Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d — элементами

Диссертация: Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d — элементами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Среди глубоких центров особое место занимают центры, создаваемые переходными металлами (Т — металлами), главной особенностью которых является незавершенность их d — оболочки, которая и определяет характерные свойства этих центров в полупроводниковых соединениях aV. Благоприятным обстоятельством для детального изучения свойств центров Т — металлов является то, что ионы с незаполненной d… Читать ещё >

Влияние электронного облучения и термообработки на электрические и оптические свойства кристаллов фосфида индия, легированного 3d — элементами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СОСТОЯНИЕ И ПОВЕДЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ А3В
  • X. I. Глубокие центры в полупроводниковых соединениях
  • А3В
    • 1. 2. Общее положение изучения глубоких уровней в фосфиде индия
    • 1. 3. Влияние электронного облучения на свойства полупроводниковых соединениях 3 В
    • 1. 4. Влияние облучения быстрыми электронами на электрофизические свойства фосфида индия
    • 1. 5. Постановка задачи исследования
  • 2. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА. КРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИНДИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА
    • 2. 1. Методика эксперимента и характеристики образцов
    • 2. 2. Результаты измерений и их обсуждение .","
  • ВЫВОДЫ
  • 3. ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАМИ И ТЕРМООБРАБОТКИ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОБРАЗЦОВ ФОСФИДА ИНДИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ПРИМЕСЯМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА
    • 3. 1. Исследование компенсированных образцов, облученных электронами с энергией I МэВ
      • 3. 1. 1. Результаты эксперимента
      • 3. 1. 2. Обсуждение результатов
    • 3. 2. Влияние низкотемпературного отжига на электрические свойства кристаллов фосфида индия, легированных примесями группы железа .ЮЗ
      • 3. 2. 1. Методика эксперимента
      • 3. 2. 2. Результаты опыта и обсуждение
  • ВЫВОДЫ
  • 4. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИВДИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ПЕРЕХОДНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ ГРУППЫ ЖЕЛЕЗА
    • 4. 1. Фотопроводимость компенсированных кристаллов фосфида индия. X2I
      • 4. 1. 1. Методика и результаты эксперимента
      • 4. 1. 2. Обсуждение полученных данных
      • 4. 1. 3. Влияние электронного облучения и изохронного отжига на спектральные зависимости фотопроводимости кристаллов фосфида индия, легированных хромом, железом и марганцем
    • 4. 2. Фотолюминесценция и оптическое поглощение легированных слоев и кристаллов фосфида индия
      • 4. 2. 1. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев фосфида индия, легированного марганцем
      • 1. 2. 2. Оптические поглощение легированных кристаллов фосфида индия
    • 4. 3. Поведение 3d — элементов в фосфиде индия

Анализу современного состояния теории глубоких центров посвящены известные монографии и обзорные работы [i — 13] .Из этих работ вытекает, что в настоящее время используются четыре основных подхода к теории глубоких уровней в полупроводниках: обобщенный метод эффективной массы, метод псевдопотенциала, методы функции Грина и квантовохимические методы. Кратко остановимся на сущности этих подходов.

Пантелидес и Саа [з] показали справедливость применения метода эффективной массы для глубоких центров примесей, образующих раствор замещения и принадлежащих к той же, что и замещаемый атом, строке периодической системы. Такие атомы были названы изоостовными, так как они обладают одинаковой структурой остова иона. Здесь не принимаются во внимание процессы междолинного рассеяния. Учет этих процессов в волновом уравнении для многодолинного полупроводника позволяет лучше согласовать с экспериментом расчетные значения энергии расщепленных уровней основного состояния изоостовных примесей [12].

Существенно иной подход к проблеме глубоких центров в приближении метода эффективной массы был развит Келдышем [ 14]. Особенность глубокого примесного центра приводит к тому, что его волновая функция может быть представлена суперпозицией волновых функций электронов валентной зоны и зоны проводимости. В целом развитая Келдышем двухзонная модель позволила качественно объяснить возможность захвата глубоким центром носителей обоих знаков и некоторые другие характерные особенности глубоких уровней. В то же время проблема индивидуальности примесей остается открытой, так как примесный потенциал в работе [14] считался кулоновским.

В теории локальных центров большое место занимают работы, выполненные в рамках метода псевдопотенциала. Основная идея этого метода состоит в выборе псевдопотенциала, являющегося более гладкой функцией координат и меньшего по величине, чем истинный потенциал, что особенно существенно для решения рассматриваемой задачи в рамках теории возмущения.

Для использования метода псевдопотенциала в расчетах нужно иметь полную информацию не только об электронных состояниях ионов примеси, но и о состояниях всех зон идеальной решетки. Такая информация известна лишь в отдельных случаях. Кроме того, этот метод неприменим для примесных ионов с незаполненной оболочкой .

Введение

примеси в кристалл приводит, в частности, к весьма существенному для теории результату — утрате трансляционной инвариантности потенциальной энергии. Это резко усложняет решение задач об энергетическом спектре. Учет местной симметрии дает возможность значительно уменьшить порядок секулярного уравнения, к которому, в конечном счете, сводится задача определения энергетических уровней.

Метод функции Грина позволяет вычислить энергетический спектр примеси с учетом многочастичных эффектов во всех порядках теории возмущений. Кроме того, с этой же точностью можно рассчитать средние значения различных физических величин. Именно по этой причине методом функций Грина, в принципе, можно с высокой точностью и с единой точки зрения рассматривать различные по физической природе эффекты (электрические, оптические, магнитные и др.).

Heсмотря на это, метод функций Грина, впервые примененный Костером и Слэтером [15], практически все еще используется лишь в формальных схемах. Для корректного решения задачи необходимо учитывать большое число членов в разложении ближайших узлов по функциям Ванье, а также вклад волновых функций многих зон в искомую волновую функцию примесного электрона. Это приводит к значительному повышению ранга соответствующего детерминалтного уравнения и к увеличению трудоемкости его решения. С другой стороны, для применения метода функций Грина необходимо использовать детальную информацию о зонной структуре идеального кристалла, которая практически для всех полупроводниковых материалов либо отсутствует, либо имеется в явно недостаточном объеме. Все это существенно усложняет возможности использования метода функций Грина в количественных расчетах [12 — 14] для конкретных систем.

К квантовохимическим методам обычно относят теорию кристаллического поля и различные варианты метода молекулярных орби-талей, появление которых во многом связано с развитием квантовой теории химической связи, строения и свойств координационных соединений [7, 8] .

Общей характерной особенностью всех вариантов квантовохими-ческого метода локального описания дефекта в приближении молекулярных орбиталей является отказ от использования трансляционной симметрии. Это важное обстоятельство приводит ко многим трудностям теории, в частности, к проблеме граничных условий, даже в случае кластеров больших размеров. Эта принципиальная проблема гораздо успешнее решается путем сочетания локального подхода с представлением функции Грина в виде разложения по блоховским состояниям идеального кристалла [б, 12, 13, 19 ] .

Наряду с рассмотренными выше методами расчета широкое распространение и популярность в теории локальных состояний приобрели различные полуэмпирические подходы. Их основная идея состоит в том, чтобы выразить одни характеристики примесного центра и его окружения в кристалле через другие, известные из эксперимента .

К числу работ этого направления относятся широко известные исследования спектральной зависимости сечения фотоионизации глубоких примесей, выполненные Луковским [20, 2l]. Как оказалось, развитая теория достаточно хорошо описывает экспериментально измеренные спектры поглощения для различных кристаллов с глубокими уровнями. Вместе с тем, для ряда других систем, в.

