Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах

Диссертация: Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Диссертационное исследование построено следующим образом. В первой главе приводится обзор экспериментальных и теоретических работ, в которых исследовались особенности транспорта частиц, проявляющиеся на на-норазмерных масштабах, где ярко выражены квантовомеханические эффекты. В частности, рассмотрены основные результаты, относящиеся к обычному и спин-зависящему транспорту в полупроводниковых… Читать ещё >

Влияние неупругих эффектов на спин-зависящий транспорт в наноструктурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Особенности электронного транспорта в низкомерных системах
    • 1. 1. Двумерный электронный газ
    • 1. 2. Квантовый транспорт через молекулярные структуры
    • 1. 3. Спин-зависящий транспорт
    • 1. 4. Эффект Фано
    • 1. 5. Формализм Ландауэра-Бюттикера *
  • 2. Неупругий спин-зависящий одноэлектронный транспорт через спиновые наноструктуры в приближении непрерывной среды
    • 2. 1. Прохождение электрона через потенциальный рельеф спинового димера
      • 2. 1. 1. Гамильтониан системы и особенности потенциальной структуры, обусловленный б — /-обменным взаимодействием
      • 2. 1. 2. Транспортные характеристики в нулевом магнитном поле
      • 2. 1. 3. Индуцирование магнитным полем пиков прозрачности
      • 2. 1. 4. Сильные магнитные поля
    • 2. 2. Неупругий транспорт через четырехспиновую цепочку и ше-стиспиновый кластер
    • 2. 3. Резюме
  • 3. Вольт-амперная характеристика спин-димерной системы
    • 3. 1. Неупругий транспорт в системе двух металлических контактов, разделенных слоем спиновых димеров
      • 3. 1. 1. Гамильтониан в приближении сильной связи
      • 3. 1. 2. Стационарные состояния и коэффициент прохождения
    • 3. 2. Вольт-амперная характеристика и ее особенности
    • 3. 3. Резюме
  • 4. Проявление резонансов Фано при спин-зависящем транспорте электрона через структуру спинового димера
    • 4. 1. Особенности транспорта электрона, взаимодействующего только с одним спином димера
      • 4. 1. 1. Гамильтониан системы с усеченным s-f — взаимодействием
      • 4. 1. 2. Коэффициент прохождения системы для случая усеченного s — /-взаимодействия гейзенберговского вида
      • 4. 1. 3. Транспортные характеристики системы для усеченного s — /-взаимодействия изинговского вида
      • 4. 1. 4. Транспортные характеристики изинговского димера для усеченного гейзенберговского s-f- взаимодействия
      • 4. 1. 5. Транспорт через изинговский димер при усеченном изинговском s — /-обменном взаимодействии
    • 4. 2. Проявление резонансов Фано в транспортных характеристиках для различных типов обменных связей при полном в — f- взаимодействии
      • 4. 2. 1. Транспорт электрона, взаимодействующего с димером посредством гейзенберговского 5 — /- взаимодействия
      • 4. 2. 2. Транспорт электрона, взаимодействующего с димером посредством изинговского 5 — /- взаимодействия
      • 4. 2. 3. Транспорт электрона, взаимодействующего с изингов-ским димером посредством гейзенберговского в — f- взаимодействия
      • 4. 2. 4. Транспорт электрона, взаимодействующего с изингов-ским димером посредством изинговского в — /- взаимодействия
    • 4. 3. Магнитосопротивление устройства со спиновым димером в качестве активного элемента
    • 4. 4. Резюме

В восьмидесятых годах прошлого века произошел прорыв в технологиях, связанных с созданием твердотельных структур нанометровых размеров. Этот качественно новый этап в развитии физики связан прежде всего с открытием молекулярно-лучевой эпитаксии и литографии [1,2], а также возможностью применения сканирующего туннельного микроскопа (STMScanning Tunneling Microscope) в качестве инструмента для исследования на-нообъектов [3]. Эти успехи предопределили огромное внимание со стороны научного сообщества к наноструктурам. Важной особенностью систем, характерные масштабы которых соизмеримы с межатомными расстояниями, становится то, что их проводящие свойства определяются квантовой природой электронов, что кардинально отличается от классической теории Друде для макроскопических проводников.

С другой стороны, на сегодняшний день стало очевидным, что дальнейшая миниатюризация приборов и устройств современной полупроводниковой электроники, базовым элементом которой является полевой транзистор, приближается к технологическому пределу [4]. Последнее обстоятельство заставляет направлять усилия большого числа исследователей на поиски альтернативы кремниевой технологии. В этом отношении низкоразмерные системы, обладая нетривиальными особенностями транспортных свойств, выступают одними из возможных базовых элементов наноэлектроники [5]. Такие системы делят на двух- (20), одно- (Ш) и нульмерные (СЮ) в зависимости от того, в одном, двух или трех измерениях ограничено движение электронов. К первым относится двумерный электронный газ, образующийся в полупроводниковых наногетероструктурах [6,7]. Примером Ш и СЮ структур служат металлические квантовые проволоки, молекулы, квантовые точки [8−10].

Методы теоретического описания квантового транспорта в наноструктурах существенно зависят от того, рассеиваются ли транспортируемые частицы на потенциальном рельефе с нарушением фазы или же сбой фазы исключен. Большое число экспериментальных и теоретических работ, опубликованных в последние десятилетия и затрагивающих проблемы квантового транспорта в наноструктурах, рассматривают так называемые мезоско-пические системы [11]. Подобные системы принято считать промежуточным звеном между микроскопическими объектами, такими как атомы и ядра, и макроскопическими, объемными веществами [12]. Характерной особенностью мезоскопических систем является то, что длина фазовой когерентности электронов 1ф, т. е. расстояние, проходимое электронами без потери фазовой когерентности, больше, чем размеры системы Ь. В большинстве случаев фазовая когерентность теряется при неупругих взаимодействиях с другими электронами или фононами, однако рассеяние на магнитных примесях с переворотом спиновой проекции электрона, или спин-флип рассеяние, может также привести к сбою фазы. Напротив, акты упругого рассеяния электронов на примесях, расстояние между которыми называется упругой длинной свободного пробега /о, обычно не нарушают фазовую когерентность. Значение 1ф быстро увеличивается с уменьшением температуры, и при Ь ~ 1 мкм открытая система становится мезоскопической ниже 100 мК [10].

