Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Энергетический спектр электронов в двумерных ковалентных структурах с локальными дефектами на поверхности

Диссертация: Энергетический спектр электронов в двумерных ковалентных структурах с локальными дефектами на поверхности
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При введении локального поверхностного дефекта, путём замещения Э-Н группы гидридного покрова на группы, содержащие атомы Зс1-элементов, в зоне запрещенных состояний образуются специфические состояния, обусловленные 3<1-орбиталями атомов дефекта. В зависимости от типа атома дефекта и характера группы, в состав которой он входит, эти состояния могут быть как донорными (с проникновением в зону… Читать ещё >

Энергетический спектр электронов в двумерных ковалентных структурах с локальными дефектами на поверхности (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Физико-химические свойства ковалентных и ионно-ковалентных кристаллов, способы их моделирования и методы расчёта их электронного строения и энергетического спектра
    • 1. 1. Физические свойства и применение С, Si, Ge, Sn
      • 1. 1. 1. Углерод
      • 1. 1. 2. Кремний
      • 1. 1. 3. Германий
  • Ш.4Шовб
    • 1. 2. Модели твердых тел
      • 1. 2. 1. Введение
      • 1. 2. 2. Кластерные модели твердых тел
      • 1. 2. 3. Модель квазимолекулярной расширенной элементарной ячейки
      • 1. 2. 4. Модель кластера с циклическими граничными условиями
      • 1. 2. 5. Основные требования для кластерных моделей
    • 1. 3. Молекулярно — орбитальные вычислительные схемы, применимые к кластерным расчетам твердотельных структур
      • 1. 3. 1. Ограниченный метод Хартри-Фока-Рутана
      • 1. 3. 2. Неограниченный метод Хартри-Фока-Рутана
      • 1. 3. 3. Теория функционала плотности
        • 1. 3. 3. 1. Теория Томаса — Ферми
        • 1. 3. 3. 2. Теория Кона — Шема
        • 1. 3. 3. 3. Самосогласованные уравнения Кона-Шема
      • 1. 3. 4. Полуэмпирическая расчетная схема MNDO
    • 1. 4. Выводы
  • 2. Электронное строение и спектр двумерных ковалентных и ионно-ковалентных структур с валентно-насыщенной поверхностью
    • 2. 1. Ридридный покров
    • 2. 2. Локальные дефекты на гидрированной поверхности
    • 2. 3. Гидроксидный покров
    • 2. 4. Локальные дефекты на гидроксидированной поверхности
    • 2. 5. Фторированная поверхность
    • 2. 6. Аминный покров
    • 2. 7. Выводы
  • 3. Сравнительные расчёты двумерных поверхностных тетраэдрических структур в рамках моделей молекулярного кластера и кластера с циклическими граничными условиями
    • 3. 1. Модель
    • 3. 2. Расчётная схема
    • 3. 3. Результаты и
  • выводы
  • 4. Энергетический спектр электронов в двумерных ковалентныхструктурах с локальными поверхностными дефектами, содержащими атомы 3 d-элементов
    • 4. 1. Модель
    • 4. 2. Расчетная схема
    • 4. 3. Результаты и
  • выводы

Актуальность темы

Одним из важных направлений материаловедения является создание новых конструкционных материалов для приборов микро-и наноэлектроники. Основу соответствующих материалов составляют, как правило, различные твердотельные структуры.

Известно, что физические свойства кристаллов зависят в значительной степени от типа их симметрии [1−4], а также электронного и энергетического строения [5]. Различные поверхностные дефекты (ПД) существенно влияют на энергетический спектр и электронное строение, что приводит к изменению физических свойств кристалла [6−8]. Поэтому исследование влияния ПД на электронное строение и энергетический спектр кристаллического «объекта является важной задачей.

Ковалентные кристаллы, в зависимости от их типа и геометрического строения составляющих атомов, наличия различных дефектов, могут быть как полупроводниками, так и диэлектриками. Изучению физических свойств ковалентных кристаллов посвящено много работ, однако до сих пор в литературе не достаточно освящены темы, посвященные изучению электронного строения кристаллов, содержащих различные дефекты замещения на поверхности. Именно поэтому данные кристаллы с ПД являются интересными объектами для исследования.

