Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия

Диссертация: Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная новизна. Впервые исследовано влияние температуры выдержки в водороде слоев 2пО/А12Оз, полученных методом химического переноса в замкнутом реакторе, на интенсивность зеленой люминесценции. Экспериментально обнаружено, что растворение водорода в ZnO при температурах выше 600 К необратимо и термообработкой в водороде можно существенно изменять электрические и люминесцентные свойства слоев… Читать ещё >

Зависимость электрических и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев оксида цинка от условий осаждения и уровня легирования атомами галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Общая характеристика оксида цинка
      • 1. 1. 1. Структурные особенности ЪпО
      • 1. 1. 2. Физико-химические свойства оксида цинка
      • 1. 1. 3. Методы получения пленок ЪпО
        • 1. 1. 3. 1. Магнетронное распыление
        • 1. 1. 3. 2. Методы кристаллизации из газовой фазы
      • 1. 1. 4. Зонная структура оксида цинка
      • 1. 1. 5. Собственные точечные дефекты в оксиде цинка
      • 1. 1. 6. Влияние примесей на электрофизические свойства ЪпО
        • 1. 1. 6. 1. Влияние водорода на физические свойства ZnO
        • 1. 1. 6. 2. Получение легированных пленок ZnO л-типа
        • 1. 1. 6. 3. Получение легированных пленок ZnO р- типа
    • 1. 2. Люминесцентные свойства оксида цинка
      • 1. 2. 1. Краевая люминесценция в монокристаллах и слоях ХпО
      • 1. 2. 2. Люминесценция ZnO, связанная с собственными дефектами кристаличской решетки
      • 1. 2. 3. Влияние легирования на люминесцентные свойства слоев ZnO
      • 1. 2. 4. Влияние отжига на люминесцентные свойства ХпО
      • 1. 2. 5. Сравнение фото-и катодолюминесценции
      • 1. 2. 6. Применение оксида цинка
    • 1. 3. Выводы
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Экспериментальная установка для выращивания эпитаксиальных пленок оксида цинка методом химических транспортных реакций
    • 2. 2. Подготовка подложек различной природы к нанесению пленок ZnO
    • 2. 3. Определения совершенства структуры и ориентации слоев ZnO
    • 2. 4. Методика измерения электрических параметров пленок ZnO
    • 2. 5. Методика исследования люминесцентных свойств слоев ZnO
      • 2. 5. 1. Методика исследования катодолюминесценции
      • 2. 5. 2. Методика измерения спектров фотолюминесценции
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ РОСТА И ТЕРМООБРАБОТОК НА КРИСТАЛЛИЧЕСКУЮ СТРУКТУРУ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА
    • 3. 1. Влияние условий осаждения на кристаллическую структуру, электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO
      • 3. 1. 1. Определение температурной области ориентированного роста слоев ZnO на подложках сапфира А120з
      • 3. 1. 2. Изучение температурных зависимостей электрических параметров
      • 3. 1. 3. Зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев
  • ZnO от условий осаждения
    • 3. 2. Зависимость электрических и люминесцентных свойств нелегированных слоев ZnO от термообработки в водороде.'
    • 3. 3. Выводы
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ АТОМАМИ ГАЛЛИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СЛОЕВ ОКСИДА ЦИНКА
    • 4. 1. Исследование удельного сопротивления и спектров катодолюминесценции пленок ZnO, легированных галлием
    • 4. 2. Спектры фотолюминесценции слоев ZnO: Ga/(0001)Al
    • 4. 3. Сравнение спектров люминесценции при разных способах Возбуждения
    • 4. 4. Выводы

Диссертационная работа посвящена изучению влияния условий осаждения на структурное совершенство, электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка, получаемых методом химического переноса в атмосфере водорода, установлению оптимальных условий осаждения слоев на ориентирующие подложки АЬОз. Рассматривается влияние уровня легирования атомами галлия в процессе осаждения пленок и условий последующих термовоздействий на люминесцентные свойства пленок, представляющих большой интерес при создания элементов оптоэлектроники для видимой и ультрафиолетовой области спектра.

Актуальность темы

диссертации. Оксид цинка — многофункциональное полупроводниковое соединение с широкой запрещенной зоной (3,37 эВ), л большой энергией связи экситона (60×10' эВ) при комнатной температуре.

Благодаря интенсивной излучательной рекомбинации экситона ZnO считается перспективным материал для создания лазеров и светодиодов в ультрафиолетовой области спектра [1,2].

Одним из преимуществ ZnO перед другим широкозонным полупроводником Оа1Чего физическим аналогом, широко используемым сегодня на практике для производства синих и ультрафиолетовых источников света, является простота его получения: выращивать высокосовершенные пленки ZnO гораздо легче, чем пленки Оа>1, поэтому ожидается, что производство приборов на основе ZnO будет обходиться гораздо дешевле чем на основе Оа1Ч. Этот экономический фактор является одним из основных причин повышенного интереса к оксиду цинка сегодня. Кроме того, выращенные пленки и кристаллы 2пО имеют по сравнению с GaN существенно меньшую концентрацию собственных дефектов и дислокаций, которые, как правило, являются центрами безызлучательной рекомбинации.

Оксид цинка нашел применение в устройствах на поверхностно-акустических волнах [3], в солнечных батареях [4], газочувствительных датчиках [5], в устройствах отображения информации, а также в пьезоэлектрических преобразователях [6].

В кристаллах и пленках ZnO наблюдается также видимая люминесценция в зеленой (Ятах = 500 — 530 нм) и желто-оранжевой (Дпах= 590 — 620 нм) областях спектра, поэтому он рассматривается как материал, перспективный для создания сцинтилляторов для регистрации не только нейтронов и ачастиц, но и рентгеновского и уизлучений. Оксид цинка обладает высокой радиационной стойкостью по сравнению с другими полупроводниковыми материалами (арсенид и нитрид галлия, карбид кремния, кремний), поэтому он может работать в открытом космосе и в ядерных реакторах. Кроме того, ЪпО податлив к химическому травлению, безвреден и относительно недорог, что делает его привлекательным среди материалов элементной базы оптоэлектроники.

Перспективы практического применения оксида цинка в качестве базового материала для создания источников света на видимый и ультрафиолетовый (УФ) диапазоны спектра стимулируют работы по совершенствованию технологии получения и исследованию его электрических и оптических свойств.

