Высокочастотные электронные процессы в полупроводниковых классических сверхрешетках
Диссертация
Развитие физики твердого тела и полупроводниковой электроники идет по пути поиска и исследования свойств принципиально новых материалов и структур, позволяющих расширить функциональные возможности и повысить быстродействие современных электронных систем связи и обработки информации. Одним из таких новых материалов, интенсивно исследуемых последние два десятилетия, являются многослойные… Читать ещё >
Список литературы
- Esaki L. Tsu R. Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors // IBM J. Res. and Devel. -1970. V.14, № 1. — P.61−65.
- Алферов Ж.И., Жиляев Ю. В., Шмарцев Ю. В. Расщепление зоны проводимости в сверхрешетке на основе GaPxAst.x //ФТП. 1971. Т.5, № 1. — С.196−198.
- Chang L., Esaki L., Tsu R. Resonant tunneling in semiconductors double barrier //Appl. Phys. Lett. 1974. — V.24, № 12. — P.593−595.
- Dingle R., Wiegmann W., Henry C.H. Quantum states of confined carriers in very thin AlxGai. xAs-GaAs-AlxGai.xAs heterostructures //Phys. Rev. Lett. 1974. — V.33, № 14. — P.827−830.
- Келдыш JI.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла //ФТТ. 1962. — Т.4, № 8. — С.2265−2267.
- Иогансен Л.В. О возможности резонансного прохождения электронов в кристаллах через систему барьеров //ЖЭТФ. 1963. — Т.45, № 1. — С.207−218.
- Романов Ю.А. Периодические полупроводниковые структуры из сверхтонких слоев //ФТП. 1971. — Т.5, № 7. — С.1434−1444.
- Казаринов Р.Ф., Сурис Р. А. О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводнике со сверхрешеткой //ФТП. -1971. Т.5, № 4. — С.797−800.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур //ФТП. 1998. Т.32, № 1. — С.3−18.
- Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки /Пер. с англ. М.: Мир, 1989.-240с.
- Басс Ф.Г., Булгаков А. А., Тетервов А. П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М.: Наука, 1989.
- Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М.: Радио и связь, 1990. — 304с.
- Драгунов В.П., Неизвестный И. Г., Гридин В. А. Основы наноэлектроники: Учеб. Пособие. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. -332с.
- Орлов JI.K. Электронные процессы в многослойных структурах с квантовыми ямами и в сверхрешетках в сильных полях. Дисс. докт. физ.-мат. наук. Горький, 1990. 417с.
- Kolbos R.M., Holonyak N. Man-made quantum wells: A new perspective on the finite square welle problem // Amer. J Phys. — 1984. — V.52, № 5. — P.431−437.
- Тагер A.C. Размерные квантовые эффекты в субмикронных полупроводниковых структурах и перспектива их применения в электронике СВЧ. 4.1. Физические основы // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. М.: ЦНИИ Электроника. — 1987. — В.9(403). — С.21−34.
- Драймонд Т. Дж., Месселинг У. Т., Моркоч X. Гетероструктурные полевые транзисторы с модулированным легированием на основе GaAs/GaAlAs //ТИИЭР. 1986. — Т.74, № 6. — С.6−57.
- Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия: Пер. с англ.-М.: Мир, 1991.-632с.
- Sollner T.C.L.G., Brown E.R., Goodhue W.D. Resonant tunneling SM and MM diodes // Picosecond. Electron, and Optoelectron. Top. Meet. W. -1987. P.143−145.
- Мокеров В.Г., Федоров Ю. В., Гук A.B., Великовский Л. Э., Каминский В. Э. Наноэлектронные СВЧ-транзисторы на основе гетероструктур соединений А3В5 с двумерным электронным газом //Зарубежная радиоэлектроника. 1998. — № 8. — С.40−61.
- Dykman I.M., Tomchyk P.M., Transport Phenomena and Eigenoscillation of Hot Electrons in Semiconductors with Periodic Structure //Phys. Stat. Sol. 1976.- V.76(b), N1.-P.385−393.
- Дыкман И.М., Томчук П. М. Собственные колебания неравновесной плазмы в пространственно периодических структурах //ФТП. 1976. — Т. 10, № 8. — С.1551−1554.
- Тагер А.С. Высокочастотные характеристики полупроводниковых диодов со слоистой структурой //ФТП. 1977. — T. l 1, № 12. — С.2322−2329.
- Грибников З.С. Электропроводность полупроводника с классической сверхрешеткой в диффузионном приближении //ФТП. -1973. Т.7, № 10. С.1948−1955.
- Игнатов А.А. О диэлектрическом характере высокочастотных свойств тонких полупроводниковых пленок //ФТП. 1980. Т. 14, № 8. -С.1582−1586.
- Belyntsev A.M., Ignatov А.А. High-Frequency electromagnetic response of classical semiconductor-dielectric superlattices //Solid St. Commun. 1977. V.24, № 12. — P.817−819.
- Романов Ю.А., Демидов E.B. Нелинейная проводимость тонких полупроводниковых слоев //ФТП. 1980. Т.14, № 8. — С.1526−1531.
- Сурис Р. А., Федирко В. А. Разогревная фотопроводимость в полупроводнике со сверхрешеткой //ФТП. 1978. — Т. 12, № 6. — С. 10 601 065.
- Чусов И. И. Фотопроводимость в компенсированном полупроводнике //ФТП. 1974. — Т.8, № 10. — С. 1907−1912.
- Гуляев Ю. В., Листвян В. Н., Потапов В. Т., Чусов И. И., Яременко Н. Г. О природе внутризонной фотопроводимости в компенсированном n-lnSb //ФТП. 1975. — Т.9, № 8. — С.1471−1477.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. — 416с.
- Бонч-Бруевич B. JL, Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981. — 384с.
- СаК.Т. Избыточный ток при туннелировании в полупроводниках //Туннельные явления в твердых телах /Под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста. М.: Мир, 1973. С. 187−198.
- Dohler G.H. Doping superlattices («n-i-p-i crystals») //IEEE J. Quantum Electron. 1986. — V. QE-22, № 9. — P. 1682−1695.
- Неустроев Л.Н., Осипов B.B., Холодное В. А. Фотопроводимость полупроводников со слоистой неоднородностью //ФТП. 1980. — Т. 14, № 5. — С.939−947.
- Неустроев Л.Н., Осипов В. В. Фотопроводимость полупроводников со слоистой неоднородностью при наличии квазинейтральных областей //ФТП. 1981. — Т. 15, № 6. — С. 1068−1077.
- Гиббс X. //Оптическая бистабильность. Управление светом с помощью света: Пер. с англ. М.: Мир, 1988. — 520с.
- Soukoulis С.М. Photonic Band Gap Materials «The „Semiconductors“ of the Future?» //Physica Scripta. 1996. V.66, № 1. P.146 — 150.
