Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6

Диссертация: Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных на изучении спектральных и кинетических характеристик примесной и индуцированной примесной фотопроводимости, термостимулированного тока, фото-, термои электролюминесценции, оптического и термического гашения фотопроводимости и люминесценции. При реализации данных методов вариацией уровня фотовозбуждения… Читать ещё >

Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ. стр
  • ГЛАВА I. ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В
  • СОЕДИНЕНИЯХ А2В6 (обзор литературных данных)
    • 1. 1. Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках
    • 1. 2. Методы исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах
    • 1. 3. Фотоактивационные процессы с участием электронных и дырочных ЦП. Индуцированная примесная фотопроводимость
    • 1. 4. Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП
      • 1. 3. 1. Теория термостимулированных процессов
      • 1. 3. 2. Анализ формы спектров ТСТ и TCJI и методы определения характеристических параметров ловушек
      • 1. 3. 2. Методы контроля достоверности данных оценки характеристических параметров ЦП
    • 1. 5. Структурные дефекты и их ассоциаты в кристаллах соединений А2В
      • 1. 5. 1. Центры, обусловленные собственными дефектами в сульфиде, теллуриде и селениде цинка
    • 5. 2. Примесные центры связанные с Ag и Си
      • 1. 5. 3. Глубокие центры, контролирующие фоточувствительность
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Экспериментальные установки .4 $
    • 2. 2. Методика обработки данных эксперимента
    • 2. 3. Характеристика исследованных образцов
  • ГЛАВА III. ПРИРОДА И ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ГЛУБОКИХ ЦЕНТРОВ В НЕАКТИВИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ ZnSe
    • 3. 1. Термоактивационные процессы с участием электронных ЦП в неактивированных кристаллах ZnSe
      • 3. 1. 1. Характеристические параметры электронных ЦП
      • 3. 1. 2. Характер термоопустошения электронных ЦП
    • 3. 2. Индуцированная примесная фотопроводимость в неактивированных кристаллах ZnSe
      • 3. 2. 1. Спектральное распределение ИПФ
      • 3. 2. 2. Метод «оптической очистки»
      • 3. 2. 3. Кинетика ИПФ
    • 3. 3. Квазилинейчатые спектры примесной фотопроводимости в неактивированных кристаллах ZnSe
    • 3. 4. Оптически активные центры рекомбинации
    • 3. 5. Обсуждение экспериментальных результатов
      • 3. 5. 1. Оптически неактивные электронные ЦП Ес -(0.11 — 0.56) эВ
      • 3. 5. 2. Оптически активные электронные ЦП и ЦР 85 3.5.3 Квазилинейчатые спектры ПФ и их связь ДАП
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА IV. ДВУХУРОВНЕВЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ И ДЫРОЧНЫЕ ЛОВУШКИ В КРИСТАЛЛАХ p-ZnTe, n-ZnS
    • 4. 1. Двухэлектронные и двухдырочные медленные ЦП и ассоциаты с их участием в кристаллах n-ZnS и p-ZnTe
      • 4. 1. 1. Термостимулированные токи и характеристические параметры ловушек
      • 4. 1. 2. Спектры ИПФ. Спектральный сдвиг полос ИПФ
    • 4. 2. Вакансионно-примесные модели центров прилипания
    • 4. 3. Обсуждение экспериментальных результатов
      • 4. 3. 1. Фотоэлектрические свойства
      • 4. 3. 2. Энергетический спектр ЦП
      • 4. 3. 3. Концентрационное распределение ВПП
      • 4. 3. 4. Кинетические свойства
    • 4. 4. Гипотеза о характере пространственного распределения атомов ВПП в структуре макроскопической неоднородности
    • 4. 5. Глубокие центры с возбужденным состоянием в кристаллах p-ZnTe
  • ВЫВОДЫ Г ЛАВ, А V ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫЕ ЯВЛЕНИЯ НЕТЕПЛОВОЙ ДИФФУЗИИ И АССОЦИАЦИИ ДОНОРОВ
    • 5. 1. Фотостимулированная ассоциация донор-донорных молекул в кристаллах ZnSe
      • 5. 1. 1. Методика эксперимента
      • 5. 1. 2. Обратимые фотостимулированные преобразования быстрых электронных ловушек в ZnSe
    • 5. 2. Фотостимулированная ассоциация (Ag) «молекул в кристаллах ZnSe
      • 5. 2. 1. Экспериментальные результаты
      • 5. 2. 2. Модели электронных центров. Механизм ФХР
      • 5. 2. 3. Факторы, стимулирующие диффузию доноров
      • 5. 2. 4. О кинетических особенностях фотоассоциации доноров
    • 5. 3. Термостимулированные токи в кристаллах ZnSe
    • 5. 4. Роль крупномасштабных нарушений кристаллической решетки в фотостимулированных процессах, ВЫВОДЫ Г Л, А В, А VI РОЛЬ МЕДЛЕННЫХ И БЫСТРЫХ ЦЕНТРОВ ПРИЛИПАНИЯ В ПРОЦЕССАХ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ
    • 6. 1. Модель центров зелено-синей люминесценции в ZnS
    • 6. 2. Самоактивированная люминесценция соединений А2 В и медленные центры прилипания
      • 6. 2. 1. Фотолюминесценцш (lmsO. 54 мкм) монокристаллов сульфида цинка
      • 6. 2. 2. Инфракрасная (Лт = 0.82 мкм) фотолюминесценция монокристаллов ZriTe р-типа
      • 6. 2. 3. Длинноволновая самоактивированная люминесценция монокристаллов ZnSe
    • 6. 3. Роль быстрых электронных ЦП в процессах излучательной рекомбинации. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА VII. «АНОМАЛЬНЫЕ» НЕРАВНОВЕСНЫЕ ЯВЛЕНИЯ, СВЯЗАННЫЕ С ГЛУБОКИМИ ЦЕНТРАМИ В СОЕДИНЕНИЯХ А2В
    • 7. 1. Об одной разновидности остаточной проводимости
    • 7. 2. Влияние фотоперезарядки центров с глубокими уровнями на подвижность электронов
  • ВЫВОДЫ

Теория генерационно-рекомбинационных процессов, описывающая работу оптоэлектронных устройств, использует самые простые модели релаксации неравновесных носителей заряда в объеме и на поверхности полупроводников. При рекомбинации с участием центров прилипания (ЦП) и рекомбинации (ЦР) носителей заряда применяется модель Шокли-Рида, сечения захвата оцениваются с помощью приближения Лэкса, полевые зависимости аппроксимируются на основании теории Френкеля-Пуля. Применительно к широкозонным полупроводникам группы А2В6 перечисленные модели недостаточно точны, поскольку данный класс полупроводников характеризуется рядом специфических особенностей. Например, наличие трудно контролируемого состава точечных дефектов кристаллической структуры и остаточных примесей, приводит к появлению в их запрещенной зоне богатого спектра электронных состоянийбольшое число макроскопических дефектов (дислокации, границы блоков двойникования и т. п.) в кристаллах приводит к возникновению сильных электрических и упругих полей, что сопровождается флуктуацией зонного потенциала. Перечисленные особенности приводят к тому, что генерационно-рекомбинационные процессы контролируются не одним типом ЦП и ЦР, а всей совокупностью глубоких центров, наблюдаемых в изучаемом образце, а вблизи макроскопических дефектов они существенно отличаются от подобных процессов в «нормальных» областях кристалла. В то же время, однозначное описание процессов генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда в данном классе полупроводниковых материалов весьма важно с точки зрения их практического применения. Последнее обстоятельство заставляет вернуться к поиску простых, но эффективных методов определения характеристических параметров [энергии оптической (Е0) или термической (Et) ионизации, сечения захвата электрона (Sn) и дырки (Sp), сечения захвата фотона (S*.)], глубоких центров, участвующих в генерационно-рекомбинационных процессах с учетом специфики соединения. Необходимо так же идентифицировать структуру и физико-химическую природу центров и установить особенности их взаимодействия с крупномасштабными нарушениями кристаллической структуры объекта исследования.

Таким образом, проблема глубоких центров и связанная с ней необходимость определения физико-химической природы, структуры, характеристических параметров и построение моделей генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниках со сложным энергетическим спектром локализованных состояний и нарушенной трансляционной симметрией кристаллической структуры представляют собой весьма актуальную задачу физики полупроводников и полупроводникового приборостроения.

Настоящая диссертационная работа и посвящена в основном реше.

2 6 нию этой проблемы в широкозонных соединениях группы, А В, являющихся представителями большого класса халькогенидных полупроводников и относящихся к перспективным материалам фотои оптоэлектрони-ки.