Пленки оксида цинка получают различными методами: молекулярно-лучевой эпитаксией, электронно-лучевым испарением, магнетронным распылением, методами газотранспортных реакций, импульсным лазерным напылением и др. Среди перечисленных методов технология химических транспортных реакций (ХТР) представляет собой относительно простой, технологичный и контролируемый метод, позволяющий получать совершенные по структуре слои оксида цинка с относительно большой скоростью. Он заключается в использовании гетерогенных равновесий между твердым (или жидким) веществом и газом: осаждаемое вещество, взаимодействуя в зоне источника с другим веществом, превращается в газообразные соединения, которые переносятся в зону с иной температурой и соединяются в исходное вещество по обратной реакции. Участие химической реакции резко улучшает режим кристаллизации, так как отпадает требование достаточно высокой упругости пара кристаллизуемого вещества, благодаря обратимости химической реакции процесс синтеза протекает вблизи равновесия, т. е. при малых пересыщениях и химическая реакция способствует стехиометрическому соотношению компонентов. Благодаря отмеченным особенностям методы кристаллизации с участием химической реакции оказались весьма эффективными для получения качественных кристаллов и слоев и быстро завоевали «технологический рынок».

Для создания стабильных и надежных оптоэлектронных устройств необходимы эпитаксиальные пленки высокого качества с максимальной фотолюминесценцией (ФЛ), минимальным удельным сопротивлением, минимальной шероховатостью поверхности, высоким кристаллическим совершенством, достаточной концентрацией и подвижностью носителей заряда. С целью получения эпитаксиальных слоев ТпО со свойствами, близкими к указанным, нами был выбран метод химического транспорта материала в атмосфере водорода в замкнутом вертикальном реакторе среднего давления (1,5 — 2) х105 Па [7], который позволял управлять процессом роста пленок, контролировать режимы осаждения слоев с заданными электрическими параметрами (р = 10″ 2 -10 ОмхСм, п = 1016 — 1018 см" 3, ц = 40 -140 см2/(Вхс)) изменяя в системе давление рабочего газа, температуры зоны источника и подложки, перепад температуры между зонами реакции, разбавляя водород инертным газом или парами воды. Так как свойства слоев оксида цинка в значительной степени зависят от технологических условий роста и послеростовой обработки, примесного состава и состояния поверхности [8], то представлялись актуальными исследования, посвященные изучению влияния условий осаждения, последующих термовоздействий в различных средах, природы и состава собственных и примесных дефектов на электрические и оптические свойства материала.

Целью диссертационной работы являлось установление оптимальных технологических условий осаждения эпитаксиальных пленок ЪпО, получаемых методом химического транспорта в замкнутом реакторе в атмосфере водорода при давлении (1,5 — 2) х105 Па [7], изучение влияния термообработки в разных средах и уровня легирования атомами галлия на электрические и люминесцентные свойства слоев для выяснения возможности применения их при создании светоизлучающих устройств видимого и ближнего ультрафиолетового диапазонов спектра.

Для достижения намеченных целей были поставлены следующие задачи:

1. Изучение зависимости структурного совершенства и электрических параметров слоев ZnO, получаемых химическим транспортом в водороде, от технологических параметров роста. Установление температурной области ориентированного роста пленок, характера зависимости температурных пределов ориентированного роста от давления рабочего газа в системе и температуры источника.

2. Определение оптимальных технологических условий осаждения, обеспечивающих достаточное структурное совершенство слоев и максимальную дрейфовую подвижность носителей заряда в них.

3. Исследование температурных зависимостей концентрации и подвижности электронов в слоях оксида цинка для оценки энергии ионизации доноров, установления предпологаемого механизма рассеяния носителей заряда в пленках и природы рассеивающих центров.

4. Исследовать зависимости интенсивности полос люминесценции нелегированных слоев ZnO от давления водорода в системе и температур зон тигля и подложки, сравнение их с соответствующими зависимостями электрических параметров.

5. Изучение влияния послеростовой термообработки в атмосфере водорода на люминесцентные свойства слоев ZnO.

6. Изучение влияния концентрации примесных атомов галлия, вводимых в дозированном количестве в исходный материал, на структурное совершенство, электрические и люминесцентные свойства слоев 7пО/А12Оз для оптимизации их параметров.

7. Влияние различных способов возбуждения на спектры люминесценции слоев гпСШа /(0001)А1203.

Научная новизна. Впервые исследовано влияние температуры выдержки в водороде слоев 2пО/А12Оз, полученных методом химического переноса в замкнутом реакторе, на интенсивность зеленой люминесценции. Экспериментально обнаружено, что растворение водорода в ZnO при температурах выше 600 К необратимо и термообработкой в водороде можно существенно изменять электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO. Впервые систематически исследована зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев ZnO, осаждаемых методом ХТР на плоскости (0001) сапфира (А1203), от уровня легирования атомами галлия. Установлено, что легирование галлием способствует активации краевой полосы катодолюминесценции и тушению видимого свечения, что связывается с изменением концентрации собственных и примесных дефектов в оксиде цинка. Проведено сравнение спектров люминесценции при различных способах возбуждения: пучком электронов, излучением ксеноновой лампы и азотного лазера.

Научная и практическая значимость работы. Результаты работы будут способствовать уяснению природы центров, ответственных за видимую и ультрафиолетовую (УФ) люминесценцию в ZnO, и механизмов электронно-дырочных переходов в этом материале. Практическая значимость работы заключается в реализации оптимальных режимов метода химического переноса для получения эпитаксиальных пленок ZnO я-типа проводимости с воспроизводимыми электрофизическими и оптическими характеристиками для выяснения возможности применения таких слоев при создании электрои катодолюминесцентных, экранов, детекторов ионизирующего излучения, источников видимого и ультрафиолетового света.

Методы исследования, использованные в работе:

• Для осаждения эпитаксиальных пленок ZnO на ориентирующих подложках сапфира А1203 использовался метод химических транспортных реакций в замкнутой системе.

• Ориентация подложек определялась рентгеновским или оптическим способами. Структурное совершенство слоев ZnO и подложек AI2O3 конторлировалось электронографическим методом (с помощью горизонтального электронографа), а оптическая однородность (гладкость) поверхности — металлографическим методом с помощью МИИ-4 и МИМ-8М.

• Морфология поверхности слоев исследовалась в сканирующем электронном микроскопе ASPEXPSEM express.

• Электрические параметры пленок определялись измерением электропроводности и эффекта Холла. ЭДС измерялась компенсационным методом с помощью потенциометра Р363−2.

•Спектры люминесценции снимались с помощью оптоэлектронного спектрофотометрического комплекса на основе дифракционной решетки и CCD детектора.

Положения, выносимые на защиту: 1. Степень влияния послеростовой термообработки в водороде на свойства слоев Zn0/Al203, полученных методом ХТР, определяется температурным диапазоном (Т0), в частности: а) при Т0 < 600 К наблюдается рост электропроводности, обусловленной адсорбцией водорода на поверхность ZnO, и образованием донорных комплексов (0-Н) б) при 600 < Т0< 820 К интенсивность полосы люминесценции с Xm ~ 510 нм уменьшается, что связано с диффузией водорода в объем ZnO и образованием центров {H-V0) безызлучательной рекомбинациив) при 820 < То< 980 К наблюдается рост интенсивности полосы люминесценции с Xm ~ 510 нм, обусловленной выделением (диффузией) кислорода из объема ZnO и увеличением концентрации центров излучательной рекомбинации ?0+.

