenium single crystals. Sol.St.Comm., 1971, v.9, N 16, p.1365−1368.
- Volger J. Note of the Hall potential across on Inhomogeneous conductor. Phys.Rev., 1950, v.79, N 6, p.1023−1024.15″ Petritz R.b. Theory of photoconductivity in semiconductor films. Phys.Rev., 1956, v.104, N 6, p.1508−1516.
- Viachakas J., Kavalianshiene G., Rinkencins U., Mikale-vicius M. Theoretical approach to barrier caused phenomena in trigonal Selenium single crystals. Acta Physica Polo-nica, 1974, V. A45, N 5, p.639−652.
- Гайдялис В.И., Маркович Н. Н., Монтримас Э. А. Физические процессы в электрофотографических слоях ЪхО . Вильнюс: Минтис, 1968, с. 367.
- Голъдман Е.Й., Дцан А. Г. Электропроводность полупроводников с меягранульными барьерами. ФШ, 1976, т. 10, в. 10, с.1839−1845.
- Голъдман Е.И. Эффект Френкеля-Пула в полупроводниках с межгранульными барьерами. ФШ, 1978, т. 12, в.2, с.390−393.
- Гольдглан Е.И., $дан А.Г., Неменущий В. Н. Влияние энергетической структуры поверхностных сосшяний на электропроводность полупроводников с межгранульными барьерами. ФШ, 1978, т.12, в.5, с.833−836.
- Приходько В.Г., Дцан А. Г., 1Уляев И.Б. Электропроводность границ раздела Si-Si при наличии зависимости заполнения пограничных состояний от. напряжения. ФШ, 1979, т. 13, в.10, с.2028−2030.
- Дриходько В.Г., 1дан А.Г., Гуляев И. Б. Спектроскопия пограничных состоянии на контакте полуцроводник-полупроводник. -ФТП, 1980, т.14, в.9, с.1804−1805.
- Сандомирский В.Б., ¿-дан А.Г., Мессерер М. А., Гуляев И. Б. Механизм замороженной (остаточной) проводимости полупроводников. ФШ, 1973, т.7, в.7, с.1314−1323.
- Rose А., Weimer Р.К., Forgue S.V. Some observations on the photoeffect in Cadmium sulphide. Phys.Rev., 1949, v.76, N 1, p.179.
- Gibson A.F. The sensitivity and response time of lead sulphide photoconductive cells. Proc.Phys.Soc. (L), 1951, v.64, N 7, p.603−616.
- Ткач Ю.А. Фотопроводимость аморфного полупроводника в модели «искривленных зон». ФТП, 1975, т.9, в.6, с.1071−1074.
- Шик А. Я. Фотопроводимость случайно-неоднородных полупроводников. ЖЭТФ, 1975, т.68, в.5, с.1859−1868.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, 416 с.
- Gudden В., Schottky Probleme der Zonen und Elektronenleitung in nicht metallischen festen Korpern. Z.techn. Phys., 1935, 3d.16, N 11, S.323−327.
- Buch G., Labchart H. Uber den Mechanismus der elektrischen beitfachiegkeit des Siliciumcarbides. Helv.phys.Acta, 1946, v.19, N 6−7, p.463−492.
- Hung C.S., Gllssman J.R. Resistivity and Hall effect of Germanium at low temperatures. Phys.Rev., 1954, v.96, N 5, p.1226−1236.
- Miller A., Abrachams E. Impurity conduction at low concentrations. Phys.Rev., 1960, v.120, N 3, p.745−755.
- Ambegoakar V., Halperin B.I., banger J.S. Hopping conductivity in disordered systems. Phys.Rev., 1971, v. B4, N 8, p.2612−2620.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников. ЖЭТ§-, 1971, т.60, в.2, с.867−878.
- Broadbent S.R., Hammersley J.M. Perkolation processes.
- Crystals and mazes. Proc. Camb. Phil.Soc., 1957, v.53″ N 3, p.629−641.
- Shante V.X.S., Kirkpatrik S. An introduction to percolation theory. Adv. Phys., 1971, v.20, N 85, p.325−357.37* Kir^atrick S. Percolation and conduction. Transport theory of percolation processes. Rev. Mod.Phys., 1973, v.45, N 4, p.574−588.
- Stauffer K. Scaling theory of percolation clusters. Phys. Rep., 1979, v.54c, N 1, p.1−74.
- Kastelein P.W., Fortuin C.M. Phase transitions in lattice systems with random local properties. J.Phys.Soc.Japan, Suppl., 1969, v.26, p.11−14.