Ш Y том числе соединений, А В с примесями некоторых переходных металлов, согласие между теорией и экспериментом отсутствует [12, 13 ] .

Свое дальнейшее развитие полуэмпирический подход к определению сечения поглощения света глубокими центрами получил в работах [ 22 — 27 ] .

Расчеты частотной зависимости сечения поглощения с учетом влияния эффекта электрон-фононного взаимодействия глубокого центра были сделаны Копыловым и Пихтиным [28, 29] для процесса фотоионизации и фотонейтрализации. Приведенная модель лучше описывает спектр поглощения глубокого центра в соединениях в частности в GaP, чем на основе работ [20, 2l]. Как отмечается в работе [ 30 ], учет этого явления вместе с гибридизационной природой глубоких центров позволил бы создать последовательную теорию оптических переходов с глубоких состояний и на них.

Воглем и Харалдом [ 34 ] была развита полуэмпирическая теория сильной связи зонной структуры кристаллов типа алмаза и цинковой обманки, в которой используется ограниченное число базисных волновых функций и учитываются взаимодействия только между ближайшими соседями. Оказывается, что диагональные матричные элементы кристаллического потенциала пропорциональны разностям орбитальных энергий свободных атомов, а недиагональные элементы уменьшаются с квадратом расстояния между ближайшими соседями. Использование этой химической тенденции особенно полезно дяя применения в теории глубоких примесных центров в полупроводниках.

Таким образом, среди существующих методов предпочтение явно отдается полуэмпирическим подходам, поскольку более строгие теории даже в простейших случаях сталкиваются с большими принципиальными и вычислительными трудностями.

В этих условиях весьма важными являются экспериментальные исследования локальных центров. Исследование свойств глубоких центров в полупроводниках вообще, в соединениях в частности, велось по двум направлениям. Авторы работ, относящихся к первому из них, ограничивались измерениями энергетического положения соответствующего глубокого уровня и его сечений захвата неравновесных носителей заряда, определяющих рекомбинационные характеристики материала. В работах, относящихся ко второму направлению, рассмотрена природа, симметрия волновой функции введенного центра и параметры спин — гамильтониана, описывающего взаимодействие неспаренного электрона с ионным остовом собственного атома и кристаллическим окружением.

Как отмечалось выше, глубокие центры в полупроводниках бывают простые и сложные. Результаты исследования простых центров в соединениях aV прИведены в [ I, 7, 35 ], а их теория в [ 6, 36 ]. Состоянию и поведению центров с атомными jсостояниями посвящается хороший обзор [13 ]. Однако, центры с незаполненной f — оболочкой, в основном, создают в запрещенной зоне полупроводниковых соединений aV неглубокие уровни.

Поэтому они для нас не представляют большого интереса.

Среди глубоких центров особое место занимают центры, создаваемые переходными металлами (Т — металлами), главной особенностью которых является незавершенность их d — оболочки, которая и определяет характерные свойства этих центров в полупроводниковых соединениях aV. Благоприятным обстоятельством для детального изучения свойств центров Т — металлов является то, что ионы с незаполненной d — оболочкой, находясь в кристаллической решетке, сохраняют неравный нулю суммарный момент количества движения. Парамагнетизм этих центров дает возможность эффективно использовать мощный арсенал резонансных методов, таких как ЭПР, ДЭЯР, оптических методов (в частности, методы оптической поляризации центров), магнитооптики, ЯМР, АПР, ядерного гамма — резонанса (ЯГР), методов оптической регистрации магнитных резонансов и др., для исследования состояния введенных центров в полупроводниковой матрице. Именно этими методами удалось, в частности, определить зарядовые конфигурации ионов группы железа и достаточно надежно показать, что в широкозонных соедине-iii y ниях, А В они находятся в твердом растворе замещения в узлах катионной подрешетки в отличие от элементарных полупроводников, где эти примеси могут находиться и в междоузлиях.

Традиционным подходом, используемым для понимания состояния примесных атомов в соединениях А%у, является кристаллохимичес-кий. Принцип кристаллохимического соответствия подразумевает рассмотрение в совокупности размерного соответствия и соответствия электронного. Первое представляет собой выполнение условий устойчивости кристаллической структуры, которые имеют место лишь при определенных соотношениях размеров примесного атома и замещаемой им позиции. Электронное соответствие подразумевает возможность образования устойчивой химической связи между примесным атомом и окружающими его атомами в той или иной позиции размещения примесных атомов в решетке.

Кристаллы характеризуются частично ковалентной, а частично ионной связью. Дня упрощения теоретической оценки принимается, что кристаллы обладают чисто ионной связью [12], хотя это является грубым допущением. Некоторым оправданием служит хорошая применимость такого допущения при расчетах зонной структуры соединений типа.

После тщательного анализа результатов теоретической оценки авторы работы [ 12J пришли к выводу, что кристаллохимичес-кая теория, способная предсказать состояние Т — примесей в различных полупроводниковых кристаллах, в настоящее время отсутствует .

Экспериментальные результаты по переходным металлам в соединениях интерпретировались, в основном, в рамках теории кристаллического поля (ТЕП). В основе ТКП лежит представление о соответствии электронных термов и координационных полиэдров, составляющих структуру кристалла. Полиэдр рассматривается состоящим из отрицательно заряженных ионов — лигандов, находящихся в его вершинах, и расположенного в центре полиэдра положительно заряженного иона Т — металла.

Главной особенностью ТКП является пренебрежение электронной структурой лигандов, т. е. лиганды отождествляются с точечными электрическими зарядамиих роль сводится только к созданию электрического поля, которое и называется кристаллическим.

Теория TMI приводит к некоторым интересным выводам, однако она не позволяет получить энергетический спектр кристалла и учесть влияние ковалентной связи. Если рассматривать ТКП в ее полуэмпирическом варианте, когда экспериментальные результаты качественно интерпретируются в соответствии с выводами ТЕШ, а ее количественные параметры определяются из опыта, то актуальность применения ТКИ со временем не уменьшается [ 12 ] .

Однако, рассматривать ТКП с привлечением атомных (многоэлектронных) термов в рамках одноэлектронной кристаллической схемы кристалла, как справедливо отмечено в [39], некорректно из-за того, что в этом случае Т — ионы не вступают в химическую связь (в ее строгом понимании) с лигандами.

Для исследования состояния 3d — металлов в кристаллической решетке полупроводников наиболее информативными являются резонансные методы и, в первую очередь, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР).

Анализ данных ЭПР легированных кристаллов (&-а Ал [7, 40 — 46] - GaA* [47 — 53] - GaA* < Mn> [45,54 — 60] - Ga Ал [45, 61, 62] - Ga P <ч Be> [35,63 — 71] - GaP [51, 72] - Ga P < Ип> [67] - GaPCV> [73] - G<3PLv2] - lnP[49, 74, 75] - InP<0> [49, 51 ] ;

InP [60,76 — 78] и 1пДл<^>[79] ,.

АПР спектров (GaA* [80, 81 ] - Ga Ал < Сr>

82]) показывает, что атомы Тметаллов размещаются в ш v катионных узлах решетки соединений, А В. Примесный атом отдает три электрона на связь (два 4s и один 3d) и с учетом ионной модели становится J [Т-Ме]5+}° с нулевым эффективным зарядом. Концентрация однократно ионизированного акцептора ^[т-М-е]) определяется содержанием доноров (остаточных или специально введенных). Единственным исключением является хром в узкозонных полупроводниках и, проявляющий донорные свойства [ 83 ]. рь +.

