Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
Диссертация
Целью настоящей диссертации является обобщение модели потенциала нулевого радиуса на случай произвольного соотношения между шириной запрещенной зоны Ед, энергией связи уровня? и величи, а ной спин-орбитального расщепления Д валентной зоны. Соотношение между массами легких и тяжелых дырок, в отличие от работы /7/, берётся произвольным. В таком виде модель становится применимой для широкого класса… Читать ещё >
Список литературы
- Н.М.Колчанова, И. Д. Логинова, И. Н. Яссиевич. «Модель глубокого примесного центра в полупроводниках». Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников, ЭЛМ, 4,1, стр. 199−200, Баку, 1982.
- Н.М, Колчанова, И. Д. Логинова, И. Н. Яссиевич. «Волновые функции глубоких h -центров при произвольной величине спин -орбитального расщепления». Тезисы I Всесоюзной конференции по квантовой химии твердого тела, стр. 67. Л., 1982,
- Н.М, КЬлчанова, И, Д, Логинова, Сечение фотоионизацша глубоких h -центров в полупроводниках, XI Всесоюзное совещание по теории полупроводников. Тезисы, стр121−122, Ужгород, 1983,
- А, И, Ансельм, «Введение в теорию полупроводников», Изд,"Наука", М, 1978.
- W.Kohn. Shallow impurity states in silicon and germaniim. Sol, Stat, Phys, 5, 257−261, 1975-- 108 —
- G.KLttel, A.H.Mitchell. The theory of donor and acceptor levels in silicon and germanium. Phys.Rev., 96, 1488−1498, 1954.
- А.Б.Ройцин. Теория глубоких центров в полупроводниках. ФТТ, 8, 3−29, 1974.
- Б.Л.Гельмонт, М. И. Дьяконов. Теория межих акцепторов. ЖЭТФ, 62, 7II-7I3, 1972.
- W.Kohn, I"M.Luttinger. Donor states theory in silicon. Phys.Rev., 98, 915−928, 1955. 10. P.E.Kaus. Theory of interstitial impurity states in semiconductors. Phys.Rev., 109, 1944, 1958.
- Ю.В.Чхартишвшш, Н. М, Схиртладзе. К теории зонных состояний в кремнии. Оптика и Спектроскопия, 30, 107−109, I97I.
- D.R.Penn. Wave-number dependent dielectric function of semiconductors" Phys.Rev., 128, 2093, 1962.
- S.Okuro, M.Azuma. Spatial dielectric function of Ge crystals. J.Phys.Soc.Japan, 20, 1099, 1965.
- A.Glodeanu. Helium like impurities in semiconductors. Phys.St.Sol., 19, K47, 196?.
- W.G.Dunlap. Properties of zinc-, copper- and platinum- -doped germanium. Phys.Rev., 96, 40−41, 1954.
- В.Ф.Мастеров, Н. П. Ильин. «Электронная структура глубоких центров в арсениде галлия, легированном переходными элементами группы железа». ФТП, II, i? 8, I470-I477.
- В.Ф.Мастеров, Н. П. Ильин. «Электронное состояние нейтральных вакансий в арсениде и фосфиде галлия», Ф Ш, 10, В 5, 83&-840, 1976.
- В.Ф.Шстеров, Л. К. Ермаков. «Определение сечения фотоионизации глубокого центра численным методом в базисе ЛКАО», Ф Ш, 16, в, 1, 22−26, 1982.
- А.Э.Васильев, Н. П, Ильин, В. Ф. Шстеров. «О распределении спиновой плотности в полупроводниках Ajj-j-By., легированных переходными элементами группы железа». ФТП, № 6, I097-I099, 1982.
- S, T, Pantelides, J. Bemholc, N.O.Lipari. Proc. of the 15th Int. Conf" on the Physics of Semiconductors, p.235, Kyoto, 1980.
- S.Lonaliche, A. Nonailhot, C.Guillot. Optical ionization cross section of the traps created in 1 MeV electron irradiated H-type Ga^_^l^As. Physice, 116B, 474−478, 1983-
- Я.С.Штроницкий, Я. А. Рознерица, А, Г, Чебан, «Сечение фотоионизации глубоких центров в компенсированных полупроводниках», ФТП, 7, ЗОФ-307, 1973. .
