Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем

Диссертация: Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Современная микроэлектроника предъявляет высокие требования к характеристикам элементов интегральных схем, и повышенное внимание уделяется методам их улучшения. Особую важность имеют технологии, позволяющие повысить надежность работы микросхем и улучшить их частотные характеристики. Одним из вариантов технологии, направленным на решение этой задачи, является технология «кремний на изоляторе… Читать ещё >

Неравновесные фазовые переходы, индуцированные ионной бомбардировкой, на примерер силикатных систем (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Ионный синтез скрытых диэлектрических слоев в кремнии
    • 1. 1. Экспериментальное создание скрытых диэлектрических слоёв
      • 1. 1. 1. Синтез скрытых слоёв с использованием имплантации кислорода
      • 1. 1. 2. Синтез скрытых слоёв с использованием имплантации азота
      • 1. 1. 3. Синтез скрытых слоёв с использованием комбинированной имплантации азота и кислорода
    • 1. 2. Моделирование синтеза диэлектрического слоя для двойных систем на основе зародышеобразования
    • 1. 3. Теоретические модели синтеза скрытого слоя для тройных систем
    • 1. 4. Теория фазовых переходов Гинзбурга — Ландау 29
  • Выводы по главе I
  • Глава II. Обоснование применяемых методов исследования
    • 2. 1. Постановка задачи
    • 2. 2. Методы оценки параметров
    • 2. 3. Методы численного решения уравнений
    • 2. 4. Выводы по главе II
  • Глава III. Моделирование синтеза скрытых слоёв диоксида кремния
    • 3. 1. Редукция числа переменных
    • 3. 2. Построение функции плотности свободной энергии Гиббса системы Si-О
    • 3. 3. Определение параметров функции плотности свободной энергии Гиббса системы Si -О
    • 3. 4. Моделирование динамики системы 57 — О при термообработке. Концентрационная зависимость
    • 3. 5. Моделирование динамики системы Si -О при термообработке. Температурная зависимость
    • 3. 6. Выводы по главе III
  • Глава IV. Моделирование процесса массопереноса, при высокотемпературной термообработке, в системе Si-О-В
    • 4. 1. Определение параметров функции плотности свободной энергии системы Si-О-В
    • 4. 2. Моделирование динамики системы Si -О-В при термообработке. Концентрационная зависимость
    • 4. 3. Моделирование динамики системы Si -О-В при термообработке. Температурная зависимость
    • 4. 4. Выводы по главе IV
  • Глава V. Моделирование процесса массопереноса, при высокотемпературной термообработке, в системе Si-0-P
    • 5. 1. Определение параметров функции плотности свободной энергии системы Si-0-P
    • 5. 2. Моделирование динамики системы Si-O-Р при термообработке. Концентрационная зависимость
    • 5. 3. Моделирование динамики системы Si-O-Р при термообработке. Температурная зависимость
    • 5. 4. Сравнение результатов моделирования динамики систем Si-О-В и Si-0-P
    • 5. 5. Выводы по главе V 117 Основные результаты и
  • выводы
  • Литература