При таких низких температурах между характерными длинами в мезо-скопических системах выполняется следующее соотношение ао < Ар < /0 < Ь < 1ф < 1гп, (1) где ао — первый боровский радиус (ао ~ 0.5А) — Ар — фермиевская длина волны электрона- /¿-п — длина релаксации энергии. Обсудим физический смысл неравенства (1). Первое неравенство слева свидетельствует о том, что в подобных системах пренебрегается взаимодействием транспортируемого электрона с кулоновскими полями ионных остовов кристаллической решетки. Однако в процессе прохождения через мезоскопический образец электрон может претерпевать упругое рассеяние, что следует из второго и третьего неравенств. Когерентный характер электронного транспорта, обсуждавшийся выше, постулируется предпоследним неравенством в (1). Кроме того, в ме-зоскопических системах выпадает из рассмотрения рассеяние, приводящее к диссипации энергии. Данное правило определяется последним неравенством. Заметим, что неравенство 1о < Ь не обязательно для установления мезоско-пического режима. Если оно выполняется, то говорят о диффузионном электронном транспорте, который часто рассматривался на заре мезоскопической физики. В конце 1980х годов стало возможным создание полупроводниковых микроструктур с высокой подвижностью, для которых выполнялось условие /о > Ь. Такие системы назвали баллистическими. Транспорт в них определяется электронным рассеянием не на примесях, а границах этой структуры [10].

Теоретическое описание транспорта в мезоскопических системах основывается на нахождении коэффициента прохождения Т электрона через ее (системы) потенциальный профиль. Другими словами, проблема расчета транспорта сводится к задаче о нахождении Б-матрицы рассеяния. В этом состоит основная идея одночастичного формализма Ландауэра-Бюттикера [13]. Если в (1) выполняется условие Ь > 1ф, то транспорт становится некогерентным. В этом случае часто используют более универсальный подход, основанный на аппарате неравновесных функций Грина (НФГ) и диаграммной технике Келдыша [14−16]. Метод НФГ применим как для описания транспорта при наличии диссипативных процессов, так и в мезоскопическом режиме [17].

Одним из перспективных эффектов, наблюдаемых в условиях мезоско-пического транспорта в квантовых точках (при условии, если точка сильно связана с электродами) является возникновение асимметричных резонансных пиков Фано [18] в проводимости [19]. Их появление обусловлено интерференционными процессами между электронными волнами, относящимися к разным каналам. В свою очередь, часть из этих каналов соответствует состояниям, сильно связанным с электродами (состояния континуума), а часть — состояниям, слабо связанным с электродами (локализованные состояний) [20].

Возможность управления спиновыми степенями свободы носителей, а также наноструктур выдвинула спиновую электронику в качестве одного из авангардных направлений в современной физике твердого тела [21]. При этом для спинтронных приложений актуальным является не только изучение магнитных сред [22,23], но и систем, размеры которых составляют десятки и даже единицы ангстрем. На сегодняшний день развитый инструментарий позволяет широко исследовать особенности спин-зависящего транспорта через отдельные магнитные атомы, молекулы и комплексы из небольшого их числа [8,24,25]. В частности, в последнее десятилетие появился ряд работ по изучению магнитных свойств и проводимости систем на основе магнитных элементов: марганца, кобальта, железа, — привлекательных еще и с позиции квантовых вычислений [26−28]. В таких системах атомы или одиночные магнитные молекулы связаны друг с другом обменной связью антиферромагнитного типа, образуя димеры, тримеры и т. д. Их свойства могут быть описаны модельными спиновыми гамильтонианами, включающими спин-спиновое взаимодействие, магнитокристаллическую анизотропию и зее-мановскую энергию спинов в магнитном поле. Обладая набором квантовоме-ханических состояний, классифицируемых по полному спину и его проекции, подобная магнитная наноструктура может возбуждаться в процессе транспорта спин-поляризованных частиц в результате неупругого я — /-обменного взаимодействия. Этот неупругий эффект отражается на ее проводящих свойствах, что позволяет рассматривать подобное влияние в качестве механизма контроля за спиновым состоянием нанообъекта [29,30].

Принимая во внимание изложенные аргументы, представляется актуальным исследовать транспортные свойства модельных спиновых структур, в частности, спинового димера, спиновые моменты которых связаны обменным антиферромагнитным взаимодействием. При этом одноэлектрон-ный транспорт будет определяться неупругим рассеянием вследствие я — /взаимодействия. Оставаясь в рамках мезоскопического режима (1), важным является ответ на вопрос о возможности проявления резонансных особенностей Фано в транспортных характеристиках и влияния на систему внешнего магнитного поля. Решение перечисленных задач составляет предмет данной диссертации.

Диссертационное исследование построено следующим образом. В первой главе приводится обзор экспериментальных и теоретических работ, в которых исследовались особенности транспорта частиц, проявляющиеся на на-норазмерных масштабах, где ярко выражены квантовомеханические эффекты. В частности, рассмотрены основные результаты, относящиеся к обычному и спин-зависящему транспорту в полупроводниковых наногетероструктурах с двумерным электронным газом, резонансно-туннельных структурах, квантовых точках, молекулах, которые сегодня рассматриваются как перспективные базовые элементы для новых приборов и устройств наноэлектроники. Подробно изложен метод Ландауэра-Бюттикера для теоретического описания когерентного квантового транспорта в наноразмерных структурах, основанный на нахождении Б-матрицы. Во второй главе в приближении непрерывной среды проводится расчет одномерного когерентного неупругого транспорта спин-поляризованного электрона через потенциальный рельеф ряда спиновых структур: спинового димера, четырехспиновой цепочки и шестис-пинового кластера. Анализируется влияние различных параметров системы на коэффициент прохождения Т, в том числе магнитного поля. В третьей главе проводится расчет спин-зависящего электронного транспорта в системе состоящей из металлических электродов, разделенных прослойкой спиновых димеров. Анализ квантового транспорта в этой системе осуществлялся в приближении сильной связи, что позволяет проанализировать влияние дискретности структуры на коэффициент прохождения. На основе формализма Ландауэра-Бюттикера (метод коэффициентов прохождения) проводится расчет вольт-амперной характеристики спинового димера. В четвертой главе анализируются причины возникновения асимметричных резонансных пиков коэффициента прохождения через спиновые структуры на примере димера. Исследуется восемь случаев, отличающихся видом гамильтонианов димера и я — /-взаимодействия, для описания особенностей поведения резонансов Фано в системе. Рассматривается роль этих резонансов в формировании магнито-сопротивления системы.

Положения, выносимые на защиту:

1. Результаты теоретического рассмотрения одноэлектронного спин-поля-ризованного транспорта через потенциальный рельеф, создаваемый в — /- обменным взаимодействием электрона с локализованными спиновыми моментами наноструктуры, содержащей в качестве активного элемента спиновый димер, четырехспиновую цепочку, или шестиспино-вый кластер;

2. Вывод о том, что возникновение в низкоэнергетической области резкого всплеска до единицы и падения до нуля коэффициента прохождения спин-поляризованного электрона через потенциальный рельеф спинового нанокластера связано с резонансом и антирезонансом Фано, обусловленными интерференцией между коллективизированными состояниями электрона и локализованными в пределах спинового кластера состояниями;

3. Обнаружение эффекта индуцирования магнитным полем в транспортных характеристиках спиновых наноструктур резонанса и антирезонанса Фано, проявляющихся посредством возникновения в магнитном поле узких окон прозрачности и узких областей полного отражения, а также доказательство того, что этот эффект связан с расщеплением в магнитном поле верхних высокоспиновых состояний спиновых нанокластеров;

4. Результаты численного расчета по методу Ландауэра-Бюттикера с использованием приближения сильной связи вольт-амперной характеристики спин-димерной наноструктуры и анализ влияния магнитного поля на модификацию этой характеристики;

5. Тезис о возможности использования резонанса и антирезонанса Фа-но при спин-поляризованном транспорте электронов в магнитном поле через спиновые наноструктуры в качестве механизма, индуцирующего аномально высокие значения магнитосопротивления.

