Структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Cu2Se и CuInSe2
Диссертация
На момент постановки настоящей работы большое внимание уделялось исследованиям оптоэлектронных свойств гетероструктур на основе CuInSe2. Слои функционального элемента в основном формируют на поверхностях поликристаллических неориентированных пленок Мо и ITO, применяемых в качестве проводящего подслоя. Использование неориентирующих подложек не позволяет получать эпитаксиальные пенки CuInSe2… Читать ещё >
Список литературы
- Dullweber Т., Rau U., Schock H.W. A new approach to high-efficiency solar cells by band gap grading in Cu (In, Ga) Se2 chalcopyrite semiconductors.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 2001. — vol. 67. — № 1−4. -P. 145−150.
- AbuShama Jehad A.M., Johnston S., Moriarty Т., Teeter G., Ramanathan K., Noufi R. Properties of ZnO/CdS/CuInSe2 solar cells with improved performance.// Progress in Photovoltaics: Research and Applications. -2004.-vol. 12.-№ i.p. 39.45.
- Schock H.W. Solar cells based on CuInSe2 and related compounds: recent progress in Europe.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 1994. -vol. 34.-№ 1−4.-P. 19−26.
- Schock H.W. Thin film photovoltaics.// Applied Surface Science. 1996. -vol. 92.-P. 606−616.
- Kazmerski L.L., Ireland P.J., White F.R., Cooper R.B., The Performance of Copper-Ternary Based Thin-Film Solar Cells.// Proc. of 13th IEEE Photovoltaic Spec. Conf, IEEE, New York, USA, 1978. P. 185−188.
- Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. Перевод с английского. М.: Мир, 1986. — 435 С.
- Walter N., Rud' V.Yu., Rud'.Yu.V., Schock H.W. Photosensiviny of thin-film Zno/CdS/Cu (In, Ga) Se2 solar cells.// Semiconductors. 1997. — vol. 31 — P. 681−685.
- Rechid J., Kampmann A., Reineke-Koch R. Characterising superstrate CIS solar cells with electron beam induced current.// Thin Solid Films. 2000. -vol. 361−362.-P. 198−202.
- Ely J.H., Ohno T.R., Furtak Т.Е., Nelson A.J. Raman characterization of epitaxial Cu-In-Se thin films.// Thin Solid Films. 2000. — vol. 371. — P. 36−39.
- Tiwari A.N., Krejci M., Haug F.J., Zogg H. Heteroepitaxy of CuInSe2: a review of the material and interface properties.// Thin Solid Films. 2000. -vol. 361−362.-P. 41−48.
- Золотухин И.В., Иевлев B.M., Кущев С. Б., Туркин В. Ф. Ориентаци-онные соотношения, наблюдаемые при вакуумной конденсации молибдена на фторфлогопите // ФММ. 1977. — Т. 43. — Вып. 12. — С. 199−204.
- Chakrabarti D.J., Laughlin D.E. The Cu-Se (Copper-Selenium) System.// Bulletin of Alloy Phase Diagrams. 1981. — vol. 2. — № 3. — P. 305−315.
- Диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник/ Под общей ред. Н. П. Лякишева. М.: Машиностроение. — 1997. -Т. 2. -1024 С.
- Абрикосов Н.Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В., Скуднова Е. В., Чижевская С. Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. -М.: Наука, 1975.-220 С.
- Зломанов В.П., Новоселова А. В. Р-Т-Х диаграммы состояния систем металл-хальгоген. М.: Наука, 1987. — 288 С.
- Уманский Я.С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев Л. Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. — 632 с.
- Clark J.B., Rapoport E. Effect of pressure on solid-solid transitions in some silver and cuprous chalcogenides.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1970. — vol. 31. — № 2. — P. 247−254.
- Shafizade R.B., Ivanova I.V., Kazinets M.M. Electron diffraction study of phase transformations of the compound CuSe.// Thin Solid Films. 1978. -vol. 55,-№ 2.-P. 211−220.
- Levy-Clement Claude, Neumann-Spallart M., Haram S.K., Santhanam. S.V.K. Chemical bath deposition of cubic copper (I) selenide and its room temperature transformation to the orthorhombic phase.// Thin Solid Films. 1997.-vol. 302.-№ 1−2.-P. 12−16.
- Lippkow D., Strehblow H.H. Structural investigations of thin films of cop-per-selenide electrodeposited at elevated temperatures.// Electrochemica Acta. 1998. — vol. 43. -№ 14−15. — P. 2131−2140.