2. Легирование слоев гп0/А1203, получаемых методом ХТР, атомами галлия (до 1 ат. % ва) приводит к уменьшению удельного сопротивления ZnO на два порядка, что обусловлено образованием дополнительных донорных центров Оа2п.

Термообработка слоев 2пО: Оа/А12Оз в водороде (р = 1,5×10 Па, Т = 550 °C, I =10 мин.) приводит к дальнейшему уменьшению удельного сопротивления на один порядок.

3. Легирования слоев 2пО/А12Оз атомами галлия способствует активации ультрафиолетовой люминесценции и гашению интенсивности видимого (Хт ~ 510 нм) излучения, что обусловлено увеличением концентрации экситонов, связанных на мелких нейтральных донорах.

Апробация результатов работы. Материалы диссертационной работы докладывались на следующих конференциях: II Всероссийская научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии новая энергетика» (Томск, 2009) — XVI Международная научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии новая энергетика». (Томск, 2010) — Международная заочная научно-практическая конференция «Физико-математические науки и информационные технологии: проблемы и тенденции развития" — VII Всероссиийская конференция «Физическая электроника». Махачкала. 2012.

Достоверность полученных и представленных в диссертации результатов подтверждается использованием апробированных и обоснованных физических методик, работоспособностью созданных установок, а также общим согласованием с результатами других исследователей. Анализ экспериментальных данных проведен с соблюдением критериев достоверности статистических испытаний и физических измерений.

Личный вклад автора.

Вертикальный вариант установки по осаждению пленок оксида цинка методом химических транспортных реакций модернизирован и усовершенствован совместно с соавторами опубликованных работ при непосредственном участии соискателя. Высококачественные эпитаксиальные тонкие пленки ZnO птипа получены автором лично. Им лично проведены все процессы связанные с легированием пленок и последующей темообработкой их в соответствующих средах. Исследования характеристик пленок и люминесцентных свойств проведены совместно с соавторами. Постановка задач исследований, определение методов, их решения и интерпретация результатов выполнены под руководством доктора физико-математических наук, профессора Рабаданов М. X.

Публикации. Основное содержание диссертационной работы отражено в 11 научных работах, в числе которых 4 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК для публикации основных результатов диссертации.

Структура и объём диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав и заключения. Материал работы изложен на 153 страницах, включающих 49 иллюстрации, 9 таблиц. Список цитируемой литературы содержит 212 наименований.

Основные результаты, полученные в ходе выполнения диссертационной работы:

1. Изучено влияние условий осаждения на кристаллическую структуру, электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO, получаемых методом ХТР в замкнутом реакторе при давлениях рабочего газа (водорода) (1,5 — 2) xl О5 Па. Установлены температурные пределы эпитаксиального роста на ориентирующих плоскостях А12Оз и оптимальные технологические параметры осаждения наиболее совершенных по электрическим и оптическим свойствам слоев.

2. Исследованием температурных зависимостей концентрации и подвижности электронов в слоях Zn0/Al203 установлено, что концентрация носителей заряда в слоях достигает насыщения при температурах выше 500 К. Для объяснения температурной зависимости подвижности электронов (// ~ Т", где, а =0,2 — 0,8 при Т < 150 К и 0,5 — 2,3 при Т> 150 К) предполагается параллельное действие нескольких механизмов рассеяния электронов, связанных с дефектами разной физико-химической природы. Два линейных участка — низкотемпературный (при Т= 80 150 К) с энергией активации АЕ = 0,012 0,08 эВ и высокотемпературный (при Т = 200 500 К) с энергией активации, А Е = 0,14 0,50 эВ соответствуют энергии ионизации соответственно мелких (, Vod+) и более глубоких (Za7,+/++) доноров.

3. Впервые исследовано влияние температуры термообработки в водороде слоев Z11O/AI2O3, полученных методом ХТР при рНг~ 1,7*105 Па, на интенсивность зеленой люминесценции. Показано, что термообработкой в водороде можно существенно изменять электрические и люминесцентные свойства слоев ZnO.

4. Впервые систематически исследована зависимость электрических и люминесцентных свойств слоев ZnO, осаждаемых методом ХТР в замкнутой системе при рн =1,7×105 Па на плоскости (0001) сапфира (AI2O3), от уровня легирования атомами галлия. Обнаружено, что резкое уменьшение удельного сопротивления от значения р ~1 Омхсм (нелегированный образец) до р ~ 10″ Омхсм при 300 К наблюдается в слоях при умеренном легировании их (до 1 ат. % Ga). Термообработка в водороде при давлении.

1.5хЮ5 Па (550 «€, 10 мин.) приводит к уменьшению удельного сопротивления слоев, легированных до концентрации 3−6 ат.%, еще на порядок величины.

5. Катодолюминесценция нелегированных эпитаксиальных пленок Zn0/(0001)A1203, полученных в оптимальных технологических условиях, характеризуется интенсивным пиком в видимой (зелено-голубой) области спектра (Хт = 508 нм), связанным, по мнению большинства авторов, с вакансиями кислорода в кристаллической решетке ZnO, и пренебрежимо слабой люминесценцией в ультрафиолетовой области. УФ полоса слабой интенсивности с двумя максимумами 375 и 384 нм, которая обнаруживается в нелегированных образцах при 80 К приписываются первому и второму фононному повторениям свободного Al-LO-экситона. Увеличение интенсивности УФ полосы с легированием можно объяснить ростом концентрации экситонов, связанных с донорными атомами галлия (D°X).

6. Обнаружено, что образцах, легированных галлием до 6 ат. %, наблюдаются узкая (АХ = 21 нм (АЕ = 177х.

10° эВ)) полоса краевой фиолетовой) (Хт = 397 нм (Ет = 3,13 эВ)) катодолюминесценции при комнатной температуре и почти полностью подавлена видимая полоса, что свидетельствует о резком уменьшении концентрации вакансий кислорода в объеме. Легирование галлием приводит к переключению интенсивности катодолюминесценции с зелено-голубой области на фиолетовую. При этом интенсивность зеленой полосы в максимуме уменьшается при 300 К более 70 раз, а при азотных температурах — более 180 раз. При охлаждении легированного образца до 80 краевой максимум смещается в УФобласть (Хт = 378 нм (Ет = 3,28 эВ)) и сужается до (АХ =18 нм (АЕ = 150х Ю" 3 эВ).