Экспериментальное исследование размера энергетической щели, работы выхода, зарядов, на атомах являются достаточно трудоёмкими, поэтому моделирование и квантовомеханический расчёт таких систем позволяют сузить поиск подходящих материалов1 для микрои наноэлектроники, а также прогнозировать новые физические свойства кристаллов, модифицированных различными ПД.

АЬ initio-расчёт физических характеристик твёрдого тела, связанных с электронной и фононной подсистемами, сопряжен с вычислением или построением эффективного потенциала, определяющего состояние электронов, учитывающего особенности моделируемого объекта эффекты [9, 10]. Это касается не только электронной структуры твёрдого тела в целом, но и локальных или пространственно ограниченных структурных дефектов в нем. Практический интерес представляет в таком случае одноэлектронное приближение, когда движение каждого электрона рассматривается в усредненном поле ядер и других электронов [11−13]. Это усредненное поле, вообще говоря, должно1 учитывать как чисто кулоновское взаимодействие заряженных частиц в системе, так и обменно-корреляционные эффекты в электронной подсистеме. В простейшем варианте таких задач пренебрегают динамикой решетки твёрдого тела (адиабатическое приближение) [14−16], рассматривают исключительно стационарные1 состояния. Знание правильного потенциала V®, однако, хотя, и весьма желаемо, но-не всегда.необходимо. Это связано с* тем, что в большинстве случаев глубокие электронные состояния твёрдых тел не представляют практического интереса. Предметом исследования является энергетический спектр валентных электронов, включая возможные электронные состояния, локализованные в запрещенной энергетической1 щели, обусловленные различного рода дефектами кристаллической структуры.

Целью диссертационной-работы является-моделирование и квантово-химическое исследование влияния>различных ПД в двумерных ковалентных структурах^ (ДКС) на их электронное строение* и энергетический спектр од-ноэлектронных состояний (ЭСОС).

При достижении поставленной цели были решены следующие задачи: 1. Проведен поиск моделей и расчётных схем, наиболее подходящих для' исследования влияния-ПД на электронное строение и энергетический спектр ковал ентных и ионно-ковалентных структур.

2: Изучено влияние размеров кластерной модели на адекватность-получаемых результатов. Найденьг оптимальные размеры кластера, в которых заряды на «объёмных» атомах ДКС отличаются от нуля не более чем на 0,05е. К двумерным относятся периодические структуры, не ограниченные в двух измерениях, и имеющие конечный размер в третьем измерении («кристаллический слой»). 5.

3. Проведены полуэмпирические расчеты моделей ДКС с различными поверхностными покровами (ПП) и исследованы их ЭСОС.

4. Проведено исследование электронного строения и ЭСОС ковалентных и ионно-ковалентных структур с гидридным, гидроксидным, фторидным и аминным (ПП), а также с локальными дефектами замещения Н Н-Э-, Н-О-групп в Ни ОН-ПП с использованием квазимолекулярных моделей и неэмпирических (теория функционала плотности) и полуэмпирических (MNDO-PM3) квантовохимических расчетных схем.

5. Исследовано влияние на ЭСОС ДКС с гидридным покровом локальных дефектов замещения Э-Н групп на функциональные группы, содержащие атомы 3d — элементов.

Научная новизна работы заключается в том, что:

1. Построены квазимолекулярные модели а) кластера с замыканием «боковых» связей одновалентными псевдоатомами, б) кластера с циклическими-граничными условиями для двумерных ковалентных структур — идеальных и с локальными ПД.

2. Установлены положения уровней энергии электронов в состояниях, обусловленных локальными ПД в ДКС, относительно границ зон занятых и свободных состояний бездефектной структуры.

Практическая ценность работы. Результаты, полученные при исследовании особенностей энергетического спектра электронов, обусловленные элементами поверхности двумерных ковалентных структур, могут быть использованы для целенаправленного поиска конструкционных материалов микрои наноэлектронных устройств с требуемыми, электрофизическими характеристиками :

Результаты работы, использованы в госбюджетной научно-исследовательской работе (тема 29.330: «Исследование взаимодействия потоков заряженных частиц и электромагнитных волн со средами включая биологические»), выполняемой на кафедре физики Волгоградского государственного технического университета по плану фундаментальных и поисковых работ.