Основная цель диссертационной работы — определение структуры, характеристических параметров, физико-химической природы центров с глубокими уровнями, обуславливающих фото-, термоактивационные и люминесцентные свойства соединений А2В6.

Для достижения поставленной цели решаются следующие задачи:

— методами фотои термоактивационной спектроскопии определяются энергетический спектр электронных и дырочных состояний, сформированных глубокими центрами;

— на основании существующих теорий фотои термоактивационной спектроскопии апробируются и разрабатываются алгоритмы и вычислительные процедуры позволяющие с достоверной точностью определять характеристические параметры ЦП;

— определяются структура, характеристические параметры и физико-химическая природа ЦП и ЦР в образцах различного химического состава;

— проводится классификация ЦП и изучаются особенности генераци-онно-рекомбинационных процессов с участием быстрых и медленных электронных и дырочных ЦП в образцах с различным типом макроскопических дефектов, находятся диагностические признаки наличия коллективных электрических полей этих дефектов и предлагаются методы оценки параметров последних;

— сравнением теоретически рассчитанных и экспериментальных фотои термоактивационных спектров доказывается справедливость предлагаемых моделей генерационно-рекомбинационных процессов с участием глубоких центров, протекающих в монокристаллических полупроводниках с нарушенной трансляционной симметрией.

Экспериментальные исследования проводились с применением комплекса методов, основанных на изучении спектральных и кинетических характеристик примесной и индуцированной примесной фотопроводимости, термостимулированного тока, фото-, термои электролюминесценции, оптического и термического гашения фотопроводимости и люминесценции. При реализации данных методов вариацией уровня фотовозбуждения полупроводника в широких пределах осуществлялось управление квазиуровнями Ферми, что позволило раскрыть широкие методические возможности этих методов для изучения особенностей электронной структуры глубоких центров.

Научная новизна работы. Экспериментальные и теоретические исследования, выполненные в диссертационной работе, привели к установлению следующих данных:

Впервые обнаружены: в кристаллах ZnSe квазилинейчатые спектры ФП и ИПФ, обусловленные распределенными по межатомному расстоянию донорны-ми парами типа (Agj)2 и ассоциатами с их участиемнетепловой механизм диффузии атомов участвующих в обратимых фотохимических реакциях (ФХР). Результатом их протекания в кристаллах ZnSe является уменьшение концентрации изолированных междоузельных доноров Ag] и образование ассоциатов Ag («(Agf)nрост неравновесной фоточувствительности полупроводников, обусловленный перезарядкой электронных ЦПэффект пространственной модуляции кинетических параметров электронных и дырочных ЦП коллективным электрическим полем макроскопических неоднородностей кристалла.

Представлены экспериментальные доказательства существования в полупроводниковых соединениях ZnSe, ZnS: быстрых (а-) ЦП и медленных ((3-) ЦП. ЦП а-типа связаны с меж-доузельными атомами серебра (Agj), и их ассоциатамиЦП {3- типа обусловлены дефектными комплексами, в состав которых входят вакансии металла, халькогена и остаточные примеси, определены их характеристические параметры и особенности проявления в генерационно-рекомбинационных процессахоптически активных электронных ЦП с Ее — 0.22 эВ в кристаллах.

ZnSeдвухуровневых дырочных и электронных ЦП с весьма близкими фотоэлектрическими свойствами. Энергетические состояния этих центров сгруппированы в две серии уровней Ev + (0.45 — 0.66) эВ и Ev+ (0.06 — 0.26) эВ в p-ZnTe, Ес — (0.6 — 0.65) эВ и Ес — (0.14 — 0.18) эВ в n-ZnS.

Предложены и уточнены модели: обуславливающих длинноволновые полосы самоактивированной люмицентров сине-зеленой люминесценции сульфида цинкацентров оранжевой люминесценции сульфида кадмия.

Развиты методы фотои термостимулированной спектроскопии глубоких ЦП сложной структуры, основанные на явлении управления квазиуровнями Ферми с помощью вариации уровня фотовозбуждения полупроводника собственным светом.

Научно-практическая значимость работы:

1. Разработаны, теоретически обоснованы и экспериментально проверены новые алгоритмы определения кинетических параметров электронных и дырочных ЦП, основанные на анализе элементарных полос термоактивационных спектров.

2. Предложен метод «оптической очистки» спектров ТСТ, позволяющий определять энергетическую структуру оптически активных ЦП, участвующих в термоактивационных процессах.

3. Предложены методы оценки достоверности определяемых характеристических параметров глубоких центров. центров излучательной рекомбинации несценции в соединениях, А В ;

2П6.

4. Определены характеристические параметры многочисленных центров прилипания и рекомбинации в кристаллах ZnS, ZnSe и ZnTe, нашедших практическое применение в современной оптоэлектронике.

5. Разработана методика легирования кристаллов ZnSe примесью серебра, позволяющая производить их фотоочувствление в средней области ИК-спектра излучения.

6. Предложен метод определения потенциала электрического поля, созданного макроскопической неоднородностью кристаллической решетки полупроводника.

7. Метод экспресс анализа однородности полупроводниковых кристаллов основанный на исследовании спектров ТСТ или TCJT.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. В широкозонных полупроводниках ZnS, ZnSe, ZnTe существуют быстрые (отношение скорости захвата электрона к скорости его рекомбинации с дыркой R"l) и медленные (R"l) центры прилипания носителей заряда. Быстрые центры прилипания обладают не только большими сечениями захвата электронов (St=10'14−10″ 16 см2), но и фотонов (SOВследствие последнего обстоятельства, они проявляют высокую фотоактивность, обуславливая длинноволновую неравновесную фоточувствительность полупроводников.

Медленные же центры прилипания имеют не только малые сечения захвата (St=10″ 17−10'24 см2) носителей заряда, но и фотонов, поэтому их эффективное исследование осуществляется методами термоактивацион-ной спектроскопии.

2. Наблюдаемые в кристаллах ZnSe медленные ((3-) ЦП с уровнями в интервале энергий Ес-(0.11−0.56) эВ связаны с анионными вакансиями. Многообразие энергетических уровней электронных ЦП соответствующих им спектров ТСТ, TCJI и самоактивированной длинноволновой люминесценции — следствие сложной структуры этих центров, обусловлен ных ассоциатами vt-D+y~V с их участием.

3. Энергетические состояния дырочных и электронных ЦП в p-ZnTe и n-ZnS сгруппированы в две серии уровней Ev + (0.45 — 0.66) эВ и Ev+ (0.06 — 0.26) эВ, Ес — (0.6 — 0.65) эВ и Ес — (0.14 — 0.18) эВ соответственно. Они связаны с распределенными по межатомному расстоянию вакансион-но-примесными парами, в состав которых входят двухуровневые катион-ная (VK) и анионная (VA) вакансия. Эти центры относятся к классу медленных ЦП. Они в состоянии с одним носителем заряда проявляют нормальные, а в состоянии с двумя носителями заряда — аномальные кинетические свойства.

4. Аномально малые значения (St=10″ I7−10″ 24 см2) сечений захвата носителей заряда медленных центров прилипания в кристаллах ZnS, ZnSe, ZnTe — результат взаимодействия этих центров с макроскопическими дефектами, создающими сильные электрические поля, что сопровождается флуктуацией зонного потенциала и модуляцией им этого кинетического параметра центров.

5. Быстрые (а-типа) (Ео"0.21 эВ, Sn"10'14 см2) ЦП электронов в кристаллах ZnSe, обусловленные междоузельными атомами серебра. Многообразие энергетических уровней оптически активных электронных ЦП и соответствующих спектров ИПФ — следствие участия этих (Д?,+) центров, в распределенных по межатомному расстоянию ассоциатах типа донор-донорных молекул.

6. Обратимые фотохимические реакции, наблюдаемые в кристаллах ZnSe, являются результатом уменьшение концентрации изолированных междоузельных доноров Ag. и образование ассоциатов Ag-n), (Ag.)n.

Совпадение энергий оптической и термической ионизации доноров Ag°t с энергиями активации процессов уменьшения концентрации этих центров и роста концентрации Agjn) — и (Agf)" - центров в процессе протекания ФХР свидетельствуют о нетепловом характере диффузии доноров Ag°.

7. «Эстафетный» механизм участия глубоких донорных уровней ДАЛ в процессах излучательной рекомбинации, на основании которого объяснены энергетическое положение полос C3JI в кристаллах ZnS, их спектральные сдвиги в зависимости от уровня возбуждения (J — сдвиг), температуры (Т — сдвиг) и времени после возбуждения (t — сдвиг).

