Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами

Диссертация: Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наблюдается увеличение КПД СД при малых дозах у-облучения. Увеличивается интенсивность полосы электролюминесценции (ЭЛ), что объясняется структурным упорядочением границы раздела InGaN/GaN. В результате такого упорядочения снижается концентрация безызлучательных рекомбинационных центров и, следовательно, возрастает светимость. При высоких дозах облучения интенсивность ЭЛ уменьшается, что связано… Читать ещё >

Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список условных обозначений
  • Введение.'
  • Глава 1. Гетероструктуры с квантовой ямой на основе GaN
    • 1. 1. Полупроводниковые гетероструктуры
    • 1. 2. Кристалл с ОКЯ
    • 1. 3. Кристалл с МКЯ
    • 1. 4. Газо-фазная эпитаксия при низком давлении из металлорганических соединений
    • 1. 5. Ширина запрегценной зоны в InGaN/GaN
    • 1. 6. Спектры голубых СД
    • 1. 7. Вольт-амперные характеристики голубых СДс ОКЯ
    • 1. 8. Вольт-амперные характеристики голубых СД с МКЯ
    • 1. 9. Волът-фарадные характеристики голубых СД
    • 1. 10. Туннельная излучательная рекомбинация
    • 1. 11. Модель туннельного тока
    • 1. 12. Квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами
    • 1. 13. Пути улучшения электролюлшнесцентных характеристик
  • СД на основе InGaN/GaN
    • 1. 14. Деградация нитрид галлиевых светодиодов
    • 1. 15. Электрофизические характеристики голубых СД InGaN/GaN-светодиодов при высокой плотности тока
    • 1. 16. Параметры глубоких уровней (ГУ) в кристаллах AlGaN/InGaN/GaN
    • 1. 17. Гетероструктуры с туннельно-связанными квантовыми ямами
  • Выводы по главе 1
  • Глава 2. Электрические характеристики голубых светодиодов
    • 2. 1. 0бразг{ы для исследований
    • 2. 2. Вольт-амперные характеристики и CV-характеристики голубых СД
    • 2. 3. Механизмы токопереноса в СД
    • 2. 4. Исследование прыжковой проводимости
    • 2. 5. Расчёт энергии активации
    • 2. 6. Определение концентрации доноров -Nd
    • 2. 7. ИсследованияВАХпри обратных напряжениях смещения
  • Выводы по главе 2
  • Глава 3. Люминесцентные характеристики голубых светодиодов
    • 3. 1. Электролюминесцентные характеристики СД
    • 3. 2. Низкотемпературные спектральные исследования
    • 3. 3. Заполнение энергетических уровней в трехуровневой модели
    • 3. 4. Коэффициент полезного действия (КПД) СД
  • Выводы по главе 3
  • Глава 4. Исследование рекомбинационных центров в голубых СД
    • 4. 1. Термостимулированная ёмкость (ТСЕ)
    • 4. 2. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней — НСГУ (DLTS)
    • 4. 3. Концентрация глубоких уровней в структуре InGaN/GaN и вероятность туннелирования носителей заряда
    • 4. 4. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней. Туннельная рекомбинация
    • 4. 5. Дифференциальные показатели наклона ВАХ — Д
  • Выводы по главе 4
  • Глава 5. Влияние у-облучения на электро-физические параметры голубых СД
    • 5. 1. Изменение В АХголубых СД после облучения
    • 5. 2. Трансформация концентрационного профиля мелкой примеси в СД и анализ CV-характеристик голубых СД после облучения у-излучением
    • 5. 3. Влияние у-облучения на ГУ в структурах AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами
    • 5. 4. Анализ излгенения формы спектра электролюминесценции облученного и необлученного СД
    • 5. 5. Зависимость яркости и КПД голубых СД в зависимости от дозы облучния
  • Выводы по главе 5