- Fortuin C.M., Kastelein P.U., On the random-cluster model. I. Introduction and relation to other models. Physica, 1972, v.57, p.536−564.
- Domb C. On the theory of cooperative phenomena in crystals. Adv. Phys., i960, v.9, N 34, p.149−244.
- Гинзбург С.Л. Микроскопичеекая теория подобия в задаче протекания. ЖЭТФ, 1976, т.71, в.9, c. II45-II58.
- Dunn A.G., Essam J.W., Loveluck J.M. Scaling theory for the pair connectedness in percolation models. J.Phys.C: 1975″ v. C8, N 6, p.743−750.
- Левинштейн M.E., Щур M.C., Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. О связи между критическими индексами теории протекания. ЖЭТФ, 1975, т.69, в.1, с.386−392.
- Hill R.M. Hopping conduction in amorphous solids. Phil. Mag., 1971, v.24, N192, p.1307−1325.
- Pollak M., Riess I. A percolation treatment of high-field hopping transport. J.Phys.C: Solid State Phys., 1976, v.9, N 12, p.2339−2352.
- Шкловский Б.И. Прыжковая проводимость полупроводников в сильном электрическом поле. ФШ, 1972, т.6, в.12, с.2335−2340.
- Шкловский Б.И. Неомическая прыжковая проводимость. ФШ, 1976, т.10, в.8, с.1440−1448.
- Aspley N., Hughes H.P. Temperature- and field-dependence of hopping conduction in disordered systems. II. Phil. Mag., 1975, v.31, IT 6, p.1327−1339.
- Bottger H., Bryksin V.V. Effective medium theory for thehopping conductivity in high electrical fields. Phys. stat. Sol. (Ъ), 1979, v.96, N 1, p.219−224.
- Bottger H., Bryksin V.V. Investigation of non-ohmic hopping conduction Ъу methods of percolation theory. Phil.Mag.(B), 1980, V.42, IT 2, p.297−310.
- Lien N.V., Shklovskii B.I. Hopping conduction in strong electric fields and directed percolation. Sol.St.Comm., 1981, v.38, H 2, p.99−1'02.
- Левин Е.И., Нгуен В. Л., Шкловский Б. Й. Прыжковая электропроводность в сильных электрических полях. Численный экспериментна ЭВМ. ФТП, 1982, т.16, в.5, с.815−821.
- Marshall J.M., Miller G.R. Field-dependent carrier transport in non-crystalline semiconductors. Phil.Mag., 1973, v.27, N 5, p.1151−1162.
- Забродский А.Г., Шлимак И. О. Неомическая проводимость по примесям в слабо легированном германии. ФТП, 1977, т. II, в.4, с.736−740.
- Шкловский Б.И. Перколяционная электропроводность в сильных электрических полях. ФТП, 1979, т.13, в.1, с.93−97.57. bong A.R. Frequency-dependent loss in amorphous semiconductors. Adv. Phys., 1982, v.31, И 5, p.553−637.
- Bo’ttger H., Bryksin V.V. Hopping conductivity in ordered and disordered systems (III). Phys.stat. Sol. (b), 1982, v.113,1. N 1, p.9−49″
- Pollak M., Gaballe Т.Н. Low-frequency conductivity due to hopping processes in silicon. Phys.Rev., 1961, v.122, К 6, p.1742−1753.
- Звягин И.П. Частотная зависимость прыжковой проводимости. -Вестник МГУ, сер. физика-астрономия, 1978, т.19, в.3,с.82−85.
- Брыксш В.В., Критическое поведение решетки сопротивленийи кластерный подход к проблеме частотной зависимости проводимости в неупорядоченных системах. ФТТ, 1983, т.25, в.6, с.1780−1788.
- Alexander S., Eernasconi S., Schnieder ?.R., Orbach R.
- Excitation, dynamics in random one-dimensional systems. -Rev.Mod.Phys., 1981, v.53″ p.175−198.
- Скал A.C., Шкловский Б. И. Топология бесконечного кластерав теории протекания и теория прыжковой проводимости. ШП, 1974, т.8, с.1586−1592.
- Винников А.Я., Мешков A.M., Савушкин B.H. Нелинейная.перко-ляционная проводимость поликристаллической структуры. -Письма в ЖТФ, 1980, т.6, в-. 12, с.726−729.
- Винников А.Я., Мешков A.M., Савушкин В. Н. Экспериментальное обнаружение перколяционной электропроводности в сильных электрических полях. ФТТ, 1980, т.22, в. Ю, с.2989−2995.