Противоположный и ошибочный вывод о нахождении ионов г-е в тетраэдрическом междоузлии атомов У группы сделан в работе.

84] на основе исследований двойного электронно-ядерного резонанса кристаллов G-a Ал < F-e> и Ga Р <. При детальном анализе имеющихся в работе [73 ] данных показывается, что их совершенно недостаточно для однозначного вывода в пользу одной из двух возможных моделей (примесь в Ga — узле или тетра-поре). Здесь авторы не учли возможности делокализадии электрона примеси замещения с переходом к атомам первой и второй координационных сфер.

Качественная картина положения d — уровней и их заполнения электронами узельных центров М"Г и М-еГ переходных атомов в соединениях приведена на рис .1.1.

Как видно из рис. 1.1, положение нейтральных центров переходных металлов до сих пор не установлено, т.к. не наблюдаются состояния Me за исключением О [ 16, 85 ] .

В отсутствии возбуждения носителей центр находится в нейтральном состоянии в случае, когда концентрация переходных атомов много больше концентрации мелких доноров, и осуществляются переходы v — зона — центр. При возбуждении электронов из чхзоны на уровни центров V — Мп возможны только переходы на уровень t2, в противном случае будет нарушаться правило Хунда. 7 центров Re и Со возможны переходы как на уровень е (основное состояние и Со"), так и на уровень tz (возбужденное состояние ВёГ и Со"). У Ni переход возможен только на уровень t^, так как нижний уровень е. заполнен. При этом Ni будет находиться в основном состоянии.

К настоящему времени опубликовано большое число исследований, касающихся экспериментального определения положения энергетических уровней примеси переходных металлов в А-5 Обзоры литературных данных представлены в работах [ I, 2, 5, 6, 12, 13, 86]. Результаты всех без исключения исследований.

V° VCi* Cv" Hn° Fe Rfo Feb Cp Co~0 Co" b N?° Nf U U.

U liU H.

1L Ш. Ш iitj, u. U.

HOl.

Емг,.

Fe.

1 itt t.

Eco tCo.

Em?

3d2 за3 за^за1″ за4 за5 за5 за6 зае за6 за* за* за7- за8.

Рис. 1.1. Качественная картина положения d — уровней и их заполнения электронами узельных центров.

М-!ШпУ и Mi переходных атомов в соединениях.

АШВУ 112]. показывают, что легирование арсенида галлия Т — примесями ' приводит к образованию глубоких акцепторных уровней. Их присутствие обнаруживается при изучении температурной зависимости равновесных электрофизических параметров, а также в результате исследований оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов Ga А* .В отличие от германия и кремния в образцах.

Ga Ал <Т > большую информацию удается получить при использовании люминесцентных методов исследования. Некоторые энергети-, ческие уровни переходных металлов в Ga кл приведены в табл.1.1.

Надо отметить, что к настоящему моменту пока отсутствуют однозначные данные об энергетических уровнях примесей ванадия, скандия и титана в арсениде галлия, хотя имеются некоторые исследования этих примесей в матрице GaAA [94 — 9б] .

Фосфид галлия является полупроводником с непрямой запрещенной зоной, ширина которой составляет 2,261 эВ при 300К и 2,338 эВ при ОК. Выше было показано, что Т — примеси в кристаллической решетке Ga>P ведут себя точно также, как и в.

G-aА-б. Соответственно, ив GaP они образуют глубокие акцепторные уровни в запрещенной зоне. Значения их приведены в табл.1.2. Отмечается, что надежное значение энергетических уровней определено только для примеси железа, которое равно 0,7 эВ. Отсутствуют сведения о скандии и титане. Таким образом, система GaP мало изучена. Некоторые достоверные значения энергии ионизации Т — примесей в G^A-ь и G^P нанесены на рис. 1.2. в виде зависимости Е^ от степени заполнения d — оболочки Т — иона (из работы [12]).

Следует обратить внимание на то, что такое построение дает две таких зависимости, и большинство ионов, проявляющих эффект Яна — Теллера, располагаются на возрастающей кривой. Однако,.

Таблща I.I.

Энергетические уровни переходных металлов в арсениде галлия.

Элемент Ev + Et, эВ Метод Источник.

F-e 0,49- 0,64 XОПФП 146].

О 0,80- XФЛКЛ [87, 88].

Мп 0,10 X [89].

NT 0,35 XФПОП [90 — 92].

Со 0,16 XОП [93].

V не изучен.

2>с 0,57- 0,85 ФП [94].

Ti 0,33, ПОПФП [95].

Примечание. Используемые обозначения методов определения: X — эффект ХоллаОП — оптическое поглощениеФП — примесная фотопроводимостьФЛ — фотолюминесценцияКЛ — катодолюминес-ценцияП — температурная зависимость проводимости.

Таблица 1.2.

Энергетические уровни переходных металлов в фосфиде галлия.

Элемент Ev+E-t, эВ Метод Источник.

Fe. 0,7 ПX- 0П [66].

Сг 0,84- 0,87 ПОПФЛ [97, 98].

Мп 0,4 ПX- ОП 99].

N: 0,5 ОП [ЮО].

0,41 П [101].

V 1,2 П 73].

00 не изучено.

1″ не изучено.

Примечание: Обозначения методов исследования даны в табл. I.I. W.

V l Gz A* о GaP i V > ^ < (.

Mnf ^ Fe (! 1 SN- ^ CvT-^Cu Cu-^Cu" .

Mn ^ i—— Co J kCo Cu d1 d2 d4 d' cP I.

INO OJ.

Рис.I.2. Зависимость энергии ионизации T — примесей в арсениде галлия и фосфиде галлия от степени заполнения d — оболочки Т — атома это наблюдение еще не дает объяснения столь различному характеру изменения энергетического спектра двух групп Т — ионов по мере заполнения их d — оболочки.

Практически все исследования кристаллов ТпРСГ") были выполнены на образцах, для которых характерна сильная компенсация и без легирования Т — примесями. Поэтому значения Е-ь ряда Т — примесей в 1пР весьма сомнительны. Мы подробно остановимся на этом в следующем параграфе.

Совершенно иное поведение Т — примесей в узкозонных: ТпЛ-s и XnSb , — по сравнению с широко зонными Ga/U, G-a Р и ХпР .В узкозонных полупроводниках Т — примеси, по крайней мере железо и хром, проявляют донорные, а не акцепторные свойства [83] .

Имеются некоторые серьезные попытки определить Е^. этих примесей по данным измерений равновесных параметров. В основном, исследовались примеси хрома, марганца и железа в соединениях In Ал и InSb. Однако отсутствие данных по другим системам Х^Ал, <т> и 1п^)Ь<�Т> не позволяет высказать в настоящее время какие-либо обобщающие соображения о формировании энергетического спектра примесных переходных металлов в узкозонных.

А Ш. п полупроводниках, А о.

ЗАЮГОЧЕНИЕ.

Проведено комплексное исследование электрофизических свойств кристаллов фосфида индия, легированных хромом, марганцем и железом, и влияние на них электронного облучения с энергией I МэВ и.

ТО ч — / р дозой до 10 эл см и термообработки при температурах до 973 К. Анализ экспериментальных результатов позволил установить, что:

1. В высокоомных кристаллах фосфида индия, легированных хромом, основным механизмом является рассеяние носителей заряда на микроскопических ОПЗ, в образцах, содержащих железо, — на акустических колебаниях 1фисталлической решетки, причем сказывается эффект модулирования концентрации носителей заряда крупномасштабными отрицательно заряженными ОПЗ. В кристаллах, легированных марганцем, преобладает рассеяние дырок на крупномасштабных отрицательно заряженных ОПЗ при наличии эффекта модулирования концентрации дырок 1фупномасштабными положительно заряженными ОПЗ.