Актуальность темы

Современная микроэлектроника предъявляет высокие требования к характеристикам элементов интегральных схем, и повышенное внимание уделяется методам их улучшения. Особую важность имеют технологии, позволяющие повысить надежность работы микросхем и улучшить их частотные характеристики [1]. Одним из вариантов технологии, направленным на решение этой задачи, является технология «кремний на изоляторе» (КНИ) [2] и, в частности, одно из её наиболее перспективных направлений — ионный синтез скрытых диэлектрических слоев. Хорошо известен и применяем в коммерческих целях вариант КНИ, предполагающий создание скрытого диэлектрического слоя путём высокоэнергетической имплантации ионов кислорода с энергией 180−200 кэВ в кремниевую подложку и последующей термообработки при высокой (>1300°С) температуре [3−6]. Эта технология известна под названием SIMOX (separation by implanted oxygen) и достаточно хорошо изучена. Технология SIMOX наряду с преимуществами обладает некоторыми недостатками, основными из которых являются недостаточно высокое качество рабочего слоя и высокая стоимость получаемых изделий [1,2]. В связи с этим возникает необходимость снижения дозы имплантации [2], длительности и температуры термообработки [7]. Одним из вариантов решения стала разработка методов синтеза скрытого слоя диоксида кремния с дозами, значительно меньшими используемых в стандартном SIMOX-процессе [8]. Однако уменьшение дозы имплантируемых ионов ведет к ухудшению диэлектрических характеристик скрытого слоя и требует повышения температуры и длительности термообработки. Другим решением стало создание диэлектрических слоев иного состава. В частности, в отличие от SIMOX-процесса, где синтезировался слой Si02, предпринимались попытки создания слоя Si3NA, так называемая технология SIMNI (separation by implanted nitrogen) [9], и слоев SixNyOz [10], получаемых комбинированной имплантацией кислорода и азота. Синтез слоев нитрида и оксинитрида кремния позволил снизить дозу вводимой примеси и температуру термообработки [8], но низкие диэлектрические характеристики этих слоев при невысоком качестве рабочего слоя, обусловленном донорной активностью содержащегося в нём азота [1] и присутствием включений диэлектрической фазы [2], стали препятствием на пути к практическому использованию. Эти причины обусловливают продолжающийся поиск решения задач, стоящих перед создателями скрытых диэлектрических слоев. Одним из новых технологических вариантов стал ионный синтез скрытых диэлектрических слоев комбинированного состава на основе силикатных стекол.

Цель работы состоит в теоретическом исследовании процесса перераспределения компонентов при синтезе скрытых диэлектрических слоев комбинированного состава, получаемых с помощью последовательной ионной имплантации в кремний ионов кислорода и бора, в одном случае, и ионов кислорода и фосфора — в другом.

Для достижения поставленной цели в ходе работы решались следующие задачи:

1. Разрабатывалась аналитическая модель перераспределения компонентов при синтезе скрытых диэлектрических слоев. В рамках этой задачи разрабатывался алгоритм определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации компонентов тройных систем SiО-В и Si-О-Р.

2. Разрабатывался алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа применительно к решаемой задаче моделирования.

3. Проводилось моделирование временной эволюции систем Si-О-В и Si-O-Р в течение термообработки. В рамках этой задачи устанавливалась зависимость динамики системы Si-О-В и Si-O-Р от концентраций имплантированных компонентов и температуры стадии отжига.

Научная новизна результатов заключается в том, что:

1. Разработан метод, позволяющий моделировать процессы перераспределения компонентов, протекающие при термообработке систем, полученных ионной имплантацией.

2. Разработан алгоритм определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации компонентов тройных систем Si-0-B, Si-O-Р.

3. Разработан метод оценки кинетических коэффициентов в уравнениях, описывающих эволюцию рассматриваемых систем.

4. Разработан алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих в рассматриваемой задаче моделирования, обладающий безусловной устойчивостью по начальным данным и саморегуляризацией, связанной с переменным шагом по времени.

5. Определено стимулирующее влияние бора и фосфора на перераспределение кислорода при синтезе, протекающем при температурах более низких, чем используемые в SIMOX — процессе.

6. Исследовано влияние исходных концентрации и температуры при ионном синтезе слоев комбинированного состава на вид формируемых распределений компонентов.

Практическая значимость работы состоит в том, что результаты моделирования временной эволюции систем Si-ОВ и Si-O-Р в течение термообработки представляют интерес, поскольку рассматриваемые системы имеют перспективу широкого практического применения. Полученные результаты могут применяться при проектировании технологических процессов планарной технологии. Установленные зависимости являются основой для разработки новых технологических вариантов ионного синтеза скрытых слоев комбинированного состава.