7. Спектр фотолюминесценции (возбуждение монохроматическим (X = 295 нм) излучением ксеноновой лампы) нелегированного слоя ZnO/АЬОз характеризуется относительно интенсивной и широкой полосой свечения в зелено-голубой области (Лт = 493 нм) и слабой люминесценцией в ультрафиолетовой области (Хт = 375 нм) при комнатной температуре. Максимум видимой полосы ФЛ (493 нм, 2,51 эВ) при 300 К смещен в синюю область по отношению к максимуму КЛ (508 нм, 2,44 эВ) на 70×10″ 3 эВ, что можно связать с разными условиями для формирования центров свечения на поверхности (ФЛ) и в объеме (КЛ) слоя. Изменения интенсивности свечения нелегированного слоя при охлаждении от 300 до 80 К в случае возбуждения фотонами (ФЛ) значительно больше (зеленой — 15 раз, УФ -155 раз) по сравнению с изменениями их при возбуждении электронами (КЛ) (около двух раз), что можно объяснить тем, что концентрация дефектов, образующих глубокие уровни и ответственных за температурное тушение люминесценции, на поверхности слоя больше, чем в объеме.

8. Спектра ФЛ при возбуждении нелегированного слоя Zn0/Al203 излучением лазера отличается от спектров при возбуждении другими источниками противоположным распределением интенсивности между видимой и УФполосами, которое можно объяснить насыщением рекомбинационных каналов через глубокие центры из-за высокого уровня возбуждения и увеличением, внутреннего квантового выхода riin для краевой люминесценции.

9. С ростом концентрации атомов галлия в слоях Zn0: Ga/Al203, осаждаемых методом ХТР в замкнутой системе, происходят следующие изменения в спектрах люминесценции:

• интенсивность зеленой полосы люминесценции уменьшается, а ултрафиолетовой — растет;

• происходит смещение максимумов полос видимой и УФ — полос в длинноволновую сторону и рост их полуширины.

Таким образом, в ходе выполнения данной диссертационной работы показано, что изменением технологических условий осаждения слоев ZnO, условий их последующих термообработок и уровня легирования атомами Ga, можно управлять их электрическими и люминесцентными свойствами. На основе пленочных структур ZnO/диэлектрик можно создавать детекторы водорода и других электроактивных газов, источники света в зелено-голубой и ультрафиолетовой областях спектра.

Публикации автора по теме диссертации.

Статьи в научных изданиях, рекомендованных ВАК РФ.

1. Аль-Обайди, Н.Дж. Катодолюминестенция эпитаксиальных пленок ZnO, полученных методом химического транспорта / Н.Дж. Аль-Обайди, P.A. Рабаданов, И. Ш. Алиев, A.M. Исмаилов, K.M. Гираев // Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. — 2012. — № 6. — С.54—57.

2. Аль-Обайди, Н.Дж. Люминесценция эпитаксиальных слоев ZnO: Ga / Н.Дж. Аль-Обайди // Известия ДГПУ. Естественные и точные науки, — 2012. — № 2(19). — С.5—9.

3. Рабаданов, М. Х. Влияние водорода на электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка / М. Х. Рабаданов, Н.Дж. Аль-Обайди, И. Ш. Алиев, A.M. Исмаилов//Естеств. и техн. науки.-М.: изд." Спутник+". — 2012. —№ 2(58). — С.52—55.

4. Аль-Обайди, Н.Дж. Влияние условий синтеза на электрические и люминесцентные свойства слоев оксида цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, P.A. Рабаданов, И. Ш. Алиев, A.M. Исмаилов // Вестник ДГУ, Естественные науки. — 2012,-Вып. 1.-С.22−27.

Публикации в других изданиях.

5. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость совершенство структуры оксида цинка от условий его синтеза / Н.Дж. Аль-Обайди, P.A. Рабаданов // II Всероссийская научно-практическая конференция «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика». — Томск: Томский полетехнический университет. —2009. — С.225−227.

6. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость интенсивности катодо-люминесценции оксида цинка от ускоряющего напряжения / Н.Дж. Аль-Обайди, С. А. Алтухели // Труды молодых ученых.— Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2010. — С.33—35.

7. Алтухели С. А. Зависимость проводимости пленок оксида цинка от условий получения методом ионного распыления / С. А. Алтухели, Н.Дж. Аль-Обайди // Труды молодых ученых.— Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2010. — С.35—38.

8. Аль-Обайди, Н.Дж. Зависимость интенсивности катодолюминесценции монокристаллического оксида цинка от энергии и плотности электронного пучка / Н.Дж. Аль-Обайди, И. М. Шапиев // Сборник трудов XVI Международной научно-практической конференции «Наноматериалы, нанотехнологии, новая энергетика».— Томск. — 2010. — С.301—302.

9. Аль-Обайди, Н. Дж. Влияние условий осождения на структуру и электрические свойства пленок оксида цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, P.A. Рабаданов, И. Ш. Алиев, A.M. Исмаилов // Материалы международной заочной научно-практической конференции «Физико-математические науки и информационные технологии: проблемы и тенденции развития».— Новосибирск-2012. С.137—142.

10. Аль-Обайди, Н.Дж. Активация собственной полосы фотолюминесценции в оксиде цинка / Н.Дж. Аль-Обайди, М. Х. Рабаданов, И. Ш. Алиев, A.M. Исмаилов // В сб.: Материалы VII Всероссийской конференции «Физическая электроника».— Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2012. С.295−298.

