Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов
Диссертация
Измерения на низких частотах (1 kHz) показали, что сорбция паров воды в ПА (а = 0,41) сопровождается значительным (в 1000 раз) возрастанием электрической емкости за время порядка часа. Такое существенное изменение емкости не может быть объяснено только аддитивным вкладом сорбированной полимером воды. Свой вклад, имеющий структурную природу, вносит приэлектродная емкость двойного заряженного слоя… Читать ещё >
Список литературы
- Энциклопедия технологии полупроводниковых материалов. Электронная структура и свойства полупроводников. Том 1. / Пер. с англ. под ред. Э. П. Домашевской. — Воронеж: изд-во «Водолей», 2004. — 982 с.
- Бормонтов E.H. Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами : дис.. д-ра физ.-мат. наук / E.H. Бормонтов. Воронеж, 2001. — 386 с.
- Васильев Р.Б. Неорганические структуры как материалы для газовых сенсоров / Р. Б. Васильев и др. // Успехи химии. 2004. — Т. 73, № 10.-С. 1019−1038.
- Гусев А.И. Нанокристаллические материалы / А. И. Гусев, A.A. Ремпель. М: Физматлит, 2000. — 224 с.
- Попов А.Е. Полупроводниковые свойства диарсенида германия / А. Е. Попов и др. // Физико-химия гетерогенных систем: сб. науч. тр. -Воронеж, 1984.-С. 73−78.
- Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Кн.1 / С. М. Зи — пер с англ. под ред. P.A. Суриса. М.: Мир, 1984. — 456 с.
- Бормонтов E.H. Физика и метрология МДП структур : учеб. пособие / E.H. Бормонтов. Воронеж: изд-во ВГУ, 1997. — 184 с.
- Кулак А.И. Электрохимия полупроводниковых гетероструктур / А. И. Кулак. Минск: изд-во «Университетское», 1986.-189 с.
- Тутов Е.А. Метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик в исследованиях сенсорных гетероструктур / Е. А. Тутов, E.H. Бормонтов // Полупроводниковые гетероструктуры: сб. науч. тр. / Воронеж, гос. технол. акад. Воронеж, 2005. — 232 с.
- Ю.Кашкаров П. К. Необычные свойства пористого кремния / П. К. Кашкаров // Соросовский образовательный журнал. 2001. — Т.7, № 1, -С. 102−107.
- П.Бондаренко В. П. Новые области применения пористого кремния в полупроводниковой электронике / В. П. Бондаренко и др. // ЗЭТ. -1989.-№ 9.-С. 55−84.
- Шантарович В.П. Исследование слоев пористого кремния методом аннигиляции позитронов / В. П. Шантарович и др. // Физика твёрдого тела. 1996. — Т.38, № 9. — С. 2686−2692.
- Бучин Э.Ю. Влияние режимов обработки на морфологию и оптические свойства пористого кремния п-типа / Э. Ю. Бучин и др. // Письма в ЖТФ, — 1995, — Т.21,вып. 1.-С. 60−65.
- Кузнецов B.C. О механизмах формирования пористого слоя при анодном травлении кремния п-типа / B.C. Кузнецов, А. В. Проказников // Электронный многопредметный научный журнал Исследовано в России. 1999. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/1999/027.pdf
- Плаченов Т.Г. Порометрия / Т. Г. Плаченов, С. Д. Колосенцев. J1.: Химия, 1988, — 149с.
- Зимин С.П. Эффект Холла в низкоомном пористом кремнии / С. П. Зимин // Письма в ЖТФ. Т. 20, вып. 7. — С. 55−58.
- Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett. 3 September 1990. -V. 57, № 10. — P. 1046−1048.
- Petrova E.A. Room temperature oxidation of porous silicon in air / E.A. Petrova etc. // Solid State Materials for Advanced Technology. 2000. -V. 69.-P. 152−156.
- Изидинов С.О. Влияние типа монокристаллической основы на кинетику формирования и физико-химические свойства поверхностного слоя пористого кремния / С. О. Изидинов, А. П. Блохина, В. М. Лазаренко // ЖФХ. 1987. — Т. LXI, № 8. — С. 21 272 133.
- Александров JI.H. Моделирование образования структур пористого кремния / Л. Н. Александров, П. Л. Новиков // Письма в ЖЭТФ. 1997. -Т. 65, № 9.-С. 685 -690.
- Domashevskaya Е.Р. XPS, USXS and PLS Investigations of porous silicon / Е.Р. Domashevskaya etc. // J. Electron. Spectroscopy and Related Phen. 1998.-V. 88−91.-P. 958−962.
- Мукашев Б.Н. Состояние водорода и механизмы пассивации примесей и радиационных дефектов в кристаллическом кремнии / Б. Н. Мукашев, М. Ф. Тамендаров, С. Ж. Токмолдин // ФТП. 1992. -Т. 26, № 6.-С. 1124−1134.