Личный' вклад автораАвтором построены модели исследуемых ДКС, проведён их квантовохимический расчёт и анализ полученных результатов;

Достоверность результатов следует из корреляции некоторых из полученных результатов — с имеющимисяэкспериментальными данными, а также определяется^ ранее установленной достоверностью результатов, полученной с применением аналогичных расчётных схем к изучению-экспериментально исследованных многоатомных систем;

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Модели кластеров-а) в форме расширенной элементарной? ячейкис замыканием «боковых» связей одновалентными псевдоатомами, б) с циклическими граничными/условиями, построенные для ДКС с Н-, О-Н-, F —, NH2— поверхностными покровами* а также с локальными дефектами-замещения-в, 11- и О-Нпокровах., г ¦

2. Результаты исследования электронного строения и энергетического спектра-двумерных структур, с ПП, а также с локальными, дефектами) заме- -щения на их поверхностиv.

3. Установление типов дефектовприводящих к наиболее существенному изменению структуры энергетического спектра электронов, а, следовательно* и на зависящие от них электрофизические характеристики ДКС с различными Г1П.

Апробация результатов. Результаты исследования ^ докладывались, на научных семинарах кафедры физики ВолгГТУ (Волгоград, 2006;2007гг.), на конференциях молодых исследователей Волгоградской области (Волгоград, 2005, 2007 г.), на: Международных семинарах «Физико-математическое1 моделирование систем» (Воронеж, 2005;2007г.), на двенадцатой Всероссийской конференции студентов-физиков и молодых учёных (Новосибирск, 2006 г.), на Международной научно — технической конференции «Наука и образование — 2006» (Мурманск, 2006 г.), на региональном конкурсе научных работ «Молодые учёные — родному краю» (Волгоград, 2007 г., диплом II степени). Публикации:

1. Растова, Н. А. Особенности энергетического спектра электронов, обусловленные дефектами 111-поверхности тетраэдрических кристаллов / Н. А. Растова, А. О. Литинский // X Региональная конференция молодых исследователей Волгоградской области, направление: Физика и математика: тез. докл. — Волгоград: изд-во ВолГУ, 2006. — С. 19−21.

2. Литинский, А. О. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных полупроводников с 111-валентно-насыщенной поверхностью / А. О. Литинский, Н. А. Растова // Вопросы физической метрологии. Научно-техн. сб. Поволжского отделения^Метрологической академии Росии. — 2005. — Вып. 7. -С. 79−86.

3. Растова, Н. А. Энергетический спектр валентно — насыщенной 111- поверхности тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами / Н. А. Растова, А. О. Литинский // Физико-математическое моделирование систем: ма-тер.П Международного семинара. — Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. — 2005.-Ч. 1.-С. 207−212.

4. Стебеньков, А. М. Особенности энергетического спектра сферически-симметричных тетраэдрических кристаллов с локальными дефектами / А. М. Стебеньков, Н. А. Растова, А. О. Литинский // ВНКСФ-12: матер. Двенадцатой Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных. — Новосибирск. — 2006. — С. 172−173.

5. Растова, Н. А. Спектр одноэлектронных состояний ковалентных кристаллов с выделенной поверхностью/ Н. А. Растова, А. О. Литинский, А. М. Стебеньков //ВНКСФ-12: матер. Двенадцатой Всерос. науч. конф. студентов-физиков и молодых учёных. — Новосибирск. — 2006. — С. 161−162.

6. Растова, Н. А. Энергетический спектр гидрированной и гидрооксидиро-ванной Ill-поверхности ковалентных и ионно-ковалентных кристаллов с локальными поверхностными дефектами / Н. А. Растова, А. О. Литинский //.

Наука и образование — 2006: матер. Междунар. науч.-техн. конф., Мурманский гос. тех. ун-т. — Мурманск, 2006. — С. 248−251.

7. Литинский, А. О. Электронное строение и энергетический спектр двумерных ковалентных структур с локальными дефектами / А. О. Литинский, Н. А. Растова // Известия Волгоградского государственного технического университета. Сер.: Электроника, измерительная техника, радиотехника и связь. — 2007. — Вып. 1. — С. 33−39.