11. Аль-Обайди, Н. Дж. Электрические и катодолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев ZnO, легированных галлием / Н.Дж. Аль-Обайди, М. Х. Рабаданов, И. Ш. Алиев, A.M. Исмаилов // В сб.: Материалы VII Всероссийской конференции «Физическая электроника».— Махачкала: Дагестанский государственный университет, 2012. — С.299—302.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ryu, Y.R. Optical and structural properties of ZnO films deposited on GaAs by pulsed laser deposition / Y.R. Ryu, S. Zhu, Y.D. Budai, H.R. Chandrasekhar, P.F. Miceli, H.W. White // J. Appl. Phys. -2000. V.88. — P. 201- 204.
  2. Leiter, F. Magnetic resonance experiments on the green emission in undoped ZnO crystals / F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, A. Hofstaetter, D.M. Hofmann, B.K. Meyer. / Physica B. -2001. V.908. P. 308−310.
  3. , В. И. Анализ газов и индуцируемых ими поверхностных процессов с помощью поверхностных акустических волн / В. И. Анисимкин, И. М. Котелянский, Э. Верона // ЖТФ. 1998. — № 2. — Т. 68. — С. 73−81.
  4. Calnan, J. High deposition rate aluminium-doped zinc oxide films with highly efficient light trapping for silicon thin films solar cells / J. Calnan, B. Hiipkes, H. Rech, Siekmann and A.N. Tiwari // Thin Solid Films. -2008. -V.516 (6). -P. 1242−1248.
  5. Ma, Y. Study on sensitivity of nanograin ZnO gas sensors / Y. Ma, W.L. Wang, K. J. Liao, C.Y. Kong // Journal of Wide Bandgap Materials. 2002. -V.10 (2).-P.l 13−120.
  6. De Sousa, V. C. Electrical properties of ZnO-based varistors prepared by combustion synthesis / V. C. De Sousa, M. R. Morelli, G. A. Kiminami, M. S. Castro // Joyrnal of materials science: Materials in electronics.- 2002. V. 13. — P. 319−325.
  7. , С. А. Способ получения монокристаллических слоев / С. А. Семилетов, Р. А. Рабаданов // Авт. свид. 334 922 (СССР). Заявл. 23. 07. 70.
  8. , И. П. Окись цинка. Получение и оптические свойства / И. П. Кузьмина, В. А. Никитенко. М.: Наука, 1984. — 167 с.
  9. , М.П. Кристаллофизика / М. П. Шаскольская. М.: Высш. шк. 1976.-С. 164−167.
  10. , Ч. Введение в физику твердого тела / Ч. Киттель. М.: 1978. -790 с.
  11. , А. Химия твердого тела. Теория и приложения. 4.2. / А. Вест- под ред. акад. Ю. Д. Третьякова. М.: Мир, 1988. -336 с.
  12. Diebold, U. Oxide Surface Science / U. Diebold, Li. Shao-Chun, and Schmid, M. //Annu.Rev. inPhys. Chem.-2010.-V.61.-P. 131−148.
  13. Нерои Сабо, H. Неорганическая кристаллохимия / Н. Нерои Сабо. -Будапешт: АН Венгрии. 1969. С. 259−274.
  14. Steiner. Т. Semiconductor nanostructures for optoelectric applications / Т. Steiner. Artech House, 2004. Chapter 6. — P. 187−228
  15. Kohan, A. F. First-principles study of native point defects in ZnO Ceder / A. F. Kohan, G. D. Morgan, C. G. Van de Walle // Phys. Rev. B. 2000. — V. 61(22). — P. 15 019−15 027
  16. Look, D. C. Residual native shallow donor in ZnO / D. C. Look, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove // Phys. Rev. Lett. -1998. V. 82. — P. 2552−2555.
  17. Look, D. C. Electrical properties of bulk ZnO / D. C. Look, D. C. Reynolds, J. R. Sizelove, R. L. Jones, C. W. Litton, G. Cantwell and W. C. Harsch // Solid State Comm. -1998. -V. 105(6). P. 39901
  18. Zhang, S. B. Intrinsic n-type versus p-type doping asymmetry and the defect of ZnO / S. B. Zhang, S.-H. Wei, A. Zunger // Phys. Rev. B. -2001. V. 63(7). -P. (7)075205.
  19. Van de Walle, C. G. Hydrogen as a cause of doping in zinc oxide / C. G. Van de Walle // Phys. Rev. Lett. 2000. -V. 85. — P. 1012−1015.
  20. Hofmann, D. M. Hydrogen: a relevant shallow donor in zinc oxide / D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, В. K. Meyer, S. B.
  21. Orlinskii, J. Schmidt, P. G. Baranov // Phys. Rev. Lett. -2002. -V. 88(4). P. (4)045504.
  22. Cluskey, M. D. Mc. Infrared spectroscopy of hydrogen in ZnO / M. D. Mc. Cluskey, S. J. Jokela, К. K. Zhuravlev, P. J. Simpson, K. G. Lynn // Appl. Phys. Lett. -2002. -V. 81. -P. 3807−3809.
  23. Garces N. Y. Production of nitrogen acceptors in ZnO by thermal annealing / N. Y. Garces, N. C. Giles, L. E. Halliburton, G. Cantwell, D. B. Eason, D. C. Reynolds, D. C. Look // Appl. Phys. Lett. -2002. -V. 80. -P. 1334−1336.
  24. Look, D. C. The path to ZnO devices: donor and acceptor dynamics / D. С Look, R. L. Jones, J. R. Sizelove, N. Y. Garces, N. C. Giles, and L. E. Halliburton //Phys. Stat. Solidi (a). -2004.-V. 195.-P. 171−177.
  25. Madelung, O. Semiconductors: Intrinsic Properties of Group IV Elements and III-V, II-VI and I-VII Compounds, Semimagnetic Semiconductors, edited by/ O. Madelung, Landolt-Bornstein. Berlin: Springer, 1986. — V. 22. — 485 p.
  26. Park, Y. S. Exciton spectrum of ZnO / Y. S. Park,, C. W. Litton, Т. C. Collins, and D. C. Reynolds // Phys. Rev. -1966. -V. 143. P. 512−519.
  27. , Ф.А. Химия несовершенных кристаллов. Ф. А. Кррёгер. М.: Мир, 1969.-654 с.
  28. Sui, С. High-temperature-dependent optical properties of ZnO film on sapphire substrate / C. Sui, N. Chen, X. Xu, G. Wei, P. Cai, H. Zhou // Thin Solid Films. 2008. -V.516(6). -P.l 137−1141.
  29. , И. Дж. Мерей. Физические основы микротехнологии / И. Броудай. М.: Мир, 1985. — 560 с.
  30. , И. П. Эпитаксиальные пленки А2В6 / И. П. Калинкин, В. Б. Алесковский, А. В. Симашкович. Ленинград: Издательство Ленинградского Университета, 1978. — 480 с.
  31. , А.Х. Осаждение совершенных эпитаксиальных слоев оксида цинка на сапфире / Абдуев А. Х., Атаев Б. М., Багамадова A.M. // Неорган, материалы, Изд. АН СССР. 1987. — № 11. — С. 1928 -1930.
  32. , Р.А. Структура и свойства монокристаллических слоев окиси цинка / Р. А. Рабаданов, С. А. Семилетов, 3. А. Магомедов // ФТТ. -1979. -Т. 12.-С.1431−1436.
  33. Kobayashi К. Preparation of c-axis oriented ZnO fdms by low-pressure organometallic chemical vapor deposition / K. Kobayashi, T. Matsubara, S. Matsushima, S. Shirakata, S. Isomura and G. Okada // Thin Solid Films. -1995. -V. 266.-P. 106−109.