- Kashida S., Akai J. X-ray diffraction and electron microscopy studies of the room-temperature structure of Cu2Se// Journal Physics. C: Solid State Physics. 1988. — vol. 21. — P. 5329−5336.
- Okimura H., Matsumae Т., Makabe R. Electrical properties of Cu2xSe thin films and their application for solar cells.// Thin Solid Films. 1980. — vol. 71. -№ 1. — P. 53−59.
- Bhuse V., Hankare P.P., Garadkar K.M., Khomane A.S. A simple, convenient, low temperature route to grow polycrystalline copper selenide thin films.// Materials Chemistry and Physics. 2003. — vol. 80. -№ 1. — P. 8288.
- Lakshmi M., Bindu K., Bini S., Vijayakumar K., Sudh C., Karth P., Abe Т., Kashiwaba Y. Chemical bath deposition of different phases of copperselenide thin films by controlling bath parameters.// Thin Solid Films. -2000. vol. 370. — № 1−2. — P. 89−95.
- Pathan H.M., Lokhande C.D., Amalnerkar D.P., Seth T. Modified chemical deposition and physico-chemical properties of copper (I) selenide thin films.// Applied Surface Science. 2003. — vol. 211. — № 1−4. — P. 48−56.
- Celustka В., Ogorelec Z. Electrical conduction and self-diffusion in cuprous selenide at high temperature.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1966. — vol. 27. — № 6−7. — P. 957−960.
- Celustka В., Ogorelec Z. Thermoelectric power and phase transitions of the non-stoichiometric cuprous selenide.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1966. — vol. 27. — № 3. — P. 615−617.
- Celustka В., Ogorelec Z. On the relation between electrical conductivity and phase transition of non-stoichiometric cuprous selenide.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1966.-vol. 30.-№ i.p. 149−155.
- Горбачев В.В. Полупроводниковые соединения A2'Bvi. -М.: Металлургия, 1980.-132 С.
- Биккулова Н.Н., Данилкин С. А., Семенов В. А., Ядровский E.JL, Яга-фарова З.А., Гареева М. Я. Низкочастотные колебательные моды в суперионном проводнике Cu2.gSe.// Вестник Башкирского университета. 2000. — № 1.-С. 33−37.
- Sebastian P.J., Pattabi М. Solar control characteristics of Cu2Se coatings.// Journal Physics. D: Applied Physics. 1992. — vol. 25. — P. 981−985.
- Tawada Y., Yamagishi H., Yamamoto K. Mass productions of thin film silicon PV modules.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003. -vol. 78.-№ 1−4.-P. 647−662.
- Chunhai Ji, Anderson Wayne A. Poly-Si thin films by metal-induced growth for photovoltaic applications.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 2005. — vol. 85. — № 3. — P. 313−320.
- Yazawa Y., Minemura J., Tamura K., Watahiki S., Kitatam Т., Warabisako T. Process damage free thin-film GaAs solar cells by epitaxial liftoff with GalnP window layer.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 1998. -vol. 50.-№ 1−4.-P. 163−168.
- Bauhuis G.J., Schermer J.J., Mulder P., Voncken A.J., Larsen P.K. Thin film GaAs solar cells with increased quantum efficiency due to light reflection.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 2004. — vol. 83. — № 1. -P. 81−90.
- Masafumi Yamaguch. Present status and future prospects for advanced space solar cells.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 1994. — vol. 35.-P. 83−92.
- Das S.R., Chopra. K.L., Vankar V.D., Prem Nath. The preparation of Cu2S films for solar cells.// Thin Solid Films. 1978. — vol. 51. — № 2. — P. 257 264.
- Hall R.B., Birkmire R.W., Phillips J.E., Meakin J.D. Thin-Film Polycrys-talline Cu2S/Cdi.xZnxS Solar Cells of 10% Efficiency.// Applied Physics Letter. 1981. — vol. 38. — P. 925−929.
- Van Hoecke Eddy, Burgelman Marc. Reactive sputtering of thin Cu2S films for application in solar cells.// Thin Solid Films. 1984. — vol. 112.-№ 2.-P. 97−100.
- Eberspacher Chris, Fredric Chris, Pauls Karen, Serra Jack. Thin-film CIS alloy PV materials fabricated using non-vacuum, particles-based techniques.// Thin Solid Films. 2001. — vol. 387. — № 1 -2. — P. 18−22.