2. Определены значения энергий термической и оптической ионизации центров. хрома, марганца и железа. Получены сдвиги Франка-Кондона для этих ионов. Показано, что марганец сильнее хрома или железа взаимодействует с кристаллической решеткой. Предположено, что атом марганца, в отличие от атомов хрома и железа, при замещении атомов индия отдает не три, а только два (As) электрона, оставляя sd — оболочку невозмущешюй (bd5). В результате образуется акцепторный уровень, сформированный из состояний валентной зоны.

3. Электронное облучение приводит к образованию радиационных дефектов как акцепторного, так и донорного типа. Преобладание одного из них обусловливается типом проводимости исходного материала. Электронная радиация вызывает уменьшение концентрации носителей во всех легированных кристаллах. При этом холловская подвижность в образцах, легированных хромом и железом, увеличивается, а j в кристаллах с пимесыо марганца — уменьшается. При электронном облучении интенсивность полос примесной Ш для кристаллов, содержащих хром и железо, увеличивается, а в образцах, легированных марганцем, уменьшается. Установлено, что РД в кристаллах с хромом и железом отжигаются полностью при температурах выше 433 К, а в образцах, легированных марганцем, при более высоких температурах.

4. Показано, что термообработка вызывает перераспределение примесей и образование термодоноров, чем и обусловливается увеличение концентрации электронов и уменьшение их холловской подвижности в образцах, легированных хромом и железом. В образцах, легированных марганцем, концентрация дырок и их холловская подвижность увеличиваются при низких температурах и уменьшаются при высоких температурах термообработки. 5. Установлено, что при электронном облучении и термообработке наиболее стойкими являются образцы, легированные железом, благодаря наличию в объеме крупномасштабных отрицательно заряженных ОПЗ, которые являются стоками для радиационных и термических дефектов.

6. В условиях воздействия электронного облучения и повышенных температур можно рекомендовать железо в качестве основной легирующей примеси при изготовлении полуизолирующих кристаллов и слоев на основе фосфида индия.

ПРИЛОШШЕ I. ПРШЦ1ШАЛЖ1Е ЭЛЕКТВШСКИЕ с: пш ИЗМЕРИТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКИ И ТЕШОРЕГУШТОРА ДЛЯ ИЗ.'.ТЕРЕНИЯ ПРОВОдаШСТИ И КОЗМ’ЩИЕНТА ХОЛЛА В ЗЫС0К001ЛШХ ОБРАЗЦАХ из.

Г о п> f i чг ь) О S го.

§ 5 о 5 5.

— О г.

— о.

3 О t з г.

Г $ о 0 3 ч 1.

3 § г: 1-И pq о а.

Ен О 5 О.

Н-1 I t-q 4.

CD E-t.

5 Рч.

CD.

СГ-" со cj ч Ф X 0 1 о ф К-1.

Рн.

Ен ф ч о м fc=3 о кН.

Рч см «s: со.

Ж,/"-К'"гШ •- т/, TZHTS02A.

Рио.Ш. Электрическая схема терморегулятора для исследования электрических свойств полупроводников в диапазоне температур 77 — 873 К. г> оо I.

ГТ+ОЪ А.

Рис.П2. Электрическая схема блока питания «-I2B» с коэффициентом стабилизации Кс = 10^ для терморегулятора ктвО/А.

