Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx) Si с различными металлическими контактами

Диссертация: Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx) Si с различными металлическими контактами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одно из направлений совершенствования кремниевых МДП — систем заключается в использовании вместо диэлектрика пленок широкозонных полупроводников с толщинами много меньшими дебаевской длины экранирования (слой П'). В этом случае возможен выбор материала слоя П' с параметрами кристаллической решетки максимально близкими к решетке кремния. Такая изорешеточная система Ga2Se3 — Si предложена… Читать ещё >

Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx) Si с различными металлическими контактами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С ТОНКИМИ ПЛЕНКАМИ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА МП’ДП
    • 1. Л. Электростатические характеристики МП’ДП гетероструктур
      • 1. 1. 1. Распределение потенциала в монокристаллических полупроводниковых слоях при толщинах, сравнимых с дебаевской длиной экранирования
      • 1. 1. 2. Электростатические модели многослойных структур на базе системы диэлектрик-полупроводник
      • 1. 1. 3. Модель идеальной МП’ДП структуры
      • 1. 2. Влияние локализованных зарядов в диэлектрике и в слое П' на электростатические характеристики МП’ДП структуры
      • 1. 2. 1. Влияние фиксированного заряда в Д
      • 1. 2. 2. Влияние пограничных состояний
      • 1. 3. Получение пленок полупроводниковых соединений методами термического напыления в открытом и квазизамкнутом объемах
      • 1. 3. 1. Напыление в «открытом объеме»
      • 1. 3. 2. Получение пленок Ga2Se3 в квазизамкнутом объеме
  • Цели и задачи
    • ГЛАВА 2. ФОРМИРОВАНИЕ ПЛЕНОК Ga2Se3 И ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛЕВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Ме-Ga2Se3 — Si ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ И ВАРЬИРОВАНИИ МЕТАЛЛА КОНТАКТА
  • 2. 1. Получение пленок селенида галлия в квазизамкнутом объеме из независимых источников галлия и селена
  • 2. 2. Механизм устойчивости к облучению у-квантами полевых гетероструктур типа МДП на основе кремния
  • 2. 3. Высокочастотные вольт-фарадные характеристики гетероструктур Me — Ga2Se3 — Si с различными металлическими контактами
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. МОДЕЛЬ МП’ДП СТРУКТУРЫ С УЧЕТОМ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП' И ЦЕНТРОВ ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДА В П' И НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА П’Д
    • 3. 1. Математическая модель и алгоритм расчета ВЧ С — V характеристик
    • 3. 2. Влияние центров локализации заряда на границе П’Д на электростатические характеристики МП’ДП структур
    • 3. 3. Влияние контактной разности потенциалов на электростатические характеристики МП’ДП структуры
    • 3. 4. ВЧ C-V характеристики МП’ДП структур с центрами локализации заряда и с контактной разностью потенциалов МП'
  • Выводы
  • ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МП' НА ЗАРЯДОВЫЕ СОСТОЯНИЯ ЦЕНТРОВ В П1 И ИХ УЧАСТИЕ В ЛОКАЛИЗАЦИИ ЗАРЯДОВ ИЗ ПОДЛОЖКИ П В МП'(Д)П СТРУКТУРЕ
    • 4. 1. Определение сродства к электрону для Ga2Se3 из исследования внутренней фотоэмиссии в гетероструктуре Ga2Se
  • — (SiOJS
    • 4. 2. Энергетическая диаграмма гетероструктуры Me — Ga2Se3 -(SiOy)Si и туннельный механизм участия центров локализации заряда Ga2Se3 в ПЭС кремния
    • 4. 3. ВЧ C-V характеристики гетероструктуры Me — Ga2Se3 -(SiOdSi на основе Sip-типа
  • Выводы

    • Актуальность темы

    .

    Скорость обработки и объемы потоков информации во многом определяют успешность всех направлений человеческой деятельности. Устройства для переработки информации включают твердотельные элементы со структурой типа металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), быстродействие которых, в первую очередь, сказывается на функциональных и частотных параметрах системы [1−3]. В настоящее время основным материалом сверхскоростных сверхбольших интегральных схем (ССБИС) остается кремний [1−4]. Технологии современной кремниевой микроэлектроники достигли высочайшего уровня и постоянно совершенствуются [4, 5]. Возможно, что уже достигнут предел по быстродействию кремниевых МДП элементов, связанный с физико-химической природой границы раздела термическая двуокись кремния-кремний (Si02 — Si), структуры металл-окисел-полупроводник: МОПструктуры [4, 6−11].