- Schmid Dieter, Ruckh Martin, Schock Hans Werner. A comprehensive characterization of the interfaces in Mo/CIS/CdS/ZnO solar cell structures.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 1996. — vol. 41−42. — P. 281−294.
- Yousfi E.B., Asikainen Т., Pietu V., Cowache P., Powalla M., Lincot D. Cadmium-free buffer layers deposited by atomic layer epitaxy for copper indium diselenide solar cells.// Thin Solid Films 2000. — vol. 361−362. -P. 183−186.
- Miyazaki Hisashi, Mikami Rui, Akira Yamada, Konagai Makoto. Cu (In, Ga) Se2 thin film absorber with high Ga contents and its application to the solar cells.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003. -vol. 64. -№ 9−10. — P. 2055−2058.
- Caballero R., Guillen C. Structural and morphological properties of Cu (In, Ga) Se2 thin films on Mo substrate.// Applied Surface Science. -2004.-vol. 238.-№ 1−4.-P. 180−183.
- Park J.S., Dong Z., Kim Sungtae, and Perepezko J.H. CuInSe2 phase formation during Cu2Se/In2Se3 interdiffusion reaction.// Journal of Applied Physics. 2000. — vol. 87. — № 8. — P. 3683−3690.
- Yasuhiro Hashimoto, Naoki Kohara, Takayuki Negami, Mikihiko Nishi-tani, Takahiro Wada. Surface Characterization of Chemically Treated Cu (In, Ga) Se2 Thin Films.// Japanese Journal of Applied Physics. 1996. — vol. 35−1. — № 9A. — P. 4760−4764.
- Rau U., Schock H.W. Electronic properties of Cu (In, Ga) Se2 heterojunction solar cells-recent achievements, current understanding, and future challenges.// Appl. Phys. A. 1999. — vol. 69. — P. 131−147.
- Базовой Б.П. Синтез, структура и фазовый состав пленок CuInSe2.// Диссертация кандидата физико-математических наук. Воронеж. -2000.- 113 с.
- Лазарев В.Б., Киш 3.3., Переш Е. Ю., Семрад Е. Е. Сложные халькоге-ниды в системах А1 В111 — CVI. — М.: Металлургия, 1993. — 240 С.
- Yakushev M.V., Mudryi A.V., Tomlinson R.D. Energy of free excitons in CuInSe2 single crystals.// Applied Physics Letters. 2003. — vol. 82. — № 19.-P. 3233−3235.
- Ковалюк З.Д., Орлецкий В. Б., Горлей П. Н., Сидор О. Н., Нетяга В. В. Поверхностно-барьерные переходы олово диселенид индия и меди.// Письма в ЖТФ. — 2004. — Т. 30. — № 10. — С. 12−16.
- Kuhn G., Boehnke U. The formation of CuInSe2 from the elements.// Journal of Crystal Growth. 1983. — vol. 61. — № 2. — P. 415−416.
- Рудь В.Ю., Рудь Ю. В. Создание и свойства гетероструктур In203/CdS/CuInSe2.// Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33.-№ 7.-С. 801−804.
- Жузе В.П., Сергеева В. М., Штрум E.J1. Полупроводниковые соединения с общей формулой АВХ2.// Журнал технической физики. 1958. -Т. 28.-№ 10.-С. 2093−2108.
- Wada Т., Kinoshita H., Kawata S. Preparation of chalcopyrite-type CuInSe2 by non-heating process.// Thin Solid Films. 2003. — vol. 431−432.-P. 186−189.
- Paszkowicz W., Lewandowska R., Bacewicz R. Rietveld refinement for CuInSe2 and CuIn3Se5.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. -2003. vol. 64. -№ 9−10. — P. 2011−2016.
- Sainctavit Ph., Petiaua J., Flank A.M., Ringeissen J., Lewonczuk S. XANES in chalcopyrites semiconductors: CuFeS2, CuGaS2, CuInSe2.// PhysicaB: Condensed Matter. 1989.-vol. 158. -№ 1−3.-P. 623−624.
- Krunks Malle, Bijakina Olga, Varema Tiit, Mikli Valdek, Mellikov Enn. Structural and optical properties of sprayed CuInS2 films.// Thin Solid Films.-1999.-vol. 338.-№ 1−2.-P. 125−130.
- Jaffe J.E., Zunger Alex. Theory of the band-gap anomaly in ABC2 chal-copyrite semiconductors.// Phys. Review. B. 1984. — vol. 29. — № 4. — P. 1882−1906.