- Джумаев Б.Р. Обратимые и необратимые изменения спектров фотолюминесценции пористого кремния при выдерживании в воде / Б. Р. Джумаев // ФТП. 1999. — Т. 33, B. l 1 — С.1379−1383.
- Горячев Д.Н. Особенности взаимодействия пористого кремния с тяжёлой водой / Д. Н. Горячев, Г. Полисский, О. М. Сресели // ФТП. -1998. Т. 32,№ 8 — С.1016−1018.
- Орлов A.M. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения / A.M. Орлов и др. // Письма в ЖТФ. 2001. — Т.27, В.2. — С.76−83.
- Hurley Р.К. Partial oxidation of porous silicon / P.K. Hurley etc. // Semicond. Sci. Technol. 1993. -V. 8. -P.2168−2175.
- Лукьянова E.H. Состояние молекулярной системы и зарядовый транспорт в нанопорах диэлектрика / Е. Н. Лукьянова и др. //Химия и компьютерное моделирование. Бутлеровское сообщение. 1999. -№ 2.
- Salonen J. The room temperature oxidation of porous silicon / J. Salonen, V.-P. Lehto, E. Laine // Applied Surface Science. 1997. — V. 120 -P.191−198.
- Зимин С.П. К вопросу о механизме токопрохождения в структурах с пористым кремнием / С. П. Зимин и др. // Письма в ЖТФ. 1994. -Т.20, № 22. — С.54−56.
- Казакова Л.П. Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии. / Л. П. Казакова, A.A. Лебедев, Э. А. Лебедев / ФТП. 1997. — Т.31, № 5. — С. 609−610.
- Лебедев Э.А. Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии // Э. А. Лебедев, П. Полисский // ФТП. 1996. — Т. 30, № 8. -С. 1468−1469.
- Белов C.B. ВАХ структур металл кремний-водородная пленка (КВП) — кремний // C.B. Белов, O.A. Зайцев, A.A. Лебедев // Письма в ЖТФ. — 1995. — Т.21, № 3. — С.30−32.
- Балагуров Л.А. Характеристики контакта металл/пористый кремний / Л. А. Балагуров и др. // Известия АН, сер. физич. 1994. — Т.58, № 7. -С. 78−82.
- Anderson R.C. Investigations of the electrical properties of porous silicon" / R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias // J. Electrochem. Soc. 1991. -V. 138, № 11.-P. 3406−3411.
- Зимин С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С. П. Зимин // ФТП. 2000. -Т.34, № 3. — С. 359−363.
- Белов C.B. Термостимулированная емкость в диодах на основе пористого кремния / C.B. Белов, A.A. Лебедев // ФТТ. 1996. — Т. 38, № 3.-с. 702−706.
- Балагуров Л.А. Характеристики контакта металл/пористый кремний / Л. А. Балагуров и др. // Известия АН, сер. физич. 1994. — Т.58, № 7. -С. 78−82
- Зимин С.П. Емкость структур с толстым слоем пористого кремния / С. П. Зимин, Е. П. Комаров // Письма в ЖТФ. 1996. — Т. 22, № 19. -С. 69−72.
- Аверкиев Н.С. Контактные явления в квантовых нитях и пористом кремнии / Н. С. Аверкиев, А. Я. Шик // ФТП. 1996. — Т.30, № 2. — С. 199−207.
- Sun Н.Т. Connectivity of pore networks in chemically sensitive materials / H.T. Sun // Sensor and Actuators B. 1995. — №. 24−25. — P. 865−870.
- Яркин Д.Г. Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл/пористый кремний/c-Si / Д. Г. Яркин // Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33, вып. 2. — С. 211−214.
- Зимин С.П. Влияние кратковременного отжига на проводимость пористого кремния и переходное сопротивление контакта алюминий-пористый кремний / С. П. Зимин, Е. П. Комаров // Письма в ЖТФ. -1998.-Т. 24, № 6.-С. 45−51.
- Зимин С.П. Релаксация проводимости в закрытом пористом кремнии после термообработки / С. П. Зимин, А. Н. Брагин // Физика и техника полупроводников. 1999. — Т. 33, вып. 4. — С. 476−480.
- Демидович В.М. Адсорбционно-чувствительный диод на пористом кремнии / В. М. Демидович, Г. Б. Демидович // Письма в ЖТФ. 1992. -Т.18, № 14. — С. 57−62.
- Демидович В.М. Влияние адсорбции на перенос заряда в системе пористый кремний-металл / В. М. Демидович и др. // Вестник МГУ. 1996.-Сер. 3,№ 4.-С. 99−103.
- Shechter I. Gas sensing properties of porous silicon /1. Shechter, Ben- M. Chorin, A. Kux // Anal. Chem. 1995. — V. 67. — P. 3727−3732.
- Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. // Sensors and Actuators A. -1990.-V. 23.-P. 835−839.
- Ковалевский A.A. Взаимосвязь пористости с чувствительностью к влаге тонкопленочных конденсаторных структур на пористом кремнии / А. А. Ковалевский, И. Л. Баранов / М/эл-ка. 1996. — Т.25, № 4.-С. 298−302.
- Козлов С.Н. Влияние адсорбции воды на импеданс системы кремний-пористый кремний-металл / С. Н. Козлов, А. Н. Невзоров, А. А. Петров // Вестник московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия. 1999.-№ 1,-С. 63−64.
- Seong-Jeen Kim Humidity sensors using porous silicon layer with mesa structure / Seong-Jeen Kim // Phys. D: Appl. Phys. 2000. — V. 33 — P. 1781−1784.
- Maccagnani P. Thick oxidized porous silicon layer as a thermo-insulating membrane for high-temperature operating thin- and thick-film gas sensors / P. Maccagnani etc. // Sensors and Actuators B. 1998. — V. 49. — P. 2229.
- Polishchuk V. A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon / V. Polishchuk etc. // Analytica Chimica Acta. 1998. -V. 375 -P. 205−210.
- Грег С. Адсорбция, удельная поверхность, пористость / С. Грег, К. Синг. М.: Мир, 1984. — 304 с.
- Авгуль Н.Н. Адсорбция газов и паров на однородных поверхностях / Н. Н. Авгуль, А. В. Киселев, Д. П. Пошкус М.: Химия, 1975. — 200 с.
- Химическая энциклопедия // М.: Большая Российская энциклопедия, т. З, 1992.-639с.
- Подлепецкий Б. И. Датчики влажности / Б. И. Подлепецкий, А. Симаков // ЗЭТ. 1987. — № 2. — С. 64−97.
- Аш Ж. Датчики измерительных систем / Ж. Аш и др. М.: Мир, 1992.-Т.2.-419 с.
- Шапошник В.А. Кинетика электродиализа / В. А. Шапошник. -Воронеж: Издательство ВГУ, 1989. 176с.
- Каргин В.А. Краткие очерки по физико-химии полимеров/ В. А. Каргин, Т. Л. Слонимский М.:Химия, 1967. — 230 с.
- Валуев В.В. Сорбционные свойства сульфонатсодержащих ароматических полиамидов /В.В. Валуев и др. // ЖФХ. 1994. — Т. 68, № 9.-С. 1667−1672.
- Кирш Ю.Э. Селективный перенос одно- и двухвалентных катионов в мембранах из сульфонатсодержащих ароматических полиамидов/ Ю. Э. Кирш и др. // ЖФХ. 1993. — Т.67, № 11, — С. 2312 — 2314.
- Чалых А.Е. Диффузия в полимерах / А.Е. Чалых- М.: Химия, 1987. -305с.
- Волков В.И. Диффузионная подвижность молекул воды в катионообменных мембранах на основе сульфонатсодержащих полифениленфталамидов / В. И. Волков и др. // ЖФХ. 1994, Т. 68. -С. 1310−1316.
- Плаченов Т.Г. Порометрия / Т. Г. Плаченов, С. Д. Колосенцев. Л.: Химия, 1988.- 174 с.
- Черемской П.Г. Методы исследования пористости твердых тел / П. Г. Черемской М.: Энергоатомиздат, 1985. — 260 с.
- Мясников И.А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях / И. А. Мясников, В. Я. Сухарев, Л. Ю. Куприянов, С. А. Завьялов. М.: Наука, 1991. — 327 с.
- Тутов Е.А. ВЧ ВФХ кремниевых МДП структур с дефектными диэлектриками / Е. А. Тутов, Павленко М. Н. и др. // Радиолокация, навигация, связь.: Матер. XI Междун. науч.-техн. конф. Воронеж. -2005. — Т.1. — С.532−541.
- Domashevskaya E.P. XPS, USXS and PLS Investigations of porous silicon / E.P. Domashevskaya etc. // J. Electron. Spectroscopy and Related Phen. 1998. — V. 88−91.-P. 958−962.
- Грег С. Адсорбция, удельная поверхность, пористость / С. Грег, К. Синг. М.: Мир, 1984. — 304 с.
- Тутов Е.А. Фотостимулированная релаксация в газовых сенсорах на основе пористого кремния / Е. А. Тутов, C.B. Рябцев, A.B. Арсенов // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. — Т. 4, № 3. -С. 236−241
- Wadayama Т. Real-time photoluminescence and Raman spectral study of porous Si during F2 and H20 exposure / T. Wadayama etc. // J. of Luminescence 1998. — v.78 -p.111−116.