    Одно из направлений совершенствования кремниевых МДП — систем заключается в использовании вместо диэлектрика пленок широкозонных полупроводников с толщинами много меньшими дебаевской длины экранирования (слой П') [12−14]. В этом случае возможен выбор материала слоя П' с параметрами кристаллической решетки максимально близкими к решетке кремния. Такая изорешеточная система Ga2Se3 — Si предложена в качестве полевой гетероструктуры в работах Б. И. Сысоева, В. Ф. Сынорова еще в 1974 году [15]. Ее реализация стала возможной только после разработки способа получения тонких монокристаллических пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме из независимых источников [16−19]. Изучены механизмы токопрохождения в полевых гетероструктурах А1 -Ga2Se3 — Si (и, ртипа) и параметры электронных состояний в этой системе.

    18, 19]. Однако, возможность использования данных слоистых структур в конкретных устройствах твердотельной электроники ограничивается сравнительно высоким уровнем сквозных токов и отсутствием информации о поведении этих структур во времени и при различных термодинамически неравновесных воздействиях. Сказанное выше определяет актуальность темы данной диссертации, которая выполнялась в соответствии с направлением госбюджетной НИР кафедры физики Воронежской Государственной технологической академии «Физико-химические процессы в объеме и на границе раздела в неоднородных твердотельных системах» (№ гос.рег. 1 960 012 699) при частичной финансовой поддержке гранта РФФИ № 03−296 480.

    Целью работы явилось установление закономерностей влияния термодинамической работы выхода металла контакта на электронные процессы в гетероструктурах Me — Ga2Se3 — Si и выбор условий использования этих гетероструктур в качестве полевых с минимальным вкладом центров локализации заряда в электронные процессы.

    Для достижения цели решались следующие задачи:

    • формирование гетероструктур Me — Ga2Se3 — Si с различными металлическими контактами и исследование их электрофизических характеристик.

    • моделирование электростатических характеристик гетероструктур типа МП’ДП с учетом влияния центров локализации заряда в слое ГТ (на границе раздела П’Д) и контактной разности потенциалов (КРП) МП';

    • определение устойчивости параметров границы раздела к облучению уквантами;

    • построение энергетической диаграммы гетероструктуры Me — Ga2Se3 — Si;

    • определение условий использования гетероструктур Me — Ga2Se3 — Si в качестве полевых.

    Для изучения структуры получаемых слоев использовался метод электроннографии «на отражение" — элементный состав получаемых пленок при толщинах больше 100,0 нм контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа (РСМА), а при меньших толщинах изучался методом послойного Оже-электронного анализадля исследования спектра поверхностных электронных состояний (ПЭС) использовался метод дифференциальной проводимости и емкости в диапазоне частот тестового сигнала 20 Гц — 2 МГциспользовались методы математического моделирования для анализа электростатических характеристик МП’ДП структур и построения их энергетических диаграмм.

    Методы исследования. При решении поставленных задач использовались методы математического моделирования, численные методы интегрирования и решения дифференциальных уравнений второго порядка. Исследование характеристик слоистых структур проводилось методами вольтфарадных, вольтамперных характеристик и измерением дифференциальной проводимости в зависимости от внешнего напряжения и температуры. Научная новизна.

    1. Впервые рассмотрена модель электростатических характеристик МП’ДП гетероструктуры учитывающая совокупное влияние КРП между слоями структуры, типа, концентрации и энергетического положения центров локализации заряда на границах П’Д и ДП.

    2. Предложена модель устойчивости этих гетероструктур к радиационным воздействиям основанная на участии кислорода, растворенного в Sz-подложке в формирование электронных состояний на поверхности Si в процессе термического отжига и в результате радиационного воздействия.

    3. Показано, что электронные состояния в пленке Ga2Se3 на границе с диэлектриком могут проявляться как состояния в Si п-типа за счет туннельного обмена зарядом между ОПЗ в Si и в пленке Ga2Se3.

    Практическая значимость.

    1. Установлена радиационная устойчивость к у-облучению гетероструктур А1 — Ga2Se3 — Si (и-типа);

    2. Установлено, что проявление ПЭС в Si в гетероструктурах Pt — Ga2Se3 -(SiOy)Si п — типа основано на туннельном обмене зарядом между ОПЗ в Si и центрами локализации заряда в пленке Ga2Se3 у границы раздела (SiOx);

    3. Обоснована принципиальная возможность использования гетероструктур Me — Ga2Se3 — (SiOJSi на основе Sip-типа в качестве полевых с инверсионным каналом и-типа. В качестве материала затворного слоя гетероструктур типа Me — Ga2Se3 — (Si О J Si на основе Si я-типа можно использовать металлы с термодинамической работой выхода, близкой к Xai (поликремний и' -типа), а для структур на основе Sip-тшш — к %Р1 (поликремний//-типа).