- Akimasa Yamada, Yunosuke Makita, Shigeru Niki, Akira Obara, Paul Fons, Hajime Shibata. Growth of CuGaSe2 film by molecular beam epitaxy.// Microelectronics Journal. 1996. — vol. 27. — № 1. — P. 53−58.
- Боднарь И.В., Гременок В. Ф., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В. Фоточувствительность тонкопленочных структур на основе лазерно-осажденных слоев CuIn(TexSeix)2.// Физика и техника полупроводников. 1998. -Т. 32.-№ 4.-С. 458−460.
- Рудь В.Ю., Рудь Ю. В., Гременок В. Ф., Викторов И. А., Рекимбетов Р. Н., Боднарь И. В., Криволап В. В. Гетеропереходы на основе тонкихпленок CuInxGai.xTe2.// Физика и техника полупроводников. 1999. -Т. 33.-№ 7.-С. 824−827.
- Merino М., Mahanty S., Leon М., Diaz R., Rueda F., Martin de Vidales J.L. Structural characterization of CuIn2Se3−5, CuIn3Se5 and CuInsSeg compounds.// Thin Solid Films. 2000. — vol. 361−362. — P. 70−73.
- Конешова Т.И., Бобицина А. А., Калинников B.T. Исследование системы Cu2Se-In2Se3 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1982. Т. 18. — № 9. — С. 824−827.
- Wang Н.Р., Shih I., Champness C.H. Effect of sodium on Bridgman-grown Cu (InixGax)3Se5 crystalline materials.// Thin Solid Films 2001. — vol. 387.-№ 1−2.-P. 60−62.
- Shigetaka Nomura, Shin-ichi Ouchi, Saburo Endo. Raman Spectra of Ordered Vacancy Compounds in the Cu-In-Se System.// Japanese Journal of Applied Physics. 1997. — vol. 36−2. — № 8B. — P. L1075-L1077.
- Orlova N.S., Bodnar I.V., Kushner T.L., Kudritskaya E.A. Crystal Growth and Properties of the Compounds CuGa3Se5 and CuIn3Se5.// Crystal Research and Technology. 2002. — vol. 37. — № 2. — P. 540−550.
- Боднарь И.В., Никитин C.E., Ильчук Г. А., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В., Якушев М. В. Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuIn3Se5.// Физика и техника полупроводников. 2004. -Т. 38.-№ 10.-С. 1228−1233.
- Rodriguez О., Bolanos W., Gordillo G. Chemical analysis of CuInSe2 thin films prepared by evaporation through a multistage process.// Physica status solidi (a). 2004. — vol. 201. — № 10. — P. 2381−2384.
- Wada Takahiro, Negami Takayuki, Nishitani Mikihiko. Fivefold multiply twinned crystallites in CulnSe2.// Applied Physics Letters. 1994. — vol. 64. -№ 3. — P. 333−335.
- Sho Shirakata, Hitoshi Kubo, Chihiro Hamaguchi, Shigehiro Isomura. Raman Spectra of CuInSe2 Thin Films Prepared by Chemical Spray Pyro-lysis.// Japanese Journal of Applied Physics. 1997. — vol. 36−2. — № 10B. — P. L1394-L1396.
- Al-Bassam A. A. I. Electrodeposition of CuInSe2 thin films and their characteristics.// Physica B: Condensed Matter. 1999. — vol. 266. — № 3. -P. 192−197.
- Akl A.A.S., Ashour A., Ramadan A.A., El-Hady K. Abd. Structural study of flash evaporated CuInSe2 thin films.// Vacuum. 2001. — vol. 61. — № l.-P. 75−84.
- Kim S.D., Kim H.J., Yoon K.H. Song J. Effect of selenization pressure on CuInSe2 thin films selenized using co-sputtered Cu-In precursors.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 2000. — vol. 62. — P. 357−368.
- Klochko N.P., Kopach V.R., Novikov V.O., Muller J., Rostalsky M. Structure and composition of CIS films electrodeposited under potentiostatic and potentiodynamic conditions.// Functional Materials. 2000. — vol. 7. -№ 4.-P. 843−847.
- Masse G., Guenoun K., Djessas K., Guastavino F. p- and n- type CuInSe2 thin films grown by close-spaced vapour transport.// Thin Solid Films. -1997.-vol. 293.-P. 45−51.
