Трансформация структуры и электрофизических свойств оксидов переходных металлов при плазменном, лазерном и электронно-лучевом воздействиях
Диссертация
В полной мере возможности лазерной и корпускулярной обработки можно продемонстрировать на примере новых материалов. Одним из перспективных классов материалов, с этой точки зрения, являются оксиды переходных металлов (ОПМ). Причина высокой чувствительности соединений переходных металлов к такого рода воздействиям связана с электронным строением атомов d-элементов. Наличие недостроенной d-оболочки… Читать ещё >
Список литературы
- Рэди Дж. Промышленное применение лазеров. М.: Мир, 1981. — 465 с.
- Materials Surface Processing by Directed Energy Techniques. Под ред. Pauleau Y., Elsevier Ltd. 2006. — 722p.
- Ария C.M., Семёнов И. Н. Краткое пособие по химии переходных элементов. Изд. ЛГУ, 1972. 141 с.
- Медведев С.А., Иванникова Г. Е. Электронная техника. Полупроводниковые приборы, т.29, № 4, 1970.
- Волков В. Л. Фазы внедрения на основе оксидов ванадия. Свердловск: УНЦ АН СССР, 1987. — 180с.
- Стефанович Г. Б. Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов. дисс. докт. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 1997. — 360 с.
- Rao C.N.R. Transition metal oxides. Annu. Rev. Phys. Chem., 1989. v.40. p.291−326.
- Бондаренко В. M. Кинетические явления в кислородосодержащих ванадиевых соединениях. дисс. докт. физ.-мат. наук. Вильнус, 1991. -305с.
- Ю.Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов М. «Мир». 1975 г. 396с.
- Pao Ч. Н. Р., Гопалакришнан Дж. Новые направления в химии твёрдого тела: структура, синтез, свойства, реакционная способность и дизайн материалов Новосибирск. 1990. 520с.
- Фотиев А.А., Слободин Б. В., Ходос М. Я. Ванадаты. Состав, синтез, структура, свойства. М.: Наука, 1988. — 272с.
- Фотиев А. А., Волков В. Л., Капусткин В. К. Оксидные ванадиевые бронзы М.: Наука, 1978. — 176с.
- Н.Бугаев А. А., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. ФПМП и его применение -Л. :Наука, 1979.- 189с.
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. — Т. 1,2. — 658с.
- Мотт Н. Ф. Переходы металл изолятор, — М: Наука. — 1979. — 344с.
- Изюмов Ю. А., Скрябин Ю. Н. Модель двойного обмена и уникальные свойства манганитов -УФН. -2001. -Т. 171.-N2. С. 121 — 148.
- Попова М.Н. ИК спектроскопия новых спин-пайерлсовских соединений -УФН. 1999.-N3.-C.353−355.
- Куликов Н. И., Тугушев В. В. Волны спиновой плотности и зонный антиферромагнетизм в металлах УФН 1984, т.144, в.4, 643−677.
- Копаев Ю. В., Мокеров В. П. Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана-ДАН. 1982. — Т. 264. -N 6. — С. 1370 — 1376.
- Зайцев Р. О., Кузьмин Е. В., Овчинников С. Г. Основные представления о переходах металл изолятор в соединениях 3d — переходных металлов -УФН. — 1986.-Т. 148.-N4.-С. 603−636.
- Патрина И. Б., Иоффе В. А. Электрические свойства пятиокиси ванадия -ФТТ. 1964. — Т. 6. — N 11 — С. 3227 — 3234.
- Kenny N., Kennewurf С. R., Witmore D. H. Optical absorption coefficients of vanadium pentoxide single crystals J. Phys. Chem. Solids. — 1966. — V. 27. -P. 1237 — 1246.
- Мокеров В. Г. Фотоэлектрические свойства монокристаллов пятиокиси ванадия ФТТ. — 1973. — Т. 15. — N 8. — С. 2393 — 2396.
- Ильин А. М., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б., Хахаев А. Д., Чудновский Ф. А. Лазерно-стимулированная модификация свойств оксидов переходных металлов Оптика и спектроскопия. — 1997. — Т. 82. — N 1. — С. 46−50.