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались на II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г. Одесса- 1982 г.) — V Всесоюзном совещании по физике и техническому применению полупроводников А2В6 (г. Вильнюс -1983 г.) — III Всесоюзном и IV Всероссийском совещаниях по физике и технологии широкозонных полупроводников (г. Махачкала — 1986, 1993 гг.) — Международных конференциях «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск- 1997 г.) и «Оптика полупроводников» (Ульяновск-1998;2000 г), «Оптика, оптоэлек-троника и техноло-гии» (Ульяновск-2001;2003 г), VI Всероссийской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург- 2003 г), «Оптика, наноструктуры и технологии» (Сочи -2004, Владимир-2005 и Улья-новс-2006 г).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 36 научных работ из них в центральной и региональной печати 18. Часть опубликованных работ автором диссертации выполнена в соавторстве с Ризахановым М. А. и Зобовым Е. М. (который на протяжении многих лет были научными консультантами автора), Габибовым Ф. С., Эмировым Ю. Н., Абдулгамидовым.

С.А. Автор выражает им благодарность за плодотворное научное сотрудничество. Во всех указанных совместных исследованиях вклад автора диссертационной работы существенен: активно участвовал в сборке экспериментальных установок для исследования фотоэлектрических свойств полупроводниковразработал и осуществил технологические процессы легирования кристаллов селенида цинка серебромсамостоятельно выполнил.

О (измерения на большом числе образцов соединений, А В — внес основной вклад в обработку и интерпретацию результатов исследования.

Структура и объем диссертации

Диссертация изложена на 218 страницах, имеет 8 таблиц и 74 рисунка. Список цитируемой литературы содержит 249 наименований.

Диссертация состоит из семи глав, из которых пять являются оригинальными.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. В специально неактивированных кристаллах ZnSe методом ТСТ и ТСЛ обнаружена квазидискретная система электронных ЦП с уровнями в интервале энергий Ее—(0.11 — 0.56) эВ. Сечения захвата электрона ЦП ано.

17 22 2 мально малы (St=10* -10″ см) и возрастают с глубиной уровня. Показано, что данные ЦП оптически неактивны и относятся к классу медленных ЦП (р-типа). Все особенности этой серии уровней объяснены в рамках модели вакансионно — примесных пар (V]+ - А~)+, которые локализованы в области объемного пространственного заряда, созданного макроскопическими дефектами кристаллической решетки.

2. Расширение спектра значений St у электронных ЦП с дискретным энергетическим уровнем Et — результат распределения ловушек по всему объему пространственного заряда макроскопической неоднородности кристалла.

3. Не воспроизводимость относительной интенсивности полос ТСТ и ТСЛ в различных образцах, вырезанных из одного монокристалла — результат неоднородности последнего, что позволяет использовать метод ТСТ или ТСЛ в качестве экспресс анализа однородности полупроводниковых кристаллов. Предложено оптимальное число методов оценки параметров медленных ЦП и контроля их достоверности.

4. На основе достоверных экспериментальных данных установлено, что полосы ТСТ с Тт=135 К и ИПФ с hvm = 0.59 эВ связаны с термической и оптической ионизацией одного и того же центра Ес — 0.22 эВ. Предложен новый механизм, объясняющий вспышечный характер кинетики ИПФ, связанный с одновременной оптической ионизацией ИК-светом (hv = 0.44 — 0.7 эВ) электронного Ес — 0.22 эВ и дырочного Ev + 0.24 эВ центров и рекомбинацией генерированных носителей заряда на быстрых s-центрах рекомбинации. Огромный сдвиг Франка-Кондона обнаруженный для электронных Ес — 0.22 эВ и дырочных Ev + 0.24 эВ центров объяснен на основе модели потенциальных кривых.

Разработан и апробирован на кристаллах ZnSe метод «оптической очистки» спектров ТСТ, позволяющий установить энергетическую структуру оптически активных ЦП, участвующих в термоактивационных процессах.

5. Показано, что квазилинейчатые спектры ПФ в кристаллах ZnSe обусловлены ассоциатамиA^f, в состав которых входит бивакан-сия селена. Данным центрам соответствует система квазидискретных уровней в интервале энергий Ес — (0.86−1.32) эВ.

6. Методами термостимулированных токов и индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS установлено существование двухуровневых дырочных и электронных ЦП с весьма близкими фотоэлектрическими свойствами. Энергетические состояния этих центров в каждом соединении сгруппированы в две серии уровней Ev + (0.45 — 0.66) эВ и Ev+ (0.06 — 0.26) эВ в p-ZnTe, Ес — (0.6 — 0.65) эВ и Ес — (0.14 — 0.18) эВ в n-ZnS. Центры связаны с вакансионно-примесными парами, в состав которых входят соответственно катионная (Р^)или анионная (VA) вакансия и относятся к классу медленных ЦП. Они в состоянии с одним носителем заряда проявляют нормальные, а в состоянии с двумя носителями заряда — аномальные кинетические свойства. На формирование кинетических параметров этих ЦП оказывают влияние макроскопические дефекты кристалла.

7. В неактивированных кристаллах p-ZnTe наблюдаются глубокие центры характеризующиеся двумя энергетическими состояниями дыркиосновным (уровень Ev +0.48 эВ) и возбужденным (уровень Ev +0.18 эВ).

8. В кристаллах ZnSe обнаружены обратимые ФХР. Результатом их протекания является уменьшение концентрации изолированных междоузельных доноров 4g (°H образование ассоциатов Agjn), (Ag°)n. Ассоциаты Agjn) представляют собой двухатомные молекулы, распределенные по межатомному расстоянию. Ассоциаты (Ag°)" - многоатомные (п>2) молекулы. Вариация межатомного расстояния Ag{" ] - центров и числа атомов в ассоциатах являются причиной обуславливающей многообразие спектров ИПФ и ПФ в кристаллах ZnSe.

Совпадение энергий оптической и термической ионизации доноров Ag. с энергиями активации процессов уменьшения концентрации этих центров и роста концентрации Agjn) — и — центров в процессе протекания ФХР свидетельствуют о нетепловом характере диффузии доноров.

Agl.

9. Методом ТСТ в кристаллах ZnSe обнаружена система оптически неактивных электронных ЦП. Фотостимулированные изменения в спектрах ТСТ являются результатом того, что эти ЦП генерируются в кристаллах с захваченным электроном и испытывают разрушение после его термоэмиссии.

10. Ассоциаты (ag* - ag^ }^ag* - vcdj? включающие быстрые электронные ЦП (Ag (+), являются эффективными центрами излучательной рекомбинации, которые обуславливают оранжевую люминесценцию кристаллов CdS в спектральном диапазоне hv=2.0−2.15 эВ.

11. В соединениях А2В6 n-типа ассоциаты (vk ~ d+) — vj собны играть роль центров длинноволновой самоактивированной люминесценции, обуславливающих: в ZnS полосу излучения А, т=0.54 мкмв ZnSe полосы излучения в спектральном диапазоне Х=0.53−0.71 мкм.

2+ А спообуславливает длинноволновую полосу самоактивированной люминесценции с длиной волны Лт =0.82 мкм.

Свойства длинноволновых полос самоактивированной люминесценции определяются особенностями проявления в неравновесных процессах медленных двухэлектронных Vj+ [двухдырочных VK2 ] ЦП, а также их участием в распределенных по межатомному расстоянию ассоциатах.

12. Явление остаточной проводимости, наблюдаемое в соединениях л с.

А В может быть связано, не только с рекомбинационными барьерами, но и с концентрационным распределением ЦП и ЦР.

О fi.

13. Рост неравновесной фоточувствительности соединений, А В определяется не только концентрацией ЦП и ЦР, находящихся в фотоактивном состоянии, но и увеличением подвижности неравновесных носителей заряда при перезарядке глубоких центров.

Реализация в ZnTe р-типа ассоциатов.

ГГ-Л-У-У?