Разработанный метод моделирования представляет собой достаточно лёгкий и эффективный в использовании инструмент для определения параметров процесса при исследовании синтеза скрытых слоев.

Достоверность полученных результатов моделирования подтверждена экспериментальными данными.

Положения, выносимые на защиту.

1. Используемый алгоритм определения функции плотности свободной энергии систем применим к силикатным системам, находящимся в условиях ионного синтеза, и позволяет эффективно решать задачи моделирования.

2. Предложенный алгоритм численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих при моделировании, обладает безусловной устойчивостью по начальным данным и свойством саморегуляризации, обусловленным переменным шагом по времени.

3. В системе 5/-О существует критическое значение объёмной концентрации кислорода, ниже которого, в данной области, формирование скрытого слоя не происходит. Указанное значение концентрации соответствует максимуму функции плотности свободной энергии.

4. В системах Si-О-В и Si-0-P:

— скорость формирования скрытого слоя лимитируется скоростью диффузии кислорода, в системе полученной в результате имплантации;

— в результате термообработки происходит перераспределение кислорода и бора (кислорода и фосфора), в результате которого максимумы концентрационных профилей локализуются в одной области, а в области границ синтезируемого слоя наблюдается снижение концентрации бора (фосфора) — при использовании, в качестве дополнительно имплантируемого к кислороду, компонента, как бора, так и фосфора, процесс ионного синтеза скрытого слоя происходит при более низких температурах по сравнению с классическим SIMOX — процессом.

Апробация результатов. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на: Международных совещаниях «Радиационная физика твёрдого тела» (Севастополь, 2002 и 2003), Совещании по росту кристаллов, плёнок и дефектам структуры кремния «Кремний — 2002» (Новосибирск, 2002), Совещании «Кремний — 2004» (Иркутск, 2004), Международных конференциях «Микрои наноэлектроника — 2003 (ICMNE-2003)» и «Микрои наноэлектроника -2005 (ICMNE-2005)», (Звенигород, 2003 и 2005), XVI международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Звенигород, 2003), XVII международном симпозиуме «Тонкие плёнки в электронике» (Москва, 2005). Личный вклад автора;

— разработка, совместно с научным руководителем, теоретической модели, позволяющей описывать процессы, протекающие при термообработке систем, полученных ионной имплантацией;

— разработка, совместно с научным руководителем, алгоритма определения функции плотности свободной энергии Гиббса как функции температуры и объёмной концентрации тройных систем Si-О-В, Si-O-Р;

— разработка алгоритма численного решения квазилинейных уравнений параболического типа, возникающих в рассматриваемой задаче моделирования, обладающего безусловной устойчивостью по начальным данным и саморегуляризацией, связанной с переменным шагом по времени;

— разработка программного обеспечения для реализации вычислительных алгоритмов связанных с применением разработанной теоретической модели;

— моделирование, с использованием разработанного подхода, процессов перераспределения компонентов, протекающих при термообработке систем Si — О, Si-О-В, Si-O-Р, полученных ионной имплантацией;

— анализ результатов, полученных в ходе моделирования.

Публикация результатов работы. По теме диссертации опубликовано 11 печатных работ.

Структура и объём работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка использованной литературы. Общий объём работы составляет 133 страницы, в том числе основной текст 118 страниц, 54 рисунка и список литературы из 114 наименований.

Выводы:

1. В данной работе предложена модель и разработан алгоритм решения нелинейных уравнений, возникающих в рамках данной модели и описывающих временную эволюцию силикатных систем. Метод может быть распространен на системы, число компонент в которых больше трёх.

2. Возможность снижения температуры по сравнению с SIMOXпроцессом обусловлена понижением температуры течения по сравнению с чистым диоксидом кремния, что подтверждается результатами моделирования.