  34. Hay ami zu, S. Preparation of crystallized zinc oxide films on amorphous glass substrates by pulsed laser deposition / S. Hayamizu, H. Tabata, H. Tanaka, and T. Kawai // J. Appl. Phys. 1996. -V. 80. -P.787−790.
  35. Lu, Y. F. The effects of thermal annealing on ZnO thin fdms grown by pulsed laser deposition / Y. F. Lu, H. Q. Ni, Z. H. Mai, and Z. M. Ren // J. Appl. Phys. -2000.-V. 88.-P. 498−502.
  36. Nakahara, K. Growth of Undoped ZnO Films with Improved Electrical Properties by Radical Source Molecular Beam Epitaxy / K. Nakahara, T. Tanabe,
  37. H. Takasu, P. Fons, К. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, R. Hunger and S. Niki // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. — V. 40. -P. 250−254.
  38. Chen, Y. Plasma assisted molecular beam epitaxy of ZnO on с -plane sapphire: Growth and characterization / Y. Chen, D. M. Bagnall, H.-J. Koh, K.-T. Park, K. Hiraga, Z. Zhu, T. Yao // J. Appl. Phys.- 1998. V. 84(7). — P. 39 123 918.
  39. Studenikin, S. A. Band-edge photoluminescence in polycrystalline ZnO films at 1.7 К / S. A. Studenikin, Michael Cocivera, W Kellner, H Pascher // J. Lumines. 2000. -V. 91(3−4). — P.223−232.
  40. Lubomir Spanhel. Semiconductor clusters in the sol-gel process: quantized aggregation, gelation, and crystal growth in concentrated zinc oxide colloids / Spanhel Lubomir, and Marc A. Anderson // J. Am. Chem. Soc. 1991. — V. 113(8). -P.2826- 2833.
  41. Димова-Алякова Д. А. Электрофизические свойства пленок окиси цинка, полученных окислением слоев цинка и селенида цинка / Д.А. Димова-Алякова, В. А. Малов, В. Д. Дмитриев, М. Н. Черный // Тр. МЭИ. Электроника и радиотехника. 1974. — Вып. 192. — С.78−84.
  42. Cho, S. Photoluminescence and ultraviolet losing of polycrystalline ZnO thin films prepared by the oxidation of the metallic Zn / S. Cho, J. Ma, Y. Kim, Y. Sun, Wong, K. L. George, Ketterson, B. John // Appl. Phys. Lett. 1999. — V. 75. -P. 2761−2763.
  43. Wang, Y. G. Photoluminescence study of ZnO films prepared by thermal oxidation of Zn metallic films in air / Y. G. Wang, S. P. Lau, H. W. Lee, S. F. Yu, В. К. Tay, X. H. Zhang, and H. H. Hng // J. Appl. Phys. 2003. -V. 94. — P. 354−358.
  44. Sigmund, P. Mechanisms and theory of physical sputtering by particle impact / P. Sigmund // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 1987. -V. 27(1). — P. 1−20.
  45. , B.T. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве / B.T. Барченко, Ю. А Быстров., Е. А. Колгин. СПб.: Энергоатомиздат, 2001. — 332 с.
  46. , Е.В. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии / Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. М.: Техносфера, 2010. — 528с.
  47. , В.Е. Наноэлектроника / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, Е. А. Уткина. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. 2009. — 223 с.
  48. , О. Г. Рост и морфология кристаллов / О. Г. Козлова. М.: МГУ, 1972.-357 с.
  49. Scharowsky, Е. Optische und elektrische Eigenschaften von ZnO-Einkristallen mit Zn-iiberschuB / E. Scharowsky // Zeitschrift fur Physik. -1953. -V. 135(3).-P.318−330.
  50. , К. Введение в физику поверхности / К. Оура. М.: Наука, 2006. -490 с.
  51. , В.В. Оптические свойства тонких слоев и наноструктур на основе GaN и ZnO: дис. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10 / Заламай Виктор В. Кишинев, 2006.- 174 с.
  52. Карапетянц, М. Х. Химическая термодинамика / М. Х. Карапетянц. М.: Химия, 1975.-584 с.
  53. , А.А. Современная кристаллография: В.4. Т. З. Образование кристаллов / А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов, Х. С. Багдасаров. М.: Наука, 1980.-408 с.
  54. , С.А. Эпитаксиальные слои ZnO на Ge и GaAs / С. А. Семилетов, Р. А. Рабаданов // Кристаллография. 1972. — Т. 17. — № 2. — С. 334 -335.
  55. Р.А. Получение, реальная структура, некоторые объемные и поверхностные свойства монокристаллического оксида цинка: дис.. док. физ. мат. наук: 01.04.04 / Рабаданов Рабадан Абдулкадырович. Махачкала, 1997.-358 с.
  56. , Ю. Г. Широкозонные полупроводники / Ю. Г. Шредер, Ю. Т. Ребане, В. А. Зыков, В. Г. Сидоров. СПб.: Наука, 2001. — 125 с.
  57. Eriko, О. Growth of the 2-in-size bulk ZnO single crystals by the hydrothermal method / O. Eriko, O. Hiraku, N. Ikuo, M. Katsumi, S. Mitsuru, I. Masumi, F. Tsuguo // J. Crys. Growth. -2004. V. 260. — P. 166 -170.
  58. Pearton, S. J. Recent progress in processing and properties of ZnO / S. J. Pearton, D.P. Norton, K. Ip, Y.W. Heo, T. Steiner // Progress in Materials Science. -2005. -V. 50.-P. 293−340.
  59. Morkos, H. Large-bandgap SiC, III-V nitride, and И-VI ZnSe-based semiconductor device technologies / H. Morkos, S. Strite, G. B. Gao, M. E. Lin, B. Sverdlov, and M. Bums // J. Appl. Phys. -1994. V. 76. — P. 1363−1397.
  60. Pearton, S. J. GaN: Processing, defects, and devices / S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren//J. Appl. Phys.-1999.-V. 86.-P.1−78.
  61. Thomas, DG. The exciton spectrum of zinc oxide / Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1960. -V. 15(1−2). P. 86−96.
  62. Hopfdeld, J. J. Fine structure in the optical absorption edge of anisotropic crystals / J. J. Hopfdeld // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -1960. V. 15(1−2).-P. 97−107.
  63. Park, Y. S. Exciton Spectrum of ZnO / Y. S. Park, C. W. Litton, Т. C. Collins,, and D. C. Reynolds // Phys. Rev. -1966. V. 143(2). — P. 512−519.
  64. Reynolds, D.C. Valence-band ordering in ZnO / D.C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, G. Cantwell, and W. C. Harsch // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60(4). — P. 2340−2344.
  65. Collins, T. C. Properties of ZnO / T. C. Collins, D. C. Reynolds, and D. C. Look//AIP Conf.Proc.-2001.-V. 577.-P. 183−199.