Результаты диссертационных исследований опубликованы в журналах: «Известия РАН. Серия физическая» [182, 183], «ЖЭТФ» [184] и «ArXiv» [185], а также в трудах конференций [186−195]: XXXII и XXXIII Международные зимние школы физиков-теоретиков «Коуровка» (г. Екатеринбург, 2008, 2010) — XIII Международный Симпозиум «Нанофизика и на-ноэлектроника» (г. Нижний Новгород, 2009) — 2-ой и 3-ий Международные междисциплинарные симпозиумы «Среды со структурным и магнитным упорядочением» Multiferroics-2 и Multiferroics-З (п. Лоо, 2009, 2011) — 14-ый Международный, междисциплинарный симпозиум «Упорядочение в минералах и сплавах» ОМА-14 (п. Лоо, 2011) — XXXV Совещание по физике низких температур (г. Черноголовка, 2009) — 1-ая конференция нанотехнологического общества России (г. Москва, 2009) — конференция молодых ученых Красноярского Научного Центра «КНЦ-2010» (г. Красноярск, 2010) — IV Евро-азиатский симпозиум по проблемам магнетизма: наноспинтроника EASTMAG — 2010 (г. Екатеринбург, 2010). Часть результатов обсуждалась на научном семинаре лаборатории теоретической физики и ученом совете Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН. Представленные результаты докладывались на Заседании секции «Магнетизм» Научного совета РАН по физике конденсированных сред в Институте физических проблем РАН (Москва, 2009), на конференциях НКСФ-XXXVII, XXXVIII (г. Красноярск, 2008, 2009), на конференциях молодых ученых Красноярского Научного Центра «КНЦ-2008, 2011» (1 тур) (г. Красноярск), на конференции «Научная сессия НИЯУ МИФИ-2011» (г.

Москва, 2011). Доклады по результатам диссертационных исследований удостаивались: 1, 2 мест на конференциях НКСФ-ХХХУІІ, XXXVIII соответственно- 3 места на конференции молодых ученых Красноярского Научного Центра «КНЦ-2010» (1 тур). Попечительским советом Фонда содействия отечественной науке диссертанту присужден грант по программе «Лучшие аспиранты РАН» за 2010 г.

Основные выводы, вытекающие из представленных результатов:

1. На основе точного решения уравнения Шредингера для задачи об одно-электронном спин-зависящем транспорте через спиновый димер в приближении непрерывной среды проанализировано поведение коэффициента прохождения. Показано, что процессы неупругого рассеяния электрона на потенциальном рельефе, формируемом я — /-обменным взаимодействием с димером, приводят к подавлению резонансного прохождения. Включение магнитного поля индуцирует асимметричные резонансные пики в низкоэнергетической области. В больших магнитных полях, когда происходит смена типа основного состояния димера, поведение коэффициента прохождения принципиально зависит от спиновой поляризации транспортируемого электрона.

2. Проведенные расчеты транспорта через четырехспиновую цепочку и шестиспиновый кластер показали, что отмеченные выше особенности поведения коэффициента прохождения для димера сохраняются и даже усиливаются. В частности, увеличивается число пиков, индуцированных магнитным полем.

3. Задача о транспорте спин-поляризованного электрона через спиновый димер в магнитном поле была решена в приближении сильной связи. Рассмотрение показало, что эффект индуцирования магнитным полем пиков резонансного прохождения в рамках данного подхода сохраняется. На основе метода Ландауэра-Бюттикера была вычислена вольт-амперная характеристика (ВАХ) наноустройства, в качестве активной области которого выступает спиновый димер. Применение этого подхода базируется на том, что транспорт в системе идет по трем эффективным каналам, соответствующим основному и возбужденным состояниям. Обнаружено, что ВАХ может иметь выраженное нелинейное поведение и участки с отрицательной дифференциальной проводимостью. Замечено, что ВАХ может существенно отличаться в зависимости от того, являются ли возбужденные состояния системы токонесещими или нет.

4. Показано, что для транспортных характеристик спин-димерной системы в низкоэнергетической области появление асимметричных пиков связано с интерференционными процессами по сценарию Фано. Причиной появления двух асимметричных пиков Фано в ненулевом магнитном поле является снятие вырождения по энергии триплетных состояний. Этот эффект исчезает если хотя бы одно из обменных взаимодействий в системе становится изинговским.

5. В рамках подхода Ландауэра-Бюттикера вычислено магнитосопротив-ление устройства, содержащего в качестве активного элемента спиновый димер. Показано, что влияние магнитного поля на пики Фано служит причиной возникновения как отрицательного, так и положительного магнитосопротивления. В последнем случае возможно реализовать аномально высокие величины магнитосопротивления.

Благодарности.

В завершении я хочу выразить признательность всем тем, кто так или иначе поддерживал меня на протяжении моих университетских лет и времени обучения в аспирантуре, и без участия которых это диссертационное исследование бы не состоялось. Прежде всего, я хочу выразить искренние слова благодарности моему научному руководителю, д.ф.-м.н., профессору заведующему лабораторией теоретической физики ИФ СО РАН, Валерию Владимировичу Валькову, за проявленное терпение в работе со мной, постановку интересных задач, постоянную помощь в решении научных и околонаучных проблем. Я очень признателен чл.-корр. РАН П. И. Арсееву, профессорам A.A. Фраерману и Г. А. Петраковскому за проявленный интерес к полученным результатам. Я благодарен профессорам В. А. Игнатченко, А. Ф. Садрееву, Ю. И. Манькову, E.H. Булгакову за полезные критические замечания и конструктивное обсуждение различных вопросов диссертации.

Ряд проблем данной диссертации дискутировался с сотрудниками теоретического отдела ИФ СО РАН: Дмитрием Михайловичем Дзебисашви-ли, Виталием Мицканом, Александром Головней, Максимом Корошувкиным, Андрианом Шкляевым, Александром Федосеевым, Антоном Злотниковым, Денисом Цикаловым, Дмитрием Полухиным, Константином Пичугиным и.

Дмитрием Максимовым. Их критика и интересные идеи способствовали более глубокому осмыслению и переработке получаемых научных результатов. Я признателен всему педагогическому составу реорганизованного Физического факультета Красноярского Государственного Универсистета, в особенности кафедре теоретической физики во главе с бывшим и нынешним руководителями профессорами A.M. Барановым и С. Г. Овчинниковым, за те усилия и знания, которые были вложены в меня на студенческой скамье и годы аспирантуры. Отдельные слова благодарности хочу выразить моей семье, друзьям и близким за разностороннею поддержку. За помощь в решении организационных вопросов благодарю отдел аспирантуры СФУ и его руководителя А. Г. Петрову, а также отдел аспирантуры ИФ СО РАН и руководителя Н. И. Попову.