3. Появление локальных максимумов в окрестностях формирующихся границ раздела стекло — кремний происходит в результате диффузионных процессов, возникающих под действием термодинамических сил, связанных с увеличением плотности свободной энергии смешения в указанных областях, которое обусловлено присутствием оксидов компонентов кремния и бора (кремния и фосфора).

4. Взаимодействие между атомами кислорода и бора (кислорода и фосфора) обусловливает локализацию максимумов концентрационных профилей в одной области.

5. Полученные результаты согласуются с экспериментальными данными известными из литературы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Ф., Старков В. В. Разработка физических основ элементов технологии КНИ-структур, формируемых ионной имплантацией кислорода в кремний // Проблемы микроэлектроники. Труды ФТИАН. 1994. № 7. С.3−23.
  2. Kwang S. S., Futami Т., Ohki У. Concentration of neutral oxygen vacancies in buried oxide formed by implantation of oxygen // J. Appl. Phys. 1998. V.83. № 4. P.2357−2361.
  3. Mrstik B.J., McMarr P.J., Hughes H.L., Anc M.J., Krull W.A. Improvement in electrical properties of buried SiCb layers by high-temperature oxidation // J.Appl.Phys.Lett. 1995. V.67. № 22. P.3283−3288.
  4. Jastrzebski L., Ipri A.C. The effect of 1300−1380°C anneal temperatures and material contamination on the characteristics of CMOS/SIMOX devices//IEE Electron Device Letter. 1988. V.9, № 3. P. 151−153.
  5. С.А., Маковийчук М. И., Паршин E.O. Ионный синтез структур кремний-на-изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы // Микроэлектроника. 1999. Т. 28. № 5. С. 363−369.
  6. Lizong Z., Diantong L., Zhonglie W., Bei Z., Hemment P.L.F. SOI structures prodused by oxygen ion implantation and their annealing behavior // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. № 55. P. 754−757.
  7. Kajiyama K. Buried-oxide layer formation by high-dose oxygen-ion implantation into Si wafers: SIMOX (separation by implanted oxygen) // Applied Surface Science. 1995. № 85. P. 259−264.
  8. А.Б., Мордкович B.H. Физические проблемы создания КНИ-структур методом реактивной ионной имплантации: Препринт. Черноголовка. 1989. 35 с.
  9. Nesbit L., Stiffler S., Slisser G., Vinton H. Formation of silicon-on-insulator structures by implanted nitrogen // J. Electrochem. Soc., Solid State Science and Technology. 1985. V. 132. № 11. P.2713−2721.
  10. П.Маркевич В. П., Мурин Л. И., Lindstrem J.L., Suezawa М. Начальные стадии преципитации кислорода в кремнии: влияние водорода // ФТП. 2000. Т.34. № 9. С.1039−1045.
  11. Yupu Li, Marsh C.D., Nejim A., Chater R.J., Kilner J.A., Hemment P.L.F. SIMOX: processing, layer parameters design, and defects control // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1995. № 99. P. 479−483.
  12. Scanlon P. S., Hemment P.L.F., Reeson K.J. Oxygen rich SIMOX // Semicond. Sci. Technol. 1991. V.6. № 8. P. 730−735.
  13. M.Danilin A.B. The part player by the radiation defects and surface in ion beam synthesis of new phase buried layers with substoichiometric doses in silicon // J. Moscow Phys. Soc. 1993. № 3. P. 221−225.
  14. Stoemenos J. Structural defects in SIMOX // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1996. № 112. P. 206−213.
  15. F., Cortesi E., Kalkhoran N.M., Manke J.M., Bushman B. // Proc.1990 IEEE SOS/SOI Tech. Conf. Key West. FL. 1990. P.49.