    На защиту выносятся следующие положения:

    • формирование ПС границы раздела в процессе радиационного воздействия связано с выделением у поверхности кремния комплексов SiOm, а наблюдаемый «радиационный отжиг» является результатом коалесценции SiOm в фазу SiOx на поверхности подложки, что объясняется подобием характера энергетических спектров ПС границ разделов Ga2Se3 — Si и Si02 — Si. Повышенная радиационная стойкость гетероструктур Al — Ga2Se3 — Si (п-типа) к у — облучению объясняется снижением концентрации растворенного в Siподложке кислорода в процессе формирования гетероструктуры и последующей ИФО.

    • проявление ПЭС в Si в гетероструктурах Pt — Ga2Se3 — (SiOJSi п — типа основано на туннельном обмене зарядом между ОПЗ в Si и центрами локализации заряда в пленке Ga2Se3 у границы раздела с (SiOx);

    • для снижения эффектов, проявляющихся как ПЭС в Si и связанных с туннельным обменом свободных зарядов из Si с центрами локализации заряда в Ga2Se3, в полевых гетероструктурах типа Ga2Se3 — (SiOy)Si на Si п-типа можно использовать в качестве материала подзатворного слоя металлы с термодинамической работой выхода, близкой к Xai (поликремний «» -типа), а для структур на основе Si р-типа — к Хп (поликремний р ' -типа). Наиболее перспективны для использования в полевых транзисторных структурах гетеропереходы Ga2Se3-Si на основе Si р-типа, поскольку в этом случае минимально влияние ПЭС и относительно высоко значение разрыва энергии дна зоны проводимости на границе раздела Ga2Se3-Si 0,7 эВ), что и обеспечивает возможность использования этого гетероперехода для п-канальных полевых элементов кремниевой микроэлектроники;

    Апробация работы. Ниже перечислены конференции, семинары и совещания, на которых представлялись результаты работы: Девятая международная конференция «Физика диэлектриков» (Диэлектрики 2000) — XL отчетная конференция ВГТА 2001 г.- XLI отчетная конференция ВГТА 2002 г.- XLII отчетная конференция ВГТА 2003 г.- Международная научная конференция «Тонкие пленки и наноструктуры» (Пленки 2004). Публикации. По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе 7 статей в местной и центральной научной печати, 5 тезисов докладов на научных конференциях.

    Структура и объем диссертации

    Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 128 страниц машинописного текста, включая 47 рисунков.

    Список литературы

    содержит 114 наименований.

    ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ.

    1. Сформированы гетероструктуры с пленками Ga2Se3 с малой угловой разориентацией кристаллического блока, свойственной мозаичным монокристаллам на Si пи р-типа с различными металлическими контактами.

    2. Предложена модель устойчивости этих гетероструктур к радиационным воздействиям основанная на участии кислорода, растворенного в Si-подложке в формирование электронных состояний на поверхности Si в процессе термического отжига и в результате радиационного воздействия;

    3. Предложен алгоритм автоматизированного расчета электростатических характеристик слоистых систем Me — Ga2Se3 — (Si02) Si, с возможностью учета всех факторов влияющих на распределение электрического заряда в слоях гетероструктуры, удовлетворяющий статистическим представлениям о квантово-механическом распределении электронов и дырок в полупроводниковых слоях.

    4. Показано, что в таких реальных гетероструктурах в искажение формы экспериментальных характеристик, указывающее на наличие ПЭС в Si, основной вклад оказывает туннельный механизм обмена зарядом Si с пленкой Ga2Se3.

    5. Обоснована принципиальная возможность использования в качестве материала подзатворного слоя гетероструктур типа Me — Ga2Se3 — (SiOJSi основе Si п-типа металлы с термодинамической работой выхода, близкой к Xai (поликремний и' -типа), а для структур на основе Si р-типа — к xpi (поликремний р±типа).