- Калитиевский M.A., Кавокин A.B. Влияние межзонного и экситонного поглощения света на оптические свойства брэгговских отражателей //ФТТ. 1995. — Т.37, № 9. — С.2721−2726.
- Рыбкин Б.С., Георгиевский A.M. Селекция поляризации излучения при разогреве носителей тока в лазерах с вертикальным резонатором, излучающих через поверхность //ФТП. 1999. — Т. ЗЗ, № 7. -С.887−893.
- Светлов С.П., Толомасов В. А., Еремина JI.C. Изучение факторов, определяющих срыв эпитаксиального роста слоев кремния в вакууме //Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок, 4.2. -Новосибирск: Наука, 1977. С. 182−186.
- Кузнецов В.П., Постников В. В. О некоторых закономерностях образования дефектов в слоях Si, выращенных при 440−1000С сублимацией в вакууме //Кристаллография. 1975. Т.20, № 3. — С.626−630.
- Кузнецов В.П., Толомасов В. А., Туманова А. Н. Легирование тонких эпитаксиальных слоев Si, выращенных при низких температурах // Кристаллография. 1979. Т.24, № 5. — С. 1028−1032.
- Петров А.С., Постников В. В. О закономерностях легирования кристалла кремния при росте из атомного пучка в вакууме //Изв. вузов СССР. Физика. 1982, № 1. — С.24−28.
- Yusuke О. Si molecular beam epitaxy (n оп n) with wide range doping control //J. Electrochem. Soc. 1977. — V. 124, № 11. — P. 1795−1802.
- Ishizaka A., Shiraki Y. Low Temperature Surface cleaning of Silicon and Its Application to Silicon MBE //J.Electrochem.Soc. 1986. — V.133, № 4. -P.666−672.
- Nakagawa K., Miyao M., Shiraki Y. MBE-related surface segregation of dopant atoms in silicon //Jap. J. Appl. Phys. 1988. — V.27, № 11.- P. L2013-L2014.
- Пчеляков О.П., Двуреченский A.B., Марков В. А., Никифоров А. И., Якимов А. И. Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на кремнии //Известия Академии наук. Серия физическая. 1999. -Т.63, № 2. — С.228−234.
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры /Под ред. Л. Ченга, К. Плога. -М.: Мир, 1989. 584с.
- Алешкин В.Я., Бекин И. А., Буянова М. Н., Звонков Б. Н., Мурель А. В. Определение плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек вольт-фарадным методом //ФТП. 1999. — Т. ЗЗ, № 10. -С.1246−1252.
- Яссиевич И.Н., Шмальц К. Емкостная спектроскопия наноструктур на основе германия и кремния //Изв. РАН. Сер. Физ. 1999. -Т.63, № 2.-С.317−322.
- Берман JI.C. Емкостные методы исследования полупроводников. Л.: Наука, 1972.- 104с.
- Гольдберг Ю.А. Барьеры Шоттки и их использование для исследования свойств полупроводников //Микроэлектроника. 1982. Т. 11, № 1. СЗ-19.
- Электрофизические свойства периодических структур на основе кремния/ Андреев С. Л., Гусятников В. Н., Иванченко В. А. и др. //ФТП. -1981. Т.15, № 3. — С.621−622.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Климов Б. Н., Тенькаева В. Н. Получение и свойства периодических структур на основе кремния //Интеграция и нетермическая стимуляция технологических процессов микроэлектроники. Тезисы докладов. М., 1981. С. 144.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А. Кинетические свойства классических полупроводниковых сверхрешеток в высокочастотных полях //Горячие электроны в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью. Семинар. Тезисы докладов. М., 1990. С. 21.
- Владимирова Е.В., Гусятников В. Н., Иванченко В. А. Вольт-амперные характеристики классической сверхрешетки с барьером Шоттки //Физика и применение контакта металл-полупроводник. Всесоюзн. конференц. Киев, 1987. С. 49.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Лыков Ю. И. Метод расчета смесителей СВЧ //Материалы Всероссийской конф. «Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ». Саратов. 1997. — С.117.
- Преобразование СВЧ сигнала в периодической структуре на основе кремния /Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Климов Б. Н. и др. //Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ. 1982. Вып.11(347). -С.25−26.
- А.с. 1 200 812, СССР. СВЧ детектор /Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Письменный Б. С. Опублик. в Б.И. 1985, № 46. МКИ Н 03 D9/02.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Кузнецов В. Е. Кинетические свойства структур с концентрационными неоднородностями в высокочастотных полях //Элементная база микро- и наноэлектроники: Физика и технология. М.: МГИЭТ, 1994. С.5−9.
- Владимирова Е.В., Гусятников В. Н., Иванченко В. А. Полупроводн. классические сверхрешетки, как материал СВЧ электроники //Твердотельная электроника СВЧ. Всесоюзная конференция. Тезисы докладов. Киев, 1990. С. 83.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Климов Б. Н. Фотопроводимость классических периодических полупроводниковых структур //Плазма и неустойчивости в полупроводниках: Тез. докл. 5 Всес. симп., Вильнюс. 1983. — С.59.
- Фотопроводимость классических полупроводниковых периодических структур на основе кремния при внутризонном поглощении света/ Гусятников В. Н., Иванченко В. А., Климов Б. Н. и др. //ФТП. 1986. — Т.20, № 7. — С.1323−1325.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Николаев М. В. Внутризонная фотопроводимость классических сверхрешеток на основе p-Ge //Горячие электроны в полупроводн. структурах с пониженной размерностью. Семинар. Тезисы докладов. М., 1990. С. 22.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Николаев М. В. Особенности фотопроводимости классических сверхрешеток на основе p-Ge в ИК диапазоне //ФТП. 1993. — Т.27, № 1. — С143−145.
- Амиров Р.Х., Гусятников В. Н. Динамическое влияние постоянного электрического поля на кинетику фотонов, взаимодействующих с электронами //Материалы конференции
- Фундаментальные проблемы физики", 9−14 октября 2000 г. Саратов, 2000. -С.25.
- Амиров Р.Х., Гусятников В. Н. Динамическое влияние постоянного электрического поля на кинетику фотонов, взаимодействующих с электронами в полупроводнике //ФТП. 2001. -Т.35, № 5. — С.528−533.
- А.с. № 1 286 023, СССР. Полупроводниковое устройство для детектирования ИК излучения /Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Климов Б. Н., Науменко Г. Ю., Николаев М. В. Опублик. в Б.И., 1987, № 2. МКИ Н 04 В 9//00.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А., Николаев М. В. Неохлаждаемые индикаторы излучения дальнего ИК диапазона //Тепл. приемники излуч. Тез. докл. 6 Всес. семин., Москва, май, 1988. J1. — 1988. — С.63−64.
- Гусятников В.Н., Райх М. Э. Влияние флуктуаций концентрации примесей на высоту и туннельную прозрачность барьера //ФТП. 1984. -Т. 18, № 6. — С. 1077−1084.