  16. Allen L.P., Smick Т.Н., Ryding G. SIMOX Research, Development and Manufacturing // Electronic Materials. 1996. V.25. № 1. P.93−97.
  17. Hatzopoulos N., Siapkas D. I, Hemment P.L.F. Oxide growth, refractive index, and composition depth profiles of structures formed by 2 MeV oxygen implantation into silicon // J. Appl. Phys. 1995. № 77. P. 577−586.
  18. Kajiyama K., Yoneda Т., Fujiokf Y., Kido Y. Si-0 bond formation by oxygen implantation into silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1993. № 121. P. 197−202.
  19. Gupta G.K., Yadav A.D., Gundu Rao Т.К., Dubey S.K. Structural studies of 20keV oxygen-implanted silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1997. № 168. P. 315−318.
  20. Nakashima S., Izumi K. SIMOX wafers with low dislocation density produced by a 100 mA-class high-current oxygen implanter // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. № 55. P. 847−851.
  21. Margail J., Lamure J.M., Papon A.M. Defects in SIMOX structures: some process dependence // Mater.Sci.Eng. B.1992. № 12. P. 27−36.
  22. В.И., Денисенко Ю. И., Мочалов Б. В. Низкотемпературный отжиг SIMOX-структур в неоднородном температурном поле // Микроэлектроника. 2000. Т.29. № 5. С. 367−373.
  23. М., Долмер Д., Талвей А. Реакции твёрдых тел. М.: Мир, 1984. 359 с.
  24. Reiss S., Heinig К.Н. Ostwald ripening during ion beam synthesis a computer simulation for ingomogeneous systems // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B.1994. № 84. P. 229−233.
  25. Reiss S., Heinig K.H. Computer simulation of mechanisms of the SIMOX process //Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1995. № 102. P. 256−260.
  26. Stoemeons J., Reeson K.J., Robinson A.K., Hemment P.L.F. Dislocation formation related with high oxygen dose implantation in silicon // J. Appl. Phis. 1991. № 69. P. 793−802.
  27. Nakashima S., Izumi K. Analysis of buried oxide layer formation and mechanism of threading dislocation generation in the substoichiometric oxygen dose region//J. Mater. Res. 1996. V.8. № 3. P. 523−528.
  28. C.A., Маковийчук М. И., Рекшинский В. А., Рудаков В. И., Симакин С. Г. Формирование 8Ю2-слоя в кремнии, имплантированном кислородом // Высокочистые вещества. 1993. № 6. С. 133−138.
  29. Margail J., Stoemenos J., Jaussaud С., Bruel M. Study of silicon-on-insulator structures formed by low dose oxygen and nitrogen implantation //Mat. Sci. Eng. B. 1992. № 12. P. 67−71.
  30. Grean G.M., Lynch S., Greef R., Stoemenos J., Rossow U., Richter W. Study of buried oxide layer formation in the substoichiometric oxygen SIMOX processes // Mater. Res. Soc. 1992. № 235. P. 139−144.
  31. Aspar В., Guilhalmanc C., Pudda C., Garcia A., Papon A.M., Auberton-Herve A.J., Lamure J.M. Buried oxide layers formed by low dose SIMOX processes // Microelectronic Engineering. 1995. № 28. P. 411−414.
  32. Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. М.: Мир, 1988. 320 с.
  33. Li Y., Kilner J.A., Robinson А.К., Hemment P.L.F., Marsh C.D. Analysis of thin-film silicon-on-insulator structures formed by low-energy oxygen ion implantation//J. Appl. Phis. 1991. № 70. P. 3605−3612.
  34. А.Ф. Твердофазный эпитаксиальный рост кремния // Поверхность. 1991. № 4. С. 5−26.