8. Литинский А. О. Сравнительный анализ энергетических спектров ковалентных кристаллов с различными граничными условиями. Кластерная и циклическая модели / А. О. Литинский, Н. А. Растова // Компьютерное моделирование электромагнитных процессов в физических, химических и технических системах. — Воронеж: Воронеж, гос. техн. ун-т. — 2007. — Ч. 1. — С. 8388.

Основные результаты и выводы.

1. Для двумерных алмазоподобных ковалентных структур построены модели кластерного типа на основе расширенной элементарной ячейки а) с замыканием «боковых» связей одновалентными псевдоатомами, б) с наложением циклических граничных условий.

2. Для двумерных ковалентных структур с Н-, ОН-, F-, NH2- поверхностными покровами (ПП) установлено существование зон: а) поверхностных состояний (для ОН-, F-, NH2- ПП), обусловленных электронами неподелённых пар атомов О, F, N соответственно, примыкающих к верхней границе зоны занятых состояний. Степень внедрения этих состояний в зону запрещенных состояний составляет — 10 -г 50%- б) заполненных состояний, обусловленных связывающими орбиталями Э-Н, О-Н, Э-F, N-H-связей соответственноэти зоны в энергетической шкале лежат ниже зон, обусловленных орбиталями неподеленных пар и частично перекраваются с зонами, преимущественный вклад в которые вносят орбитали «внутриобъёмных» атомовв) незаполненных состояний, отвечающих разрыхляющим орбиталям Э-Н связейэнергии этих состояний примыкают к нижней границе зоны вакантных состояний (ЗВС) либо со стороны зоны запрещенных состояний, либо находятся внутри ЗВС. В наибольшей степени эти состояния внедрены в зону запрещенных состояний до — 15% для случая NH2- покрова в алмазе, в наименьшей степени — для случая Н — покрова в кремнии.

3.

Введение

локального дефекта замещения в гидридном покрове атома Н на группы F, С1, ОН, SH, NH2 и в гидроксидном покрове ОН-группы на F и NH2 приводит к образованию в энергетическом спектре: а) в зоне запрещенных состояний энергетических уровней, отвечающих орбиталям неподелённых пар атомов F, С1, О, S, N, степень внедрения которых в зону запрещенных состояний достигает величины 30%- б) уровней, относящихся к связывающим и разрыхляющим орбиталям валентных связей атома дефекта, лежащих преимущественно внутри соответствующих зон. В некоторых случаях подобные состояния проникают в зону запрещенных состояний (со стороны верхней границы зоны занятых состояний до 25% для SH — покрова в германии, со стороны нижней границы зоны вакантных состояний-до 20% для SH — покрова в карбиде кремния).

4. При замещении в Н-поверхностном покрове Э-Н-группы на атомы А1 или Ga в зоне запрещенных состояний образуются акцепторные состояния, обусловленные орбиталями этих атомов, в окрестности нижней границы зоны вакантных состояний со степенью проникновения в зону запрещенных состояний до 15 — 25%.

5. Применением к расчету электронного энергетического спектра двумерных ковалентных структур с локальными дефектами в поверхностном гид-ридном покрове расчетной схемы высокого уровня (метода теории функционала плотности) и модели циклического кластера подтверждены и уточнены результаты, отмеченные в пунктах 2 и 3.

6. При введении локального поверхностного дефекта, путём замещения Э-Н группы гидридного покрова на группы, содержащие атомы Зс1-элементов, в зоне запрещенных состояний образуются специфические состояния, обусловленные 3<1-орбиталями атомов дефекта. В зависимости от типа атома дефекта и характера группы, в состав которой он входит, эти состояния могут быть как донорными (с проникновением в зону запрещенных состояний со стороны верхней границы зоны занятых состояний до 20% в случае алмаза с дефектом TiOH), так и акцепторными (с проникновением в зону запрещенных состояний со стороны нижней границы зоны вакантных состояний до 75% для случая алмаза с дефектом CrOCl).