- Исследование края поглощения классических периодических структур на основе кремния /Гусятников В.Н.-., Иванченко В. А., Карахтанов В. А. и др. //ФТП. 1983. — Т. 17, № 11.- С2063−2065.
- Гусятников В.Н., Иванченко В. А. Патрикеев В.Ф. Исследование края собственного поглощения классических периодических структур наоснове кремния //XI совещание по теории полупроводников. Тезисы докладов. Ужгород, 1983. С. 1565.
- Nefedov I. S, Gusyatnikov V.N. Optically controlled GaAs-GaAlAs photonic band gap structure //Journal of Optics A: Pure and Applied Optics. -2000. Vol.2, № 4. — P.344−347.
- В.Н.Гусятников, И. С. Нефедов. Оптическое управление краем зоны непропускания полупроводниковых слоистых структур типа Фабри-Перо //Оптика и спектроскопия. 2000. — Т.89, № 3. — С.456−459.
- В.Н.Гусятников, И. С. Нефедов, Ю. А. Морозов Оптическая перестройка фотонной запрещенной зоны в классической полупроводниковой сверхрешетке при импульсном световом воздействии. //Известия Академии наук. Серия физическая. 2001. — Т.65, № 2. — С.303−306.
- Nefedov I.S. Gusyatnikov V.N. Optical light controlled band edge switch //ICTON'99, International Conference on Transparent Optical Networks: Conference Proceedings. Kielce, June 9−11, 1999. P.247−249.
- Morozov Y.A., Nefedov I.S., Gusyatnikov V.N. Mode transformation in VCSEL emitting pseudorandom sequence of pulses //ICTON2000. 2 Internal Conference on Transparent Optical Networks. Gdansk, Poland, June5−8, 2000. -Conference Proceedings. P.217−220.
- Morozov Y.A., Nefedov I.S., Gusyatnikov V.N. Influence of carrier diffusion on competitive mode dynamics in VCSEL under pseudo random pulsed modulation. Квантовая электроника. Материалы III Межд. научно-техн. конф., 20−22ноября 2000 г. Минск. С.39−42.
- Controllable one-dimensional photonic structures with n-i-p-i crystal layers /Gusyatnikov V.N., Nefedov I.S., Kononenko V.K. et.al. //Physics, Chemistry, and Application of Nanostructures. Singapore, 2001. P.142−145.
- Nefedov I.S., Gusyatnikov V.N.,. Morozov Y.A. Optical Switching in Semiconductor Photonic Band Gap Structures //ICTON2001. 3 International Conference on Transparent Optical Networks. Cracow, Poland, June 18−21, 2001. Conference Proceedings. P.275−278.
- Гусятников B.H., Нефедов И. С., Морозов Ю. А. Изменение характеристик пропускания полупроводниковых структур с фотонной запрещенной зоной под влиянием греющего СВЧ-поля. МНТК «Физика и технические приложения волновых процессов», Самара. 2001. — С.76.
- Nefedov I.S., Gusyatnikov V.N., Morozov Yu.A. Controllable semiconductor photonioc band gap structures. 9th International Conference on Electromagnetics of Complex Media. Morocco, May 8−11, 2002. Conference Proceedings. P. 18.
- Nefedov I.S., Gusyatnikov V.N., Kashkarov Р.К., Zheltikov A.M. Low-Threshold Photonic Band-Gap Optical Logic Gates //Laser Physics. -2000. Vol. 10, № 2. — P.640−643.
- Nefedov I.S., Morozov Y.A., Gusyatnikov V.N., Zheltikov A.M. Optical photonic band gap logic elements. //ICTON2000. 2 Internal Conferenceon Transparent Optical Networks. Gdansk, Poland, June5−8, 2000. Conference Proceedings.-P.195−198.
- Nefedov I.S., Gusyatnikov V.N., Marciniak M., Kononenko V.K., Ushakov D.V. Optical gain in one-dimensional photonic band gap structures with N-I-P-I crystal layers //Journal of Telecommunications and Information Technology. 2002. — № 1. — P.60−64.
- Гельбух С.С., Гусятников В. Н. Использование Оже-спектроскоиии для анализа состава поверхности полупроводников после УФ-озоновой очистки //Поверхность. 1995. — № 4. — С.41−47.
- Gel’bukh S.S., Gusyatnikov V.N. On the sulphur segregation on niobium (110) surface from native niobium oxide layer at high temperature //Proceedings of 5th Europien Vacuum Conference. Salamanca. Spain. 1996. September 23−26. — P.257−258.
- Исследование технологии молекулярно-лучевой эпитаксии напряженных слоев GexSi. x с квантоворазмерными эффектами: Отчет о
- НИР (заключ.)/ НИИМФ СГУ- Руководитель Гусятников В. Н. шифр «Палас-1" — № ГР 1 950 006 894. — Саратов. 1996. — 28с.
- Gel’bukh S.S., Gusyatnikov V.N. On the boron doping of silicon films at molecular-beam epitaxy// Proceedings of 8th Russian-Japan Joint Symposium on Analytical Chemistry. RISAC'96. 1996. August 26−31. P. 168 169.
- Вдовина Л.М., Гельбух C.C., Гусятников В. Н. Испарение оксида бора и его восстановление при легировании бором пленок кремния в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии //Неорганические материалы. -1996. Т.32, № 9. — С.1039−1042.
- Владимирова Е.В., Гусятников В. Н., Иванченко В. А. Климов Б.Н. Коэффициент перекрытия по емкости выпрямляющего контакта металла с неоднородным полупроводником //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1981. Вып.7(150). — С.25−28.
- А.с. 1 556 475, СССР. Полупроводниковый варактор /Владимирова Е.В., Гусятников В. Н., Иванченко В. А. //Открытия, изобретения. 1990. Бюл.№ 4.
- Владимирова Е.В., Гусятников В. Н., Журавлев К. А., Иванченко В. А., Павлов В. Г. Влияние глубоких уровней на эффекты поля в гомогенных периодических полупроводниковых структурах на основе кремния //ФТП. 1993. — Т.27, № 8. — С. 1400−1402.
- Гусятников В.Н. Высокочастотный импеданс диодов Шоттки с гетеропереходом //Нелинейные высокочастотные явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах и проблемы их применения в электронике СВЧ: Тезисы докладов. Навои, 1991. С. 10.
- Игнатов А.А., Окомелъков А. В. Резонанс тока в тонких слоях плазмы полупроводников //ФТП. 1982. — Т. 16, № 4. — С.643−648.
- Dohler G.H. Electrical and optical properties of crystals with «nipi-superstructure» //Phys. Stat. Sol. (b). 1972. — V.52, № 2. — P.533−545.
- Dohler G.H., Kunzel H., Ploog K. Tunable absorption coefficient in GaAs doping superlattices //Phys. Rev. B. 1982. — V.25, № 1. — P.291−294.