- Livage J. Vanadium Pentoxide Gels Chem. Mater. — 1991. — V. 3. — № 4. — P. 578−593
- Фаунен Б. В., Крэнделл Р. С. Электрохромные дисплеи на основе W03. Из кн. Дисплеи под ред. Панкова Ж. М.: Мир, 1982. — 320с.
- Sasaki Н., Watanabe A. A new growing method for V02 single crystals J. Phys. Soc. Japan. — 1964. -V. 19. -N 9. — P. 1748.
- Ивон А. И., Колбунов В. P., Черненко И. M. Керамика на основе диоксида ванадия Неорганические Материалы. -1996. — Т.32. — N 5. — С. 624 — 626.
- Jerominek Н., Picard F., Vincent D. Vanadium oxide films for optical switching and detection Optical Engineering, v.32, n.9, 1993, p.2092.
- Partlow D. P., Gurkovich S. R., Radford К. C., Denes L. J. Switchable vanadium oxide films by a sol gel process — J. Appl. Phys. V.70, N. l, 1991, P.443.
- McChesney J. В., Potter J. F., Guggenheim H., J. J. Amer. Ceram. Soc., v.51, 1968, p.176
- Lu S., Hou L., Gan F. Surfase analysis and phase transition of gel derived V02 thin films — Thin Solid Films. V.353, 1999, P.40.
- Гаврилкж А. И., Рейнов H. M., Чудновский Ф. А. Фото- и термохромизм в аморфных пленках V205 ПЖТФ. Т.5, в.20, 1979, С. 1227.
- Stefanovich G., Pergament A., Stefanovich D. Electrical switching and Mott transition in V02 Journal of Physics: Condensed Matter, V.12, n.41, 2000, p.8837.
- Чапланов A. M., Шибко A. H. Влияние термической обработки и лазерного воздействия на композицию ванадий-кремний ЖТФ. Т.61, N 6, 1997, С. 96.
- Livage J., Ganguli D. Sol-gel electrochromic coatings and devices: A review -Solar Energy Materials & Solar Cells. 2001 — V. 68 — P. 365−381
- Hanlon T.J., Walker R.E., Coath J.A., Richardson M.A. Comparison between vanadium dioxide coatings on glass produced by sputtering, alkoxide and aqueous sol-gel methods Thin Solid Films. V.405, N 1−2, 2002, P.234.
- Cavanna E., Segaud J.P., Livage J. Optical switching of Au-doped V02 sol-gel films-Mat. Res. Bull. V.34,N.2, 1999, P.167.
- Greenberg С. B. Undoped and doped V02 films grown from УО (ОСзН7)3 -Thin Solid Films, v.110, 1983, p.73.
- McChesney J. В., Potter J. F., Guggenheim H., J. J. Electrochem. Soc., v.115, 1968, p.52.
- Benmoussa M., Ibnouelghazi E., Bennouna A. et al. Structural, electrical and optical properties of sputtered vanadium pentoxide thin films Thin Solid Films. V.265, 1995, p.22.
- Dachuan Y., Niankan X., Jingyu Z. et al. Vanadium dioxide films with good electrical switching properties J. Phys. D: Appl. Phys., v.29, 1996, p. 1051.
- Dachuan Y., Niankan X., Jingyu Z. et al. High quality vanadium dioxide films prepared by inorganic sol-gel method Mater. Res. Bull., v.31, n.3, 1996, p.jjj.
- Deki S., Aoi Y., Kajinami A. A novel wet process for the preparation of vanadium dioxide thin film J. Mater. Sci., v.32, 1997, p.4269.
- Викулин И. M., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. — М. :Радио и связь, 1999. -264с.
- Костылев С. А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1978. -203с.
- Сандомирский В.Б., Суханов А. А. Явления электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках — Зарубежная радиоэлектроника. 1976. -N 9. — С. 68 — 101
- Пергамент A. JL, Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и эффект переключения в оксидах переходных металлов. ФТТ, 1994, т.36, N 10, с.2988−3001.
- Андреев В. Н., Тимощенко Н. Е., Черненко И. М., Чудновский Ф. А. Механизм формирования переключающих ванадатно фосфатных стекол -ФТЖ. — 1981. — Т. 51. -N8. — с. 1685 — 1689.
- Гуртов В. А., Райкерус П. А., Малиненко В. П. Физика окисных пленок: учебное пособие Петрозаводск, 1988. — 88с.