Показать весь текст

Список литературы

  1. Aven М, PrenerJ.S. Physics and Chemestry of 1.-VI Compounds//Amsterdam.- 1967. (Перевод под ред. С. А. Медведева — Физика и химия соединений А2В6. М.: «Мир».- 1970.)
  2. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во «Физматгиз».-1962. 494 С.
  3. А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд во «Мир».-1966.-138 С.
  4. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во"Наукова Думка".-1981.-264 С.
  5. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во «Мир», — 1977. 562 С.
  6. . Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во «Мир».- 1973. 456 С.
  7. М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физ.- 1973.- т.37.- № 2.- С. 400−404.
  8. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ.- 1946.- т. 10.- № 5−6.- С. 477−487.
  9. Garlic G.F.T., Gibson A.F.The electron traps mechanism of luminescence in sylphide and selenide phosphors.// Proc. Phys. Soc.- 1948.- v. A60.- N342,-P. 574−590.
  10. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров.// М.: «Высшая школа», — 1971. 336 С.
  11. И. Кюри Д. Люминесценция кристаллов.//М.: изд во «ИЛ».-1961.-194 С.
  12. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов.// М.: Физматгиз.- 1959.
  13. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Новосибирск: изд-во «Наука», — 1979.- 333 С.
  14. Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечныхдефектов.//М.: изд-во «Атомиздат».- 1977. 204 С.
  15. Физика соединений А2 В6 // (Под редакцией Георгобиани А. Н., Шейнкмана М.К.).- М.: «Наука».- 1986. 320 С.
  16. Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Полто рака О.М.) М.: «Мир».- 1969. 654 С.
  17. А., Дин П. Светодиоды.// М.:изд-во «Мир».- 1973.- 686 с.
  18. Д.Д., Симашкевич А. В. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во «ШТИИНЦА».-1984.-150 С.
  19. Н.К., Кузнецов В. А. Сульфид цинка получение и свойства. // М.: изд-во «Наука».- 1987. 200 С. 19.
  20. Термолюминесценция и термостимулированный ток методы опреде ления параметров захвата.// «Физика минералов». М.: изд-во «Мир».-1971.- С. 134−155.
  21. А.П., Горюнов В. И. О расчете кривых термостимулиро ванного тока. // Физ. тв. тела.- 1966.- т. 8.- № 6.- С. 1944−1946.
  22. А.Г., Сандомирский В. Б., Ожередов А. Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда кон денсатора.// Физ. и техн. полупроводников.- 1969.- т.З.- № 12.- С. 1755.
  23. Г. С., Ринкавичюс B.C. О методе термостимулированного разряда конденсатора.// Физ. и техн. полупроводников.- 1969.- т.З.3.- С. 445−446.
  24. Hiroshi Sugimoto and Tetsuo Maruyama. Chenge Transfers in the Red-Copper Luminescent ZnS Phosphors Investigated by Electron Spin Resonance Method.// J. of the Phys.Soc. Japan.- 1967.- v.23.- N1.- P. 44−51.
  25. Берман., Лебедев A.A. Емкостная спектроскопия глубоких центров.//
  26. М.: изд-во «Наука».- 1980.- 126 С.
  27. Е.А. Кинетические методы определения параметров уровней прилипания.// Физ. тв. тела.- 1963.- т.5.- № 1.- С. 240−245.
  28. М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.// М.: изд-во «Мир».- 1973.- 416 С.
  29. А.Н., Свечников С. В. Инжекционно-контактные явления в полупроводниках.// Киев: изд-во «Наукова думка».- 1981.- 254 С.
  30. Lu Lianggand. The principle of a new method for determining local trapping states by space-charge-limited current.// J.Appl. Phys.- 1993.- v.73.- № 11.-P. 7487−7490.
  31. Reiss H., Fuller C.S., Morin F.J. Bell. Syst Tech.J.- 1956.- v.35.-P.535−611. (Цитируется no 16.).
  32. Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар.// Изв. АН СССР, сер.физич.- 1973,-т.37.-№ 4.-С. 803−809.
  33. Morgan T.N., Welber В., Bhargana R.H. Optical properties of Cd-0 and Zn-O Complexes in GaP.// Phys.Rev.- 1968.- v. 166.- N3.-P.751−753
  34. Henry C., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound to cadmium and oxygen in gallium phosphide.//In: Proc. conf. Localized exci-tations.- Ed. Wallis R.F. New York: Plenum press.- 1968.- P. 257.
  35. А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия // В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: изд-во «Наука».- 1972.- С. 224−304.
  36. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates// J.Luminescence.- 1973.-V.7.-N1.- P.35−50.
  37. E.H., Рыбкин C.M. Индуцированная инфракрасная чувствительность в некоторых полупроводниках. // ФТТ.- 1960.- т. 11.- № 8.-С. 1889−1892.
  38. Е.Н., Парицкий Л. Г., Рыбкин С. М. Исследование кинетикиинфракрасной примесной фотопроводимости в CdS, индуцированнойпостоянной подсветкой. // ФТТ.- 1960.- т. 11.- № 6.- С. 1160−1163.
  39. М.А., Эмиров Ю. Н., Абилова Н. А. Спектральные сдвигиполос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями.// ФТП, — 1980.-Т.14.- № 9.- С. 1665−1671.
  40. Г. М., Карпович И. А., Магомедов Н. П. Индуцированнаяпримесная фотопроводимость в пленках ZnTe.// Учен, записки Горьковского ун-та.- 1973.- вып. 167.- С. 61−63.
  41. М.А., Габибов Ф. С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS.// ФТП.- 1979.- т.13.- № 7.- С.1324−1328.
  42. М.А., Зобов Е. М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdSe.// ФТП.- 1980.- т.14.-№ 12.-С.2407−2410.
  43. Randall J.T., Wilkins M.H.F. Phosphorescence and electron traps.// Proc. Roy.Soc.- 1945.- 184A.-p.365.
  44. M.A., Зобов E.M., Хамидов M.M. Структурно сложные двухдырочные и двухэлектронные медленные ловушки с бикинетичес-кими свойствами в кристаллах p-ZnTe, n-ZnS. // ФТП.- 2004.- т.38.- № 1. С. 49−55.
  45. М.А. Универсальная диаграмма характеристических пара метров центров прилипания носителей заряда и соответствующих термостимулированных спектров в полупроводниках и диэлектриках.// Физ. тв. тела.- 1989.- т.31.- № П.- С. 193−196.
  46. А.Н., Котляревский М. Б., Рогозин И. В. Глубокие акцепторные центры в А2В6.// Труды междунаодной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах».- Ульяновск: изд-во УГУ.- 1997.- С. 26−27.
  47. Larsen T.L., Varotto C.F., Stevenson D.A. Electrical transport and photo-electronic properties of ZnTe A1 crystals. // J. Appl. Phys.- 1972.-v.43.l.-P. 172−182.
  48. A.H., Котляревский М. Б., Михайленко В. Н. Структура дефектов в ZnS с собственно-дефектной дырочной проводимостью.// Изв. АН СССР. Неорган.материалы.-1981.- т. 17.- № 7.- С. 1329−1334.
  49. А.П. Взаимодействие между центрами люминесценции и захвата в облученных нейтронами монокристаллах сульфида цинка.// Дис. канд. физ.-мат.наук: Свердловск.- 1970.- 134 С.
  50. Ю.П., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2.66 эВ, входящей в состав голубого излучения самоактивированного ZnS.// Журн. прикл. спектроск.1973.- т. 19.- № 3.- С. 469−474.
  51. И.А., Чиковани Р. И., Школьник А. Л., Джахуташвили Т. В. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// ФТТ.- 1964.- Т.6.- № 10.-С. 2945−2952.
  52. В.А., Тале В. Г., Тале И. А. Даушканова JI.B. Энергетический спектр в люминофорах ZnS.// Журн. прикл. спектроск.-1981.-т.34.- № 2.- С. 253−259.
  53. В.Ф., Лепнев Л, С. Стимуляция свечения неактивированных монокристаллов ZnS инфракрасным светом.// Журн. прикл. спект-роск.- 1977.- т.26.- № 4.- С. 706−711.
  54. Ф.Ф., Гордиенко Ю. Н. Спектры ИК-стимулированной люминесценции монокристаллов ZnCdS:Cu.// Журн. прикл. спектроск.1974.-т.20.-№ 1.-С. 76−80.