- Амиров P.X., Зудеев О. Г. Внутризонное излучение электронов, взаимодействующих с акустическими фононами в высокочастотном поле //ФТП. 1986. — Т.20, № 10. — С.1921−1925.
- Васько Ф. Т. Электронный газ в поле электромагнитной волны //ФТТ. 1974. — Т. 16, № 2. — С.532−537.
- Яссиевич И.Н., Ярошецкий И. Д. Релаксация энергии и процессы разогрева и охлаждения носителей тока при внутризонном поглощении света в полупроводниках //ФТП. 1975. — Т.9, № 5. — С.857−866.
- Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния /Болтаев А.П., Бурбаев Т. М., Курбатов В. А. и др. //Известия Академии наук. Серия физическая. 1999.- Т.63, № 2. С.312−316.
- Овсянников М.И., Романов Ю. А., Шабанов В. Н., Логинова Р. Г. Полупроводниковые периодические структуры //ФТП. 1970. — Т.4, № 12.- С.2225−2231.
- Стафеев В.И. Супермногослойные структуры с р-п переходом //ФТП. -1971. Т.5, № 3. — С.408−416.
- Дыкман И.М., Толпыго Е. И., Моздор Е. В. Собственные колебания и ток неравновесных электронов в пространственно периодических полупроводниках с эллипсоидальным законом дисперсии //ФТП. 1981. -Т.15, № 9. — С.1706−1710.
- Dykman I.M., Tomchyk P.M., Electromagnetic Waves in Inhomogeneous Semiconductors with Non-Equilibrium Carriers //Phys. Stat. Sol. 1978. — V.86(b), N2. — P.773−780.
- Dykman I.M., Prochnitskii L.A. Electromagnetic Waves in an Inhomogeneous Semiconductors under Electric and Magnetic Fields //Phys. Stat. Sol. 1979. -V.96(b), N1. — P.55−60.
- Дыкман И.М., Прохницкий JI.А. Распространение электромагнитной волны в пластинке полупроводника со сверхрешеткой в греющем электрическом поле //ФТП. 1982. — Т. 16, № 5. — С.922−925.
- Дыкман И.М., Томчук П. М. Влияние греющего поля на отражение электромагнитных волн от поверхности пространственно неоднородных полупроводников //ФТП. 1978. — Т. 12, № 3. — С.592−594.
- Романов Ю.А., Демидов Е. В. Нелинейная поперечная проводимость тонких полупроводниковых слоев //ФТП. 1983. Т. 17, № 9. — С. 1674−1676.
- Денис В., Пожела Ю. Горячие электроны. Вильнюс: Минтис, 1971.
- Конуэлл Э. Кинетические явления в полупроводниках в сильных электрических полях. М.: Мир, 1971.
- Ashe М., Sarber O.G. Electron-phonon interaction in n-Si //Phys. St. Sol. -1981. V. B103, № 1. -P.l 1−50.
- Halperin W.P. Quantum size effect in metal particles //Rev. Mod. Phys. -1986. V.58, № 3. — P.533−606.
- Брандт Н.Б., Каганов М. И., Михайлов А. С. Электрический продольный резонанс в полуметаллах и вырожденных полупроводниках //Письма в ЖЭТФ. 1973. — Т.17, № 3. — С.150−154.
- Игнатов А. А. Эффекты пролетного движения электронов и высокочастотная проводимость полупроводниковых сверхрешеток: Дис. док. физ.-мат. наук. Горький. ИПФ АН СССР. — 1989.
- Белянцев A.M., Шашкин В. И. Взаимодействие электромагнитных волн в классической сверхрешетке //Изв. вузов. Радиофизика. — 1982. — Т.25, № 7. -С.833−840.
- Черчиньяни К. Теория и приложения уравнения Больцмана. М.: Мир, 1978.-495с.
- Вычислительные методы в физике плазмы /Под ред. Б. Олдера и др. М.: Мир, 1974.-514с.
- Новиков В.Н. Об одном методе решения самосогласованных кинетических уравнений //ЖВММФ. 1986. -Т.26, № 12. — 1855−1867.
- Воронков В.В. и др. Примесные облака и микродефекты в кремнии выращенном методом Чохральского //ФТП. 1983. — Т.17, № 12. — С.1237−1242.
- Гулидов Э.Н. и др. Влияние операций геттерирования на скопление электрически активных примесей в кремнии, выращенном по методу Чохральского //Микроэлектроника. 1985. Т.14, № 2. — С.130−133.
- Бузынин А.Н. и др. Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского //ФТП. 1990. — Т.24, № 2. — С.264−270.
- Волков А.А., Гончаров Ю. Г., Козлов Г. В., Лебедев С. П. Диэлектрические1. J2измерения и свойства твердых тел на частотах 10 -10 Гц
- Субмиллиметровая диэлектрическая спектроскопия твердого тела. М.: Наука, 1990. — 224с. — (Тр. ИОФАН- Т.25). — С.3−51.
- Ван дер Зил А. Шумы при измерениях. М.: Мир, 1978. — 292с.
- Стриха В.И., Бузанева Е. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. М.: Сов. Радио, 1974. — 248с.
- Иванченко В. А., Карахтанов В. С., Климов Б. Н. Влияние свободных носителей заряда на потенциал примесных полупроводниковых периодических структур. — ФТП. 1982. — Т. 16, № 11. — С.2048—2050.
- Nakagawa К., Shiraki Y. Anomalous mobility enhancement in Si doping superlattices //Surf. Sci. 1986. -V. 174, № 1−3. — P.646−650.
- Nakagawa K., Shiraki Y. Anomalous mobility enhancement in Si doping superlattices //Solid State Comm. 1986. — V.58, № 11. -P.819−822.
- ГОСТ 19 656.0−74 2 ГОСТ 19 656.8−74. Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров.
- Костенко А.А., Кузнецов О. А., Толомасов В. А., Филатов О. Н., Хлопов Г. И., Шестопалов В. П. Нелинейные явления в объемном полупроводнике со сверхрешеткой в миллиметровом диапазоне волн //Докл. АН СССР. 1983. — Т.271, № 6. — С.1360−1362.
- Костенко А.А., Кузнецов О. А., Орлов Л. К., Филатов О. Н., Шестопалов В. П. Преобразование электромагнитных сигналов субмиллиметрового диапазона волн в сверхрешетке Ge-Ge^Six //Письма в ЖТФ. 1987. — Т. 13, № 12. — С.734−736.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн.1. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — 456с.
- Кузнецов О.А., Пискарев В. И. Периодические структуры Ge-GeixSix. Газовый гидридный метод выращивания и электрофизические исследования //Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки. Горький: ИПФ АН СССР, 1984. — С.20−37.