- Левин Е.И., Шкловский Б. И. Неомическая перколяционная проводимость. Тезисы докладов XI Совещания по теории полупроводников, Ужгород, изд. УжГУ, 1983, с.304−305.
- Сухарев В.Я., Лобашина Н. Е., Саввин H.H., Мясников И. А. 0 механизме электроцроводности полупроводниковых окисных пленок 2h~0 . ЖЖ, 1983, т.57, в.2, с.405−409.
- Сандомирский В.Б., Суханов A.A. Явление электрической неустойчивости (переключения) в стеклообразных полупроводниках.- Зарубежная радиоэлектроника, 1976, т.9, с.68−101.
- Гольдман А.Г., 2Сороленко Б.Н., Степанченко Э. С. Стимуляция проводимости («переключение» и «память») у цинк-сульфидных порошковых полупроводников при 77 К. ДАН СССР, 1970, т.192, Ш 5, C. I0I9-I02I.
- Гольдман Е.И., Дцан А. Г. Тепловой пробой в полупроводниках с межгранульными барьерами. ФТП, 1977, т. II, в.8, с.1620−1622.
- Sinkkonen J. B.c. conductivity of a random barrier network.- Phys.stat.Sol. (Ъ), 1980, v.102, p.621−627.
- Коган Ш. М., Шкловский Б. И. Избыточный низкочастотный шум при прыжковой проводимости. ФТП, 1981, т.15, в.6, с.1049−1061.
- Бэйтмен Р., Эрдейи А. Высшие трансцендентные функции, эллиптические и автоморфные функции Ламе и Матье. М.: Наука, 1967, 299 с.
- Дубров В.Е., Левинштейн М. Е., Щур М.С. Аномалия диэлектрической проницаемости цри переходе металл-диэлектрик. Теорияи моделирование. ЖЭТФ, 1976, т.70, в.5, с.2014−2024.
- Efros A.L., Shklovskii B.I. Critical behaviour of conductivity and dielectric constant near the metal-non-metal transition threshold. Phys.stat.Sol. (Ъ), 1976, v.76, N 2, p.475−485.
- Straley J.P. Critical exponents for the conductivity of a random resistor lattices. Phys.Rev. B, 1976, v.15, N 12, p.5733−5757.
- Straley J.P. Position-space renormalisation method and the exponent theory of random conductors. J.Phys. C: Solid State Phys., 1979, v.12, IT 18, p.3711−3716.
- Винников А.Я., Мешков А. С., Савушкин B.H. Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поливристаллическо-го полупроводника. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, в.10, с.577−580.
- Винников А.Я., Мешков A.M., Савушкин В. Н. Теория частотной дисперсии электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника. Тезисы докладов XI Всесоюзного совещания по теории полупроводников, Ужгород, изд. УжГУ, 1983, с.112−113.
- Sinkkonen J.А.о. properties of a random barrier network. -Phys.stat.Sol. (Ъ), 1981, v.103, N 1, p.231−237.
- Винников А.Я., Мешков A.M., Савушкин B.H. Теория нелинейной перколяционной электропроводности неупорядоченной полупроводниковой системы. Тезисы докладов XX Совещания по теории полупроводников, Новосибирск, изд. НГУ, 1980, ч.1, с.105−106.
- Винников А.Я., Мешков A.M., Савушкин В. Н. Теория нелинейной перколяционной электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника. ФТТ, 1982, т.24, в.5, с.1352−1359.
- Акимов И.А. Исследование природы акцептора энергии в процессе спектральной сенсибилизации. Спектроскопия фотопревращений в молекулах. — В сб. статей, Ленинград, Наука, 1977, с.239−256.
- Inoue E. Dye sensitization problems in the photoconduction of zink oxide. In: Current problems in electrophotography. Berlin — New York, 1972, p.145−162.
- Akimov I.A., Demidov K.B., Ionov L.N., Povkhan T.I. Effectsof spectral and chemical sensitization on semiconductor 'properties of polycrystalline zinc oxide. Phys.stat.Sol. (a), 1975, v.29, N 2, p.359−365.
- Демидов К.Б., Акимов И. А. Энергетический спектр заполненныхлокальных состояний в микрокристаллах окиси цинка электрофотографического слоя. ШШФиК, 1977, т.22, J& I, с.66−67.
- Савушкин В.Н. Механизм переноса носителей заряда в слоях поликристаллической окиси цинка, сенсибилизированной органическими красителями. Автореферат канд.диссерт., Ленинград, 1982, 16 с.