  55. М.М., Рамазанов П. Е., Сальман Е. Г. Локальные уровни пленок ZnS. // Известия ВУЗов. Сер. Физика.- 1973.- № 10.- С.95−98.
  56. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide.// Appl.Phys.- 1977.-V.48.-N5.- p. 1941−1945.
  57. A.H., Маев Р. Г., Озеров Ю. В., Струмбан Э. Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка.// Изв. АН СССР. Сер.физ.- 1976.- т.40.- № 9.- С. 1079−1983.
  58. Norris C.B. The origin of the 1.59 eV luminescence in ZnTe and na-ture of the postrange defects from implantation. // J. Appl.- Phys.- 1982.- v.53.-№ 7.- P. 5172−5177.
  59. П.С., Корницкий А. Г., Мартынов B.H., Платонов Ю. В., Баюк А. В. Влияние отжига в парах цинка на спектр фоточувствитель ности монокристаллоы теллурида цинка.// ФТП.- 1970.- т.4, — № 5.-С. 900−903.
  60. Aven М., Segal В. Carrier and Shalow Impurity States in ZnSe and ZnTe.// Phys. Rev.- 1963.-v.130.-Nl.- P. 81−91.
  61. Tubota H. Temperature dependences of the resistivity and Hall effect of ZnTe.// Japan J. Appl. Phys.- 1963.- v.2.- № 1.- p. 259−263.
  62. Magnea N., Bensahel D., Pautran J.L., Saminadayar K., Pfister J.C. Electrical and optical identification of the persistent acceptor as copper in ZnTe.// Sol. Stat. Commun.- 1979.- v.30.- № 5.- P. 259−263.
  63. B.B., Потыкевич И. В., Рыбалка B.B. и др. Фотопроводимость легированных кристаллов ZnTe.//ФТП.- 1970.-т.4.-№.9.-С. 835.
  64. Shirakawa J., Kukimoto Н. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSei.x.// Solid State Commun.-1980.- v.34.- N5.-P. 359.
  65. П.Л., Палмре И. В. Центры свечения в легированном ZnSe и энер гия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы.-1980.- t.16.-N 11, — С. 1916−1920.
  66. Wakim F.G. Stimulated photocurrent and thermally stimulated current exci tation spectra in cubic ZnSe crystals.// J.Appl.Phys.-1970.-v.41.- N 2.- p. 835.
  67. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.// J.Appl.Rhys.- 1984.- v.55.- N15.- P. 1614−1616.
  68. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements. // Solid Stat.Commun.-1969.- v.24.- № 7.- P. 1757
  69. Ю.Ф., Малушин Н. В., Сердюк В. В. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн.прикл.спектроск.- 1976.- т.25.- № 5.- С. 832−835.
  70. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlled Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979.-v.18.-N10.-P. 1965−1972.
  71. Halsted R.E., Aven М. Photoluminescence of defect exciton complexes in II-VI compounds.//Phys. Rev. Lett.- 1965.- V. 14.- № 3.- P. 64−65.
  72. Kishida S., Matsuura K., Fukuma H. et al. Optical absorption bands in neutron irradiated ZnSe find ZnSo.5Seo.5 crystals. // Phys. Stat. Sol.(b).- 1982.-V.113.-№ 1.- P. K31-K32.
  73. Lee K.M., Dang L.S., Watkins G.D. Optically detected magnetic resonance of zinc vacancy in ZnSe.// Solid State Commun.- 1980.- V. 35.- № 7.- P. 527 -530.
  74. M.K., Беленький Г. Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// ФТП.- 1968.- т.2.- № 11.- С.1635−1638.
  75. Bube R.H., Lind E.L. Photoconductivity of ZnSe crystals and correlation of donor and acceptor levels in II-VI photoconductors.// Phys. Rev.- 1958.
  76. V.l 10, — № 5, — P. 1040−1049.
  77. B.A., Маликова JI.B., Морозова В. И., Симашкевич А. В. Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.// Изв. ВУЗов, сер. физика.- 1989.- № 3.- С. 42−46.
  78. А.Н., Котляревский М. Б., Леонтьева О. В., Пегов А. А. Собственно-дефектные электрически активные акцепторные центры в селениде цинка р-типа.// Краткие сообщ. по физике ФИАН.- 1986.-№ 6.-С. 21−23.
  79. Yu P.W., Park Y.S. р-Туре Conduction in Undoped ZnSe.// Appl. Phys. Lett.- 1973.- V.22.- № 7. p. 345−347.
  80. H.K., Гаврипцок E.M., Каретников И. А., Блинов В. В., Зимо-горский B.C., Галстян В. Г., Яшина Э. В. Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью.// Неорган, материалы.- 2002, — т. 38.- № 6,1. С. 674−680.
  81. О.Н., Ревзин Л. С., Рыдун О. И., Сигал Г. П., Шапиро A.M. Исследование межпримесных фотопереходов в зеленой люминесценции ZnS-Cu фотолюминофорах. // Журн. Прикл. Спектроскопии.-1977.- т. 26.- № 4.- С. 673−677.
  82. A.M., Гутман В. Б., Ильина М. А. О природе глубоких центров свечения в ZnS-фосфорах активированных серебром и медью. // Изв. АН СССР, физика.-1971.- т. 35, — № 7.- С. 1467−1469.
  83. М.А., Абрамов И. Я., Хамидов М. М. Объяснение зелено-синей люминесценции в ZnS-Cu на основе новой модели центров свечения. // ФТП.- 1978.- т. 12.- № 11.-С. 2186−2191.
  84. Н.Е., Кролевец Н. М., Маркевич И. В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью.// ФТП.-1975.- т.7.-№ 2.- С. 275−278.
  85. Ullman F.G., Dropkin J.J. Infrared enhancement and quenching of photoconduction in single crystals of ZnS: Cu// J. Electrochem/ Soc. -1961.-V.108.-№ 2.-P. 154−159.
  86. Swaminathan V., Green L.C. Low temperature photoluminescence in Agdoped ZnSe.// J. Luminescence.- 1976.- V.14.- № 5/6.- P. 357−363.
  87. Baker A.T.J., Bryant F.J., Lowther J.E. The visible luminescence of copperdoped zinc telluride.// J. Phys. C.- 1973.- V. 6.- № 4.- P. 780−783.
  88. J.R., Molva E., Pautrat J.L. ^identification of Cu and Ag acceptors in CdTe.// Ibid.- 1982.- v.43.- № 11.- P. 801−805.
  89. Ю.В., Тимофеев Ю. П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении.// Изв. АН СССР. Сер. физ.- 1969. т. 33, N 6, с. 951−960.
  90. М.А. Объяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах.// ФТП.- 1982, — т. 16.- № 4. -С. 699−702.
  91. Е.М., Гарягдыев Г. Г., Ризаханов М. А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// ФТП.-1987.-т.21.- в. 9.-С. 1637- 1641.
  92. М.А., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// ФТП.-1975.- т.9.- № 4.- С. 779−782.
  93. Е.В., Мельник В. В. Свойства кристаллов ZnSe, легированныхфосфором.// Неорган, материалы.- 1995.- т.31.- № 10, — С. 1294−1295.
  94. Л.И., Горя О. С., Короткое В. А., Ковалев Л. Е., Маликова Л. Си машкевич А.В. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при on тической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы.- 1995.-т.31.-№Ю.-С. 1296−1298.
  95. М.М., Махний В. Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd. // Неорган, материалы.- 1995. т.31.- № 10.- С. 1299−1301.
  96. М.М., Махний В. П., Мельник В. В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы, 1997.-т.ЗЗ.-№ 2.- C.181−183.
  97. Bhargava R.N., Soymowi R.I., Fitzpatrik B.I., Herko S.P. Donor-acceptor pair band in ZnSe. // Phys. Rev.B. 1979.- V. 20.- № 6.- p. 2407−2419.
  98. Holten W.C., de Wit M., Estle T.L. Self-activated ZnS and ZnSe: lumines cence and electron spin resonance. // Intern. Luminescence Sympos. And Chem. Szintillator.- Munchen.- 1965.- P 454−459.
  99. Aven., Keunicott P.R. Semiconductor device concepys. // Scientific Report N. AF-19 (628)-329, U.S.- Air Forse Cambridge Research Laboratories, Bedford, Massachusetts.- 1964.- P. 17−20.
  100. Emelyanenko O.V., Ivanova G.H., Lagunova T.S. et al. Scattering mecha nisms of electrons of ZnSe crystals with high mobility. // Phys. Stat. Sol. (b).- 1979.- V.96.- № 2.- P. 823−833.
  101. П.В., Недоогло Д. Д., Нгуен Фнь Минь. Электрические свойства селенида цинка, легированного алюминием и галлием. // В кн.: Фи зические процессы в полупроводниках.- Кишинев: Штиинца.- 1977.126 с.