- Сатюков А.И., Светличный В. М., Плаксий В. Т. Влияние смещения на чувствительность Ge-индикаторов СВЧ излучения с горячими носителями заряда //Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1973. — Т. 16, № 10. — С.35−40.
- Matthews D.B., Jeffrey F. Growth of electromagnetic waves on the surface of negative differential conductance material //J. Appl. Phys. 1972. — V.43, N12. -P.4981−4985.
- Шкловский Б.И., Эфрос А. Л., Межзонное поглощение света в сильно легированных полупроводниках. //ЖЭТФ. 1970. — Т.59, № 10. — С.1343−1352.
- Меркулов И.А., Перель В. И. Электропоглощение в полупроводниках с крупномасштабными флуктуациями концентрации примесей. //ФТП. 1973. -Т.7, № 1. — С.11−17.
- Лифшиц И.М., Гредескул С. А., Пастур Л. А. К теории прохождения частиц и волн через случайно-неоднородные среды. //ЖЭТФ. 1982. Т.83, № 6. С.2362−2376.
- Logan R.A., Chynoweth A.G. Effect of degenerate semiconductor band structure on current-voltage characteristics of silicon tunnel diodes //Phys. Rev. 1963. Vol.131, №l.-P.89−95.
- Усанов Д.А., Скрипаль A.B. Физика полупроводников. Явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями. -Саратов: Изд. Сарат. ун-та, 1996. 236с.
- Bonch-Bruevich V.L. Interband optical transitions in the disordered semiconductors //Phys. Status Solidi. 1970. — V.42, № 1. -P.35−42.
- Эфрос A.Jl. Плотность состояний и межзонное поглощение света в сильнолегированных полупроводниках //УФН. 1973. — Т.111, № 2. — С.451−459.
- Дмитриев С.Г., Коган Ш. М. Влияние дискретности дипольного слоя на поверхности кристалла на форму поверхностного барьера //ФТТ. 1979. -Т.21, № 1. — С.29−34.
- Бондаренко В.Б., Кудинов Ю. А., Ершов С. Г., Кораблев В. В. Естественные неоднородности высоты барьера Шоттки //ФТП. 1998. — Т.32, № 5. — С.554−556.
- Дмитриев С.Г., Маркин Ю. В. Локальные поверхностные неоднородности потенциального барьера на границе раздела твердых тел. Дипольные пятна //Радиотехника и электроника. 2000. — Т.45, № 2. — С.220−229.
- Бондаренко В.Б., Кузьмин М. В., Кораблев В. В. Анализ естественных неоднородностей потенциала у поверхности примесного полупроводника //ФТП. 2001. — Т.35, № 8. — С.964−968.
- Halperin B.I., Lax М. Impurity-band tails in high-density limit //Phys. Rev. -1966. V.148, № 2.-P.722−740.
- Вуль А .Я., Каряев В. И., Петросян П. Г., Полянская Т. А., Сайдашев И. И., Шмарцев Ю. В. р-п Переходы в твердых растворах GaAs-GaSb //ФТП. -1982. — Т.16, № 10. — С.1838−1842.
- Ando Н., Kande Н., Ito М., Kaneda Т. Tunneling currents in InGaAs and optimum design for InGaAs/InP avalanche photodiode //Japan. J. Appl. Phys. -1980. V. 19, № 6. — P. L277-L280.
- Ito M., Kaneda Т., Nakajima K., Toyama Y., Ando H. Tunneling currents in Ino.53Gao.47As homojunction diodes and design of InGaAs/InP hetero-structure avalanche photodiodes //Sol. St. Electron. 1981. — V.24, № 7. — P.421−424.
- Кейн E.O., Блаунт Е. И. Межзонное туннелирование //Туннельные явления в твердых телах /Под ред. Э. Бурштейна и С. Лундквиста. М.: Мир, 1973. С.81−94.
- Райх М.Э., Рузин И. М. Флуктуационный механизм избыточных туннельных токов в обратно смещенных р-п переходах //ФТП. — 1985. -Т.19, № 7.-С.1217−1225.
- Forrest S.R., Leheny R.F., Nahory R.E., Pollak M.A. Ino.53Gao.47As photodiodes with dark current limited by generation recombination and tunneling //Appl.Phys.Lett. — 1980. — V.37, № 3. — P.322−325.
- Classen R.S. Excess and hump current in Esaki diodes //J. Appl. Phys. -1961. V.32, № 11. -P.2372−2378.
- Trommer R., Albrecht H. Confirmation of tunneling current via traps by DLTS measurements in InGaAs photodiodes //Japan J. Appl. Phys. 1983. -V.22, № 6. — P. L364-L366.
- Вуль А.Я., Кидалов C.B. Анализ обратных ветвей вольт-амперных характеристик р-п переходов в твердых растворах соединений AmBv //ФТП. -1986. Т.20, № 3. — С.451−456.
- Райх М.Э., Рузин И. М. Температурная зависимость флуктуационных избыточных токов через контакт металл-полупроводник //ФТП. 1987. -Т.21, № 3. — С456−460.
- Райх М.Э., Рузин И. М. Флуктуации прозрачности случайно -неоднородных барьеров конечной площади //ЖЭТФ. 1987. — Т.92, № 6. -С.2257−2276.
- Райх М. Э. Флуктуационные эффекты в неупорядоченных полупроводниковых структурах: Дис. на соиск. учен. степ, д-ра физ.-мат. наук: 01.04.10/ АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Л., 1989.
- Нажмудинов Х.Г., Полянская Т. А. Вольтамперные характеристики структур Au GaAsixSbx/GaAs в свете флуктуационной теории термополевой эмиссии в барьерах Шоттки //ФТП. 1987. — Т.21, № 10. — С. 1737−1744.
- Моделирование электрофизических характеристик структур металл р+ - п — полупроводник с неоднородным по толщине р+ - слоем /Е.В.Бузанева,
- A.П.Ветров, В. Г. Левандовский и др. //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1985. — Вып.4. — С.31−36.
- Влияние концентрации примесей в n-Si на высоту барьера и параметры В АХ контактов Al-p±n-Si с барьером Шоттки /Е.В.Бузанева, Т. П. Трайнис,
- B.А.Хрусталев и др. //Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника.1986.-Вып.4.-С. 14−22.
- Стриха В.И., Бузанева Е. В. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике. М.: Радио и связь, 1987.-256с.
- Arnold D., Kim К. Effects of field fluctuation on impact ionization rates in semiconductor devices due to the discreteness and distribution of dopant //J. Appl. Phys. 1987. — V.61, № 4. — P.1456−1459.
- Лукьянчикова Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Радио и связь, 1990. — 296с.
- Dohler G.H., Ruden P. Properties of n-i-p-i doping superlattices in III-V and IV-VI semiconductors //Surface Sci. 1984. — V.142, № 3. — P.474−485.
- Dohler G.H., Ruden P Theory of absorption in doping superlattices //Phys. Rev. B. 1984. — V.30, № 10. — P.5932−5944.