- Березин Л. Я., Фадеев В. Н. Изменение инфракрасных спектров пропускания триоксида вольфрама при электрохромном эффекте -Физика окисных пленок: Тез. докл. II Всесоюзной науч. конф. -Петрозаводск, 1987. 4.1. — С. 30−31.
- Алешина Л.А., Дерусова О. В., Чекмасова С. С. Структурные изменения при электрохромном эффекте в триоксиде вольфрама Физика окисных пленок: Тез. докл. II Всесоюзной науч. конф. — Петрозаводск, 1987. — ч.1. -С.' 7−8
- Гаврилюк И. А., Чудновский Ф. А. Электрохромизм в пленках V2O5 -ПЖТФ. 1977. —Т. 3. — N 4. — С. 174−177.
- Cogan S. F., Nguyen N. M., Perrotti S. J., Rauh R. D. Optical properties of electrochromic vanadium pentoxide J. Appl. Phys. — V. 66. — N 3. — P. 1333 — 1336.
- Chain E. E. Applid Optics. 1991. — V. 30. — N 19. — P. 2782 — 2787.65.0zer N. Electrochemical properties of sol gel deposited vanadium pentoxidefilms Thin Solid Films. — 1997. — V. 305. — P. 80 — 87.
- Aegerter M. A., Avellandera С. O., Pawlica A., Atic M. Electrochromism in Materials Prepared by the Sol-Gel Process Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1997-V. 8.-P. 689−696
- Kinawy N.I., Nanai L., Vajtai R., Hevesi I. Mechanical properties of V205 polycrystals grown by laser light irradiation. J. Alloys and Compounds. -1992.-V. 186, n. l, p. Ll -L5.
- Katsuya Okabe, Tomokuni Mitsuishi and Yosisato Sasaki. Reduction and Sintering of Vanadium Oxide Films by Laser-Beam Irradiation. Japanese Journal of Applied Physics., V.26, n.10, 1987, pp.1802.
- Бугаев A.A., Гаврилюк A.M., Гурьянов A.A., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Метастабильная металлическая фаза в плёнках двуокиси ванадия -Письма в ЖТФ, т.4, в.2, 1978, с. 65.
- Крюкова Л.М., Леонтьева О. В. Особенности кристаллизации оксидов переходных металлов под действием электронов Письма в ЖТФ, т.16, в.24, 1990.
- Мирзоев Ф.Х., Панченко В. Я., Шелепин JI.A. Лазерное управление процессами в твёрдом теле. Успехи физических наук. т. 166, № 1, 1996, с.З.
- Thomas I. Ryoung-lian Kim, Bruno La Fontaine, Patrick P., Anderson Ch. N., Sandberg R. L. Progress in EUV photoresist technology. Mat. Proc. of SPIE, v.6533, 2007, p.653 317−1
- Sinclair W.R., Rousseau D.L., Stancavish J.J. Iron Oxide—An Inorganic Photoresist and Mask Material J. Electrochem. Soc. V.121, n.7, 1974, p.925.
- Bozler C., et al., US Patent 4 619 894- 1986.
- Pang S.W., Kunz R.R., Rothschild M., Goodman R.B., Horn M.W. Aluminum oxides as imaging materials for 193-nm eximer laser lithography. J. Vac. Sci. Technol. B. v.7, n.6, 1989, p. 1624.
- Sarunic M.V., Chapman G.H., Tu Y. Prototype laser-activated bimetallic thermal resist for microfabrication Proc. of SPIE. v.4274, 2001, p. 183.
- Костышин M.T., Михайловская E.B., Романенко П. Р. — Физика твердого тела. Т.8, 1966, с.571- Yoshikawa A., Ochi О., Nagai Н. Appl. Phys. Lett. V.31,n.3, 1977, p.161.
- Tai K.L., Sinclair W.R., Vadimsky R.G. Bilevel high resolution photolithographic technique for use with wafers with stepped and/or reflecting surfaces J. Vac. Sci. Technol. V. 16, n.6, 1979, p.1977.
- Lis S. A., Lavine J. M., Goldberg G. M. Mat. Proc. SPIE. v.393, 1984, p.34.
- SO.Petrov V.V., Krjuchm A.A., GB Patent 1 580 170- 1980.