  102. Park Y.S., Hemenger P.M., Chung C.H. p-type conducting in Li-doped ZnSe.// Appl. Phys. Lett.-1971.- V. 18.- № 2.- P. 45−46.
  103. Henning J.C.M., Boom H. van den, Dieleman J. Electron-spin resonance jf CO+2 in cubic ZnAe. //Phil. Res. Repts.- 1966, — V.21.- № 1.- P. 16−26.
  104. Terada T. Photoconductivity of phosphorus-ion-implanted zinc selenide.// J. Phys. Soc. Jap.- 1976.- V.40.- № 4. P. 1048−1055.
  105. Swaminathan V., Greene L.C. Pair spectra, edge emission the shallow acceptors in melt-grown ZnSe.// Phys. Rev. В.- 1976.- V.14.- № 12.1. P. 5351−5363.
  106. Roppisher H., Jacobs J., Novicov B.V. The influence of Zn and Se heat treatment on the exciton spectra of ZnSe single crystals. // Phys. Stat. Solidi (a).- 1975.- V.27.- № 1.- P. 123−127.
  107. В.П., Савицкий A.B., Никонюк E.C. и др. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германиием. // ФТП.- 1974.- т.8.- № 5.- С. 1035−1037.
  108. Ю.П., Фарина И. А., Гамарник Р. В. и др. Оптические и фото электрические свойства кристаллов CdTe:Fe и Cdi.xFexTe.// ФТП.-1993.- т.27.-№ 10.-С. 1639−1650.
  109. Simons A.J., Thomas С.В. Mexanisms' of electronic conduction through thin film ZnS: Mn.// Phil. Mag.B.- 1993, v.68, № 4, p. 465−473.
  110. B.C., Манжаров B.C., Ткачук П. Н., Цосопь B.M. Термовы свечивание селенида цинка легированного акцепторными примеся ми.// ФТП.- 1980.- т. 14.- N8.- С. 1621−1624.
  111. А.И. Спектроскопия сульфида цинка и других соединений, А В, активированных ионами переходных металлов.// Автореф. Док торской диссертации, — Л.: 1973.-23 с.
  112. В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д. В., Литовченко В. Г. Оптические свойства полупроводников (справочник). // Киев: изд-во «Нау-кова Думка».- 1987.- 607 с.
  113. Л.С. Взаимодействие собственных и примесных дефектов в люминесцентных полупроводниковых материалах на основе халько генидов цинка.// Автореф. Докторской диссертации.- М.: 2002.- 25 с.
  114. Elmanharawy M.S., Abdel-Kader A. On the nature of fluorescent centers and traps in some ZnS-phosphors activated with silver and copper.// Acta Phys. Polon.- 1979, — v. A56.- N1.- P. 19−29.
  115. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.// J.Chem.Phys.- 1958.- v.29.- N1.- P.128−137.
  116. M.K., Тягай В. А., Беленький Г. Л., Бондаренко В. Н. Исследование природы очувствления CdSe монокристаллов в результате их травления.// Укр. физ. журнал.- 1968.- т.13.- № 9.- С. 1453−1457.
  117. Prener J.S., Weil D.J. The luminescent center in self activated ZnS phosphors.//J. Electrochem.Soc.- 1959.- v.106.- P.-409.пленок ZnS// Известия ВУЗов. Физика.- 1973.-№ Ю.- С. 95−98.
  118. М.С., Гоер Д. Б., Мацко М. Г. Ассоциация дефектов в ZnTe. // ФТП, — 1973.- т.7.-№ 5.- С. 705−708.
  119. Title R.S., Mandel G., Morehead F.F. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors II n-ZnTe.//Phys.Rev.- 1964.-v.136.- № 1A.- P. A300−303.
  120. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recombination centers in singl crystals of CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).- 1975.-v.31.-N1.- P. 301−307.
  121. А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лит. физ. сборник.- 1979.- т. 19.- № 2, — С. 233−240.
  122. Р., Вищакас Ю., Сакалас А., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.-1974.-т.14.-№ 4.-С. 609−611.
  123. И.Н., Городецкий И. Я., Любченко А. В. и др. Параметры быстрых центров рекомбинации в CdS и их влияние на фоточувствительность.// Укр. физ. журнал.- 1973.- т.17.- № 3.- С. 599−605.
  124. А.В., Потыкевич И. В., Борейко Л. А. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-типа.// ФТП.-1971.- т.5, — № 9.- С. 1704−1707.
  125. .И., Матлак В. В., Парфенюк О. А., Савицкий А. В. Особенности комплексообразования в р- CdTe при значительных концентрации ях собственных дефектов.// ФТП.- 1986.- т.20.- № 5.- С. 849−852.
  126. Л.Г., Петренко В. Р., Уйлист Г. В. Исследование глубокого дислокационного уровня в ZnSe методом фотостимулированной про водимости. // ЖЭТФ.- 1978.- т.74.- № 2.- С. 742−743.
  127. И.Я., Дубенский К. К., Лашкарев В. Е., и др. Определение параметров рекомбинационных центров в монокристаллах ZnSe. // ФТП.- 1967.- т.1.-№ 11.- С. 1666−1673.
  128. Tcholl Е. The photochemical interpretation of slow phenomena in cadmium sulphide.// Philips Res. Repts. (Suppl).- 1968.- № 6.- P. 1−93.
  129. Saton Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated Current of Zinc selenide. Heat-treated in Controlied Partial Pressures of Constituent Elements. // Japan J. Appl. Phys.- 1980.- v. 19.- N 3.- P. 485−490.
  130. Besomi P., Wessels B. Deep level defects in heteroepitaxial zinc selenide. // J. Appl. Phys. 1982.- v.53.- № 4.- p. 3076−3084.
  131. Н.И., Загоруйко Ю. А., Мигаль В. П. и др. Исследование монокристаллов и пленок ZnSe методом термостимулированной про водимости в режиме токов, ограниченных пространственным заря дом. // Деп. в НИИТЭХИМ.- Черкасы: 1975.- N 469.
  132. Verity D., Bryant F.I., DaviesI.I. Nicholls I.E. et.al. Deep levels and as sociated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe «Singl Crystals».// J.Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982.-v.15.- N26.- P.5497−5505.
  133. Sringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe crystals.// Phys. Rev.- 1968.- v.171.- N3, — P. 903−915.
  134. B.C., Манжаров B.C., Ткачук П. Н., Цосопь B.M. Термовы свечивание селенида цинка легированного акцепторными приме сями.// ФТП.- 1980.-т.14.-№ 8.-С. 1621−1624.
  135. У.А. Люминесценция селенида цинка, обусловленная де фектами замещения.// Автореферат диссертацииции канд. наук. М.: 1999.-25 с.
  136. Dean P.J., Fitzptrick B.J., Bhargava R.N. Optical properties of ZnSe doped with Ag and Au.// Phys. Rev. В.- 1982.- v.26.- № 4.- P. 2016−2035.
  137. А.А., Борисенко Н. Д., Коваленко A.B. Глубокие примесные уровни в кристаллах ZnSxSei.x.// Изв. АН СССР. сер. Неорган. Мате риалы.- 1983.- т. 19.- № 3.- С. 376−379.
  138. А., Загадворов П., Максимов Ю., Степанов Ю. Спектр зеленой люминесценции ZnSe.// ФТТ.- 1988.- т.ЗО.- № 7.- С. 2206.
  139. К.Д. и др. Изменение ансамбля центров излучательной рекомбинации в селениде цинка под влиянием термообработки.// ФТП, — 1989.- т.23.- № 4.- С. 737−739.
  140. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion implant tatin.// Appl. Phys. Lett.- 1989.- v.53.- № 24.- P. 2403−2405.
  141. ., Корсунская H.E., Рыжиков В. Д. и др. Структура центров свечения в кристаллах ZnSe.// ФТП.- 1993.- т.27.- № 8.- С. 12 401 246.
  142. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultaneus measurement of thermally stimulated luminescence and thermally stimulated current of ZnSe singl crystal.// J. Phys. D.-1995.-v.28.- № 9.-P. 1951−1957.
  143. Dean P.I. Comparison of MOCVD-Grown wish conventional II-VI mate Rials parameters of EL thin films. // Phys. Stat. Sol.-1984.-v.81.- № 2.- p. 625−646.
  144. Bawobek E.I., Wessels B.W. Optical properties of deep centers in semi-insulating ZnSe. // Thin Solid Films.- 1983.- v. 102.- № 3.- p. 251−258.
  145. М.А., Хамидов М. М., Гарягдыев Г. Г., Абдулгамидов С. А., Гасанбеков Г. М. Структура и параметры центров прилипания в неак тивированных кристаллах ZnSe.// Межвуз. научно-техн. Сб. «Широ козонные полупроводники».- Махачкала.- 1988.- С.140−145.