  66. Zamfirescu, M. ZnO as a material mostly adapted for the realization of room-temperature polariton lasers / M. Zamfirescu, A. Kavokin, B. Gill, G. Malpuech, and M. Kaliteevski // Physical Review B. -2002. -V. 65. P. 161−205.
  67. Lagois, J. Depth-dependent eigenenergies and damping of excitonic polaritons near a semiconductor surface / J. Lagois // Phys. Rev. B. -1981. -V. 23(10). P. 5511−5520.
  68. Chichibu, S. f. Polarized photoreflectance spectra of excitonic polaritons in a ZnO single crystal / S. f. Chichibu, T. Sota, G. Cantwell, Eason, D. B., and C. W. Litton,. Polarized //J. Appl. Phys.- 2003. -V. 93(1). P.756−758.
  69. Lannoo M. Point Defects in Semiconductors I / M. Lannoo, J. Bourgoin // Theoretical Aspects, (Springer-Verlag, Berlin).-1981.- Point Defects in Semiconductors II / Experimental Aspects, (Springer-Verlag, Berlin). -1983.
  70. Pandelides, S. T. Deep Centers in Semiconductors / S. T. Pandelides // A State-of-the-Art Approach, 2nd ed. -Gordon and Breach Science Publishers, Yverdon, Switzerland, 1992.
  71. Stavola, M. Identification of Defects in Semiconductors / M. Stavola // Semiconductors and Semimetals. Vol. 5 IB (Academic, San Diego, 1999).
  72. Minami, T. Croup III Impurity Doped Zinc Oxide Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering / T. Minami, H. Sato, H. Nanto, S. Takata // Jpn. J. Appl. Phys. 1985. — V. 24. -Part 2. — P. L781-L784
  73. Janotti, A. Native point defects in ZnO / A. Janotti, G. Chris, Van de Walle // Phys. Rev. B. 2007. -V.76. P. 165−202.
  74. Dingle, R. Luminescent transitions associated with divalent copper mpurities and the green emission from semiconducting Zinc Oxide / R. Dingle // Phys. Rev. Lett.- 1969. V. 23. -P.579−581.
  75. Vanheusden, K. Mechanisms behind green photoluminescence in ZnO phosphor powders / K. Vanheusden, W.L. Warren, C.H. Seager, D.R. Tallant, J.A. Voigt, B.E. Gnade // J. Appl. Phys.-1996. V.79. — P.7983−7990.
  76. Shan, F. K. The role of oxygen vacancies in epitaxial-deposited ZnO thin films / F. K. Shan, G.X. Liu, W. J. Lee, B.C. Shin // J. Appl. Phys. -2007. V.101. No.5 -P. (8)053106.
  77. Reynolds, D.C. Fine structure on the green band in ZnO / D.C. Reynolds, D.C. Look, B. Jogai // J. Appl. Phys. -2001. V.89. -P.6189−6191.
  78. Heo, Y.W. Origin of green luminescence in ZnO thin film grown by molecular-beam epitaxy / Y.W. Heo, D.P. Norton, S.J. Pearton // J. Appl. Phys. -2005. V.98. — No.7 — P.(6)073502.
  79. Chris G. Hydrogen as a Cause of Doping in Zinc Oxide / G. Chris, Van de Walle // Phys. Rev. Lett. -20 005. -V.85. -No.5. -P.1012−1015.
  80. Mollwo E. Die Wirkung von Wasserstoff auf die Leitfahigkeit und Lumineszenz von Zinkoxydkristallen / E. Mollwo // Zeitschrift fur Physik-1954. V.138.-P.47888.
  81. Thomas, D. G. Hydrogen as a donor in zinc oxide / D. G. Thomas, J. J. Lander //J. Chem. Phys. 1956.-V.25.-P.1136−1142.
  82. Thomas, D. G. Interstitial zinc in zinc oxide / D. G. Thomas // J. Phys. Chem. Solids. -1957. -V.3 (3−4). P.229−237.
  83. Reiss, H. Theory of the Ionization of Hydrogen and Lithium in Silicon and Germanium / H. J. Reiss // Chem. Phys. 1956. -V. 25. -P.681−686.
  84. Hutson, A.R. Hall Effect Studies of Doped Zinc Oxide Single Crystals / A.R. Hutson //Phys. Rev.- 1957. V. 108(2). -P.222−230.
  85. Eischens, R.P. The infrared spectrum of hydrogen chemisorbed on zinc oxide / R.P. Eischens, W.A. Pliskin, M.J.D. Low // J. of Catalysis. 1962. -V.l (2). P.180−191.
  86. Idriss, H. Photoluminescence from zinc oxide powder to probe adsorption and reaction of 02, C02, H2, HCOOH, and CH3OH / H. Idriss, M. A. Barteau // J. Phys. Chem. -1992. -V.96. -P.3382−3388.
  87. Волькенштейн, Ф. Ф. Радикалорекомбинационная люминесценция полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн, А. Н. Горбан, В. А. Соколов. М.: Наука, 1976.-С.279.
  88. Lavrov, Е. V. Identification of two hydrogen donors in ZnO / E. V. Lavrov, F. Herklotz, and J. Weber // Phys. Rev. B. -2009. -V.79. P. 165 210.
  89. Janotti, A. Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor / A. Janotti, C. G. Van de Walle // Phys. Rev. B. 2009. -V.72. -P.126 501.
  90. Karazhanov, S. Zh. Hydrogen complexes in Zn deficient ZnO / S. Zh. Karazhanov, E. S. Marstein, and A. Holt //J. Appl. Phys.-2009.-V.105. -P.33 712.
  91. Minegishi, K. Growth of p-type zinc oxide films by chemical vapor deposition / K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga and A. Shimizu // Jpn. J. Appl. Phys.-1997.-V.38.-№ 2.-P. 1453−1456.
  92. Li, X. Chemical vapor deposition-formed p-type ZnO thin films / X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. L Perkins, D. Young, C. DeHart, M. Young, and T. J. Coutts // J. Vac. Sci. Technol. A-2003.-V.21.--P. 1342−1346.
  93. Chen, M. Transparent conductive oxide semiconductor ZnO: Al films produced by magnetron reactive sputtering / M. Chen, Z. Pei, W. Xi, C. Sun, and L. Wen // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-2001.-V.666.-P.l-6-F2.3.
  94. Ataev, В. M. Highly conductive and transparant Ga-doped epitaxial ZnO films on sapphire by CVD / В. M. Ataev, A. M. Bagamadova, A. M. Djabrailov, V. V. Mamedov, R. A. Rabadanov // Thin Solid Films. 1995. — V. 260. — P. 19−22.
  95. , В. А. Люминесценция и ЭПР оксида цинка/ В. А. Никитенко// ЖПС. 1992. — Т. 52. — С.367−385.
  96. Chris, G. Hydrogen as a Cause of Doping in Zinc Oxide / G. Chris, Van de Walle // Phys. Rev. Lett. -2000. V. 85. — P. 1012−1015
  97. Ip, K. Thermal stability of ion- implanted hydrogen in ZnO / K. Ip, M. E. Overberg, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, R. G. Wilson, and J. M. Zavada //Appl. Phys. Lett. 2002. — V. 81. -P. 3996−3998.
  98. , A.X. Влияние температуры роста на свойства прозрачных проводящих пленок ZnO, легированных галлием / А. Х. Абдуев, А. К. Ахмедов, А. Ш. Асваров, А. А. Абдуллаев, С. Н. Супьянов //Физика и техника полупроводников. 2010. -Т. 44. -Вып.1. -С.34−38.