- Елизаров А.И. Исследование эффекта взаимодействия поверхности твёрдых тел с фотоэмульсией в системе кристалл-жидкость-фотоплёнка / А. И. Елизаров, B.JI. Терещенко // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. — т.1,№ 2 — с.129−132.
- Елизаров А.И. Хемографический эффект в алюминиевых сплавах / А. И. Елизаров и др. // Конденсированные среды и межфазные границы, 1999.-т.1,№ 3,4-с.250−255.
- Елизаров А.И. Визуализация особенностей процесса окисления биметаллических плёночных структур при помощи хемографического метода / А. И. Елизаров, В. В. Богобоящий, А. Ю. Глыбин // Конденсированные среды и межфазные границы. 2000. — т.2,№ 4 -с.342−347.
- Джеймс Т. Теория фотографического процесса / Т. Джеймс. Л.: Химия. — 1980.-672 с.
- Гурьев И.А. Потенциометрия с ионоселективными электродами / И. А. Гурьев Горький — 1978. — 99 с.
- Краснов К.С. Физическая химия / К. С. Краснов и др.- Под ред. Краснова К. С. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. Шк., — 1995. -319 с.
- Тутов Е.А. Определение структурно-фазовых параметров пористого кремния из измерений емкости / Е. А. Тутов, А. Ю. Андрюков, В. М. Кашкаров // Журнал прикладной химии. 2000. — Т. 73, № 7. — С. 1071−1074.
- Тутов Е.А. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием / Е. А. Тутов, М. Н. Паленко и др. //ЖТФ. -2003. -Т.73, вып. 11.-С. 83−89.
- Бейтс Р. Определение рН. Теория и практика / Р. Бейтс. Л.: Химия.- 1968, — 400 с.
- Тутов Е.А. Взаимодействие пористого кремния с водой: хемографический эффект / Е. А. Тутов, М. Н. Паленко и др. // Письма в ЖТФ. 2002. — Т. 28, вып. 17. — С. 45−50.
- Тутов Е.А. Равновесные и неравновесные электродные процессы на пористом кремнии/ Е. А. Тутов, М. Н. Паленко и др. // Письма в ЖТФ. 2006. — Т. 32., вып. 13. — С.6−11.
- Тутов Е.А. Физико-химия взаимодействия пористого кремния с водой / Е. А. Тутов, Павленко М. Н. и др. // ФАГРАН-2002.: Матер. I Всерос. конф. Воронеж. — 2002. — С. 143−144.
- Тутов Е.А. Адсорбционно-емкостная порометрия / Е. А. Тутов, А. Ю. Андрюков, Е. Н. Бормонтов // ФТП. 2001. — Т.35, вып.7. — С. 850 853.
- Боонстра А. Поверхностные свойства германия и кремния / А. Боонстра. М.: Мир. — 1970. — 176 с.
- Богобоящий В.В. Десорбция атомарного водорода при окислении Si и его диффузия в водной среде // В. В. Богобоящий, М. А. Елизаров // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. — Т. 6, № 2. -С. 133−139.
- Виглеб Г. Датчики / Г. Виглеб. М.: Мир, 1989.-196 с.
- Киреев В.В. Высокомолекулярные соединения / В. В. Киреев. М.: Высшая школа. — 1992. — 508 с.
- Тимашев С.Ф. Физикохимия мембранных процессов / С. Ф. Тимашев. -М.: Химия.- 1988.-240 с.
- Яковлев П.В. Определение газов полупроводниковыми сенсорами с полимерными покрытиями / П. В. Яковлев и др. // Журн. аналит. химии. 2002. — Т. 57, № 3. — С. 326−329.
- Вода в полимерах / Под ред. С. М. Роуленда. М.: Мир. — 1984. — 555 с.
- Тутов Е.А. МДП структура с полиамидным диэлектриком в условиях сорбции паров воды / Е. А. Тутов и др. // ЖТФ. 2005. — Т. 75, вып. 8. -С. 85−89.
- Тутов Е.А. Кремниевые МДП структуры с полиамидным диэлектриком в условиях сорбции паров воды / Е. А. Тутов, Е. Н. Бормонтов, М. Н. Павленко // ФАГРАН-2004.: Матер. II Всерос. конф. Воронеж. — 2004. — Т. 1. -С.317−319.
- Тутов Е.А. Гетероструктуры кремний/полимер: исследование сорбции паров воды / Е. А. Тутов, Павленко М. Н. и др. // Тез. докл. Междун. науч.-техн. конф. «Сенсорная электроника и микросистемные технологии», Одесса, Украина, 2004.- С. 207.
- Павленко М.Н. МДП сенсоры с «активным» диэлектриком / М. Н. Павленко // Тез. докл. 7-й Всеросс. мол. науч.-техн. конф. по физике пп. и пп. опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2005,-С.107.