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. Т. Введение в микроэлектронику / Т. Сугано, Т. Икома, Ё. Такэиси / Пер. с япон. -М.: Мир, 1988. -320 с.
    2. Д. Электроника ультрабольших интегральных схем / Д. Ферри, Л. Эйкерс, Э. Гринч /Пер. с англ. -М.: Мир, 1991. -327 с.
    3. К. Приборы с переносом заряда / К. Секен, М. Томпсет / Пер. с англ. М.: Мир, 1978, — 328 с.
    4. Я. Основы технологии СБИС / Я. Таруи / Пер. с япон. М.: Радио и связь, 1985.-480 с.
    5. Н. Физические основы микротехнологии / Н. Броудот, Дж. Мерей / Пер с англ. -М.: Мир, 1985. 496 с.
    6. В.Г. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник / В. Г. Литовченко, А. П. Горбань / Киев., «Наукова думка», 1978. 316 с.
    7. О.В. Проблемы физики поверхности полупроводников / О. В. Снитко, А. В. Саченко, В. Е. Примаченко и др. Под общ. ред. Снитко О. В. -Киев: «Наукова думка», 1981.-332 с.
    8. Р. Теория и применение полевых транзисторов. Пер. с англ. В. В. Макарова. Л.: «Энергая», 1975. — 304 с.
    9. P.O. Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов /- Киев: Наукова думка, 1972. 115 с.
    10. Ю.Маллер Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс / Пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 630 с.
    11. Asano Т. An Epitaxial Si / Insulator / Si Structure Prepared by Vacuum Deposition of Ca F2 and Silicon / T. Asano, H. Ishiwaru //Thin Solid Films.-1982/ V. 93. -P.143 -150.
    12. .И. К вопросу об управлении приповерхностным зарядом в полупроводниках с помощью тонких слоев широкозонныхполупроводников / Б. И. Сысоев, В. Ф. Сыноров // ФТП. 1972. — Т. 6, № 10.-С. 1856- 1859.
    13. .И. Об управлении зарядом в структурах типа металл-диэлектрик-полупроводник / Б. И. Сысоев, А. Н. Лихолет, В. Ф. Сыноров,
    14. A.П. Ровинский //Микроэлектроника, 1977, т.6, № 5, с. 454−457.
    15. .И. Особенности вольт-фарадных характеристик МДП структур с полупроводниковыми подзатворными слоями / Б. И. Сысоев, А. П. Ровинский, В. Ф. Сыноров, Н. Н. Безрядин // Микроэлектроника. — 1978.-Т. 7, № 2.-С. 163 — 167.
    16. В.Ф. Влияние локализованных состояний в полупроводниковом слое критической толщины на электрофизические свойства тонкопленочных структур МП’ДП / В. Ф. Сыноров, Н. Н. Безрядин, Б. И. Сысоев, Н.А. Мартынова//Изв. Вузов. Физика.- 1981. -№ 1. С.82−87.
    17. .И. Влияние пограничных состояний на электростатические характеристики МП’ДП структур / Б. И. Сысоев, Н. Н. Безрядин, В. Ф. Сыноров, Н. А. Мартынова // Микроэлектроника, 1980, т. 9, № 4, с. 355 -361.
    18. Sysoev B.I. Investigation of Gallium Selenide Films, Grown by the Hot Wall Metod, on Silicon Substrates / B.I. Sysoev, N.N. Bezryadin, Yu.V. Synorov,
    19. И.Е. Основы теории электричества. 9-е изд., исправл. — М.: Наука, 1976,616 с.
    20. Бонч-Бруевич B.JI. Физика полупроводников / B.JI. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников М.: Наука, 1977, — 672 с.
    21. В.Е. Работа выхода и проводимость полупроводника при наличии поверхностного заряда. Изв. АН СССР, сер. Физическая, 1952, т. 16, № 2, с.203−210.
    22. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М.: Физматгиз, 1963, — 496 с.
    23. Э.И. Эмиссионные токи в твердых телах и диэлектрическая электроника. В кн.: Микроэлектроника: сб. статей под ред. Ф. В. Лукина. -М.: Советское радио, 1969, вып.4, с.393−417.
    24. А.Ф. Явления переноса в полупроводниковых пленках / А. Ф. Кравченко, В. В. Митин, Э. М. Скок / Новосибирск: Наука, 1979, 256 с.
    25. Вопросы пленочной электроники.: Сб. статей под ред. Д. В. Зернова, М. И. Елинсона, В. Б. Сандомирского. М.: Советское радио, 1966, — 472 с.