  35. Hatzopoulos N., Chater R.J., Bussmann U., Hemment P.L.F., Kilner A. The effect of dose and temperature on the as-implanted microstructure of oxygen implanted silicon//Mat. Sci. Engi.1992. В12. P. 37−40.
  36. Van Ommen A.H. New trends in SIMOX // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1989. № 39. P. 194−202.
  37. .Н., Попов В. Г., Прокофьев А. Ю., Лисовский И. П., Мельник В. И., Богданов Е. И. Процессы формирования скрытых диэлектрических слоев в Si при имплантации ионов N+ и 0+ // УФЖ. 1992. Т.37. № 3. С. 78−84.
  38. Bachurin V.I., Churilov А.В., Potapov E.V., Smirnov V.K., Makarov V.V., Danilin A.B. Formation of thin silicon nitride layers on Si by low energy N+ ion bombardment // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1999. № 147. P. 316−319.
  39. P.B., Комаров Ф. Ф., Котов E.B., Новиков А. В., Самойлюк Т. Т. Кинетика накопления азота в кремнии при создании скрытых изолирующих слоев высокоинтенсивным ионным облучением // Микроэлектроника. 1989. Т. 18. № 3. С. 247−251.
  40. Ф.Ф., Комаров А. Ф., Петров С. А. Формирование скрытых изолирующих слоев нитрида кремния в кремнии при высокоэнергетической интенсивной имплантации азота // Микроэлектроника. 2002. Т.31. № 5. С.361−366.
  41. В.В., Грибковский Р. В., Комаров Ф. Ф., Литвинович Г.В, Новиков А. П. Получение скрытых слоев Si3N4 при высокоинтенсивной ионной имплантации и быстром термическом отжиге // ЖПС. 1990. Т.53. № 4. С.628−632.
  42. Ф.Ф., Новиков А. П., Петров С. А. Структура слоев Si3N4 синтезированных в кремнии имплантацией ионов азота в самоотжиговом режиме // Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1990. № 2. С.110−112.
  43. Reiss S., Weber R. Experimental study and modeling of structure formation in buried layers at ion beam synthesis // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1994. № 89. P. 337−341.
  44. Г. А., Тысченко И. Е., Тийс С. А., Плотников А. Е. Влияние конкурирующих центров преципитации на распределениеимплантируемого азота в Si при формировании захороненных слоёв // ФТП. 1995. Т.29. № 3. С. 495−499.
  45. Danilin А.В., Drakin К.А., Malinin А.А., Mordkovich V.N., Petrov A.F., Vyletalina O.I. Behavior of implanted nitrogen in Si with the buried layer of Si02 precipitates // Solid State Phenomena. 1991. V.19. № 20. P. 405 410.
  46. E.C., Марков K.A., Карзанов В. В. Различие в сопротивлении обогащённых азотом кремниевых слоёв как результат эффекта дальнодействия ионной имплантации // ФТП. 2000. № 34, С. 170−174.
  47. Е.С., Карзанов В. В., Лобанов Д. А., Марков К.А., Сдобняков
  48. B.В. Дальнодействующее влияние облучения ионами аргона на синтез стехиометрической фазы нитрида кремния в слоях SixNy сформированных ионной имплантацией // ФТП. 2001. Т. 35. № 1.1. C.21−24.
  49. Li Y., Kilner J.A. A semi-empirical model to predict the layer parameters of (SIMOX) structures // Materials Science and Engineering. 1992. В12. P. 77−81.
  50. С. Основы химической кинетики. М.: Мир, 1964. 603 с.
  51. Буренков А. Ф, Комаров Ф. Ф, Федотов С. А. Отжиг скрытых нитридных слоёв в кремнии с применением фрактальной модели // Поверхность Физ. Хим. Мех. 1990. № 8. С. 5−7.
  52. Комаров А. Ф, Комаров Ф. Ф, Федотов С. А. Моделирование одновременного процесса формирования силицидов и скрытых изолирующих слоёв в режиме высокоинтенсивной ионной имплантации //ЖТФ. 1994. Т.64. № 9. С. 136−143.