Рис.ПЗ. Электрическая схема блока питания «+I2B» с коэффициентом стабилизации Кс = 10^ для терморегулятора.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.- М.: Мир, 1977, 562 с.
  2. А.Б. Теория глубоких центров в полупроводниках. Обзор. £ТП, 1 974, т.8, № 1, с.3−29.
  3. Pantelides S.T., Sail С.Т. Theory of localized states in semiconductors. I. New result using an old method. Phys. Rev. B, 1974, v.10, N 2, p.621−637″
  4. Bassani F", Ladonisi G., Preriori Be Electronic impurity levels in semiconductors. Rev, Progr. Phys., 1974, v.37,1. N 9″ p.1099−1210.
  5. В.Ф., Саморуков Б. Е. Глубокие центры в соединениях Аш Б v. Обзор. ФТП, 1978, т.12, № 4, с.625- 652.
  6. Jaros М. Deep levels in semiconductors. Adv. Phys., 1980, v.29, N 3, p.409−525.
  7. U., Schneider J. ~T*aivkrtion rrvd:^ im-pu^k* i’n Ж-V легги conduc^o^.* .- Adv. Sol. St., 1980, v.21, p.4
  8. Bernholc Jc, Lipari N.O., Pantelides S.T., Scheffler M. Theory of point defects and deep impurities in semiconductors. «Defects and Radiat. Eff. in Semicond., 1980,
  9. Into Conf., Oiso, 8−11 sept., 1980″, Bristol-London, 1981, p.1−17.
  10. Ledeho L.A., Ridley B.K. On the position of energy levels related to transition metal impurities in III-V semiconductors. J.Phys. C: Sol. St. Phys., 1982, v.15, N 27, L961- m1.64-.
  11. Martinez G6rard. Deep traps in semiconductors. „Phys. scr.“, 1982, T1- 2 Gen. Conf. Condensed Matter. Div. -Eur. Physo Soc., Manchester, 1982, p.62−64.
  12. Watkins G. Dp Deep levels in semiconductors. „Physica“, 1983, BC117−118, Pt.1: Proc. 16 Int. Conf" Phys. Semicond., Montpellier, 6−10 Sept., 1982, Pt.1, p.9−15″
  13. Э.М., Фистуль В. И. Примеси переходных ме-тал-лов в полупроводниках. -М.: Металлургия, 1983, 192 с.
  14. В.Ф. Глубокие центры в полупроводниках. Обзор.- ФТП, 1984, т.18, № 1, с. З- 23.
  15. Л.Б. Проблема глубоких уровней в полупроводниках.- ЕЭТФ, 1963, т.45, с.364- 375.
  16. Koster G.F., Slater J"C. Wave function for impurity levels" — Phys. Rev., 1954-, v.95, N 5, p.1167−1176.
  17. II.П., Мастеров В. Ф. Электронная структура глубоких центров в GaAs. ФТП, 1977, т.11, К 8, с. 1470- 1477.
  18. А.Э., Ильин II.П., Мастеров В. Ф. Аналитическое решение проблемы глубокого центра методом непрерывных дробей.- ФТП, 1983, т.17, !М0, с.1923- 1829.
  19. Г. В., Карпушин А. А., Мороков Ю. Н., Томашек М. Расчеты объемных и поверхностных электронных свойств алмазо-подобных полупроводников. ФТП, 1983, т.17,№ 6, с.1025- 1028.
  20. Herastreet L0A0 Electronic states of deep level defects in III-V Semiconductors. -„Physica“, 1983, BC116, N 1−3: Proc.
  21. Inte Conf. Defects Semicond., Amsterdam 1982, p.116−120.- т
  22. Lucovski G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors. Sol. St. Commun., 1965″ v. J, N 9, p.299−302.21″ Lucovski G. Theory of the photoionization of deep levels in semiconductors. Bull. Am. Phys. Soc., 1966, v.11, p.206−208.
  23. Jaros M. Ground states and photoionization of iron group transition metal impurities in semiconductors. J" Phys. C. s Sol. St. Phys., 1911, v.4, N 17, p.2979−2991."
  24. Jaros M. A simple analytic expression for optical cross sections associated with deep impurity states in semiconductors. J. Pys. C.: Sol. Ste Phys., 1975″ v.8, N 11, Po1264~1267″
  25. Baranovski J.M., Lenger J. Me Optical properties of transition metal impurities in CdSe. II" Photoionization spectra. Phys. St. Sol. (b), 1971, v.48, N 2, p"863−873.
  26. А.С., Гринберг A.A. Учет кулоновского взаимодействия в модели Луковского при фотоионизации положительно и отрицательно заряженных примесных центров. ФТП, 1976, т.10, № 6, с. 1159- 1163.
  27. А.А., Пихтин А. Н. Влияние температуры на спектры-mоптического поглощения глубокими центрами в полупррводниках. ФТТ, 1974, т.16, № 7, с.1837−1843.
  28. А.А., Пихтин А. Н. Форма спектров поглощения и люминесценции на глубоких центрах в полупроводниках (кислород в GaP) ФТП, 1974, т.8, № 12, с.2398- 2404.
  29. Shinozuka Y. Strong interaction between electron and the lattiee at deep-level defects. „Defects and Radiate Eff“ Seiaicondo, 1980, 11 Int. Conf., Oiso, 8−11 Sept., 1980″, Bristol-London, 1981, p.157−162.
  30. Banks PoW., Jaros M. On the role of the lowest conduction band minima in the formation of localized impurity states in direct gap semiconductors. Phys. lett., 1982, A90,1. N 6, pо300−302″
  31. Kikoin K"A., Fleurov V.N. On the pressure dependence and k-space localization of the deep level states in zinc blend semiconductors doped by the trasition metals. Sol. St. Commun., 1981, v.39, N 12, p.1281−1284*
  32. Kaufman U", Schneider J0 OpjrLcall and ESR spectroscopy of deep defects in III-V semiconductors" Adv. Sol. St. Phys о, 1980, v.21, p.87−116.-1Я-5
  33. Pantelid.es S.T. Theory of p hotoionization cross section of impurities in semiconductors. Rev. Mod. Phys., 1978, v.50, N 4, p. 797−858″
  34. В.К., Соловьев Н. Н. Глубокие центры переходных металлов в GaAs. ФТП, 1971, т, 5, № 9, с.1828- 1830.
  35. Goldstein В., Almeleh N. Observation of paramagnetic resonance centers in GaAs in unusually high concentrations.- Appl. Phys. lett., 1963, v.2, N 7, p.130−132.
  36. Dewit M., Estle T.L. EPR of iron in GaAs. Phys. Rev., 1963, v.132, N 1, p.195−201.
  37. В.К., Преснов Б. А., Федотовт С. П. Парамагнитный резонанс в легированном железом GaAs. ФТТ, 1968, т.10,1, с.268 270.
  38. Э.М., Павлов Н. М., Соловьев Н. Н., Фистуль В, Оптическая перезарядка и э<�ЭД)ект термической стимуляции в GaAs с Ре.- ФТП, 1970, т.4, Ш 3, с.527- 592.
  39. Bashenov V.K. Electron paramagnetic resonance in A^^B^ compounds. Phys. St. Sol. (a), 1972, v.10, N 1, p.9−42.
  40. .И., Первова Л. Я., Омельяновский Э. М., Рашев-екая Е.П., Соловьев Н. Н., Пелевин О. Б. Свойства полупзоли-рующего арсенида галлия с примесью железа. ФТП, 1974, т.8, № 3, с.485−494.
  41. .И., Попов Б. П. ЭПР и ЯМР сильно легированных кристаллов GaAs Fe . „Физика соединений АШБУ Материалы Бсесоюзн. конф.“ — Л.: ЛПИ, с.60−63.
  42. Bleekrode R. Dielman J., Vegter H.J. EPR onJMn in GaAs.- Phys. lett., 1962, v.2, N 7, p.355−356.
  43. .А., Баженов В.К., Федотов С.П., Азиков Б.С.- в кн.: Химическая связь в кристаллах. Минск.: Наука и техника, 1969, 524 е., ил.
  44. Segsa К.Н., Spenke S. EPR on Mn-doped GaAs epitaxial layers. Phys. St. Sol. 5a), 1975, v.27, N 1, p.129−134.
  45. Lindefelt U., Zunger A. Quasi bands in Green*s-function defect models. Phys. Rev. B, 1981, v.24, N 10, p.5913−5931.
  46. Д.Г., яБолыпева Ю.Н., Лазарева Г. В., Савельев А.(Якубеня С. М. Эффект Яна-Теллера в системе GaAs: Mn. В кн.: Арсенид галлия. Томск. 1982, с.55-- Особенности поведения примеси Мп в GaAs Mn. „ФТП, 1983, т.17, № 5, с.810−813.