Работа выполнена при финансовой поддержке Программы Отделения физических наук РАНФедеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009;2013 годы" — Междисциплинарного интеграционного проекта СО РАН #53- Российского фонда фундаментальных исследований (грант #09−02−127, рсибирь #11−02−98 007) — гранта Президента РФ МК-1300.2011.2.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Cho A. Y., and Arthur J.R., Molecular beam epitaxy.// Prog. Solid State Chem. — 1975. — V.10. — P.157.
  2. Kern D. P., Nanostructure fabrication.// Springer series in solid state sciences. 1993. — V.lll. — P.l.
  3. Wiesendanger R., Scanning probe microscopy and spectroscopy. — Cambridge: Cambridge University Press. — 1994.
  4. Kish L. B., End of Moore’s law: thermal (noise) death of integration in micro and nano electronics.// Phys. Lett. A. 2002. — V.305. — P. 144.
  5. Buot F. A., Mesoscopic physics and nanoelectronics: nanoscience and nanotechnology.// Phys. Rep. 1993. — V.234. — P.73.
  6. Ando T., Fowler A. B., and Stern F., Electronic properties of two-dimensional systems.// Rev. Mod. Phys. 1982. — V.54. — P.437.
  7. Weisbuch C., Vinter B., Quantum semiconductor structures: fundamentals and applications. — London: Academic Press. — 1991.
  8. Agrait N., Yeyatib A.L., and van Ruitenbeek J.M., Quantum properties of atomic-sized conductors.// Phys. Rep. — 2003. — V.377. — P.81.
  9. Seminario J.M., Molecular and nano electronics: analysis, design and simulation. — Oxford: Elsevier. — 2007.
  10. Alhassid Y., The statistical theory of quantum dots.// Rev. Mod. Phys. — 2000. V.72. — P.895.11. van Kampen N.G., Stochastic processes in physics and chemistry. — Amsterdam: North-Holland. — 1981.
  11. Akkermans E., Montambaux G., Pichard J.-L., and Zinn-Justin J., Mesoscopic quantum physics. — Amsterdam: North-Holland. — 1995.
  12. Datta S., Electronic transport in mesoscopic systems. — Cambridge: Cambridge University Press. — 1995.
  13. JI. В., Диаграммная техника неравновесных процессов.// ЖЭТФ. 1964. — Т.47. — С.1515.
  14. Kadanoff L. P., and Baym G., Quantum statistical mechanics- Green’s function methods in equilibrium and nonequilibrium. — New York: W.A. Benjamin. — 1962.
  15. Meir Y., and Wingreen N.S., Landauer formula for the current through an interacting electron region.// Phys. Rev. Lett. — 1992. — V.68. — P.2512.
  16. С., Квантовый транспорт: от атома к транзистору. — М. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика». — 2009.
  17. Fano U., Effects of configuration interaction on intensities and phase shifts.// Phys. Rev. 1961. — V.124. — P. 1866.
  18. Gores J., Goldhaber-Gordon D., Heemeyer S., et al, Fano resonances in electronic transport through a single-electron transistor.// Phys. Rev. B. — 2000. V.62. — P.2188.
  19. Aikawa H., Kobayashi K., Sano A., et al., Interference effect in multilevel transport through a quantum dot.// J. Phys. Soc. Jpn. — 2004. — V.73. — P.3235.
  20. А., Происхождение, развитие и перспективы спинтроники.// УФН. 2008. — Т. 178. — С.1336.
  21. А. А., Удалов О. Г., Фотогальванический эффект в ферромагнетиках с некомпланарным распределением намагниченности.// Письма в ЖЭТФ. 2008. — Т.87. — С.187.
  22. Е. А., Удалов О. Г., Фраерман А. А., Оптическая активность в средах с некомпланарным распределением намагниченности.// ЖЭТФ. 2009. — Т.136. — С.1127.
  23. Akkerman Н.В., and de Boer В., Electrical conduction through single molecules and self-assembled monolayers.// J.Phis.: Cond. Matt. — 2008. — V.20. P.13 001.
  24. Bogani L., and Wernsdorfer W., Molecular spintronics using single-molecule magnets.// Nature Materials. 2008. — V.7. — P. 179.
  25. Tiron R., Wernsdorfer W., Foguet-Albiol D. et al, Spin quantum tunneling via entangled states in a dimer of exchange-coupled single-molecule magnets.// Phys. Rev. Lett. 2003. — V.91. — P.227 203.
  26. Hirjibehedin C.F., Lin C.-Y., Otte A. F., et al, Large magnetic anisotropy of a single atomic spin embedded in a surface molecular network.// Science. — 2007. V.317. — P.1199.
  27. Tsukahara N., Noto K., Ohara M., et al., Adsorption-induced switching of magnetic anisotropy in a single iron (II) phthalocyanine molecule on an oxidized Cu (110) surface.// Phys. Rev. Lett. 2009. — V.102. — P.167 203.
  28. Loth S., von Bergmann K., and Ternes M., Controlling the state of quantum spins with electric currents.// Nature Physics. — 2010. — V.6. — P.340.
  29. Fernandez-Rossier J., Theory of single-spin inelastic tunneling spectroscopy.// Phys. Rev. Lett. 2009. — V.102. — P.256 802.
  30. Ihn T., Electronic quantum transport in mesoscopic semiconductor structures. — Berlin: Springer. — 2004.
  31. Coleridge P. T., Stoner R., and Fletcher R., Low-field transport coefficients in GaAs/Gal.xAlxAs heterostructures.// Phys. Rev. B. — 1989. — V.39. — P.1120.
  32. Tsui D.C., Stormer H.L., and Gossard A.C., Two-dimensional magnetotransport in the extreme quantum limit.// Phys. Rev. Lett. — 1982. V.48. — P.1559.
  33. Laughlin R. B., Anomalous quantum Hall effect: an incompressible quantum fluid with fractionally charged excitations.// Phys. Rev. Lett. — 1983. — V.50.- P.1395.
  34. Chakraborty T., and Pietilainen P., The fractional quantum Hall effect. — Berlin: Springer. — 1988.
  35. Heinonen 0., Composite Fermions- a unified view of the quantum Hall regime. — Singapore: World Scientific. — 1998.
  36. Abrahams E., Anderson P. W., Licciardello D.C., and Ramakrishnan T.V., Scaling theory of localization: absence of quantum diffusion in two dimensions.// Phys. Rev. Lett. 1979. — V.42. — P.673.
  37. Lee P. A., and Ramakrishnan T.V., Disordered elctronic systems.// Rev. Mod. Phys. 1985. — V.57. — P.287.
  38. Kravchenko S. V, Kravchenko G.V., Furneaux J.E., et al., Possible metal-insulator transition at B = 0 in two dimensions.// Phys. Rev. B. — 1994. — V.50. P.8039.