  146. М.А., Хамидов М. М. Фотоэлектрически активные и неак тивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe. // ФТП.- 1993.- т. 27.- № 5.- С. 721−727.
  147. Е.М., Магомедова П. М., Сафаралиев Г. К., Хамидов М. М. Тер моактивационные процессы в неактивированных кристаллах ZnSe.// Вестник ДГУ «Естественно-технические науки».- Махачкала.- № 4.1997.- С. 52−55.
  148. Gobrecht Н., Hofmann D. Spectroscopy of traps by fractional glow techi que. // J. Phys. Chem. Sol. 1966.- v. 27, — № 3. — p.509−532.
  149. Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc sylphide phosphors.// Philips. Res. Rep.- 1958.- v.13.- P. 5 1 5−659.
  150. М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14−0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термоактивационными методами. // Депонировано ЦНИИ «Электроника». Р-3271.-2.08. 1981.
  151. М.А., Габибов Ф. С., Гасанбеков Г. М. Электронные центры захвата, наблюдаемые термоактивационными методами в халькогенидах кадмия. // Депонировано в ВИНИТИ, — № 385.- 1981,
  152. С., Murri R., Quirini А., е.а. Photoelectronic properitis of n-GaSe.// Phys. Stat. Sol. (a). 1976.- v. 38.- JVb 2, p. 685−693.
  153. В.Я., Цикин A.H., Штурбина H.A. Дефекты и старение монокристаллов титаната стронция.// Всесоюзн. Конф. «Физика диэлектриков и перспективы ее развития». Сб. рефератов. JL: 1973.- Т. 2.- С. 190−192.
  154. В.П., Титов М. Н. Исследование глубоких примесных центров в СИД методом термостимулированной ЭДС. // ФТП.- 1976.- т. 10.-№ 2.- С. 256−261.
  155. De Muer D., Maenhout Van der Vorst W.// Thermoluminescence of ZnOporwder. // Physika- 1968.- v. 39.- p. 123−132.
  156. Nickolas K.H., Woods J. The evaluation of electron trapping parameters from conductivity glow curves in cadmium sulphide.// Brit. J .Appl. Phys.-1964.-v.15.-№ 7.-P. 783−795.
  157. М.М. Метод «оптической очистки» интегральных спектров термостимулированных токов, обусловленных ловушками с квазиди скретным спектром электронных состояний. // Вестник Дагестанского научного центра РАН.- 2006.- (принято в печать).
  158. Е.Н., Касымова Р. С., Рыбкин С. М. Кинетика индуцирован ной примесной фотопроводимости в теллуриде кадмия.// ФТТ.-1961,-т.З.- № 8.- С. 2417−2426.
  159. М.А. Оптическое гашение фотопроводимости в CdS обусловленное донорно-акцепторными парами. // ФТП.- 1975.- т.9.- № 10.-С. 2002−2004.
  160. С.А., Хамидов М. М., Демиров Н. А., Макаева А. А. Ква зилинейчатые спектры примесной фотопроводимости в кристаллах ZnSe. //Вестник ДГУ, естеств. науки.- 2003.- вып. 1.- С. 5−8.
  161. Ю.В., Шейнкман М. К. Эффекты модуляции сечений захвата носителей заряда на рекомбинационные центры и их роль в люминес ценции.// Изв. АН СССР, сер. физич.- 1974.- т. 38.- № 6.- С. 1330−1333.
  162. И.В., Шейнкман М. К. Особенности термостимулированной проводимости в неоднородных полупроводниках. // ФТП.-1971.- т. 10. № 9.-С. 1987−1989.
  163. Е.М., Ризаханов М. А. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой с дискретным энергетическим уровнем вристаллах y-La2S3.// ФТП.- 2001.- т. 35.- № 2.- С. 171−176.
  164. Е.М., Ризаханов М. А., Хамидов М. М., Магомедов Н. М. Эффект расширения в зону сечения захвата электрона ловушкой в порошках промышленных люминофоров К-83, К-96. // Тезисы международной конф. «Оптика полупроводников».- Ульяновск.- 2000, — С. 84.
  165. Lax М. Cascade capture of electrons in solids.// Phys. Rev. 1960.-v.119.-P. 1502.
  166. Bates D.R., Leadsham K., Steward A.L. Wave funchin of the hydrogen molecular ion.// Philos.Trans., Roy.Soc.Lond.Ser.A.-1953.-v.246.- № 910.-P. 215−240.
  167. M.A., Хамидов М. М. Двухзарядная электронная ловушка в кристаллах ZnS. // Тезис докладов на научно-практической конференции молодых ученых Дагестана.- Махачкала.- 1979.- ч. II.- С. 29
  168. М.А., Хамидов М. М. Экспериментальное доказательство существования двухэлектронного центра захвата в ZnS. // ФТП.- 1979.т. 13.- № 8.- С. 1517−1522.
  169. М.А., Хамидов М. М., Гарягдыев Г. Г., Абдулгамидов С. А., Агаев Я. А. Глубокие центры прилипания в кристаллах ZnTe.// Известия. Ан ТССР, сер. Физ.-техн., хим. и геология.- 1987.- № 3.- С. 94−97.
  170. Е.М., Ризаханов М. А., Хамидов М. М. Энергетический спектр двухуровневых ловушек и ассоциатов с их участием в кристаллах п-ZnS, p-ZnTe. // Тезисы международной конференции «Оптика, полупроводники и технологии». Ульяновск.- 2001.- С. 123.
  171. А.Е., Берлан В. И. Термолюминесценция и термостиму лированная проводимость в ZnTe. // В кн."Новые полупроводниковые соединения и их свойства", Кишинев: изд-во «Штиинца».-1975.-С. 83−87.
  172. Larssen D.L. Admittance spectroscopy of deep impurity levels- ZnTe schottky barriers.// Appl. Phys. Lett.- 1972.- v.21.- № 2.- P.54−56/7
  173. И.К., Бочкарев A.B., Михалаш П. Г., Пахарьков Е. С., Си-машкевич А.В. В сб.: Электролюминесценция твердых тел и ее применение. // Киев: изд-во «Наукова Думка».- 1972.- С.ЗЗ.
  174. М.А. Об одной возможности определения сечения захвата электрона ловушками.// Изв. ВУЗов, физика,-1971.-№ 1.-С. 153−154.
  175. М.А. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. Электронно-атомные теории первичных фотобиологических явлений.// Изд-во «Бари».- Махачкала.- 1998.
  176. Reiss Н., Fuller C.S., Morin F.J. Bell. Syst. Techn. J.- 1956.- v. 35.- P. 535. 153.
  177. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса. // Л.: Изд-во «Химия».- 1973.- 572 с.
  178. В.Н., Тутуров Ю. Ф. Филимончева П.Н. Инжекционный отжиг диодов на основе Ge после облучения быстрыми нейтронами. // Изв. АН СССР «Неорган, материалы».- 1974.- т. 10, — № 11.- С. 19 261 932.
  179. Дж., Бургуэн Ж. Дефектообразование в полупроводниках. // В кн.:"Точечные дефекты в твердых телах".- М.: «Мир».-1979.- С. 9−162.
  180. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of recombination enhanced defect reactions in semiconductors. // Phys. Rev. Lett.- 1974. V. 33.- № 8.- P. 489−492.
  181. Weiser К. Theory of diffusion and equilibrium position of interstitial impu rities in diamond batter’s. // Phys. Rev.- 1962.- v. 126, — № 6.- P. 14 261 436.
  182. .JI. Метод радиационных воздействий в исследовании структуры и свойств твердых тел. // В сб.: «Прикладная ядерная физика». Материалы конференции молодых ученых. Ташкент.-1971.-т. I.- С. 221.
  183. Bourgoin J., Corbett J. A new mechanism for interstitial migration. // Phys. Lett.- 1972.- v. 38A.- № 2.- P. 135−137.
  184. M.K. Новое объяснение рекомбинационно-стимулирован-ных явлений в полупроводниках. // Письма в ЖЭТФ.- 1983.- т. 38.- № 6.- С. 278−280.
  185. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и ми грации дефектов в полупроводниках. // М.: Изд-во «Наука».-1981.-158 с.
  186. М.А., Хамидов М. М. Фотостимулированные явления не тепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe-Ag.// Письма в ЖТФ.- 1985.- т.11.- вып. 9.- С. 561−567.
  187. М.А., Хамидов М. М., Эмиров Ю. Н. Фотостимулированная генерация донорных пар в монокристаллах ZnSe.// Изв. РАН «Неорганические материалы».- 2000.- т. 36.- № 12.- С. 1428−1431.
  188. М.А., Эмиров Ю. Н., Хамидов М. М. Фотостимулированная ассоциация междоузельных доноров в полупроводниках А2В6. // Тру ды международной конференции «Оптика полупроводников» .Ульяновск. 2000.- С. 170.