  53. Barabanenkov M. Yu, Borun A. F, Danilin А. В, Mordkovich V.N. A model of ion synthesis of buried dielectric layers in silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1991. № 58. P. 179−186.
  54. Barabanenkov M. Yu, Borun A. F, Danilin A.B. Heterogeneous processes of new phase growth in the system of various sinks: ion-beam synthesis of silicon oxynitride // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1992. № 66. P. 352−356.
  55. Barabanenkov M.Yu. The spatial location of the intermediate new phase precipitate layer during SOI structure fabrication // Modeling Simul. Mater. Sci. Eng. 1993. № 1. P. 613−618.
  56. Barabanenkov M. Yu, Agafonov Yu. A, Mordkovich V. N, Pustovit A. N, Vyatkin A. F, Zinenko V.I. Polienergy ion beam synthesis of buried oxynitride layer in silicon // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2000. № 171. P. 301−308.
  57. Лифшиц E. M, Питаевский Л. П. Теоретическая физика. Физическая кинетика. М.: Наука, 1979. Т. X. 527 с.
  58. Ландау Л. Д, Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Статистическая физика. М.: Наука, 1976. Т. V. 4.1. 584 с.
  59. Лифшиц Е. М, Питаевский Л. П. Теоретическая физика. Теория конденсированного состояния. М.: Наука, 1978. Т. IX. 448 с.
  60. Кривелевич С. А, Денисенко Ю. И, Маковийчук М. И, Паршин Е. О, Цырулев А. А. Ионно синтезированные слои — новое направление КНИ — технологии // Труды XII Международного совещания
  61. Радиационная физика твёрдого тела" Севастополь. 1 — 6 июля. 2002. С.315- 319.
  62. Krivelevich S.A., Denisenko Yu.I., Tsyrulev A.A. Ionic synthesis of silica based glasses: prospect, simulation and applied aspects // Proceedings of SPIE. 2004. V.5401.P.119−128.
  63. С.А. О выборе параметров порядка при описании дальнодействующего влияния ионной имплантации // Вестник ННГУ. Физика твёрдого тела. 2003. вып. 1(6). С. 144−151
  64. Р. Прикладная теория катастроф. М.: Мир, 1984. Кн.2. 285 с.
  65. С.А., Сёмин Е. Г., Гусаров В. В. Фазовые диаграммы и термодинамика оксидных твёрдых растворов. Л.: ЛГУ, 1986. 140 с.
  66. B.C. Теория изоморфной смесимости. М.: Наука, 1977. 252 с.
  67. B.C. Расчёты термодинамических свойств существенно ионных растворов замещения (изоморфных смесей) // Проблема изоморфных замещений атомов в кристаллах. М.: Металлургия, 1971.С. 62−164
  68. С. Термодинамика твёрдых растворов породообразующих минералов. М.: Металлургия, 1975. 208 с.
  69. Г. Р. Расчёт термодинамических функций образования твёрдых растворов//Ж.Физ.Хим. 1980. Т.54. № 3. С. 617−621.
  70. Воронин Г. Ф. Расчёты термодинамических свойств сплавов с использованием диаграмм фазовых состояний. // Математические проблемы фазовых равновесий. Новосибирск.: НГУ, 1983. С. 5−40
  71. И. Нелинейное оценивание параметров. М.: Наука, 1979. 350 с.
  72. П. Основы идентификации систем управления. М.: Наука, 1975. 685 с.
  73. Г. Ф., Дегтярёв С. А. Расчёт термодинамических свойств сплавов по калориметрическим данным и диаграммам состояний // Ж.Физ.Хим. 1981. Т.55. № 3. С. 607−611
  74. В.А., Куценок Б. А. К аппроксимации зависимости химических потенциалов от состава твёрдого раствора // Математические вопросы химической термодитнамики. Новосибирск.: НГУ, 1984. С. 87−92
  75. М.В. О концентрационной зависимости химических потенциалов в двухкомпонентных системах // Ж.Физ.Хим. 1983. Т.57. № 2. С. 489−491