Сегодня светодиоды (СД) прочно вошли в нашу жизнь, но этому предшествовала огромная научно-исследовательская работа. Начиная с 20-х годов прошлого века, проводились исследования электролюминесценции (ЭЛ) полупроводникового перехода. Открытие получило официальное название — «свечение Лосева» в честь радиофизика О. В. Лосева (Нижегородская радиолаборатория (НРЛ)). Первые промышленные образцы светодиодов появились только в начале 60-х годов XX века. Это были фосфидо-галлиевые светодиоды красного свечения. Позже появились карбидокремниевые диоды со свечением жёлтого цвета. Затем удалось создать зелёный и оранжевый светодиоды. Только в 80-х годах был получен светодиод со свечением синего цвета. В 1996 году был изготовлен первый СД, дающий белый цвет свечения [1]. Таким образом, цветовая гамма видимого спектра была полностью «охвачена» светодиодами.

Однако работы по совершенствованию и применению нового класса твердотельных излучающих приборов продолжаются и сейчас. Ежедневно расширяется спектр применения СД. Особенно широко распространились сверхъяркие СД на основе соединений АщВу, в частности, одним из преимущественных направлений стало производство СД на основе нитрида галлия и его твердых растворов. Над решением данных задач работают крупнейшие корпорации мира: DuPont Displays, Samsung, Sony, Hewlett-Packard, IBM, Kodak, Lucent, Philips, а также менее именитые фирмы, специализирующиеся на оптических приборах: King Bright, Osrani и др.

Сегодня СД (в том числе и на основе AlGaN/InGaN/GaN) можно встретить:

1) в уличных светофорах (зеленый свет),.

2) в оптических приборах автомобилей (сигналы поворота и стоп-сигналы),.

3) в подсветках жидкокристаллических дисплеев (ЖК-дисплеев),.

4) в качестве индикаторов в различных электронных приборах и охранных системах,.

5) в цветных лазерных принтерах высокого разрешения;

6) в системах связи на основе волоконно-оптических линий;

7) в производстве экономичных осветительных устройств (есть мнение, что уже к 2010 году СД вытеснят лампы накаливания);

8) в полноцветных дисплеях;

9) в много кристальных светодиодных матрицах RGB, которые позволяют управлять цветом;

10) на основе светодиодов создано устройство, которое проецирует изображение прямо на сетчатку глаза, что позволяет пациентам с частичной потерей зрения читать и исследовать виртуальные строения.

Также необходимо сказать, что существует две технологии получения белого света с помощью светодиодов. Первая — красный, зеленый и синий кристаллы в одном корпусе. Вторая — более дешевый подход — основан на включении в синий светодиод люминофора, который поглощает часть синего света и флуоресцирует в широком спектре, достигая белого цвета [2]. Это также расширяет сферу применения InGaN/GaN светодиодов.

Рынок светодиодной продукции достиг объема более 4.2 миллиарда долларов в 2006 г. и продолжает стремительно развиваться. Предполагается, что развитие энергосберегающих технологий освещения увеличит его до 9 миллиардов долларов в 2011 году (рис. 1.)[3]. ю.

2001 2002 2003 20С4 3305 2006 2007 2QC8 2009 2010 2011.

Рис. 1. Динамика рынка сверхъярких светодиодов.

Столь широкое распространение нитридов — элементов группы Ш (A1N, GaN, InN) и их сплавов — стало возможным лишь благодаря их свойствам: материалы имеют прямую структуру зон с шириной запрещенной зоны от 0.7 эВ до 6.2 эВ при комнатной температуре [4]. Для создания СД-структур с преобладающим излучением в синем и ультрафиолетовом спектральных диапазонах обычно используются GaN и твердые растворы на его основе InxGaixN, AlxGaixN. GaN — прямозонный материал, гексагональная модификация которого имеет ширину запрещенной зоны 3.4 эВ при комнатной температуре.

В настоящее время серьезную конкуренцию СД на основе нитрида галлия и его твердых растворов составляют органические полупроводниковые устройства, которые также обладают электролюминесцентными свойствами. Органические полупроводниковые диоды могут быть сделаны на тонких сгибаемых листах, а также обладают меньшей себестоимостью. Однако по своей основной характеристикеяркости — органические СД пока проигрывают светодиодам на основе GaN.