  47. В.Ф., Михрин С. Б., Саморуков Б. Е., Штельмах К. Ф. Исследование дефектов структуры в системе GaAs Mn методом ЭПР. ФТП, 1983, т.17, № 7, с.1259- 1263.
  48. Н.Й., Андрианов Д. Г., Оыельяновский Э. М., Решев-екая Е.П., Соловьев Н. Н. Свойства арсенида галлия, легированного никелем. ФТП, 1975, т.9, & с.718−721.
  49. Д.Г., Сучкова Н. И., Савельев А. С., Решевская Е.П, Филиппов М. А. Магнитные и оптические свойства ионов и Со2+ конфигурации 3d? в арсениде галлия. ФТП, 1977, т.111 & 4, с.730- 735.
  50. Ludwig GoW., Woodbyry Н.Н. Splitting of electron spin resonance lines by an applied electric field. Bull. Am. Phys. Soc., cl1961, v.6, p.118.-m
  51. Suto К., Nishizawa J. Photoresponse of the paramagnetic resonance signals of Fe in GaP. J. Phys. Soc. Japan, 1969, v. 26, N 6, p.1556−1559.
  52. Title R.S., Plaskett T.S. EPR detection of triple Li ion centers in lithium-diffused Mn doped GaP crystals. Appl. Phys. lett., 1969, v.14-, N 2, p.76−78.
  53. Д.Г., Гринштейн П. М., Ипполитова Г. К., Омелья-новский Э.М., Сучкова Н. И., Фистуль Б. И. Исследование глубоких примесных сошаюяний Fe в фосфиде галлия. ФТП, 1976, т.10, № б, с.1173- 1176.
  54. .Ф., Саморуков Б. Е., Штельмах К. Ф., Черновец Б. В. ЭПР кристаллов Gap, легированных железом. Изв. вузов СССР, Физика. 1976, т.9, с.144−152.
  55. Соболевский В.К., т Штельмах К. Ф. Б кн.: Физика соединений AmBv , — Л.: ЛПИ, 1979, с. 66.
  56. .Ф., Марков С. И., Пасечник Л. П., Соболевский Б.К, О природе линии ЭПР с g = 2,133 в кристаллах GaP. -ФТП, 1983, т.17, № 6, с.1130−1132.
  57. Ennen Н, Kaufmann U. Nickel and iron-multivalence impurities in GaP. J. Appl. Phys о, 1980, v.51., N 3, p.1615−1618.
  58. В.Ф., Саморував Б. Е., Соболевский В. К., Мальцев Ю. Б. Взаимодействие примесных и собственных дефектов в кристаллах фосфида галлия. „Легирование полупроводников“, М., 1982, с.26- 29.
  59. В.И., Прибылоз Н. Н., Рембеза С. И., Спирин А. И., Тесленко В. В. Состояние примесных атомов Сг и Со в GaP. ФТП, 1983, т.17, К 16, с.1149−1151.-m
  60. С.А., Иванов Г. А., Кузнецов D.H., Окунав Ю. А. Оптические переходы в спектре d^ электронов примесного центра V в GaP. — ФТП, 1974, т.8, J& 9, с. 1691 — 1696.
  61. В.Ф., Саморуков Б. Е., Соболевский В. К. О состоя нии марганца в InP. ФТП, 1978, т.12, № 2, с. 201 — 203.
  62. Мастеров В. Ф, Мальцев Ю. В., Соболевский В. К. Об электронной структуре центра Мп в кристаллах InP. ФТП, 1981, т.15, № 11, с.2127−2131.
  63. E.M. Акустический парамагнитный резонанс Pe2+ и Fe^+ в арсениде галлия. ФТТ, 1973, т.15, № 2, с. 368 — 375.
  64. Е.М., Омельяновский Э. М., Первовва Л. Я., Фистуль В. И. О механизме компенсации в полуизолирующем расе арсениде галлия с примесью железа. ФТП, 1973, т.7, К 8, с. 1643- 1645.
  65. Е.М. Акустический парамагнитный резонанс Fe2+ в GaAs. ФТ’Г, 1974, т.16, ft 10, с. 2886 — 2892.
  66. З.М., Фистуль В. И., Балагурова Л. А., Ивле-ва B.C., Каратаев В. В., Мильвидский М. Г., Попков А. Н. О поведении примесей переходных металлов в соединениях АШВУ- ФТП, 1975, т.9, К 3, с.576 577.
  67. Teuerie W., Hausman A. Endor-investigation of iron doped GaAs and GaP. Z. Phys., 1976, Bd.23, N 1, S.11−14.
  68. Н.П., Мастеров В.ФФ Многоэлектронные эффекты в задаче глубоких центров в АШВУ. ФТП, 1978, т.12, К 4, с.772- 775.
  69. Ф.П., Наследов Д. Н. Арсенид галлия. Получение и свойства. -М.: Наука, 1973, 471 е., ил.
  70. Allen GoA. The activation energies of chromium, iron aad nickel in GaAsо J. Phys. (Brit. J. Appl. Phys.), 1968, D1, N 5″ p.593−602.
  71. Н.И., Андрианов Д. Г., Омельяновский Э. М., Решев-ская Е.П., Савельев А. С., Фистуль В. И., Филиппов М. А. О поведении примеси никеля в состоянии 3d8 в арсениде галлия.- ФТП, 1977, т.11, 9, с.1742−1749.
  72. А.В., Ипполитова Г. К., Омельяновский З.М., —
  73. Рыскин А. И, Энергетический спектр примеси V в, GaAs.- ФТП, 1976, т.10, с. 571.
  74. Н.М., Наследова Д. Н., Талатакин Г. М. Свойства арсенида галлия, легированного железом и никелем.- ФТП, 1970, т. К 1, с.134−141.
  75. Д.Г., Сучкова Н. И., Савельев А. С. Рашевская Е.П., Филиппов М. А. Исследование нейтрального состояния примеси кобальта в арсенида галлия. ФТП, 1977, т.11, К 8, с.1460−1464.
  76. Nakagawa Н., Zukotynski S. Photoconductivity of scandium-doped GaAs. J“ Appl. Phys", 1975″ v.4−6, N 11, po48054811.
  77. М.Ф., Мурыгин Б. И. Исследование некоторых свойств компенсированного титаном и кобальтом GaAs и диодных структур на его основе. ФТП, 1973, т.7, $ 1, с.83- 87.
  78. Brown W.J., Blecmore J.S. Traasport and photoelectrical properties of GaAs containing deep acceptors. J. Appl. Phys., 1972, v.43, N 5, p.2242−2246.
  79. С.А., Иванов Г. А., Кузнецов Ю. Н. Оптические свойства кристаллов Gap, легированных хромом. ФТП, 1973, т.7, Ъ 8, с.1474- 1476.
  80. Williams P.J., Eaves L., Simmonds P.E., Henry M.O., Lightwers E.C., Uihlein Ch.J. The optical absorption of crystals GaAs Cr by using the high technic. Phys. C: Sol. St. Phys., 1982, v.15, N 6, p.1537−1345.
  81. С.А., Иванов Г. А., Королева Г. А., Кузнецов Ю. Н. Исследование GaP, легированного марганцем. ФТП, 1975, т.9,й 2, с.369- 372.
  82. С.А., Иванов Г. А., Королева Г.А. О природе полосы 0,5 эВ в спектре оптического поглощения кристаллов
  83. GaP Ni. ФТП, 1976, т.10, № 9, с. 1 773- 1 776.
  84. Leescher D"H., Allen J.W. The investigation GaP: Co.- J. Phys. Soc. Japan, Suppl., 1966, v.21, p.239−241.
  85. Г. Г., Алюшина В. И., Слободчиков С. В. О низкочастотных колебаниях тока в InP. ФТП, 1975, т.9, К 11, с.2125- 2128.
  86. Mullin J.В., Royle A.R., Straughan B.W. The preparation and. electrical properties of InP crystals grown Ъу1 liquid encapsulation. Proc. 3 Int. Symp. on GaAs, Aache?., 1970, (IoP, London, 1971), Ser.9, p.41−49.
  87. Nichols D.N., Odeh I., Sladek R.J. Pressure dependence of the electrical resistivity and the ionization energy of Cr in n-type InPe Sol» St о Commun., 1980, v"34, N 8, p0621−623.
  88. Bremond G., Nouailhat Ac, Guillot G0 Deep impurity levelsin InP. Gallium arsenide and ralated compounds, 1981. Contribo Pap0 9 Int. Symp., Oiso, 20−23 Sept., 1981. Bristol-London, 1982, p.239−244.
  89. Koschel WoH., Bishop S.G., Mc. Combe B.D. Photolumi-nescence from deep centers in III- V compounds. Int. Conf. on Semicond. Phys., Proc. 13 th., Rome, po1065−1068. Amsterdam, 1976.
  90. Fung S., Nicholas R0J<, Photoconductivity studies of" Cr deep acceptors in InP. Semi-insulating III-V* Mater* Conf. Nottingham, 1980. Devon, 1980, p.154−160,
  91. Старосельцева С. Пг, Кул о в В767, Метревели С. Г. s диоды на основе InP. — ФТП, 1971, т.5, 9, с.1842−1844.