    26. Л.С. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок / Л. С. Палатник, М. Я. Фукс, В. М. Косевич / -М.: Наука, 1972, 320 с.
    27. Ф.Ф. Хемосорбционные и каталитические свойства полупроводниковой пленки на металле / Ф. Ф. Волькенштейн, B.C. Кузнецов, В. Г. Сандомирский / Кинетика и катализ, 1962, т. З, № 5, с. 712−723.
    28. В.Б. О возможной роли двойного электрического слоя, возникающего при контакте твердых тел, в явлениях адгезии / В. Б. Сандомирский, В. П. Смилга / ФТТ, 1959, т.1, № 2, с.307−314.
    29. К.Б. О термоэлектронной эмиссии с тонких пленок полупроводника.-ЖТФ, 1949, т.19,№ 11, с. 1301−1311.
    30. А.И. Расчет контактного потенциала в тонкой полупроводниковой пленке / А. И. Губанов, С. Ю. Давыдов / ФТП, 1971, т.5, № 2, с.369−371.
    31. А.Я. Об энергетической диаграмме тонкого гетероперехода / А .Я. Вуль, A.M. Кечиянц, JI.B. Шаронова, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев / ФТП, 1976, т.9, № 9, с. 1790−1791.
    32. JI.C. Поверхностные свойства полупроводников с собственной проводимостью при толщинах, меньших дебаевской длины экранирования. Украинский физический журнал, 1966, т.11, № 5, с.555−557.
    33. JI.C. Эффект поля в тонких слоях полупроводников ФТП, 1967, т.1, № 6, с.809−814.
    34. Jerhiot J. A Contribution to the Theory of the Space-Charge Region, in Thin Semiconductor Monocrystallin Films / J. Jerhiot, V. Srejdar / Czech. J. Phys., 1970, B20, № 8, p. 903−907.
    35. Djuric Z. Static Characteristics of Metal-Insulator- Semiconductor-Insulator-Metal (MISIM) / Z. Djuric, M. Smiljanic / Structures-1. Electric Fields and Potential Distributions. Solid — State Electr., 1975, V.18, № 10, p. 817−825.
    36. Roberts I.I. Equilibrium Space-Charge Distributions in Semiconductor. Brit, J. Appl, Phys., 1967, V. 18, № 6, p. 749−753.
    37. Gasanov Z.S. Comments on «Equilibrium Space-Charge Distribution in Semiconductor». J. Phys. D: Appl. Phys., 1971, V.4, № 12, p. 2049−2050.
    38. Stinson M.R. Determination of Surface Potentials of Thin Semiconducting films. Canadian J. Phys., 1975, V.53, № 6, p. 587−591.
    39. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под общ, ред. А. В. Ржанова. М.: Наука, 1976, — 280 с.
    40. В.Ф. МДП-структуры / В. Ф. Сыноров, М. А. Ревелева, Н. М. Алейников, Ю. С. Чистов, С. В. Фетисова / Воронеж, изд-во ВГУ, 1975, 228 с.
    41. JI.C. Поверхностная емкость тонких слоев полупроводников / Л. С. Гасанов, В. И. Стафеев / ФТП, 1968, т.2, № 3, с. 424−429.
    42. Jerhot J. Space-Charge Capacitance in thin Semiconductor Monocrystallin films / J. Jerhot, V. Snejdar / Czech. J. Phys., 1971, B21, № 10, p. 1114−1117.
    43. Jerhot J. Thin films MIS Varactor. Phys. Stat. Solidi (a), 1971, Y7, № 1, к25-к27.
    44. Djuric Z. Static Characteristics of the Metal-Insulator-Semiconductor-Insulator-Metal (MISIM) / Z. Djuric, M. Smiljanic, D. Papkin / Structure II Low Frequency Capacitance. — Solid — State Electr., 1975, Y.18, № 10, p. 827 831.
    45. Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик. П.: Энергия, 1976, — 184 с.
    46. В.Ф. Распределение потенциала и емкость структуры с полупроводниковым слоем критической толщины / В. Ф. Сыноров, А. Н. Лихолет, Б. И. Сысоев / Микроэлектроника, 1977, т.6, № 1, с. 56−63.
    47. Synorov V.F. Analysis of charge Distribution in MIS type Multiplayer Systems / V.F. Synorov, A.N. Likholet, B.I. Sysoev / - Phys. Stat. Solidi (a), 1976, V.33, № 2, p. k161-ic164.
    48. Bradley J. New Method of Reducing Instability in Insulated Gate Field -Effect Transistors. — Electr. lett., 1967, Y.3, № 11, p.526−528.