Значение светоотдачи белых светодиодов: на основе InGaN/AlGaN/GaN на данный момент уже превышает 90 лм/Вт [5] в сравнении с лампами накаливания — 15 лм/Вт. Среднее время наработки на отказ для СД лежит в диапазоне от 105 до 10б часов — это довольно длительный период, для сравнения — в году 8 760 или 8 784 часов [6, 7].

Несмотря на такие значительные успехи науки в области применения светодиодов на основе нитрида галлия и технологии их производства, остается еще достаточное количество не решенных и не проработанных до конца вопросов. Не до конца исследованными остаются физические процессы, протекающие в таких структурах. В частности, не построена чёткая теория токопереноса, описывающая всё семейство СД на основе GaN с квантовыми ямами (КЯ). Для полного описания структуры InGaN/GaN, её особенностей и физических процессов, протекающих в ней, необходимо провести дополнительно целый ряд экспериментов. Остаются открытыми вопросы о повышении КПД и светоотдачи, о влиянии внешних воздействий на эти параметры, о совместном использовании различных светоизлучающих устройств. Необходимо постоянное совершенствование технологии производства СД с КЯ — в частности, этому могут способствовать исследования в области варьирования количества КЯ, изменения параметров КЯ и уровней в них под внешним силовым воздействием. Также перспективным, на наш взгляд, является исследование дефектов в структурах с КЯ и их влияния на работу СД. Таким образом, актуальность темы не вызывает сомнений.

Цель исследования: определить основные механизмы формирования токов в исследуемой структуре InGaN/AlGaN/GaNзависимости КПД, яркости и светоотдачи от них, а также пути улучшения излучающих характеристик СДисследовать глубокие центры в СД на основе InGaN/AlGaN/GaN.

Поставленная цель предполагает решение следующих задач: 1. Исследование механизмов токопереноса в структурах на основе твердого раствора InGaN с двумя КЯ. 1. Экспериментальное исследование электрических и электролюминесцентных характеристик структур на основе InGaN/GaN и параметров рекомбинационных уровней в изучаемых структурах до и после облучения у-излучением.

Научная новизна:

1. Предложена модель инверсной заселённости уровней для объяснения процессов излучательной рекомбинации. В случае наличия двух квантовых ям инверсная заселённость может осуществляться на уровне во второй квантовой яме, которая является рабочей, в ней осуществляется зона-зонная излучательная рекомбинация между квантовыми уровнями в квантовой яме.

2. В работе представлено исследование прыжковой проводимости, которое показало, что существуют две плотности состояний вблизи уровня Ферми, проявляющиеся в разных температурных диапазонах. Также выявлено, что у-облучение кардинально меняет плотность состояний — для необлучённого образца характерен рост плотности локализованных состояний начиная с напряжения g (jn) в 1.5 В, который заканчивается значительными осцилляциями g (ju) с ростом напряжениядля облучённых образцов резкий рост плотности состояний наблюдается уже с малых значений напряжения, а затем обнаруживается более стремительное падение. Причём точки максимума (U = 1.36 В для 0.3 мРад и U = 1.42 В для 0.5 мРад) на графиках g (ji)(U) для облучённых образцов представляют собой экстремумы с неопределённой производной.

3. Определены энергии залегания глубоких центров исследуемой структуры с помощью методов рекомбинационной спектроскопии и методами емкостной спектроскопии. Исследовано влияние у-облучения на данные уровни.

4. Установлено влияние у-облучения на яркостные характеристики нитрид галлиевых диодов. Эффективность излучениярастет и достигает максимума при токе 1−3 тА. При дозе 0.3 мРад в максимуме rj-11% при дозе 0.5 мРад tj = 9% ив образце без облучения 8%. Таким образом, в образце, облучённом дозой 0.3 мРад, произошло увеличение эффективности излучения в 1.4 раза.

Практическая значимость:

1. Доказано, что радиационное воздействие на структурные дефекты изменяет их концентрацию и энергию активации, что позволяет увеличивать основной технико-экономический показатель светодиодов — квантовый выход.

2. Представлено математическое описание спектра электролюминесценции как суперпозиция спектров отдельных уровней в квантовой яме. Также разработана модель инверсной заселённости уровней в системе с двумя квантовыми ямами, что позволяет описывать процессы излучательной рекомбинации в InGaN/GaN светодиодах.