  99. , Т. В., Люминесценция монокристаллических слоев окиси пинка п- и р- типа проводимости / Т. В. Бутхузи, А. Н. Георгобиани, Е. Зада-Улы, Б. Т. Эльтазаров, Т. Г. Хулордава // Труды ФИАН. 1987. — Т.182. — С.140−187.
  100. Guo, X.-L. Pulsed laser reactive deposition of p-type ZnO film enhanced by an electron cyclotron resonance source / X.-L. Guo, H. Tabata and T. Kawai // J. Cryst. Growth. -2001. -V. 223. РЛ35−138.
  101. Look, D. C. Characterization of homoepitaxial p-type ZnO grown by molecular beam epitaxy / D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell // Appl. Phys. Lett. -2002. V. 81. — P. 1830−1832.
  102. Ryu, Y. R. Synthesis of p-type ZnO films / Y. R. Ryu, S. Zhu, D. C. Look, J. M. Wrobel, H. M. Jeong and H. W. White // J. Cryst. Growth. 2000. — V. 216. -P.330−333.
  103. Ryu, Y. R. Properties of arsenic-doped p-type ZnO grown by hybrid beam deposition / Y. R. Ryu, T. S. Lee, and H. W. White //Appl. Phys. Lett. 2003 .-V. 83. -P.87−89.
  104. Bang, K. H. Formation of p-type ZnO film on InP substrate by phosphor doping / K. H. Bang, D.-K. Hwang, M.-C. Park, Y.-D. Ko, I. Yun, and J.-M. Myoung // Appl. Surf. Sci. 2003. -V. 210. — P. 177−182.
  105. Kim, K.-K. Realization of p-type ZnO thin films via phosphorus doping and thermal activation of the dopant / K.-K. Kim, H.-S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, and S.-J. Park // Appl. Phys. Lett. -2003. V. 83. -P.63−65.
  106. Yamamoto, T. Physics and control of valence states in ZnO by codoping method / T. Yamamoto and H. Katayama-Yoshida // Physica B. -2001. -V.302−303. -P.155−162.
  107. Yamauchi, S. Photoluminescence studies of undoped and nitrogen-doped ZnO layers grown by plasma-assisted epitaxy / S. Yamauchi, Y. Goto, T. Harm // J. of Cryst. Growth. 2004. — V. 260. — P. 1−6.
  108. Ryu, M. K. Postgrowth annealing effect on structural and optical properties of ZnO films grown on GaAs substrates by the radio frequency magnetron sputtering technique / M. K. Ryu, S. H. Lee, M. S. Jang // J. Appl. Phys. 2002. V.92. -No.l. -P.154−158.
  109. Iwata, К. Nitrogen-induced defects in ZnO: N grown on sapphire substrate by gas source МВБ / K. Iwata, P. Fons, A. Yamada, K. Matsubara and S. Niki // J. Cryst. Growth. 2000. — V. 209. -P.526−529.
  110. Guo, X.-L. Epitaxial growth and optoelectronic properties of nitrogen-doped ZnO films on А120з substrate / X.-L. Guo, H. Tabata and T. Kawai // J. Cryst. Growth. 2002.-V. 237−239. — P. 544−547.
  111. Heo, Y. W. Transport properties of phosphorus-doped ZnO thin films / Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton // Appl. Phys. Lett-2003. -V. 83. -P.l 128- 1130.
  112. , A.H. Влияние отжига в радикалах кислорода на люминесценцию и электропроводность пленок ZnO:N/ A.H. Георгобиани, A.H. Грузинцев, В. Т. Волков, М. О. Воробьев // ФТП. -2002. Т.36. — Вып. 3. -С.284−288.
  113. Johnson, М. A. L. МВБ growth and properties of ZnO on supphire and SiC substrates / M. A. L. Johnson, Shizuo Fujita, W. H. Rowland, W. C. Hughes, J. W. Cook, J. F. Schetzina //J. Electron. Materials. -1996. -V. 25. -P.855- 862.
  114. , Т.К. Термическая устойчивость монокристаллов цинкита / Т. К. Карипидис, В. В. Мальцев, Е. А. Волкова, М. В. Чукичев, Н. И. Леонюк // Кристаллография. -2008. -Т. 53. № 2. — С.363−367.
  115. Zu, P. Ultraviolet spontaneous and stimulated emissions from ZnO microcrystallite thin films at room temperature / P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma and Y. Segawa // Solid State Comm. -1997. -V. 103. -P.459−462.
  116. Tang, Z. K. Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystallite thin films / Z. K. Tang, G. K. L. Wong, P. Yu, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa //Appl. Phys. Lett. -1998. -V. 72. -P.3270—3272.
  117. Bagnall, D. M. High temperature excitonic stimulated emission from ZnO epitaxial layers / D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, M. Y. Shen, and T. Goto //Appl. Phys. Lett. -1998. V. 73. -P.1038−1040.
  118. Дж., Оптические процессы в полупроводниках / Дж. Панков. -М.: Мир, 1973.-458 с.
  119. Thomas, D. G. The exciton spectrum of zinc oxide / D. G. Thomas // J. Phys. Chem. Solids. -1960. -V.15. -No. 1−2. -P.86−96.
  120. Reynolds, D. C. Zeeman Effects in the Edge Emission and Absorption of ZnO / D. C. Reynolds, C. W. Litton, and Т. C. Collins // Phys. Rev. -1965. -V. 140. -P. A1726-A1734.
  121. Meyer, В. K. Bound exciton and donor-acceptor pair recombinations in ZnO /
  122. B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Strafiburg, M. Dworzak, U. Haboeck, A. V. Rodina // Phys. Stat. Sol.(b). -2004. -V. 241. -P. 231−260.
  123. Reynolds, D. C. Neutral-donor-bound-exciton complexes in ZnO crystals / D.
  124. C. Reynolds, D. C. Look, B. Jogai, C. W. Litton, Т. C. Collins, W. Harsch, and G. Cantwell //Phys. Rev. -1998. -V.57. -P. 12 151−12 155.
  125. Yamamoto, A. Dynamics of newly observed biexcitons in ZnO epitaxial thin films / A. Yamamoto, K. Miyajima, T. Goto, H.J. Ко, and T. Yao // J. Lumines. -2001.-V. 94. -P.373−377.
  126. Hvam, J. M. Exciton-exciton interaction and laser emission in high purity ZnO / J. M. Hvam //Solid State Comm.-1973. -V. 12. P.95−97.
  127. Chen, Y. Layer-by-layer growth of ZnO epilayer on Al203(0001) by using a MgO buffer layer / Y. Chen, H.-J. Ко, S.-K. Hong, T. Yao // Appl. Phys. Lett-2000.-V. 76.-No.5. P.559−561.
  128. Tsukazaki, A. Emission from the higher-order excitons in ZnO films grown by laser molecular-beam epitaxy/ A. Tsukazaki, A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Makino, С. H. Chia, Y. Segawa, and H. Koinuma // Appl. Phys. Lett. -2004. -V. 84. -No.19. P.3858−3868.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!