- Орлов Л.К., Кузнецов О. А. Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-GeixSix //ФТП. 1988. — Т.22, № 11. — С. 19 942 000.
- Шик А. Я. Оптические свойства сверхрешеток из полупроводников со сложной зонной структурой //ФТП. 1972. Т.6, № 7. С. 1268−1277.
- Романов Ю.А., Орлов Л. К. Поглощение света в периодических полупроводниковых структурах //ФТП. 1972. Т.7, № 2. С.253−260.
- Jung Н., Dohler G.H., Gobel E.W., Ploog К. Optical gain in GaAs doping superlattices //Appl. Phys. Lett. 1983. — V.43, № 1. — P.40−42.
- Dohler G.H., Kunzel H., Ploog K. Tunable absorption coefficient in GaAs doping superlattices //Phys. Rev. B. Condens. Matter. 1982. — V.25, № 4. -P.2616−2626.
- Шик А. Я. Внутризонная фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами. //ФТП. 1986. Т.20, № 9.- С. 1598−1604.
- Nakayama М., Kuwahara Н., Kato Н., Kybota К. Inersubband transitions in GaAs/AlxGaixAs modulation-doped superlattices. //App. Phys. Lett. 1987. V.51, N21. -P.l 149.
- Шик А. Я. Внутризонная фотопроводимость в двумерных электронных системах. //Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки. Диагностика, высокочастотные эффекты /ИПФ АН СССР. Н. Новгород, 1990.-С.35−45.
- Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. -615с.
- Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М.: Наука, 1977. -388с.
- Осипов В.В., Селяков В. А., Foygel М. Межзонное поглощение длинноволнового излучения в легированных сверхрешетках на основе монокристаллических широкозонных полупроводников //ФТП. 1998. — Т.32, № 2. — С.221−226.
- Осипов В.В., Селяков В. А., Foygel М. Туннельно-излучательная рекомбинация и люминесценция трапецеидальных легированных сверхрешеток //ФТП. 1999. -Т.ЗЗ, № 1. — С.101−105.
- Осипов В.В., Селяков В.A., Foygel М. Теория фоторезисторов на основе трапецеидальных 5-легированных сверхрешеток //ФТП. 1999. — Т. ЗЗ, № 7. -С.870−875.
- Kononenko V.K., Ushakov D.V. Carrier transport and screening in n—/—p—i crystals //Phys. stat. sol. (b). 1999. — Vol.211, № 2. — P.743−749.
- Валов П. M., Рывкин Б. С., Ярошецкий И. Д., Яссиевич И. Н. Внутризонная фотопроводимость в n-Ge, обусловленная разогревом электронов светом //ФТП. 1971. — Т.5, № 5. — С.904−910.
- Агафонов В. Г., Валов П. М., Рывкин Б. С., Ярошецкий И. Д. Экспериментальное исследование процесса релаксации энергии в p-Ge при внутризонном возбуждении светом //ФТП. 1975. — Т.9, № 5 — С.867—871.
- Васецкий В.М., Порошин В. Н., Сарбей О. Г., Саркисян Е. С. Нелинейное поглощение ИК излучения в дырочном германии при низких температурах //ФТП. 1988. — Т.22, № 9. — С. 1610−1615.
- Райчев О.Е. Влияние рассеяния дырок на поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках р-типа с вырожденной валентной зоной //ФТТ. 1990. — Т.32, № 6. — С. 1734−1738.
- Паршин Д.А., Шабаев А. Р. Теория нелинейного поглощения ИК излучения в полупроводниках р-типа с вырожденной валентной зоной //ЖЭТФ. 1987. — Т.65, № 4. — С.827−831.
- Ярив А., Юх П. Оптические волны в кристаллах. Пер. с англ. М.: Мир, 1987.-616с.
- Dowling J.P., Scalora М., Bloemer M.J., Bowden С.М. The photonic band edge laser: a new approach to gain enhancement //J. Appl. Phys. 1994. -V.75, № 4 — P. l896−1899.
- Klein В., Register L. F., Grupen M., Hess K. Numerical simulation of vertical cavity surface emitting lasers //OPTICS EXPRESS. 1998. — V.2, № 4. — C.163−168.
- Yablonovitch E., Gmitter T.J., Leung K.M. Photonic Band Structures: The face-centered cubic case employing nonspherical atoms //Phys. Rev. Lett. -1991. V.67, № 17. — P.2295−2298.
- Joannopoulos J. D., Villeneuve P.R., Fan S. Photonic crystals: putting a new twist on light//Nature. 1997. — V.386 — P. l43−149.
- Dowling J.P., Bowden C.M. Atomic emission rates in inhomogeneous media with application to photonic band structures //Phys. Rev. A. 1992. -V.46, № 1. — P.612−622.
- Sibilia C., Nefedov I., Scalora M., Bertolotti M. Electromagnetic mode density for finite quasi-periodic structures //J. Opt. Soc. Am. B. 1998. — V.15, № 7.-P. 1947−1950.
- Scalora M., Bloemer M. J., Manka A. S., Dowling J. P., Bowden С. M., Viswanathan R., and Haus J. W. Pulsed second-harmonic generation in nonlinear, one-dimensional, periodic structures //Phys. Rev. A. 1997. — V.56,. №.4. -P.3166−3174.
- Chen W., Mills D.L. Optical response of nonlinear multilayer structures: bilayers and superlattices //Phys. Rev. B. 1987. — V.36, No. 12. — P6269−6278.
- Scalora M., Dowling J. P., Bowden С. M., Bloemer M. J. Optical limiting and switching of ultrashort pulses in nonlinear photonic band gap materials //Phys. Rev. Lett. 1994. — V.73, № 10. — P.1368−1371.
- Scalora M., Dowling J. P., Bowden С. M., Bloemer M. J. The photonic band edge optical diode //J.Appl.Phys. 1994. — V.76, № 4. — P.2023−2026.
- Силин P.A., Сазонов В. П. Замедляющие системы. М.: Сов. Радио, 1966.
- Вогульский И.О., Ветров С. Я., Шабанов А. В. Электромагнитные волны в неограниченных и конечных сверхрешетках //Оптика и спектроскопия. 1998. — Т.84, № 5. — С823−825.
- Halevi P., Ramos-Mendieta F. Tunable Photonic Crystals with Semiconducting Constituents //Phys. Rev. Lett. 2000. — V.85, № 9. — P. 18 751 878.
- Борн M., Вольф Э. Основы оптики: Пер. с англ. М.: Наука, 1973. 720с.
- Пихтин А.Н., Яськов А. Д. Дисперсия показателя преломления в твердых растворах полупроводников со структурой сфалерита //ФТП. -1980. -Т. 14, № 4. С.389−392.
- Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д. В. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев: Наукова думка, 1987. — 608с.