  39. Kravchenko S.V., Simonian D., Sarachik M.P., et al., Electric field scaling at a B = 0 metal-insulator transition in two dimensions.// Phys. Rev. Lett.- 1996. V.77. — P.4938.
  40. Aharonov Y., and Bohm D., Significance of electromagnetic potentials in the quantum theory.// Phys. Rev. 1959. — V.115. — P.485.
  41. Bruus H., Flensberg K., Many-body quantum theory in condensed matter physics: An Introduction. — Copenhagen: Oxford University Press. — 2004.
  42. Datta S., Melloch M. R., Bandyopadhyay S., et al., Novel interference effects between parallel quantum wells.// Phys. Rev. Lett. — 1985. — V.55. — P.2344.
  43. Timp G., Chang A.M., Cunningham J.E., et al., Observation of the Aharonov-Bohm effect for шст > 1.// Phys. Rev. Lett. — 1987. — V.58. — P.2814.
  44. Hansen A.E., Kristensen A., Pedersen S., et al., Mesoscopic decoherence in Aharonov-Bohn rings.// Phys. Rev. B. 2001. — V.64. — P.45 327.
  45. Washburn S., and Webb R. A., Aharonov-Bohm effect in normal metal. Quantum coherence and transport.// Adv. Phys. — 1986. — V.35. — P.375.
  46. Aronov A. G., and Sharvin Y. V., Magnetic flux effects in disordered conductors.// Rev. Mod. Phys. 1987. — V.59. — P.755.
  47. Gefen I. Y., Imry Y., and Azbel M. Ya., Quantum oscillations in small rings at low temperatures.// Surf. Sci. 1984. — V.142. — P.203.
  48. Bulgakov E. N., and Sadreev A. F., Mesoscopic ring under the influnce of time-periodical flux: Aharonov-Bohm oscillations and transmission of wave packets.// Phys. Rev. B. 1995. — V.52. — P. 11 938.
  49. Stone A. D., Magnetoresistance fluctuations in mesoscopic wires and rings.// Phys. Rev. Lett. 1985. — V.54. — P.2692.
  50. К. H., Садреев А. Ф., Нерегулярные осцилляции Ааронова-Бома в кольцах с конечной шириной.// ЖЭТФ. — 1996. — Т.109. — С.546.
  51. Pichugin K.N., and Sadreev A. F., Irregular Aharonov-Bohm oscillations of conductance in two-dimentional rings.// Phys. Rev. B. — 1997. — V.56. — P.9662.
  52. . И., История и будущее полупроводниковых гетерострук-тур.Ц ФТП. 1998. — Т.32. — С.З.
  53. Sun J. P., Haddad G.I., Mazumder P., et al., Resonant tunneling diodes: models and properties.// Proc. IEEE. 1998. — V.86. — P.641.
  54. . И., Асеев А. Л., Гапонов С. В. и др., Наноматериалы И На-нотехнологии.// Нано- и микросистемная техника. — 2003. — Т.8. — С.З.
  55. Esaki L., and Tsu R., Tunnelling in a finite superlattice.// Appl. Phys. Lett.- 1973. V.22. — P.562.
  56. Chang L. L., Esaki L., and Tsu R., Resonant tunnelling in semiconductor double barriers.// Appl. Phys. Lett. 1974. — V.24. — P.593.
  57. Goldman V. J., Tsui D.C., and Cunningham J. E., Observation of intrinsic bistability in resonant-tunnelling structures.// Phys. Rev. Lett. — 1987. — V.58.1. P.1256.
  58. Sheard F.W., and Toombs G.A., Space-charge buildup and bistability in resonant-tunneling double-barrier structures.// Appl. Phys. Lett. — 1988. — V.52. P.1228.
  59. Jensen K. L., and Buot F. A., Numerical simulation of intrinsic bistability and high-frequency current oscillations in resonant tunneling structures.// Phys. Rev. Lett. 1991. — V.66. — P. 1078.
  60. Zang J., and Birman J.L., Theory of intrinsic bistability in double-barrier resonant-tunneling structures.// Phys. Rev. B. — 1992. — V.46. — P.5020.
  61. В. Ф., К теории когерентного резонансного туннелирования взаимодействующих электронов.// ЖЭТФ. — 2001. — Т.119. — С.816.
  62. Muto S., Inata T., Ohnishi H., et at., Effect of silicon doping profile on II/V characteristics of an AlGaAs/GaAs resonant tunneling barrier structure grown by MBE.// Jpn. J. Appl. Phys. 1986. — V.25. — P. L577.
  63. Shimizu N., Waho T., Ishibashi T., Capacitance anomaly in the negative differential resistance region of resonant tunneling diodes.// Jpn. J. Appl. Phys. 1997. — V.36. — P. L330.
  64. Ohnishi H., Inata T., Muto S., et al., Self-consistent analysis of resonant tunneling current.// Appl. Phys. Lett. 1986. — V.49. — P.1248.
  65. Mehdi I., Mains R., Haddad G., Effect of spacer layer thickness on the static characteristics of resonant tunneling diodes.// Appl. Phys. Lett. — 1990. — V.57. P.899.
  66. Wei T., and Stapleton S., Effect of spacer layers on capacitance of resonant tunneling diodes.// J. Appl. Phys. 1994. — V.76. — P. 1287.
  67. Yang Z., Chun-Lin H., Jian-Feng G., et al, Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/InoMGaOA7As/InAs resonant tunnelling diodes.// Chinese Phys. B. — 2008. V.17. — P. 1472.
  68. Daniels-Race T., and Yu S., Effect of spacer layer thickness on tunneling characteristics in asymmetric AlAs/GaAs/AlAs double barrier structures.// Sol. St. Electron. 1995. — V.38. — P.1347.
  69. Yoo H.M., Goodnick S.M., and Arthur J.R., Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of AlGaAs/GaAs and AlGaAs/InGaAs resonant tunneling diodes.// Appl. Phys. Lett. — 1990. — V.56. P.84.
  70. В.Ф., Ремнев М. А., Катеев И. Ю., Влияние спейсерных слоев на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода.// ФТП.- 2010. Т.44. — С.1068.
  71. Moore G.E., Cramming more components onto integrated circuits.// Electronics. 1965. — V.38. — P.8.
  72. Aviram A., and Ratner M.A., Molecular rectifiers.// Chem. Phys. Lett. — 1974. V.29. — P.277.
  73. Mann В., and Kuhn H., Tunneling through fatty acid salt monolayers.// J. Appl. Phys. 1971. — V.42. — P.4398.
  74. Kuznetsov A.M., Charge Transfer in Physics, Chemistry and Biology. — New York: Gordon and Breach. — 1995.
  75. Tersoff J., and Hamann D.R., Theory of the scanning tunneling microscope.// Phys. Rev. B. 1985. — V.31. — P.805.
  76. Landauer R., Spatial variation of currents and field due to localized scatterers in metallic conduction.// IBM J. Res. Dev. — 1957. — V.l. — P.223.