    49. Г. Х. Некоторые особенности создания защитных и маскирующих покрытий на основе соединений AnBVI / Г. Х. Аветисян, Ю. А. Кузнецов, В. Д. Манагаров / Электронная техника, серия 2, полупроводниковые приборы, 1973, № 5, с.87−89.
    50. В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев.: Наукова думка, 1974, — 264 с.
    51. Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968, — 268 с.
    52. В.М. Физика алмазоподобных полупроводников со стехиометрическими вакансиями. В кн.: Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. — Ужгород, 1970, с. 26−35.
    53. .И. Электрофизические свойства структуры А1 ZnP2 — Si / Б. И. Сысоев, В. Ф. Сыноров, JI.A. Битюцкая / - Микроэлектроника, 1973, т.2, № 3, с.244−247.
    54. А.И. Теория выпрямляющего действия полупроводников. М.: Гостехиздат, 1956, — 348 с.
    55. А. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник / А. Милне, Д. Фойхт / Перевод с англ. под ред. В. С. Вавилова. М.: Мир, 1975, — 432 с.
    56. .И. О влиянии фиксированного заряда в диэлектрике на вольт-фарадные характеристики МП’ДП структур / Б. И. Сысоев, Н. Н. Безрядин, В. Ф. Сыноров // Микроэлектроника, 1980, т.9, № 2, с. 121 125.
    57. Н.Н. Получение тонких слоев селенида галлия на кремнии / Н. Н. Безрядин, А. С. Дронов, Ю. В. Сыноров, Г. М. Щевелева // Полупроводниковая электроника / Межвуз. сб. науч. трудов. Воронеж: Изд-во Вор. гос. пед. инст-та, — 1985, — с. 20−25.
    58. Н.Ф. Исследование характера испарения некоторых халькогенидов III В подгруппы периодической системы типа АХ и А2Х2 {А- Ga, In- X-S, Se, Те) / Н. Ф. Вендрих, A.C. Майкова, Б. А. Малюков, А. С. Пашинкин / Деп. в ВИНИТИ, 1977, № 2149−77. -12с.
    59. Л.И. Давление диссоциации двойных полупроводниковых состояний B2inC3VI / Л. И. Бергер, С. С. Стрельченко, С. А. Бондарь, А. Д. Молодых, А. Э. Беланевская, В. В. Лебедев / Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1969. — Т.5, № 5. -С. 872 — 877.
    60. Н.Ф. Исследование процесса испарения Ga2Se3 переменного состава / Н. Ф. Вендрих, А. С. Пашинкин / Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1979. -Т.15, № 3. -С. 412 — 416.
    61. .И. Получение и структура пленок селенида галлия на кремнии / Б. И. Сысоев, Н. Н. Безрядин, Ю. В. Сыноров, Т. А. Кузьменко / Изв. АН СССР, сер. Неорг. материалы, 1991, т. 27, № 3, с. 470 473.
    62. Ю.З. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю. З. Бубнов, М. С. Лурье, Ф. Г. Старое, Г. А. Филаретов / -М.: Сов, радио, 1975.-160 с.
    63. И.П. Эпитаксиальные пленки соединений АПВГ/ И. П. Калинкин, В. Б. Алексковский, А. В. Симашкевич / -Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1978, 310 с.
    64. Д.М. Физика и технология полупроводниковых пленок / Д. М. Фреик, М. А. Галущак, Л. И. Межиловская / Львов: Вища шк. 1988, 152 с.
    65. В.А. Термическая очистка поверхности кремния с защитной оксидной пленкой в высоком вакууме / В. А. Перевощиков, В. Д. Скупов, В. Г. Шенгуров, Л. Е. Николаева / Поверхность. Физика, химия, механика. 1991, в. 10, с. 154- 157.
    66. А.В. Термическое испарение в вакууме при производстве изделий радиоэлектроники / А. В. Кондратов, А. А. Потапенко / М: Радио и связь, 1986. 80 с.
    67. В.Л. Эффективность генерирования при массопереносе в вакууме / В. Л. Ласка, А. В. Кондратов, А. А. Потапенко / Инж.-физ. журнал. 1984. -Т.46, № 6. — С. 949−952.
    68. Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия / Скворцов И. М., Лапидус И. И., Орион Б. В. и др. -М.: Энергия, 1978. -136 с.
    69. Wright S. Reduction of Oxides jn Silicon by Heating in a Gallium Molecular Beam at 800 °C / S. Wright, H. Kroemer / Appl. Phys. Lett. 1980. -V.36, № 3. -P.210−211.