Показать весь текст

Список литературы

  1. , М. П. Кристаллография / М. П. Шаскольская. — М.: Высш. шк., 1984.-376 с.
  2. , Д. М. Физическая кристаллография / Д. М. Васильев. М.: Металлургия, 1981. — 248 с.
  3. , Г. М. Кристаллография / Г. М. Попов, И. И. Шафрановский. — М.: Высш. шк., 1972.-352 с.
  4. , Ф. Симметрия молекул и молекулярная спектроскопия / Ф. Бан-кер.-М.: Мир, 1981.-451 с.
  5. Стильбанс, JI, С. Физика полупроводников / JI. С. Стильбанс. М.: Советское радио, 1967. — 452 с.
  6. , А. Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах / А. Н. Орлов. -М.: Высш. шк., 1983. 144 с.
  7. , А. Кристаллография и дефекты в кристаллах / А. Келли, Г. Гровс- пер. с англ. М.: Мир, 1974. — 496 с.
  8. , О. Физика твёрдого тела. Локализованные состояния. / О. Маделунг- под ред. В.М. Аграновича- пер. с нем. и англ. М.: Наука, 1985, -184 с.
  9. , D. С. Computational chemistry / D. С. Young. New York: J. Wiley & Sons, Inc., 2001.-370 p.
  10. Ben-Nun, M Ab initio quantum molecular dynamics / M. Ben-Nun, T.J. Martinez. New York: J. Wiley & Sons, Inc., 2002. — 512 p.
  11. , H. Ф. Квантовая механика и квантовая химия / Н. Ф. Степанов. М.: Мир, 2001. — 519 с.
  12. Заградник, Р Основы квантовой химии / Р. Заградник, Р. Полак. М.: Мир, 1979.-504 с.
  13. Фларри, Р Квантовая химия / Р. Фларри. М.: Мир, 1985. — 472 с.
  14. , В. И. Теория строения молекул / В. И. Минкин, Б. Я. Симкин, Р. М. Миняев. Ростов-на-Дону: Феникс, 1997. — 560 с.
  15. , Р. А. Квантовохимические методы в теории твёрдого тела / Р. А. Эварестов. Л: Изд-во ЛГУ, 1982. — 280 с.
  16. , Н. Ф. Квантовая механика молекул и квантовая химия / Н. Ф. Степанов, В. И. Пупышев. М.: Изд-во МГУ, 1991. — 384 с.
  17. Т. Л. Магнитные свойства углерода: обзор / Т. Л. Макарова // Физика и техника полупроводников. 2004. — Т. 38- Вып. 6. — С. 641 — 664.
  18. Физическая энциклопедия: в 5-и т. Т.5 / М.: Бол. Рос. Энцикл., 1998. — 691 с.
  19. Углерод: материал из Википедии свободной энциклопедии Электронный ресурс. — [2007]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Carbon.
  20. Narymbetov, В. The crystal structure of 2D polymerized tetragonal phase of C60/B. Narymbetov и др. // Chem. phys. Lett. 2003. — V. 367. p. 157−162.
  21. , А. С. Углерод, межслоевые соединения и композиты на его основе / А. С. Фиалков М.: Аспект Пресс., 1997. — 718 с.
  22. , Ю. Е., Образование и рост углеродных наноструктур — фулле-ренов, наночастиц, нанотрубок и конусов / Ю. Е. Лозовик, А. М. Попов // Успехи физических наук. 1997. — Т. 167(7), — С. 751−754.
  23. , А. В. Фуллерены и структуры углерода. / А. В. Елецкий, Б. М. Смирнов // Успехи физических наук. 1995. — Т. 165(9), — С. 977−1009.
  24. А. Н. Атомная структура, стабильность и электронное строение икосаэдрических наноалмазов и онионов / А. Н. Еняшин, А. Л. Ивановский // Физика твёрдого тела. 2007. — Т. 49- Вып. 2. — С. 378−383.
  25. , В. В. Из истории открытия синтеза наноалмазов / В. В. Да-ниленко // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 581−584.
  26. Современные промышленные возможности синтеза наноалмазов / В. Ю. Долматов, и др. // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 596 600.
  27. Г. К. Ультрадисперсные наноалмазы в гальванотехнике / Г. К. Буркат, В. Ю. Долматов // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 685−692.
  28. А. С. Наноалмазы для полирования / А. С. Артёмов // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 670−678.