  77. Landauer R., Electrical resistance of disordered one-dimensional lattices.// Phil. Mag. 1970. — V.21. — P.863.
  78. Emberly E.G., and Kirczenow G., Models of electron transport through organic molecular monolayers self-assembled on nanoscale metallic contacts.// Phys. Rev. B. 2001. — V.64. — P.235 412.
  79. Larade В., Taylor J., Mehrez H., and Guo H., Conductance, I-V curves, and negative differential resistance of carbon atomic wires.// Phys. Rev. B. — 2001.- V.64. P.75 420.
  80. Palacios J. J., Perez-Jimenez A. J., Louis E., et al., First-principal approach to electrical transport in atomic-scale nanostructures.// Phys. Rev. B. — 2002.- V.66. P.35 322.
  81. Xue Y. Q., and Ratner M.A., Microscopic study of electrical transport through individual molecules with metallic contacts. II. Effect fo the interface structure.// Phys. Rev. B. 2003. — V.68. — P. 115 407.
  82. Lang N. D., Resistance of atomic wires.// Phys. Rev. B. — 1995. — V.52. — P.5335.
  83. Di Ventra M., Pantelides S.T., and Lang N.D., Current-induced forces in molecular wires.// Phys. Rev. Lett. 2002. — V.88. — P.46 801.
  84. Zhongqin Y., Lang N. D., and Di Ventra M., Effects of geometry and doping on the operation of molecular transistors.// App. Phys. Lett. — 2003. — V.82.- P.1938.
  85. Nitzan A., Electron transmission through molecules and molecular interfaces.// Ann. Rev. Phys. Chem. 2001. — V.52. — P.681.
  86. Smit R. H.M., Noat Y., Untiedt C., et al., Measurement of the conductance of a hydrogen molecule.// Nature. 2002. — V.419. — P.906.
  87. Getty S. A., Engtrakul C., Wang L., et al., Near-perfect conduction through a ferrocene-based molecular wire.// Phys. Rev. B. — 2005. — V.71. — P.241 401®.
  88. Park J., Pasupathy A.N., Goldsmith J. I., et al., Coulomb blockade and the Kondo effect in single-atom transistors.// Nature. — 2002. — V.417. — P.722.
  89. Liang W., Shores M.P., Bockrath M., et al, Kondo resonance in a single-molecule transistor.// Nature. — 2002. — V.417. — P.725.
  90. Kubatkin S., Danilov A., Hjort M., et al, Single-electron transistor of a single organic molecule with access to several redox states.// Nature. — 2003. V.425. — P.698.
  91. Segal D., Nitzan A., and Hanggi P., Thermal conductance through molecular wires.// J. Chem. Phys. 2003. — V.119. — P.6840.
  92. Fransson J., and Galperin M., Inelastic scattering and heating in a molecular spin pump.// Phys. Rev. B. 2010. — V.81. — P.75 311.
  93. Stipe B.C., Rezaei M. A., and Ho W., Inducing and viewing the rotational motion of a single molecule.// Science. — 1998. — V.279. — P.1907.
  94. Komeda T., Kim Y., Kawai M., et al, Lateral hopping of molecules induced by excitation of internal vibration mode.// Science. — 2002. — V.295. — P.2055.
  95. Seideman T., Current-triggered dynamics in molecular-scale devices.// J. Phys.: Cond. Matt. 2003. — V.15. — P. R521.
  96. Persson B. N. J., and Ueba H., Theory of inelastic tunneling induced motion of adsorbates on metal surfaces.// Surf. Sci. — 2002. — V.12. — P.502.
  97. Nazin G.V., Qiu X. H., and Ho W., Visualization and spectroscopy of a metal-molecule-metal bridge.// Science. — 2003. — V.302. — P.77.
  98. Kumagai T., Kaizu M., Hatta S., et al, Direct observation of hydrogen-bond exchange within a single water dimer.// Phys. Rev. Lett. — 2008. — V.100. — P.166 101.
  99. Stroscio J. A., et al., Controlling the dynamics of a single atom in lateral atom manipulation.// Science. — 2004. — V.306. — P.242.
  100. Tikhodeev S.G., and Ueba H., How vibrationally assisted tunneling with STM affects the motions and reactions of single adsorbates.// Phys. Rev. Lett.- 2009. V.102. — P.246 101.
  101. Wolf E. L., Principles of electron tunneling spectroscopy. — New York: Oxford University Press. — 1985.
  102. Wang W., Lee T., Kretzschmar I., and Reed M.A., Inelastic electron tunneling spectroscopy of alkanedithiol self-assembled monolayers.// Nano Lett.- 2004. V.4. — P.643.
  103. Kushmerick J. G., Lazorcik J., Patterson C. H., et al., Vibronic contributions to charge transport across molecular junctions.// Nano Lett. — 2004. — V.4.- P. 639.
  104. Nitzan A., Jortner J., Wilkie J., et al., Tunneling time for electron transfer reactions.// J. Phys. Chem. B. 2000. — V.104. — P.5661.
  105. Peskin U., Edlund A., Bar-On I., et al., Transient resonance structures in electron tunneling through water.// J. Chem. Phys. — 1999. — V.lll. — P.7558.
  106. Yablonovitch E., The chemistry of solid-state electronics.// Science. — 1989.- V.246. P.347.
  107. Buttiker M., Four-terminal phase-coherent conductance.// Phys. Rev. Lett.- 1986. V.57. — P.1761.
  108. Venugopal R., Paulsson M., Goasguen S., et ai, A simple quantum mechanical treatment of scattering in nanoscale transistors.// J. App. Phys.- 2003. V.93. — P.5613.
  109. Segal D., and Nitzan A., Conduction in molecular junctions: Inelastic effects.// Chem. Phys. 2002. — V.281. — P.235.
  110. П. И., Маслова Н. С., Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы.// Письма в ЖЭТФ. 2007. — Т.85. — С.304.
  111. Persson В. N. J., and Baratoff A., Inelastic electron tunneling from a metal tip: The contribution from resonant processes.// Phys. Rev. Lett. — 1987. — V.59. P.339.
  112. Qiu X. H., Nazin G.V., and Ho W., Vibronic states in single molecule electron transport.// Phys. Rev. Lett. 2004. — V.92. — P.206 102.
  113. Ueba H., Mii Т., and Tikhodeev S.G., Theory of inelastic tunneling spectroscopy of a single molecule Ц Competition between elastic and inelastic current.// Surf. Science. 2007. — V.601. — P.5220.
  114. П. И., Маслова Н. С., Взаимодействие электронов с колебательными модами при туннелировании через одиночный электронный уровень молекулы.// УФН. 2010. — Т.180. — С.1197.