- В.Д.Продан, Я. А. Рознерица. «Двухфотонные межзонные оптические переходы в полупроводниках с участием примесных — Ill -%»" центров' ФТП, 9, I48-I5I, 1975.
- Г. А.Бир, Г. Е. Пикус. «Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках».. Изд."Баука", Bi, 1972.
- Ч.Киттель. Введение в физику твердого тела. Изд."Наука", М., 1978.
- J.M.Luttinger, W.Kohn. The electrons and holes motion in perturbed periodic fields. Phys.Rev., 97, 869−894, 1955.
- М.И.Дьяконов, В. И. Перель. «О спиновой ориентации электронов при межзонном поглощении света в полупроводниках». ЖЭТФ, т.60, вып.5, № I954-I965, I97I.
- E.O.Kane. Band structure of indium antimonide* Joum. Ph, Chem, Sol., 1, 249−258, 1956.
- E.O.Kane. Energy band structure in p-type germanium and silicon. J.Phys.Chem.Sol., 1, 82−99, 1956.
- Д.А.Варшалович, A.H.Москалев, В. К. Херсонский, «D -функции Вигнера». ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Л.
- В.И.Перель, И. Н. Яссиевич. «Мэдель цримесного центра в двухзоняом приближении». Штериалы 10 зимней школы по физике полутхроводников, • стр.4−25, Л., 1982.
- Б.П.Захарченя, Д. Н. Шрлин, В. И. Перель, И. И. Решица. — 112 -«Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках», УФП, 136, ВШ1,3, стр, 459−500, 1982.
- Л, Д. Ландау, Е. М, Лиф11шц. «Квантовая механика». Изд,"Наука", 3, М, 1974,
- Г. И.Баранский, В. П. Клочков, И. В, Потыкевич. «Полупроводниковая электроника», Изд."Наукова думка", Киев, стр.340−344, 1976,
- M.S.Skolnic, A. K, Jain, R. A, Stradling, J, Lectin, J#S.Qusset, S, Ackenasy. An investigation of the anisotropy of the valence band of GaAs by cyclotron resonance. J. Phys, 0.9, 2809−2831, 1976.
- F.O.Lipary, A.Baldereschi. Direct excition spectrum in diamond and zine-blende semiconductors. Phys.Rev.Lett., 25, 373−376, 1970.
- R.A.Chapman, W.G.Hutchinson. Photoionization of neutral manganese acceptors in gallium arsenide. Phys.Rev.Lett., 18, 443, 1967.
- К.Д.Глиячук, А. Д. Денисова, Н, М, Литовченко, Фотопроводимость кремния с примесью Аи и Zn. Укр, физ. журнал, т. XI, В 12, стр.1324-I33I, 1966.
- СС.Хлудков, О. П. Толбанов, В. Г, Лахтикова, Радиотехника и электроника, 18, 1893−1896, 1973,
- I.S.Blakemore, C.E.Sarver. Photoconductivity assotiated with Indium acceptors in silicon. Phys.Rev., 173, 767−774, 1978.
- А.МИЛНС. «Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках». — из -Изд."Шр", М., 1977.
- R.A.Messenger, J.S.Blakemore. Photoabsorption cross section for silicon doped with, indium. Phys.Rev., B.4f 1873−1876, 1971.
- H.G.Griimneiss, L, A"Lebedo. Photoionization of deep impurity levels in semiconductors with non-parabolic bands, J. Phys, C, 8, 2615−2626, 1975.
- В.П.Щуман. Спектральная зависимость коэффициентов поглощения в Si Au. ФТП, 6, 940−943, 1972.
- В.С.Постников, В. И, Кириллов, Ю. А. Капустин, А. Аммер, Ю. И. Козлов. «Внутреннее трение в S i, связанное с золотом. ФТО?, т.20, в. П, 3509−35II, 1978.
- В.С.Постников, В. И. Кириллов, Ю. А. Капустин, Н. И. Прибылов, Ю. И. Козлов, В. В. Минеев. О форме полос примесного оптического поглощения Si
и характере связи переходных атомов с решеткой полупроводников. ФТП, 14, 2265−2267, 1980 - Э.Э.Годик, Автореферат докторской диссертации, М., Шд т СССР, М.,.1980.