  29. Начальные стадии роста алмазной плёнки при использовании наноалма-зов в качестве центров зародышеобразования / А. Я. Вуль, и др. // Письма в ЖТФ 2002. — Т. 28- Вып. 18. — С. 77−83.
  30. Использование ультрадисперсного наноалмаза для селективного осаждения легированных бором алмазных плёнок / В. В. Дворкин, и др. // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 710−713.
  31. Исследование агрегации кластеров ультрадисперсного алмаза методом атомно-силовой микроскопии / А. Е. Алексенский, и др. // Письма в ЖТФ — 2000. Т. 26- Вып. 18. — С. 28 — 35.
  32. Формирование наноразмерных углеродных материалов в газоразрядной плазме/ А. А. Золотухин, и др. // Письма в ЖТФ 2003. — Т. 29- Вып. 29. -С. 58−63.
  33. А. П. Химическое состояние атомов углерода на поверхности наноалмазных частиц / А. П. Дементьев, К. И: Маслаков // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 662 — 664.
  34. Оптические свойства слоев ультрадисперсного алмаза, полученных из водной суспензии / А. Е. Алексенский, и др. // Письма в ЖТФ 1997. — Т. 23- № 22. — С. 39−44.
  35. А. Е. Интеркалирование ультрадисперсного алмаза в водных суспензиях / А. Е. Алексенский, М. А. Яговкина, А. Я. Вуль // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 668−669.
  36. , Р. К. Самоорганизация наноалмазных кристаллитов в неравновесной СВЧ-плазме низкого давления / Р. К. Яфаров // Журнал технической физики. 2007. — Т. 77- Вып. 1. — С. 79−84.
  37. Прямое наблюдение изолированных кластеров ультрадисперсного алмаза методом атомно-силовой микроскопии / А. Я. Вуль, и др. // Письма в ЖТФ-2006.-Т. 32- Вып. 13.-С.12−18.
  38. , И. И. Химия поверхности наноалмазов / И. И. Кулакова // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — G. 621−628.
  39. , В. В. Ударное спекание наноалмазов / В. В. Даниленко // Физика твёрдого тела. 2004. — Т. 46- Вып. 4. — С. 693−697.
  40. Zhu, Т. Far-infrared vibrational properties of linear C-60 polymers: A comparison between neutral and charged materials/ T. Zhu, и др.//, Phys. Rev. -2003.-B, 67, p. 120−124.
  41. Narozhnyi, V. N. Ferromagnetic carbon with enhanced Curie temperature/ V. N. Narozhnyi и др. // Physica В. 2003. PII, p. 329−333.
  42. Mukhamadiarov, V. V. Directional Anisotropy in Carbon Phases Prepared From Fullerite C6o under High Pressures / V. V. Mukhamadiarov, и др. // High Press. Res. 2003. No. 3, p. 275−279.
  43. , С. И. Получение, свойства и применение фракционированныхгнаноалмазов / С. И. Чухаева // Физика твёрдого тела. — 2004. Т. 46- Вып. 4. — С. 610−613.
  44. Оптические свойства слоев наноалмаза / А. Е. Алексенский, и др.,// Физика твёрдого тела-2001.-Т. 43- Вып. 1. С. 140−145.
  45. Свойства химических элементов Кремний Электронный ресурс. — [2007]. — Режим доступа: http://bizinfo.otrok.ru/chem/elem.php?n=14.
  46. Германий: материал из Википедии свободной энциклопедии Электронный ресурс. — [2007]. — Режим доступа: http://en.wikipedia.org/wiki/Germanium.
  47. Свойства химических элементов Германий Электронный ресурс. -[2007]. — Режим доступа: http://bizinfo.otrok.ru/chem/elem.php?n=32.
  48. Свойства химических элементов Олово Электронный ресурс. -[2007]. — Режим доступа: http://bizinfo.otrok.ru/chem/elem.php?n=50.
  49. , А. Квантовая теория кристаллических твердых тел / А. Анима-лу. М.: Мир, 1981. — 574 с.
  50. , Н. Физика твердого тела / Н. Ашкрофт, Hi Мермин. М.: Мир, 1979.-Т. 1.-399 с.
  51. , Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел / Дж. Слетер. М.: Мир, 1978. — 663 с.
  52. , А.А. Введение в квантовую химию твердого тела / А. А. Левин. — М.: Химия, 1974.-237 с.