  115. Hahn J.R., Lee Н. J., and, Но W., Electronic resonance and symmetry in singlemolecule inelastic electron tunneling.// Phys. Rev. Lett. — 2000. — V.85.- P.1914.
  116. Galperin M., Ratner M.A., and Nitzan A., Hysteresis, switching and negative differential reistance in molecular junctions: A polaron model// Nano Lett. 2005. — V.5. — P. 125.
  117. Galperin M., Nitzan A., and Ratner M. A., Resonant inelastic tunneling in molecular junctions.// Phys. Rev. B. 2006. — V.73. — P.45 314.
  118. Frauenheim T., Seifert G., Elstner M., et al., Atomistic simulations of complex materials: Ground state and excited-state properties.// J. Phys.: Cond. Matt. 2002. — V.14. — P.3015.
  119. Brandbyge M., Mozos J.-L., Ordejon P., et al., Density-functional method for nonequilibrium electron transport.// Phys. Rev. B. — 2002. — V.65. — P.165 401.
  120. Mirjani F., and Thijssen J.M., Density functional theory based many-body analysis of electron transport through molecules.// Phys. Rev. B. — 2011. — V.83. P.35 415.
  121. Glazman L.I., and Shekhter R. I., Coulomb oscillations of the conductance in a laterally confined heterostructure.// J. Phys.: Cond. Matt. — 1989. — V.l.- P.5811.
  122. Bardeen J., Tunnelling from a Many-Particle Point of View.// Phys. Rev. Lett. 1961. — V.6. — P.57.
  123. Caroli C., Combescot R., Nozieres P., and Saint-James D., Direct calculation of the tunneling current.// J. Phys. C: Solid State Phys. — 1971. — V.4.
  124. P.916- A direct calculation of the tunnelling current: IV. Electron-phonon interaction effects.// J. Phys. C: Solid State Phys. 1972. — V.5. — P.21-
  125. Heinzel T., Mesoscopic Electronics in Solid State Nanostructures. — Weinheim: WILEY-VCH. 2007.
  126. Prinz G. A., Magnetoelectronics.// Science. 1998. — V.282. — P.1660.
  127. Wolf S.A., Awschalom D.D., Buhrman R. A., et al, Spintronics: a spin-based electronics vision for the future.// Science. — 2001. — V.294 — P.1488.
  128. Baibich M.N., Broto J.M., Fert A., et al., Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices.// Phys. Rev. Lett. 1988. — V.61.- P.2472.
  129. Binasch G., Griinberg P., Saurebach F., et al, Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange.// Phys. Rev. B. 1989. — V.39. — P.4828.
  130. Julliere M., Tunneling between ferromagnetic films.// Phys. Lett. A. — 1975.- V.54. P.225.
  131. Moodera J.S., Kinder L. R., Wong T. M., and Meservey R., Large magnetoresistance at room temperature in ferromagnetic thin film tunnel junctions.// Phys. Rev. Lett. 1995. — V.74. — P.3273.
  132. Miyazaki T., and Tezuka N. J., Giant magnetic tunneling effect in Fe/Al203 /Fe junction.// J. Magn. Magn. Mater. 1995. — V.139. — P. L231.
  133. J. С., Current-driven excitation of magnetic multilayers.// J. Magn. Magn. Mater. 1996. — V.159. — P.LI.
  134. Berger L., Emission of spin waves by a magnetic multilayer transversed by a current.// Phys. Rev. B. 1996. — V.54. — P.9353.
  135. Ю.В., Зильберман П. Е., Эпштейн Э. М. и др., Инжещия спинов током и поверхностный крутильный момент в ферромагнитных металлических переходах.// ЖЭТФ. — 2005. — Т.127. — С.1138.
  136. Ю. В., Зильберман П. Е., Панас А. И. и др., Макроспин в ферромагнитных нанопереходах.// ЖЭТФ. — 2008. — Т.134. — С.1200.
  137. Mironov V. L., Gribkov В. A., Vdovichev S.N., et al., Magnetic force microscope tip-induced remagnetization of CoPt nanodisks with perpendicular anisotropy.// J. Appl. Phys. 2009. — V.106. — P.53 911.
  138. В. К., Никитенко Ю. В., Фраерман А. А., Прохождение поляризованных нейтронов через магнитные некомпланарные слоистые системы.// ЖЭТФ. 2010. — Т. 137. — С.886.
  139. Heinrich A. J., Gupta J. A., Lutz С. P., and Eigler D. М., Single-atom spinflip spectroscopy.// Science. — 2004. — V.306. — P.466.
  140. Hirjibehedin C. F., Lutz C.P., Heinrich A. J., Spin coupling in engineered atomic structures.// Science. — 2006. — V.312. — P.1021.
  141. Chen X., Fu Y.-S., Ji S.-H., et al., Probing superexchange interaction in molecular magnets by spin-flip spectroscopy and microscopy.// Phys. Rev. Lett. 2008. — V.101. — P.197 208.
  142. Zyazin A. S., van den Berg J.W.G., and Osorio E. A., Electric Field Controlled Magnetic Anisotropy in a Single Molecule.// Nano Lett. — 2010. V.10. — P.3307.
  143. Misiorny M., and Barnas J., Magnetic switching of a single molecular magnet due to spin-polarized current.// Phys. Rev. B. — 2007. — V.75. — P. 134 425.
  144. Misiorny M., Weymann I., and Barnas J., Spin effects in transport through single-molecule magnets in the sequential and cotunneling regimes.// Phys. Rev. B. 2009. — V.79. — P.224 420.
  145. Delgado F., Palacios J. J., and Fernandez-Rossier J., Spin-transfer torque on a single magnetic adatom.// Phys. Rev. Lett. — 2010. — V.104. — P.26 601.
  146. Barraza-Lopez S., Park K., Garcia-Suarez V., et al., First-principles study of electron transport through the single-molecule magnet Mnl2.// Phys. Rev. Lett. 2009. — V.102. — P.246 801.
  147. Misiorny M., Weymann I., and Barnas J., Spin diode behavior in transport through single-molecule magnets.// Europhys. Lett. — 2010. — V.89. — P. 18 003.
  148. Kondo J., Resistance minimum in dilute magnetic alloys.// Prog. Theor. Phys. 1964. — V.32. — P.37.
  149. Madhavan V., Chen W., Jamneala T., et al., Tunneling into a single magnetic atom: spectroscopic evidence of the Kondo resonance.// Science. — 1998. V.280. — P.567.
  150. Hewson A.C., The Kondo Problem to Heavy Fermions. — Cambridge: Cambridge University Press. — 1993.
  151. Otte A. F., Ternes M., von Bergmann K., The role of magnetic anisotropy in the Kondo effect.// Nature Physics. 2008. — V.4. — P.847.
  152. Romeike C., Wegewijs M.R., Hofstetter W., and Schoeller H., Quantum-tunneling-induced Kondo effect in single molecular magnets.// Phys. Rev. Lett.- 2006. V.96. — P.196 601.