  76. А.А., Тяпунина Н. А., Зиненкова Г. М., Бушуева Г. В. Физика кристаллов с дефектами. М.: Мир, 1986. 240 с.
  77. Г. Ф. Основы термодинамики. М.: Мир, 1987. 192 с.
  78. И., Кондепуди Д. Современная термодинамика. От тепловых двигателей до диссипативных структур. М.: Мир, 2002. 461с.
  79. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. СПб.: Лань, 2003. 832 с.
  80. Л.В., Крылов В. И. Приближённые методы высшего анализа. М.-Л. Физматгиз, 1962. 708 с.
  81. В.М. Основы численных методов. М.: Высшая школа, 2002. 840 с.
  82. В.И., Бобков В. В., Монастырный П. И. Вычислительные методы. М.: Высшая школа, 1977. Т.2. 722 с.
  83. И.С., Жидков Н. П. Методы вычислений. М.:Физматгиз, 1962. Т. 1.483 с.
  84. А.Г., Семченко Д. П. Физическая химия. М.: Высшая школа, 1988. 141 с.
  85. Я.И., Гейдерих В. А. Термодинамика растворов. М.: Изд-во МГУ, 1980. 184 с.
  86. С.А., Цырулев А. А. Моделирование ионного синтеза слоёв диоксида кремния в рамках теории Гинзбурга Ландау //
  87. Труды XIII международного совещания «Радиационная физика твёрдого тела» Севастополь. 30 июня — 5 июля. 2003. С. 393 — 397
  88. Шоу Д., Сволин Р., Брайс Дж. и др. Атомная диффузия в полупроводниках. М.: Мир, 1975. 684 с.
  89. А.А., Пономаревская A.M. Краткий справочник физико-химических величин. Л.: Химия, 1983. 232 с.
  90. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия, 1990. Т.2. 671 с.
  91. Takakuwa Y., Ishida F., Kawawa Т. Time evolution of interface roughness during thermal oxidation on Si (001) // Applied Surface Science. 190. 2002. P. 20−25
  92. Ю2.Кривелевич С. А., Бачурин В. И., Цырулев А. А. Моделирование ионного синтеза скрытых диэлектрических слоёв // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2004. № 5. С. 40−45
  93. Бор. Получение, структура и свойства. (Материалы IV международного симпозиума по бору.). М.: Наука, 1974. 266 с.
  94. Baret G., Madar R., Bernard С. Silica-based Oxide Systems. Experimental and Calculated Phase Equilibria in Silicon, Boron, Phosphorus, Germanium, and Arsenic Oxide Mixtures // J. Electrochem. Soc. 1991. V.138. № 9. P. 2830−2835.
  95. Химическая энциклопедия. M.: Советская энциклопедия, 1988. Т.1. 623 с.
  96. О.В. Моделирование концентрационной зависимости диффузии бора в кремнии // ФТП. 2004. Т. 38. Вып. 3. С. 270 -273.
  97. Я.Э. Кремниевые планарные транзисторы. М.: Советское радио, 1973. 336 с.
  98. О.В., Афонин Н. Н. Влияние окислительных сред на диффузионно сегрегационное перераспределение бора в системетермический диоксид кремния кремний // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып.5. С.57−63.
  99. Krivelevich S., Buchin Е., Denisenko Yu., Selikov R. Diffusion and phase formation in ternary silicate systems framed by an ion bombardment // Abs. ICMNE, 2005, October 3 th 7 th, Moscow, Zvenigorod, P.03−12.
  100. Химическая энциклопедия. M.: Большая российская энциклопедия. 1998. Т.5. 783 с.
  101. О. В. Модель высоко- и низко температурной диффузии фосфора в кремнии по дуальному парному механизму // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 11. С. 1289−1298.
  102. О. В., Афонин Н. Н. Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния кремний // ФТП. 1998. Т. 32. № 1. С. 19 — 22.
  103. Н.М. Химическая технология стекла и ситаллов. Учебник для ВТУзов. М.: Высшая школа, 1983. 421 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!