  53. , Н. Физика твердого тела / Н. Ашкрофт, Н. Мермин. М.: Мир. — 1979. Т. 2.-424 с.
  54. , В. А. Квантовая химия твердого тела / В. А. Губанов, Э. 3. Курмаев, А. Л. Ивановский. М.: Наука. 1984. — 304 с.
  55. Электронная теория конденсированных сред / А. А. Кацнельсон, и др. -М.: МГУ, 1990.-240 с.
  56. Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами / Ю. Р. Закис, и др. Рига: Зинатне, 1991. -382 с.
  57. , У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи: в 2-х т. Т.1. / У. Харрисон- пер. с англ. М.: Мир, 1983. -381 с.
  58. , У. Электронная структура и свойства твердых тел1. Физика химической связи: в 2-х т. Т.2. / У. Харрисон- пер. с англ. М.: Мир, 1983.332 с. -
  59. , Р. А. Молекулярные модели точечных дефектов в широкощелевых твердых телах / Р. А. Эварестов, Е. А. Котомин, А. Н. Ермошкин. Рига: Зинатне, 1983.-287 с.
  60. , Г. М. Современные модели теории хемосорбции. / Г. М. Жидомиров, А. Л. Шлюгер, Л. Н. Канторович // Современные проблемы квантовой химии в теории межмолекулярных взаимодействий и твердых тел. -Л.,-1987.-С. 225−282.
  61. Zunger, A. Small periodic cluster calculations of perfect and defect solids / A. Zunger // Ann. Soc. Brux. 1975. — V.89. — P. 77−97.
  62. Zunger, A. Point defects in hexagonal boron nitride. II. Theoretical studies./ A. Zunger, A. Katzir // Phys. Rev. В Solid State. — 1975. — V. l 1. — P. 2378−2390.
  63. Perkins, P. G. A new rapid method for orbital localization / P. G. Percins, J. J. P. Stewart // J. Chem. Soc. Faraday. Trans. 1982. — V. 78. — P. 285−296.
  64. , А. О. Квазимолекулярные модели хемосорбции и поверхностных структур: дис.. докт. химия, наук: 02. 00. 04.: защищ. 16. 01. 1987 / А. О. Литинский. -М.: МГУ. 1987. — 344 с.
  65. Моделирование свойств, электронной структуры ряда углеродных и неуглеродных нанокластеров и их взаимодействия с лёгкими элементами / А. С. Фёдоров, и др. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2006. — 256 с.
  66. Kohn, W. Inhomogeneous Electron Gas / W. Kohn, P. Hohenberg // Phys. Rev. 1964. — Vol. 136 B. — P. 864−871.
  67. Kohn, W. Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects / W. Kohn, L. J. Sham // Phys. Rev. 1965. — Vol. 140 A. — P. 1133−1138.
  68. Кон, В. Электронная структура вещества волновые функции и функtционалы плотности / В. Кон // Успехи физических наук. 2002. — Т. '172- № 3. -С. 336−348.
  69. Perdew, J. P. Generalized Gradient Approximation Made Simple /J. P. Per-dew, K. Burke, M. Ernzerhof// Phys. Rev. Lett. 1996. — V. 77. -P. 3865.
  70. Dewar, M. J. S. Ground states of molecules. 38. The MNDO method. Approximations and Parameters. / M. J. S. Dewar, W. Thiel // J. Amer. Chem. Soc. -1977. V. 99- № 15. — P. 4899−4906.
  71. Stewart, J .J. P. Optimization of parameters for semiempirical methods. 1. Methods / J. J. P. Stewart // J. Comput. Chem. 1989. — V. 10- № 2. — P. 209−220.
  72. Stewart J. J. P. Optimization of parameters for semiempirical methods. 2. Methods / J. J. P. Stewart // J. Comput. Chem. 1989. — V. 10. № 2. — P. 221−264.
  73. Hehre, W. J. Self-Consistent Molecular-Orbital Methods. I. Use of Gaussian Expansions of Slater-Type Atomic Orbitals / W. J. Hehre, R. F. Stewart, J. A. Po-ple // J. Chem. Phys. 1969. — V. 51.-P.2657.
  74. Wadt, W. R. Ab initio effective core potentials for molecular calculations. Potentials for main group elements Na to Bi/ W. R. Wadt, P. J. Hay // J. Chem. Phys. 1985.-V.82.-P.284.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!