    70. Н.Н. Получение тонких пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме / Н. Н. Безрядин, А. В. Буданов, Е. А. Татохин, Ю. К. Шлык / ПТЭ. 1998. — № 5. — С. 150−152.
    71. Н.Н. Получение пленок полупроводниковых соединений в квазизамкнутом объеме / Н. Н. Безрядин Ю.В. Сыноров, A.M. Самойлов, Т. В. Прокопова, С. В. Сизов / Вестник ВГТУ серия «Материаловедение» выпуск 1.11 Воронеж 2002 г стр. 47−52.
    72. Н.Г. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н. Г. Абрикосов, В. Ф. Банкина, Л. В. Порецкая и др. / М.: Наука, 1975. -220 с.
    73. B.C. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС / B.C. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. -М.: Энергоатомиздат, 1988. -252 с.
    74. Ф.П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. -Минск: Наука и техника, 1986. -253 с.
    75. Н.В. Радиационная стойкость кремния / Н. В. Кузнецов, Г. Г. Соловьёв/-М.: Энергоатомиздат, 1989, 96с.
    76. М.И. Радиационная стойкость кремниевых интегральных схем. Е. А. Ладыгин, И. Е. Лобов, Н. Н. Тонких, A.M. Черников, Ю. П. Юсов -М.: ЦНИИ «Электроника». Обзоры по ЭТ, сер. З, Микроэлектроника, вып. З (1296) 1987,40 с.
    77. Н.Н., Слои селенида галлия в структурах МДП на основе кремния. / Н. Н. Безрядин, А. С. Дронов, Т. А. Кузьменко, С. В. Сизов / Физика диэлектриков: Тезисы докладов за 2000 г., т.1 СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2000.-е. 190−191.
    78. Н.Н. Устойчивость к радиационным воздействиям параметров гетероструктур Al-Ga2Se3-Si / Н. Н. Безрядин, Т. А. Кузьменко, Г. В. Сонов, С. В. Сизов / Материалы XLI отчетной конференции за 2002 год // Воронеж, ВГТА, 2003, с. 153.
    79. Ю.М. Влияние предварительного низкотемпературного отжига на образование высокотемпературных доноров в монокристаллах кремния / Ю. М. Бабицкий, М. В. Васильева, П. М. Гринштейн / ФТП. 1991. Т. 25. Вып. 10. С. 1824−1827.
    80. B.C. Дефекты в кремнии и на его поверхности / B.C. Вавилов,
    81. B.Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев / -М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит. 1990. 216 с.
    82. .И. Повышение радиационной стойкости МОП-систем / Б. И. Сысоев, Н. Н. Безрядин, А. С. Дронов, Т. А. Кузьменко, Т. В. Прокопова, Г. В. Сонов, Н. И. Сухоруков / Электронная промышленность. 1994. № 4−5.1. C. 35−37.
    83. Д.Г. Действие повторного облучения на свойства КМОП-структур / Д. Г. Крылов, Е. А. Ладыгин, Б. А. Шилин / Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1990. Вып. 4(207). С. 101 103.
    84. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах. Кн. 1 М.: Мир, 1984.-с. 456.
    85. И.Н. Справочник по математике для инженеров / И. Н. Бронштейн, К. А. Семендяев / -13-е изд., -М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986.-544 с.
    86. А.А. Справочник по высшей математике / А. А. Гусак, Г. М. Гусак, Е. А. Бричикова / 6-е изд. — Мн.: ТетраСистеме, 2005. — 640 с.
    87. Н.Н. Внутренняя фотоэмиссия в гетеропереходе Ga2Se3-Si / Н. Н. Безрядин, Т. А. Кузьменко, С. В. Сизов, Е. А. Михайлюк, Ю. В. Сыноров / Конденсированные среды и межфазные границы, т.6 // № 3, 2004 г, с. 2024.
    88. B.C. О формировании прозрачных проводящих слоев в полупроводниковых структурах / B.C. Козякин А. П. Ровинский, В. Ф. Сыноров, Б. И. Сысоев / Вопросы техники полупроводникового производства, Воронеж, изд-во ВГУ, 1976, с. 59−62.
    89. Д.Г. Прохождение тока сквозь тонкие диэлектрические пленки // технология тонких пленок (справочник) / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга: Пер. с англ. т.2. М.: Сов. Радио, 1977, с. 345 400.