- Dzhafarov Т., SadigovV., Cingi E., Bacaksiz E., Caliskan V. Molybdenum Diffussion in CuInSe2 Thin Films.// Japanese Journal of Applied Physics. 2000. — vol. 39. — № 39−1. — P. 194−195.
- Гременок В.Ф., Ильчук Г. А., Никитин C.E., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO-Cu(In, Ga) Se2.// Физика и техника полупроводников. 2005. — Т. 39. -№ 2.-С. 218−221.
- Chen J.S., Kolawa Е., Garland С.М., Nicolet М.А., Ruiz R.P. Microstruc-ture of polycrystalline CuInSe2/Cd (Zn)S heterojunction solar cells.// Thin Solid Films. 1992. — vol. 219. -№ 1−2. — P. 183−192.
- Hunger R., Su D., Krost A., Ellmer D., Lewerenz H. J., Scheer R. Structure of extended defects in epitaxial CulnS2/Si (lll).// Thin Solid Films. 2000. -vol. 361−362.-P. 437−442.
- Klochko N.P., Kopach V.R., Novikov V.O., Muller J., Rostalsky M. Structure and composition of CIS films electrodeposited under potentiostatic and potentiodynamic conditions.// Functional Materials. 2000. — vol. 7. -№ 4(2).-P. 843−847.
- Tooru Tanaka, Toshiyuki Yamaguchi, Akihiro Wakahara, Akira Yo-shida. Effect of substrate temperature on properties of thin films prepared by RF sputtering from CuInSe2 target with Na2Se.// Thin Solid Films. 1999. — vol. 343−344. — P. 320−323.
- Takayuki Negami, Naoki Kohara, Mikihiko Nishitani, Takahiro Wada. Preparation of Ordered Vacancy Chalcopyrite-Type CuIn3Se5 Thin Films.// Japanese Journal of Applied Physics. 1994. — vol. 33−2. — № 9A. — P. L1251-L1253.
- Se Han Kwon, Byung Tae Ahn, Seok Ki Kim, Kyung Hoon Yoon, Jinsoo Song. Growth of CuIn3Se5 layer on CuInSe2 films and its effect on the photovoltaic properties of In2Se3/CuInSe2 solar cells.// Thin Solid Films. -1998. vol. 323. — № 1−2. — P. 265−269.
- Contreras Miguel A., Egaas Brian, King David, Swartzlander Amy, Dull-weber Thorsten. Texture manipulation of CuInSe2 thin films.// Thin Solid Films. -2000. vol. 361−362. — P. 167−171.
- Joseph C.M., Menon C.S. Electrical, optical and structural properties of binary phase free CuInSe2 thin films.// Journal Physics. D: Applied Physics. 2001. — vol. 34. — P. 1143−1146.
- Ramakrishna Reddy K.T., Datta P.K., Carter M.J. Detection of Crystalline Phases in CuInSe2 Films Grown by Selenisation Process.// Physica status solidi (a). 2000. — vol. 182. — № 2. — P. 679−685.
- Stolt Lars, Hedstrom Jonas, Kessler John, Ruckh Martin, Velthaus Karl-Otto, Schock Hans-Werner. ZnO/CdS/CuInSe2 thin-film solar cells with improved performance.// Applied Physics Letters. 1993. — vol. 62. — № 6.-P. 597−599.
- Katayama-Yoshida H.Y., Zhang S.B., Su-Huai Wei, Zunger Alex. Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor.// Phys. Review. B. -1998. vol. 57. — № 15−16. — P. 9642−9556.
- Abdullaev M.A., Gadzhieva R.M., Magomedova D.Kh., Khokhlachev P.P. Effect of Intrinsic Defects on Hopping Conduction in n- and p-Type CuInSe2 Crystals.// Inorganic Materials. 1997. — vol. 33. — № 4. — P. 342 344.
- Fray A.F., Lloyd P. Electrical and optical properties of thin p-type films prepared by vacuum evaporation from the chalcopyrite CuInSe2.// Thin Solid Films. 1979. — vol. 58. — № 1. — P. 29−34.
- Champness C.H., Shih I., Du H. Features of Bridgman-grown CuInSe2.// Thin Solid Films. 2003. — vol. 431−432. — P. 68−72.
- Rega N., Siebentritt S., Beckers I.E., Beckmann J., Albert J., Lux-Steiner M. Defect spectra in epitaxial CuInSe2 grown by MOVPE.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003. — vol. 64. — № 9−10. — P. 18 251 829.