- Sell D.D., Casey Н.С., Wecht K.W. Concentration dependence of the refractive index for n- and p-type GaAs between 1,2 and 1,8 eV //J. Appl.Phys. 1974. — V.45, № 2. — P.800−807.
- Кейси X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах: В 2-х т. /Пер. с англ. Под ред. П. Г. Елисеева. М.: Мир, 1981. Т. 1. — 299с.
- Зеегер К. Физика полупроводников. Пер. с англ. М.: Мир, 1977. -616с.
- Casey, Н. С., Sell D. D., Wecht К. W., Concentration dependence of the absorption coefficient for n- and p-type GaAs between 1,3 and 1,6 eV //J. Appl. Phys. 1975.- V.46, № 1. -P.250−257.
- Дуденкова A.B., Никитин В. В. Времена жизни в монокристаллах арсенида галлия //ФТТ. 1966. — Т.8, № 10. — С.3047−3049.
- Арсенид галлия. Получение, свойства и применение /Ю.М.Бурдуков, Ф. М. Гашимадзе, Ю. А. Гольдберг и др.- Под ред. Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследова. М.: Наука. 1973. — 472с.
- Spitzer W.G., Whelan J.M., Infrared absorption and electron effective mass in n-type gallium arsenide //Phys. Rev. 1959. — 114, № 1. — P.59−63.
- Balslev I. Optical absorption due to inter-conduction-minimum transitions in gallium arsenide //Phys. Rev. 1968. — V.173, № 3. — P.762−766.
- Ganikhanov F., Burr K.C., Hilton D.J., Tang C.L. Femtosecond optical-pulse-induced absorption and refractive-index changes in GaAs in the midinfrared //Phys. Rev. B. 1999. — V.60, № 12. — P8890−8896.
- Sieg R.M., Carlin J.A., Boeckl J.I. et.al. High minority-carrier lifetimes in GaAs grown on low-defect-density Ge/GeSi/Si substrates //Appl.Phys.Lett. -1998,-V.73, № 21.-P.3111−3113.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн.2. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — 456с.
- Биленко Д.И. Комплексная диэлектрическая проницаемость. Плазменный резонанс свободных носителей заряда в полупроводниках. -Саратов: Изд-во Сарат. Ун-та, 1999. 44с.
- Броневой И.Л., Кумеков С. Е., Перель В. И. Механизм обратимого пикосекундного просветления прямозонного полупроводника примежзонном поглощении мощных импульсов света //Письма в ЖЭТФ. -1986. Т.43, № 8. С.368−370.
- Броневой И. Л., Кривоносое А. Н. Влияние диаметра фотовозбуждаемой области на пикосекундную релаксацию просветления тонкого слоя GaAs //ФТП. 1998. — Т.32, № 5. — С.542−545.
- Калафати Ю.Д., Кокин В. А. Пикосекундные процессы релаксации в полупроводниковом лазере, возбужденном мощным ультракоротким импульсом света//ЖЭТФ. 1991. -Т.99, № 6. — С. 1793−1803.
- Агеева Н.Н., Броневой И. Л., Кривоносов А. Н. Распределение электронов между долинами и сужение запрещенной зоны при пикосекундной суперлюминесценции в GaAs //ФТП. 2001. — Т.35, № 1. С.65−69.
- Shkerdin G., Stiens J., Vounckx R. Hot free-electron absorption in nonparabolic III-V semiconductors at mid-infrared wavelengths //J. Appl. Phys. 1999. — V.85, № 7. P.3792−3806.
- Gibbs H.M., Taing S.S., Jewell J.L. Room-temperature excitonic optical bistability in GaAs-GaAlAs superlattice etalon //Appl. Phys. Lett. 1982. -V.41,№ 3-P.221−222.
- Tayebati P., Canoglu E., Hantzis C, Sacks R.N. High-speed all-semiconductor optically addressed spatial light modulator //Appl. Phys. Lett. -1997. V.71, № 12. -P1610−1612.
- Nemec H., Paskhin A., Kurel P., Khazan M., Shnull S., Wilke I. Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by terahertz emission spectroscopy //J. Appl. Phys. 2001. — V.90, № 3. — P.1303−1306.
- Chang L.L., Esaki L. Semiconductor superlattices by MBE and their characterization //Progr.Cryst.Growth and Charact- 1979 V.2, № 1−2.- P.3−14.
- Stormer H.L. Modulation doping of semiconductor superlattices and interfaces //J. Phys. Soc. Jap. 1980. — V.49(A). — P. 1013−1020.
- Osbourn G.C. InxGa1. xAs-InyGaiyAs strain-layer superlattices: A proposal for useful, new electronic materials //Phys. Rev. B. 1983. — Y.27, № 8. -P.5126−5128.
- Bean J.C. Strained-layer epitaxy of Ge-Si alloy //Science. 1985. — V.230, № 4722.-P. 127−131.
- GeixSix/Si strained-layer superlattice grown by molecular beam epitaxy /J.C.Bean, L.C.Feldman, A.T.Fiory etc. //J.Vac.Sci.Technol. A. 1984. — V.2, № 2. — P.43 6−440.
- Grimmeiss Hermann G. Silicon germanium: A promise into future? //ФТП. — 1999. -T.33, № 9. — C.1032−1034.
- Joyce В.А. Some aspects of the surface behavior of silicon //Surf. Sci. -1973. V.35, № 1. — P.1−7.
- Сайдман Л.А. Очистка поверхности подложек в вакууме //Электронная промышленность. 1977, № 3. — С. 18−23.
- Кузнецов В.П., Постников В. В. О переносе примесей Р, As, А1 из источников кремния в слои, полученные сублимацией в вакууме //Кристаллография. 1974. — Т. 19, № 2. — С.346−351.
- Denhoff M.W., Houghton D.C. In situ doping by As ion implantation of silicon grown by molecular-beam epitaxy //J. Appl. Phys. 1988. — V.64, № 8. -P.3938−3944.
- The Technology and Physics of Molecular Beam Epitaxy. /Ed. by E.H.C.Parker. //Plenum Press. -New York. 1985. — 686p.
- Honig R. Е., Kramer D. A. Vapor pressure data for the solid and liquid elements //RCA Review. 1969, June. — P.286−305.
- Постников В. В. Эпитаксиальные слои кремния, полученные сублимацией в вакууме //ДАН. 1967. — Т. 175, № 4. — С.817−818.
- Бонч-Бруевич В. Д., Звягин И. П., Миронов А. П. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.: Наука, 1977. -416с.
- Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. М.: Высш. шк., 1986.-С. 149.
- Сих М.П., Бриггс Д. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. — 600с.
- Кулешов В.Ф., Кухаренко Ю. А., Фридрихов С. А. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. М.: Наука,-1985.290 с.
- A reference book of standard data for identification of Auger electron spectroscopy data. Davis L. E., Mac’Donald N. C., Palmberg P. W. et al// Minn. -1976.