  153. Gonzalez G., Leuenberger M. N., and Mucciolo E. R., Kondo effect in single-molecule magnet transistors.// Phys. Rev. B. — 2008. — V.78. — P.54 445.
  154. Misiorny M., Weymann I., and Barnas J., Interplay of the Kondo effect and spin-polarized transport in magnetic molecules, adatoms, and quantum dots.// Phys. Rev. Lett. 2011. — V.106. — P.126 602.
  155. Jamneala T., Madhavan V., and Crommie M. F., Kondo response of a single antiferromagnetic chromium trimer.// Phys. Rev. Lett. — 2001. — V.87. — P.256 804.
  156. Lee H. J., Ho W., and Persson M., Spin splitting of s and p states in single atoms and magnetic coupling in dimers on a surface.// Phys. Rev. Lett. — 2004. V.92. — P.186 802.
  157. Miroshnichenko A.E., Flash S., and Kivshar Y. S., Fano resonances in nanoscale structures.// Rev. Mod. Phys. 2010. — V.82. — P.2257.
  158. Breit G., and Wigner E., Capture of slow neutrons.// Phys. Rev. — 1936.- V.49. P.519.
  159. Kobayashi K., Aikawa H., Katsumoto S., and lye Y., Tuning of the Fano effect through a quantum dot in an Aharonov-Bohm interferometer.// Phys. Rev. Lett. 2002. — V.88. — P.256 806.
  160. Johnson A. C., Marcus C. M., Hanson M.P., and Gossard A. C., Coulomb-modified Fano resonance in a one-lead quantum dot.// Phys. Rev. Lett. — 2004.- V.93. P.106 803.
  161. Verduijn J., Tettamanzi G. C., Lansbergen G.P., et al., Coherent transport through a double donor system in silicon.// Appl. Phys. Lett. — 2010. — V.96.- P.72 110.
  162. Calvet L. E., Snyder J. P., and Wernsdorfer W., Fano resonance in electron transport through single dopant atoms.// Phys. Rev. B. — 2011. — V.83. — P.205 415.
  163. Zitko R., and Bonca J., Enhanced conductance through side-coupled double quantum dots.// Phys. Rev. B. 2006. — V.73. — P.35 332.
  164. Chung C.H., Zarand G., and Wolfle P., Two-stage Kondo effect in side-coupled quantum dots: Renormalized perturbative scaling theory and numerical renormalization group analysis.// Phys. Rev. B. — 2008. — V.77. — P.35 120.
  165. Sasaki S., Tamura H., Akazaki T., and Fujisawa T., Fano-Kondo interplay in a side-coupled double quantum dot.// Phys. Rev. Lett. — 2009. — V.103. — P.266 806.
  166. Hofstetter W., Konig J., and Schoeller H., Kondo correlations and the Fano effect in closed Aharonov-Bohm interferometers.// Phys. Rev. Lett. — 2001. — V.87. P.156 803.
  167. Anderson P. W., Localized magnetic states in metals.// Phys. Rev. — 1961.- V.124. P.41.
  168. Kobayashi К., Aikawa Н., Sano A., et al., Fano resonance in a quantum wire with a side-coupled quantum dot.// Phys. Rev. — 2004. — V.70. — P.35 319.
  169. Luo H. G., Xiang Т., Wang X. Q., et al., Fano resonance for Anderson impurity systems.// Phys. Rev. Lett. 2004. — V.92. — P.256 602.
  170. Langreth D. C., Friedel sum rule for Anderson’s model of localized impurity states.// Phys. Rev. 1966. — V.150. — P.516.
  171. Л. И., Райх М. Э., Резонансная Кондо-прозразностъ барьера с квазилокализованными примесными состояниями.// Письма в ЖЭТФ. — 1988. Т.47. — С.378.
  172. Ng Т.К., and Lee P. A., On-site Coulomb repulsion and resonant tunneling.// Phys. Rev. Lett. 1988. — V.61. — P.1768.
  173. Mahan G., Many-Particle Physics. — New York: Plenum. — 1993.
  174. Torio M. E., Hallberg K., Flach S., et a/., Spin filters with Fano dots.// Eur. Phys. J. B. 2004. — V.37. — P.399.
  175. А. С., Квантовая механика. — М.:Наука. — 1973.
  176. Ю.Г., Штыгашев А. А., Одномерная квантовая механика. Новосибирск: НГТУ. — 2007.
  177. Л. Д., Лифшиц Е. М., Квантовая механика (нерелятивистская теория). М.: ФИЗМАТЛИТ. — 2001.
  178. А. В., Использование поляризованного по спину тока в спин-тронике.// УФН. 2002. — Т.172. — С.1458.
  179. Zutic I., Fabian J., and Das Sarma S., Spintronics: Fundamentals and applications.// Rev. Mod. Phys. 2004. — V.76. — P.323.
  180. В. В., Аксенов C.B., Эффекты неупругого транспорта электрона через потенциальный рельеф спинового димера в магнитном поле./ / Известия РАН. Серия физическая. — 2010. — Т.74. — С.6.
  181. В. В., Аксенов С. В., Проявление неупругих эффектов в транспортных характеристиках спиновых наноструктур.// Известия РАН. Серия физическая. — 2010. — Т.74. — С.763.
  182. В. В., Аксенов C.B., Эффекты неупругого спин-зависящего электронного транспорта через спиновую наноструктуру в магнитном поле.// ЖЭТФ. 2011. — Т. 140. — вып.2(8). — С.305.
  183. Val’kov V.V., Aksenov S.V., Fano mechanism of the giant magnetoresistance formation in a spin nanostructure.// arXiv:1109.0391vl. — 2011.
  184. В. В., Аксенов C.B., Резонансное туннелирование электрона через потенциальный рельеф спинового димера.// Тезисы докладов XXXII Международной зимней школы физиков-теоретиков «Коуровка-2008». — 2008. С. 141.
  185. В. В., Аксенов C.B., Особенности неупругого одноэлектрон-ного транспорта через спиновые наноструктуры.// Тезисы докладов XXXIII Международной зимней школы физиков-теоретиков «Коуровка». 2010. — С.8.
  186. В. В., Аксенов C.B., Эффекты неупругого транспорта электрона через потенциальный рельеф спинового димера в магнитном поле.// Труды XIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлек-троника». 2009. — Т.1. — С.179.
  187. В. В., Аксенов С. В., Эффекты Фано при квантовом транспорте через спиновую наноструктуру.// Труды 3-го Международного междисциплинарного симпозиума «Среды со структурным и магнитным упорядочением» (Multiferroics-3). — 2011. — С.5.
  188. В. В., Аксенов C.B., Эффекты неупругого спин-зависящего транспорта электрона через спиновые наноструктуры в магнитном поле./ / Тезисы докладов XXXV Совещания по физике низких температур (НТ-35). 2009. — С.244.
  189. В. В., Аксенов С. В., Неупругий одноэлектронный транспорт через спиновые наноструктуры.// Сборник трудов Конференции молодых ученых КНЦ СО РАН 2010. 2010. — С.11.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!