  92. Л.Ф., Круковская Л. П., Саморуков Б. Е. Электрические свойства кристаллов InP Mn . ФТП, 1983, т.17, ft 7, с.1327- 1330.
  93. Головкина Н, П., Левчения Н. Н., Шик А. Я. Подвижность носителей заряда в кристаллах InP Mn. ФТП, 1970, т.10, № 2, с.383- 384.
  94. Asahi H., Kawamura Y., Ikeda M., Okamoto H. An investigation of Mn doped p-InP. Jap. J. Appl. Phys., 1980, v.20, L187-L19Q.
  95. Look D.C. Model for Fe2+ intracenter-induced photoconductivity in InP: Fe. Phys. Rev., 1979, B20, p.4160−4166.
  96. Fung So, Nicholas R.J., Stradling R.A. A s tudy of the deep acceptor levels of iron in InP. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1979, v.12, N 23, p.5145−5155.
  97. Look D.C. Resonance photoconductivity in Fe doped n-InP. Sol. St. Commun., 1980, v.35, N 2, p.237−240. 121 о Eaves L., Smith A.W., Williams P.J., Cockayne В.,
  98. Mac Ewan W.R. An energy scheme for interpreting deep level photoconductivity and other recent optical measurements for Fe doped InP. J. Phys. Ci Sol. St. Phys., 1981, v.14, N 33, p.5063−5068.
  99. Tapster P.R., Cockayne В., Mac Ewan W.R. Optical and capacitance spectroscopy of InP: Fe. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1981, v.14, N 33, p.5069−5079.
  100. Cockayne В., Mac Ewan W.R., Brown G. To, Wilgoss W.H.
  101. A systematic study of the electrical properties of Fe doped InP single crystal. J. Mater. Sci., 1981, v.16, N 2, p.554−557.
  102. Mizuno 0., Watanable Ы. Semi-insulating properties of Fe doped InP. Electron, lett., 1975, v.11, p.118−122.
  103. II.С., Руссу Э. В., Слободчиков С. Б. Фотопроводимость фосфида индия, легированного келезом или никелем.- ФТП, 1975, т.9, 2, с.343−347.
  104. Н.С., Гуткик А. А. Спектры сечений фотоионизации глубоких примесных центров в InP, легированном железом.- ФТП, 1974, т.8, У, 9, с.1816- 1820.
  105. Yu Phil Won. Photolurainescence and photoconductivity study of the 1,1 eV energy level in Fe doped InP. Semi-insulating III-V Matter. Conf., Nottingham, 1980, Devon,. 1980, p.167−173.
  106. A.H., Микуленок А. В., Панасюк Е. И., Радауцан цан С.И., Тичиняну И. М. Глубокие центры в нелегированныхи легированных железом монокристаллах фосфида индия. ФТП, 1983, т. 17, У, 4, с.593- 598.
  107. Bishop S.G., Klein Р.В., Henry R.L., Mc. Combe B.D. Photoluminescence studies of deep impurity states in Fe doped InP. Semi-insulating III-V Matter. Conf., Nottingham, 1980. Devon, 1980, p.161−168.
  108. У.В., Захарченко В. Н., Ильяшенко А. Г. Особенности рекомбинационных процессов в полуизолирующем InP Fe .- ФТП, 1982, т.16, Г- 6, с.1023- 1026,
  109. Ю.В., За&арченко В.II. Особенности механизма фотопроводимости полуизолирующего InP Fe. Укр. Физ., 1982, т.27, 7, с.1053- 1060.
  110. С.В., Грушко И. С., Коротченков Т. С., Моло-дян И.П. Исследование процесса релаксации емкости барьеров Шоттки на основе InP: Fe. Доп. ВИНИТИ, й 6668- 73.-1S-6
  111. Н.С., Гуткин Л. А., Булярский С. Б. Полевые зависимости термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда барьеров Au-n-InP:Fe. ФТП, 1975, т.9, К 2, с.287- 291 .
  112. Jimenez J., Gonzalez М.А., Carbayo V., Bonnafe J. On the thermal evolution of photoconductivity in bulk Fe doped semi-insulating InP. Phys. St. Sol., 1985, A77, N 1, K69-K73.
  113. Bremond G., Nouailhat A., Guillot G., Cockayne B. Deep level spectroscopy in InPsFe. Electron. lett", 1981, v.17, N 1, p.55−56.
  114. . Радиационное повреждение твердых тел. М.: Атомиздат, 1970, 240 с.
  115. Дк., ВинПард Дк. Радиационные дефекты в твердых телах. М.: ИЛ, 1960, 243 с.
  116. B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963, 264 с.
  117. Е.Ю., Нонозенко И. Д. Образование дефектовв GaAS при низкотемпературном и электронном облучении. — ФТП, 1971, т.5, .7' 4, с. 641 — 647.
  118. Grimsliaw J.A. Defects studies on electron-irradiated GaAs by electrical measurements. In: Rad. Damage and Defects Semicond., London-Bristol, 1973, p"355−363.
  119. .II., Брайловский Е. Ю. Отжиг радиационных дефектов в p-GaAs, облученном большими дозами электронов.- В кн. Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972, с.144 146.
  120. Е.Ю., Брудный В. Н. Радиационные дефекты в облученных кристаллах p-GaAs. ФТП, 1974, т.8, Ъ 5, с.963- 965.
  121. КрйБбВ М.А., Иалянов С. В., Мелев В. Г. Анамальное поведение холловской подвижности носителей в арсенида галлия, облученном электронами. В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972, с.268- 279.
  122. Я.Э., Клотыньш Э. Э., Криминя P.К., Улманис У. А. Образование к отзшг глубоких донорных уровней при облучении электронами GaAs. «Изв. АН Латв. ССР. Сер. Физ. и техн. наук», 1984, К 1, с.28- 35.
  123. М.А., Брудный В. Н. Влияние электронного (1,5 МэВ) и протонного (5 МэВ) облучений на электрические, оптическиеи фотоэлектрические характеристики GaAs. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Т. З, ч.2. Киев, 1971, с.16−21.
  124. В.Н., Кривов М. А., Ведько Б. П. Спектры оптического поглощения арсенида галлия, облученного большими интегральными потоками электронов, протонов и -частиц. В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972, с.270- 271 .
  125. Е.Ю., Тартачиик В. Спектры оптического поглощения n-GaAs, облученного большими интегральными потока-mми электронов. ФТП, 1971, т. б, № 10, с.2075- 2077.
  126. Vaid.yanath.an K. Vo, Watt L.A., Swanson M.L. Optical properties of electron- and neutron-irradiated GaAs. Phys. St. Sol. (A), 1972, v.10, N 11, p.127−137.
  127. В.А. Катодолюминесценция облученного электронами и нейтронами GaAs. В кн.: Материалы П республиканской кокф. молодых ученых по физике. 1972. Вып.2, Минск, 1973, с. 78.
  128. О.В., Календин В. В., Крюкова И. В. Влияние облучения интенсивным пучком быстрых электронов на электрические и оптические свойства GaAs. В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972, с. 138.
  129. М.А., Малев В. Г. Гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства сильно легированного GaAs, облученного быстрыми электронами. В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Киев, 1976, с.26- 27.
  130. В.Н., Будицкий Д. Л., Кривов В. А. Характерные дефекты в облученном электронами арсениде галлия. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, 1976, с.24−25.
  131. К.Д., Заяц Н. С., Прохорович А. В. Изменеие концентрации обусловленных медью 1,0 и 1,28 эВ излучающих центров 'при отниге облученного электронами n-GaAs. ФТП, 1982, т.16, й 10, с. 1851 — 1852.
  132. В.А., Доманевский Д. С., Ломако В. М. Радиационное изменение времени жизни в GaAs. В кн.: Радиационные дефекты в полупроводниках. Минск, 1972, с.147−149.