- Schmid D., Ruckh M., Schock H.W. Photoemission studies on Cu (In, Ga) Se2 thin films and related binary selenides.// Applied Surface Science. 1996. — vol. 103. — № 4. — P. 409−429.
- Rogacheva E.I., TavrinaT.V., Galkin S.N. CdS effect on CuInSe2 structure and properties.// Functional Materials. 2001. — vol. 8. — № 4. — P. 635 639.
- П.Горлей П. Н., Ковалюк З. Д., Орлецкий В. Б., Сидор О. Н., Нетяга В. В., Хомяк В. В. Механизмы протекания тока в структурах металл/ р-CuInSe2.// Журнал технической физики. 2004. — Т. 74. — № 5. — С. 141−142.
- Рудь В.Ю., Рудь Ю. В. Фоточувствительность структур, созданных термообработкой CuInSe2 в разных средах.// Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33. — № 8. — С. 954−958.
- Tooru Tanaka, Toshiyuki Yamaguchi, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida, Ryoichi Taniguchi, Yatsuka Matsuda, Masatoshi Fujishiro. Effect of 8 MeV electron irradiation on electrical properties of CuInSe2 thin films.//
- Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003. — vol. 75. — № 1−2. — P. 115−120.
- Tanaka Т., Ohshima Т., Itoh Н., Okada S., Wakahara A., Yoshida A. Effect of Electron Irradiation on Properties of CuInSe2 Thin Films.// Japanese Journal of Applied Physics. 2000. — vol. 39. — № 39−1. — P. 192 193.
- Miyazaki H., Mikami R., Yamada A., Konagai M. Cu (In, Ga) Se2 thin film absorber with high Ga contents and its application to the solar cells.// Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2003. — vol. 64. — № 9−10. — P. 2055−2058.
- Schmid D., Ruckh M., Grunwald F., Schock H.W. Chalcopyrite/defect chalcopyrite heterojunctions on the basis of CuInSe2.// Journal of Applied Physics. 1993. — vol. 73. — № 6. — P. 2902−2909.
- Rega N, Siebentritt S., Beckers I., Beckmann J., Albert J., Lux-Steiner M. MOVPE of epitaxial CuInSe2 on GaAs.// Journal of Crystal Growth. -2003.-vol. 248.-P. 169−174.
- Rau U., Schock H.W. Electronic properties of Cu (In, Ga) Se2 heterojunction solar cells-recent achievements, current understanding, and future challenges.// Appl. Phys. A. 1999. — vol. 69. — P. 131 -147.
- Arushanov E., Kulyuk L., Kulikova 0., Tezlevan V., Fernandez Ruiz R., Leon M. Optical and Structural Properties of n-CuIn3Se5 Single Crystals.// Japanese Journal of Applied Physics. 2000. — vol. 39. — № 39−1. — P. 90−91.
- Menezes S., Kessler J., Schmid D., Schock H.W., Matson R.J. Use of n-type (Cu2Se)x (In2Se3)ix ordered defect chalcopyrite films for solar cell absorber layers.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 1996. — vol. 41−42.-P. 325−334.
- Zweigart S., Schock H.W. A new method for the analysis of film formation kinetics and a simple process for the growth of CuInSe2.// Proc. of 14th EU Photovoltaic Solar Energy Conference, Barcelona, 1997. P. 31−34.
- Ш. Рудь В. Ю., Рудь Ю. В., Schock H.W. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO/CdS/Cu (In, Ga) Se2.// Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33. — № 4. — С. 484−487.
- Lakshmikumar S.T. Rastogi А.С. Selenization of Си and In thin films for the preparation of selenide photo-absorber layers in solar cells using Se vapour source.// Solar Energy Materials and Solar Cells. 1994. — vol. 32. — № 1. — P. 7−19.
- Rechid J., Kampmann A., Reineke-Koch R. Characterising superstrate CIS solar cells with electron beam induced current.// Thin Solid Films. 2000. -vol. 361−362.-P. 198−202.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Перевод с английского. -М.: Мир, 1986.-Т. 2−435 С.
- Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. Перевод с английского. М.: Мир, 1968.-574 с.
- JCPDS- International Centre for Diffraction Data, 1998.
- Коллонг P. Нестехиометрия. Перевод с французского. М.: Мир, 1974.-288 с.
- Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. Перевод с английского. М.: Мир, 1989. — 564 с.