  189. Н.Е., Маркевич И. В., Шейнкман М. К. Фотохимическое преобразование спектров люминесценции кристаллов ZnSe. // ФТТ.-1981,-т.10.-№ 2.-С. 522−524.
  190. П.С. Физика полупроводников. // М.: изд-во «Высшая школа»,-1969.-. С. 199 и С. 558.
  191. Kolas W., Wolniewicz L. Potential energy curves for the X Xq, Xu and 'Пи states of hydrogen molecule. // J.Chem. Phys.- 1965.- v.43.- № 7.- P. 24 292 441.
  192. M., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках (теория). М.: «Мир».- 1984, — 263 с.
  193. М.К. Увеличение фоточувствительности и интенсивности люминесценции при фототермической диссоциации донорно-акцеп-торных пар в CdS. // Письма ЖЭТФ.- 1972.- т.15.- № 11.- С. 673−676.
  194. Shionoya Sh., Era К., Washizawa J. // J. Phy. Soc. Japan.- 1966, — V. 21.- P.
  195. Era К., Shionoya Sh., Washizawa J. // J. Phy. Chem. Sol- 1968.- V. 29.-P. 1827.
  196. Era K., Shionoya Sh., Washizawa J. //J. Phy. Chem. Sol.- 1968.- V. 29.-P. 1843.
  197. A.M., Ильина M.A., Катомина P.B. Некоторые вопросы физики и химии сульфидных люминофоров. // Изв. АН СССР, физика.- 1969.т. 33.-№ 5.-С. 879−884.
  198. A.M., Ильина М. А., Паир К. Ю., Рубане К. В сб.: «Электролюминесценция твердых тел».- Киев: Изд-во «Наукова Думка»,-1971.
  199. Knobloch Т., Rallmann Н., Kramer В. Int. Lumineszenz-Symposium. Munchen.- 1966.
  200. Кюри Д, Пренер Д. С. Люминесценция, связанная с глубокими уровнями. // В книге Physics and Chemestry of II-VI Compounds// Amster dam.- 1967. (Перевод под ред. С. А. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: «Мир».- 1970.).- С. 333 — 372
  201. D.G., Gershenzon М., Trumbore F.A. // Phys. Rev.- 1964, — V. 133.-P. A269
  202. Т. Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения.// В книге Physics and Chemestry of II-VI Compounds// Am sterdam.- 1967. (Перевод под ред. С. А. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: «Мир».- 1970.).- С. 296 — 332.
  203. М.А., Абрамов И. Я., Хамидов М. М., Эмиров Ю. Н. Объяснение некоторых особенностей зеленой и синей люминесценции в ZnS. // Сб. «Прикладная физика твердого тела».- Махачкала- 1976. -С. 5−7.
  204. М.А. Новая модель центров ИК-свечения и поглощения в системе ZnS-CdS // ФТП.- 1976.- т. 10.- № 9. С. 1627−1633.
  205. A.M., Гутман В. Б., Ильина М. А. Центры свечения и особенности распределения дефектов в ZnS-фосфорах активированныхиновалентными примесями. // Изв. АН СССР, физика.- 1973, — т. 37.-№ 2.-С. 419−422.
  206. Антонов-Романовский В.В. // ФТТ-1971.- т. 13, № 3.- С. 853−856.
  207. G., Rogriguez S. //Phys. Rev.-1961.- V. 124.- P. 1321.
  208. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. К вопросу о происхождении центров свечения и уровней захвата электронов в самоактивированных кристаллах ZnS.// Журн. прикл. спектроскоп.-1969.- t.10.-N5.- С. 819−824.
  209. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Приготовление кристаллов сульфида цинка и природа центров голубого свечения самоактивированного ZnS.// Труды ФИАН СССР, М.: изд-во «Наука».- 1972.- т.59.- С. 38−64.
  210. З.П., Панасюк Е. И., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. Свойства индивидуальных полос излучения самоактивированного сульфида цинка и природа соответствующих центров свечения.// Изв. АН СССР, сер.физич.-1971.- т.35.- С. 1437−1440.
  211. И.Б., Коновец Н. К. Особенности рекомбинационных процессов в твердых растворах Znx Cdix S.// Укр .физ. журнал.- 1973,-т.18.-№ 5.- С. 732−746.
  212. Ю.В., Георгобиани А. Н., Гершун А. С. и др. Рекомбинацион-ное излучение в сульфиде цинка.// Оптика и спектроскопия.- 1967.-Т.22.- № 4.- С. 655−656.
  213. Serdyuk V.V., Korneva N.N., Vaksman Yu.F. Studies of long-wave luminescence of ZnSe monocrystals.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1975.- v.32. № l.-P. 173−183.
  214. Г. Н., Недеогло Д. Д., Симашкевич A.B., Сушкевич К. Д. Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селенида цинка.// Журн. приклад, спектроск.- 1979.- т.30.- № 3.- С. 459−463.
  215. B.C., Григорович Г. М., Курик М. В., Макаренко В. В. О механизме инфракрасной фотолюминесценции теллурида цинка.// ФТП.1974.- т.8.~ № 11.- С. 2251−2253.
  216. А.Н., Котляревский М. Б., Михайленко В. Н. Собственно-дефектные центры люминесценции в ZnS р-типа.//Труды ФИАН СССР.- 1983.-Т.138.-С. 79−135.
  217. Lee К.М., O’Donnell К.Р., Watkins J.D.// Solid State Communs.- 1982.-v.41.~ N12.- p. 881−883 (цитируется no 135.).
  218. М.М., Зобов Е. М., Зобов М. Е. Самоактивированная люминесценция и ее связь с центрами прилипания в сульфиде цинка. И Известия ВУЗов Северо-Кавказкого региона. Серия физика.- 2006.-№ 9.- С 43−50.
  219. Е.М., Магомедова П. М., Сафаралиев Г. К., Хамидов М. М. Электролюминесценция симметричных структур In-ZnSe-In.// Вестник ДГУ «Естественно-технические науки».- Махачкала.- № 4.- 1997, — С. 49−51.
  220. Е.М., Магомедова П. М., Хамидов М. М. Длинноволновая самоак тивированная люминесценция монокристаллов ZnSe. // Труды Международной конференции «Оптика полупроводников».- Ульяновск, 1998.- С. 58−59
  221. Lamb J, Klick С.С. Model for luminescence photo conductivity in sulfides. // Phys. Rev. 1955.- V.98.- P. 909−914.
  222. H.A., Витриховский Н. И., Денисова 3.A., Павленко В. Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии. // Оптика и спектроскопия.- 1966.- т.21.- № 4.- с. 466−475.
  223. Kulp В.А. Displacement of the Cadmium atom in single crystal CdS by electron bombardment.//Phys. Rev.- 1962,-v. 125.-P. 1865−1869.
  224. Colbow K., Juen K. Radiative recombinathion in Cadmium Sulfide. // Canada J. Phys.- 1972.- V.50.-P. 1518−1521.
  225. И.Б., Матвиевская Г. Н., Шейнкман М. К. О природе центров оранжевой люминесценции в CdS. // ФТП.- 1975.- т. 9.- № 8.- С. 1620−1623.
  226. Ю.Н., Остапенко С. С., Ризаханов М. А., Шейнкман М. К. Структура центров «оранжевого» свечения в сульфиде кадмия.// ФТП.- 1982.- т. 16.- № 8.- С. 1371−1376.
  227. РизахановМ.А., Гасанбеков Г. М., Хамидов М. М., Габибов Ф. С., Пекарь Г. С. Об одной разновидности остаточной проводимости в полупроводниках типа CdS. // ФТП.- 1975.- т. 9. № 9.- С. 1837−1839. 241.
  228. И.А., Звонков Б. Н., Ризаханов М. А. Явление остаточной проводимости в пленках CdSe. // ФТТ.- 1970.- т. 12.- № 8.- С.2220−2223.
  229. И.В., Шейнкман М.К. Свойства и механизм остаточной проводимости в монокристаллах CdS
  230. В.Б., Ждан А. Г. Мессерер М.А., Гуляев И. Б. // ФТП.-1973.-т. 7.-С. 1314−1317.
  231. А.И., Рывкин С. М., Шлимак И. С. // ФТП.-1972.- т. 6. С. 2308.
  232. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Комплексное исследование кинетики процессов рекомбинации и инфракрасного гашения фототока в сульфиде кадмия. // Физ. тв. тела.- 1965.- т. 7.- № 6.- С. 1717−1720.
  233. Е.М., Ризаханов М. А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe:Ag в среднем диапазоне Ж света. // ФТП.- 1989.- т.23.- № 7.- С. 1291- 1293.
  234. М.М., Зобов Е. М., Зобов М. Е., Макаева А. А. Влияние термообработки на фото-, термостимулированные процессы в кристаллах ZnSe.// Труды междунар. Конференции «Опто-, наноэлектроника, на нотехнологии и микросистемы».- Ульяновск.- 2006.- С. 154.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!