- Горелик В.А. Формализация метода количественной электронной оже-спектроскопии. //Электронная промышленность. 1978. — № 11−12. — С.38−42.
- Chang С.С. General formalism for quantitative Auger analysis. //Surf. Science. 1975. — V.48, № 1. — P.9−21.
- Гельбух С.С. Исследование процессов роста субмикронных слоев на поверхности монокристаллов ниобия и кремния методом оже-электронной спектроскопии. Дисс. канд. физ.-мат. наук. /Науч. рук. Гусятников В. Н. -Саратов, 1996. 140с.
- Penn D. R. Quantitative chemical analysis by ESCA //Journ. Electron Spectrosc. Rel. Phenom. 1976. — V.9. — P.29−40.
- Fatemi M., Stahlbush R.E. X-ray rocking curve measurement of composition and strain in Si-Ge buffer layers grown on Si substrates //Appl.Phys.Lett. 1991. — V.58, № 8. — P.825−827.
- Arienzo M., Iyer S., Meyerson S., Patton L. Si-Ge alloys: growth, properties and applications //Applied Surface Science. 1991. — № 48/49. -P.377−386.
- TeradaN., Ogawa H., Moriki K. et al. Effect of silicon wafer insitu cleaning on thermal oxide structure //Jap. J. Appl. Phys. 1991. — P.l. — V.30, № 12B. -P.3585−3591.
- Никифоров А.И., Кантер Б. З., Стенин С. И. Легирование бором из В2О3 при молекулярно-лучевой эпитаксии. //Симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии МЛЭ-88. Расширенные тезисы. T.IV. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Поверхность. Москва. 1988. — С.61−62.
- Tabe М. UV ozone clearing of silicon substrates in silicon molecular beam epitaxy //Appl. Phys. Lett. 1984. — V.45, № 10. — P.1073−1075.
- Физико-химические свойства окислов. Справочник. /Ред. Самсонов Г. В. Изд.2 //М.: Металлургия, 1978. 472с.
- Ostrom R. S., Allen F. G. Boron doping in Si molecular beam epitaxy by coevaporation of B2O3 or doped silicon //Appl.Phys.Lett. 1986. — V.48, № 3. -P.221−223.
- Tatsumi Т., Hiriyama H., Asaki N. Boron heavy doping for Si molecular beam epitaxy using HBO2 source //Appl. Phys. Lett. 1987. — V.50, № 18. -P.1234−1236.
- Tatsumi Т., Hiriyama H., Asaki N. Si/GeojSio y/Si heterojunction bipolartransistor //Appl Phys. Lett. 1988. — V.52, № 11. — P.895−897.
- Рипан P. Четяну И. Неорганическая химия. М.: Мир, 1972. — Т.2. -С.190.
- Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1982.-210с.
- Kimerling L.C. Influence of deep traps on the measurement of free carrier distributions in semiconductors by junction capacitance techniques //J. Appl. Phys. — 1974. — V.45, № 4. — P. 1839−1845.
- Берлин A.C., Тищенков H.T., Акопян А. А. Расчет оптимальных полупроводниковых структур для параметрических эпитаксиальных диодов с барьером металл-GaAs //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1975. № 2(94). С.48−59.
- Тищенков Н.Т. Исследование вольт-фарадных характеристик структур металл эпитаксиальный GaAs //Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы. 1979. № 4(130). — С. 18−25.
- Wiley J.D. С V profiling of GaAs FET films //IEEE Trans. Electron. Devices. — 1978. — V. ED-25. — P. 1317−1324.
- Гаманюк В.Б., Усанов Д. А. Распределение потенциала в резком п±п-переходе в условиях термодинамического равновесия с учетом влияния неосновных носителей //Радиотехника и электроника. 1970. — Т. 15, № 3. -С.637.
- Берлин А.С., Голованов Ю. А., Тищенков Н. Т. Варакторы с барьером металл арсенид галлия на основе эпитаксиальных пленок сотрицательным градиентом концентрации примеси //Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1974. № 6(88). С.58−68.
- Tan I-H., Snider G.L., Chang L.D., Ни E.L. A self consistent solution of Schrodinger — Poisson equations using a nonuniform mesh //J. Appl. Phys. -1990. — V.68, № 8. — P.4071−4076.
- Калиткин H.H. Численные методы. M.: Наука, 1978. 512с.
- Observation of abnormal capacitance-frequency behavior in Ino.12Gao.8sAs pin superlattice grown at low temperature /Chen J.F., Wang J.S., Wang P.Y. Wong H.Z. //Appl. Phys. Lett. 1999. — V.75,'№ 8. — C.1092−1094.
- Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния /Болтаев А.П., Бурбаев Т. М., Курбатов
- B.А. и др. //Изв. Академии наук. Серия физическая. 1999. — Т.63, № 2.1. C.312−316.
- Kostylev S.A., Prokhorov E.F., Gorev N.B. Kodzhespirova I.F., Kovalenko Y.A. Low-frequency capacitance-voltage characterization of deep levels in film-buffer layer-substrate GaAs structures //Solid State Electron. 1999. — V.43, № 9. — P.169−176.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Наука, 1977.-316с.
- Берман Л.С., Власов С. И., Климанов Е. А., Фомицкий В. И. О природе глубоких центров, возникающих при высокотемпературной обработке высокоомного бездислокационного кремния //ФТП. 1980. — Т. 14, № 2. -С.396−398.
- Берман Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л., 1981. 176с.
- Абдурахманов К.П., Умаров Т. А., Ходжаев М. Д. Кинетика низкотемпературного отжига термических центров в p-Si //ФТП. 1984. -Т.18, № 3. — С.573−578.
- Дйуреченский А.В., Якимов А. И., Марков В. А., Никифоров А. И., Пчеляков О. П. Энергетический спектр дырочных состояний в самоформирующихся квантовых точках Ge в Si //Изв. Академии наук. Серия физическая. 1999. -Т.63, № 2. -С.307−311.
- Константинов О.В., Львова Т. В., Паханов М. М. «Моттовское» плато на вольт-емкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом //ФТП. -1989. Т.23, № 7. — С.1283−1290.
- Dax М. Can wafers cleaned without chemicals //Semicond. Int. 1996. V.19, № 2. — P.50.
- Railkar T.A., Malshe A.P., Brown W.D., Hullavarad Shiva S., Bhoraskar S.V. Ultrashort pulse ultraviolet laser treatment of n (100) GaAs: Microstructural modifications and passivation effects //J. Appl. Phys. 2001. — V.89, № 9. -P.4766−4771.
- Kim H., Glass G. Desjardings P., Geene J.E. Ultra-highly doped SiixGex (001): В gas-source molecular-beam epitaxy: Boron surface segregation and its effect on film growth kinetics //J. Appl. Phys. 2001. — V.89, № 1. -P. 194−205.