- Koshida N., Ohtaka K., Ando M., Komuro M. and Anoda N. Focused Ion Beam Lithography with Transition Metal Oxide Resists — Japanese Journal of Applied Physics, v.28, n.10, 1989, p.2090.
- Учебник «Нанотехнологии» Электронный ресурс.: доступен в главном меню раздел «Публикации». Ссылка: http://plasma.karelia.ru/pub/nano-kurs.
- Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. — 528 с.
- Данилин Б.С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энегрия, 1967. -237с.
- Алешина JI.A., Фофанов А. Д. Рентгеноструктурный анализ аморфных материалов: Учебное пособие. Петрозаводск, 1987. — 88 с.
- Райзер Ю.П., Штейнер М. Н., Яценко Н. А. Высокочастотный эмкостной разряд: Физика. Техника эксперимента. Приложения: Учеб. Пособие: Для вузов. — М.: Изд-во Моск. физ.-техн. ин-та- Наука-Физматлит. 1995. 320 с.
- Valery A. Godyak, Robert В. Piejak, and Benjamin M. Alexandrovich. Electrical Characteristics of Parallel-Plate RF Discharges in Argon. IEEE Transactions on plasma science, v. 19, n.4, 1991, p.660.
- Карслоу Г. Егер Д. Теплопроводность твердых тел. Изд-во «Наука», М., 1964.-488 с.
- Аморфные полупроводники./ Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1962. — 419 с.
- Лагукова Н.И., Мокеров В. Г., Губанов В. А. Электронные оптические переходы в монокристаллах V205. ФТТ, т. 17, в.12, 1975, с. 3696.
- Lambrechtts W, Djafari-Rouhanil B, Lannoof M., Vennik J. The energy band structure of V2O5: I. Theoretical approach and band calculations. J. Phys. C: Solid St. Phys., V. 13, 1980, p.2485−501.
- Veronica Ganduglia-Pirovano M., Hofmann A., Sauer J. Oxygen vacancies in transition metal and rare earth oxides: Current state of understanding and remaining challenges. Surface Science Reports, V. 62, 2007, p. 219−270.
- Lambrecht W., Qjafari-Rouhaniff В., Lannoof М., Clauwst P., Fiermanst L., Vennikt J. The energy band structure of V2O5: II. Analysis of the theoretical results and comparison with experimental data. J. Phys. C: Solid St. Phys., V. 13, 1980, p. 2503−17.
- Manisha Pal, Hirota K., Sakata H. Electrical and optical properties of as-deposited V2O5 -Te02 amorphous films and their annealing effect. Phys. stat. sol. (a), V. 196, N. 2, 2003, p.396−404.
- GRYMONPREZ, FIERMANS L., VENNIK J. THE WORK FUNCTION OF V205 AND V6Oi3 SURFACES. SURFACE SCIENCE, V. 36, 1973, p.370−372.
- Holzl J., and Schulte F.K. Work Functions of Metals. in Solid State Surface Physics, Hohler, G., Ed., Springer-Verlag, Berlin, 1979.
- Ю2.Райкерус П. А., Лалеко В. А. Физические основы ' пленочной электроники: Учебное пособие. Петрозаводск, 1987. — 88 с.
- Лалеко В.А. Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник. Автореф. дис. канд. физ.-мат. Наук. Л. 19с.
- Chari K.S., Mathur В. The conduction properties of anodic AI2O3. Thin solid films, v.75, n.2, 1981, p.157.
- MOSHFEGH A. Z., IGNATIEV А. Thin Solid Films, V.198, 1991, р.251 -268.
- Аронов Б.А., Ковалев Д. Ю., Рыльков В. В. Неомическая прыжковая квазидвумерная проводимость и кинетика ее релаксации. ФТП, т. 39, в. 7, 2005, с.844−852.
- Ramana C.V., Naidu B.S., Hussain О.М., Pinto R. Low-temperature growth of vanadium pentoxide thin films produced by pulsed laser ablation. J.Phys. D: Appl. Phys., v.34, 2001, p. L35.
- Han S.Y., Lee D.H., Chang Y.J., Ryu S.O., Lee T.J., Chang C.H. J. Electrochem. Society, v. 153, n.6, 2006, p. C382.