    90. Lenzlinger M. Fowler-Nordheim Tunneling into Thermally Grown Si02 / M. Lenzlinger, E.H. Snow / J. of Appl. Phys., 1969, v.40, № 1, p.278−283.
    91. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, 456 с.
    92. Berglund C.N. Photo injection into Si02: Electron Scattering in the Image Force Potential Wall / C.N. Berglund, R.T. Powell / J.Appl. Phys., 1971, v.42, № 2, p.573−579.
    93. Kadlec J. Results and Problems of Internal Photoemission in Sandwich Structures / J. Kadlec, K.H. Gundlach / Phys. Stat. Sol., 1976, v.37(a), № 11, p.11−28.
    94. C.M. Исследование электрических свойств гетероперехода на основе Si Ga2Se3 / C.M. Колеснеченко, М. П. Тырзиу, В. Г. Тырзиу / Полупроводниковые материалы, структуры, измерительные и управляющие устройства. Кишинев: Штиинца, 1977. -с. 94−101.
    95. А. Гетеропереходы и переходы металл полупроводник / А. Милне, Д. Фойхт / Пер. с англ. — М.: Мир, 1975, — 432с.
    96. .И. Модуляция областей пространственного заряда в изотипных полевых структурах с подзатворным слоем широкозонного полупроводника / Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, В. Д. Стрыгин / ФТП. -1984. Т. 18, № 10, с. 1739 — 1743.
    97. В.М. Полупроводниковые фазы со стехиометрическими вакансиями / В. М. Кошкин, JI.C. Палатник / Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1968, т.4, № 11, -С. 1835 — 1839.
    98. И.А. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния / И. А. Драбкин, Б. Л. Мойжес / ФТП, 1981, т. 15, в.4, -С. 625 648.
    99. Л.П. Действие быстрых нейтронов на полупроводниковые кристаллы типа А2ШВ3У1 / Л. П. Гальчинецкий, В.М.
    100. , В.М. Кулаков, В.Н. Кулик, У. А. Улманис, В. И. Шаховцов / Монокристаллы и техника. 1972, вып.6, с.97 102.
    101. Д.Б. Кинетика фотопроводимости дефектного полупроводника 1п2Те3 / Д. Б. Ананьина, B.JI. Бакуменко, А. К. Бонаков, Г. Г. Грушка, Л. Н. Курбатов / ФТП, 1979, т.13, № 15, с. 961 -964.
    102. Н.Г. О природе электрически активных центров в кристаллах сесквиселенида галлия / Н. Г. Старжинский, Л. П. Гальчинецкий / Сборник науч. тр. ВНИИ монокристалл., сцинтилляц. матер., и особо чистых хим. веществ. 1988, № 21, с. 24 29.
    103. .Л. Полупроводниковые гетероструктуры / Б. Л. Шарма, Р. К. Пурохт / Пер. с англ. / Под ред. Ю. В. Гуляева М.: Сов. радио, 1979, 232 с.
    104. Н.Н. Гетероструктуры Me Gd2Se3 — Si с эффектом поля / Н. Н. Безрядин, Т. А. Кузьменко, С. В. Сизов, Е. А. Михайлюк, Ю. В. Сыноров / Материалы Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры» (Пленки 2004), с.204−207.
    105. Н.Н. Поверхностные электронные состояния в гетероструктуре М Ga2Se3 — (SiOJ Si / Н. Н. Безрядин, Т. А. Кузьменко, С. В. Сизов / Полупроводниковые гетероструктуры Текст.: сб. науч. тр. / Воронеж, гос. технол. акад. — Воронеж, 2005, — с. 139−150
    106. Preier Н. Contributions of surface states to MOS impedance // Appl. Phys.Lett. 1967. V.10.№ll.p. 361−364.
    107. Н.Н. Туннельный механизм встраивания поверхностных электронных состояний в системах М- Ga2Se3 (Si02) Si / Н. Н. Безрядин,
    108. С.В. Сизов, Е. А. Михайлюк / Материалы XLII отчетной конференции за 2003 год // Воронеж, ВГТА, 2004, с.6−8.
    109. Е.Н. Исследования поверхностных состояний в МДП -структурах с учетом флуктуационных и туннельных эффектов / Е. Н. Бормонтов, С. В. Лукин / Тез. док. III Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники -97». М.: 1997. с. 318.
    110. Е.Н. Физика и метрология МДП-структур: Учеб. пособие. -Воронеж: ВГУ, 1997. 184 с.
    Заполнить форму текущей работой

    Сессия? Спокойно!