  133. Kladis D.I., Enthymiou Р.С. Carrier lifetimes in low-resistivity GaAs upon electron bombardment and annealing.- Phys. St. Sol. (A), 1972, Vo10, N 2, p.479−485.
  134. Т.В. Состояние и перспективы радиационной физики полупроводников группы АШВУ. В кн.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Т. З, ч.1. Киев, 1971, с.5- 28.
  135. Loualiche S., Nouailhat A., Guilot G., Gavand M., Lau-gier A., Bourgoin J.Co Electron irradiation effects in p-type GaAs. J. Appl. Phys., 1982, v.53, N 12, p.8691−8696.
  136. Е.Ю., Брудный В. Н. Исследование введенияи отжига радиационных дефектов в n-GaP при электронном облучении. В кн.: Респ. совещание «Радиационные повреждения в твердых телах». Т.1. Тезисы докладов. Киев, 1974, с.41−42.
  137. Е.Ю., Конозенко И. Д., Татачник В. П. Дефекты в фосфиде галлия, облученном электронами. ФТП, 1975, т.9,4, с.769- 771 .
  138. А.А., Гатальский Г. В., Иванов Г. М., Коршунов Ф. П. Влияние электронного облучения на электрические свойства GaP 11- типа. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, 1976, с.14−15.
  139. Л.Н., Оеташко Н. И., Шаховцов В. И. Оптическое поглощение облученного электронами фосфида галлия, легированного медью. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, 1976, с.16−17.
  140. Е.Ю., Конозенко И. Д., Макаренко В. Г., Мар-чук Н.Д. Изучение радиационных дефектов в GaP методами ТСТ и ФЕ. В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, 1976, с.20−21.
  141. Е.Ю., Григорян Н. Е., Ерицян Г. Н., Манкара B.C., Тартачник В. П. Оптическое поглощение в облученных кристаллах GaP. -В кн.: Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, 1976, с.22- 23.
  142. Lang D.V., Kimerling L.C. Electrical and optical properties of electron-irradiated GaPu Appl. Phys. Lett., 1976, ve28, pо248−255.j
  143. Brailovskii E. Yu0, Grigoi^an N.E., Eritsyan G.N. The llight absorption in electron-irradiated GaP. Phys. St.
  144. Sol. (a), 1980, v.62, p.619−622.
  145. A.H., Макаренко В. Г., Осташко U.K., Теслен-ко В.В. ЭГГР облученного электронами GaP Fe. ФТП, 1982, т.16, ^ 5, с.914- 916.
  146. Leloup J., Djerassi Н., Albany HeJ. Electrical properties and energy levels in electron-irradiated n-type InP.- «Lattice Defects Semicond., 1974-. Into Conf», Freiburg, 1974″. Bristol-London, 1975, p.367−372″
  147. Leloup J., Derdouri M., Djerassi H. Room-temperature electron irradiation of n-type InP. «Rad. Eff. Semicond.- 1976. Int. Conf., Dubrovrik, 1976″. Bristol-London, 1977, p.372−378о
  148. Levinson M», Benton JoL., ECDemkin He, Kimerling L"C. Defect states in electron bombarded n-IriP. Appl. Physo Lett., 1982, v.40, N 11, p0990−992о
  149. Suski J0, Bourgoin J.C., Lim H. Defects induced by electron irradiation in InP. J" Applo Phys., 1983, v"54, p.2832−2834.
  150. Levinson M0, Benton J. L0, Kimerling L.C. Electronically controlled metastable defect reaction in InP. «Phys. Rev. B: Condense Matter», 1983, v.27, N 10, p.6216−6221.
  151. Kekelidze N.P., Kekelidze G.P. Radiation effects in InP, InAs and their solid solutions. «Rad. Eff. Semicond., 1976, Int. Confc, Dubrovnik, 1976″. Bristol-London, 1977,» p.387−394.
  152. Ponds D. Irradiation monocristaux d’InP. Thesis, Univ. de Paris VI, 1979o
  153. Е.Ю., Карапетян Ф. К., Тартачник В. П. Электрические свойства n-InP, облученного электронами. ФТП, 1979, т.10, К 9, с.2044- 2048.
  154. Е.Ю., Григорян II.Е., Ерицян Г. Н. О полосе 2,1 эВ в спектре фотопроводимости n-inP, облученного электронами с энергией 50 МэВ. ФТП, 1981, т.15, IS 3 с. 591 — 594.
  155. Е.Ю., Григорян Н. Е., Ерицян Г. Н. Фотоэлектрические свойства кристаллов GaP и InP, облученных быстрыми электронами. Изв. АН Арм. ССР. >1из., 1983, т.18, К 4, с.235- 239.- АЗ^г
  156. Г. II., Саакян В. А. Влияние электронного облучения на n-InP. «АйкаканССР Гитутюннери Академиан тегекагир. Физика, Изв. АН Арм. ССР. Физ.% 1980, т.15, Е 3, с.210−214.
  157. Е.П. Электрические свойства n-Inf при электронном облучении. ФТТ, 1974, т.1б, 4, с.730- 734.
  158. .Н., Воробьев С. А., Цой А.А. Аннигиляция позитронов в облученной электронами n-InP. ФТП, 1982, т.16,2, с. 193- 196.
  159. Brudnyi V.N., Vorobiev S.A., Tsoi A"A. Positron annihilation and Hall effect in electron-irradiated n-InP crystals. Appl. Phys., 1982, A29, N 4-, p.219−22 $.
  160. Sibille A., Bourgoin J.C. Electron irradiation induced deep levels in p-InP. Appl. Phys. Lett., 1982, v.41, N 10, Pо 956−958с
  161. В.П., Новиков ii.A. О предельных электрических параметрах облученного InP. ФТП, 1982, т.16, ft 10, с.1880−1882.
  162. Brailovskii Е. Yu, Karapetyan F.K., Megela. I.G., Та-tachnik V.P. Radiation defects in electron irradiated InP crystals. Phys. St. Sol., 1982, A71, N 2, p.565−568.
  163. Brailovskii E.Yu., Megela I.G., Pambuchchyan N.H., Tes-lenko V.V. EPR study of electro-irradiated InP: Fe. Phys. St. Sol., 1982, A72, N 1, K109-K111o
  164. E.B. Методы исследования эфоекта Холла. М.: Советское радио, 1974, 328 е., ил.
  165. К., Роуз-инс Д. Полупроводники типа ЛШВ. М.:
  166. С.С., Лебедев Б. Б. Соединения АШБУ. Справочник. -!.'.: Металлургия, 1S84, 144 е., ил.
  167. К. Физика полупроводников. -М.: Мир, 1977, 615 с.ил.
  168. Bublik V.T. The enthalpies of formation of In and P vacancies in InP. Phys. St. Sol. (A), 1978, p.54−3-54−80V
  169. Weisberg L0R. Anomalous mobility effects in some semiconductors and insulators. J. Appl. Phys., 1982, v.33, N 5, p, 1817−1821.
  170. Латышев А. Б, Стельмах Б. Ф., Ткачев Б. Д. Подвияность электронов в неоднородных кристаллах арсекида галлия. Изв. вузов СССР. Физика, 1 972, & 11, с. 145−149.
  171. .С. 0 подвижности носителей в компенсированном арсениде галлия. Изв. АН Уз.ССР. Сер. Физ.-мат. наук, 1971, К 6, с. 64 — 65.
  172. .И., офрос Д.Л. Прш/есная зона и проводимость компенсированных полупроводников. ЗХЭ1Ф, 1971, т.60, К 2, с.867 878.
  173. В.й. Сильно легированные полупроводники. -М.: Наука, 1967, 415 с.
  174. Бонч-Бруевич Б.П., Калашников С. Г. Физика полупровод-никво. М.: Наука, 1977, 672 с.
  175. В.А. Методы практических расчетов в термодинамике химических реакций. М.: Химия, 1975, 536 е., ил.
  176. Т., Хигашиура М., Наканиси X. Перераспределениеи испарение хрома в полуизолирующем арсениде галлия. В кн.-
  177. Полуизолирующие соединения A0BV. ~М.: Металлургия, 1984, с.93- 94.
  178. Дк., Ватанабе К. Модель термоконверсик полуизолирующего арсенида галлия. В кн.: Полуизолирующие соединения AfflBv. -М.: Металлургия, 1984, с.97- 102.
  179. Оптические свойства полупроводников. Под ред, Уилла-русона Р. и Еира А. — М.: Мир, 1970, 488 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!