- Митрев П., Бенвенути Дж., Хофман П., Смирнов А., Калитеевская Н., Сейсян Р. Фазовые переходы в тонких пленках оксида титана под действием излучения эксимерного лазера. Письма в ЖТФ. т. 31, в. 21, 2005, с. 17.
- Chudnovskii F. A., Pergament A. L., Schaefer D. A., Stefanovich G. В. Effect of Laser Irradiation on the Properties of Transition Metal Oxides J. Solid state chemistry, v. 118, 1995, p.417.
- Chudnovskii F.A., Kikalov D.O., Pergament A.L., Stefanovich G.B. Electrical Transport Properties and Switching in Vanadium Anodic Oxides:
- Effect of Laser Irradiation Physica Status Solidi A. V.172, N.2, 1999, P.391−395.
- Stefanovich G. В., Pergament A. L., Velichko A. A., Stefanovich L. A. Anodic oxidation of vanadium and properties of vanadium oxide films— J. Phys.: Condens. Matter. V.16, n.23, 2004, P.4013.
- Smith D. J., McCartney M. R., Bursill L. A. Ultramicroscopy. 1987, V.23, N.3−4, 1987, P.299.
- Алешина JI.A., Малиненко В. П., Фофанов А. Д. — Заводская лаборатория. Т.57, В.2, 1991, С. 39.
- Mozzi R.L., Warren В.Е. The structure of vitreous boron oxide J. Appl. Cryst. V.3, N.4, 1970, P.251.
- Warren B.E. X-ray diffraction. New York, 1969. 563 p.
- Finbak C., Borgen O. Acta Chem. Scand. V.8, N.5, 1954, P.829.
- Форсайт Дж., Малькольм M., Моулер К. Машинные методы математических вычислений. М.: Мир, 1980. 280 с.
- Лоусон Ч., Хенсон Р. Численное решение задач методом наименьших квадратов. М.: Наука, 1986. 232 с.
- Aleshina L.A., Malinenko V.P., Phouphanov A.D., Jakovleva N.M. The short-range order of anodic amorphous oxide films of Та and Nb J. Non-Cryst. Solids. V.87, 1986, P.350.
- Озеров Р.П. Успехи химии. T.24, B.8, 1955, C.951.
- Sigmund P. Theory of sputtering. Phys. Rev. v.184, n.2, 1969, p.383.
- Данилин B.C., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. — М.: Энергоатомиздат, 1987. -264с.- Данилин Б. С., Киреев В. Ю. Ионное травление микроструктур. М.: Сов. Радио, 1979.-104 с.
- Горичев И. Г., Кириянов Н. А. Успехи химии, Т.53, В.11, 1984, С.1790−1826.
- Величко А.А., Пергамент А. Д., Стефанович Г. Б., Путролайнен В.В.,
- Черемисин А.Б., Мануйлов С. А., Кулдин Н. А., Логинов Б. А. // Получение1наноструктур на основе оксидов переходных металлов // Нанотехника, N.2. В.6, (2006), С.89−96
- Frost F., Schindler A., Bigl F. Reactive ion beam etching of InSb and InAs with ultrasmooth surfaces Semicond. Sci. Technol. v. 13, 1998, p.523.
- Zuli Liu, Guojia Fang, Youqing Wang, Yandong Bai and Kai-Lun Yao. Laser-induced colouration of V205. J. Phys. D: Appl. Phys. v.33, 2000, p.2327.
- Арутюнян P.B., Баранов В. Ю., Большов Л. А. и др. Воздействие лазерного излучения на материалы. М.: Наука, 1989. — 367 с.
- Моро У. Микролитография: В 2-х ч. Ч. 1: Пер. с англ. М.: МИР, 1990. -605 с.
- РММА resists электронный ресурс.: доступен в главном меню MicroChem Corp (MCC) раздел Products, РММА & Copolymer Resists. Ссылка: http://wwvv.microchem.com/products/pdf/PMMADataSheet.pdf
- Chudnovskii F. A., Stefanovich G.B. Metal- insulator phase transition in disordered V02 J. Sol. St. Chem. V.98, 1992, P.137.
- Электронно-лучевая технология в изготовлении микроэлектронных приборов / Под ред. Дж.Р. Брюэра. (пер.с англ). М.: Радио и связь, 1984. -343 с.
- Peter van Zant. Microchip Fabrication. 3rd ed. McGraw-Hill Companies, 1997.-623 p.