3 Используемые в работе методики и комплексный анализ емкостных и вольт-амперных характеристик исследуемого диода позволяют определить ряд важных параметров структур с квантовыми ямами: контактная разность потенциалов, ширина компенсированного слоя, градиент легирующей примеси, высота потенциального барьера, профиль легирования, энергии уровней в квантовой яме.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Установлен механизм токопереноса по температурным зависимостям ВАХ — туннелирование с участием прыжковой проводимости при наличии 2-х плотностей состояний g (j.i) вблизи уровня Ферми, проявляющихся в различных температурных диапазонах. Функция термической активации тока — Еа = f (U) имеет два квазипостоянных значения с энергией 0.85 эВ и 0.3 эВ (при более высоких напряжениях Еа уменьшается и соответствует возрастанию g (j.i)). Длина прыжка R (U) с ростом U падает при увеличении и растет при уменьшении.

2. Существуют две стадии воздействия у-излучения на СД: малые дозыпроисходит деактивация Mg в р-слое путем разрушения его связи с остаточным (Н) и соответствующее увеличение эффективной концентрации акцепторовбольшие дозы — образование точечных дефектов типа пар Френкеля (вероятно смещение из узлов решетки атомов азота N и образование VN — доноров). На первой стадии происходит самокомпенсация (VGa — акцепторы, VN и (Vn-NcJ — однозарядные и двухзарядные доноры компенсируют основную примесь Mg).

3. Наблюдается увеличение КПД СД при малых дозах у-облучения. Увеличивается интенсивность полосы электролюминесценции (ЭЛ), что объясняется структурным упорядочением границы раздела InGaN/GaN. В результате такого упорядочения снижается концентрация безызлучательных рекомбинационных центров и, следовательно, возрастает светимость. При высоких дозах облучения интенсивность ЭЛ уменьшается, что связано с интенсивной генерацией поверхностных радиационных дефектов (межузельный Gat мигрирует к поверхности). Подбирая параметры у-излучения, можно повысить эффективность излучения СД на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN.

Апробация работы. Результаты исследования представлялись на VIII, IX и X международной конференции «Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» в 2006, 2007 и 2008 годах, г. Ульяновскна VIII, IX и X всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике: г. Санкт-Петербург, 2006, 2007 и 2008 гг., а также на VIII Международной конференции «Оптико-электронные приборы и устройства в системах распознавания образов, обработки изображений и символьной информации». — Распознавание-2008, г. Курск, 2008 г. '.

Достоверность результатов. Достоверность полученных результатов обеспечивается комплексным характером исследований оптических и электрических свойств светодиодов, подтверждением результатов экспериментальных измерений теоретическими расчетами, согласованием полученных в работе результатов с данными других исследователей, использованием только поверенных приборов.

Публикации. Результаты исследований отражены в 12 работах (в том числе 2 публикации — в журналах, рекомендованных ВАК), список которых приведен в конце автореферата.

Личное участие автора. Основные теоретические положения разработаны совместно с д. ф.-м. н., профессором Н. С. Грушко. Экспериментальное исследование вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик, термостимулированной емкости, нестационарной спектроскопии глубоких уровней, спектральные исследования электролюминесценции проведены автором самостоятельно на установках кафедры Инженерной физики Ульяновского государственного университета. Собрана экспериментальная установка. и создана программа на основе трех универсальных вольтметров В7−46 и источника питания РРЕ3323. Использовался люксметр/яркометр «ТКА-ПК» кафедры Радиофизики и электроники Ульяновского государственного университета. Автором самостоятельно выполнена обработка результатов эксперимента.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и заключения. Материал изложен на 121 страницах, содержит 76 рисунков, 8 таблиц, 82 наименований в списке литературы.

Выводы по главе 5.

1. Выявлено влияние у-облучения на все основные электрофизические характеристики: голубых светодиодов KPT -1608PBC (SMD): ВАХ, плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми, ВФХ, сцекгры ЭЛ, концентрационный профиль мелкой: примеси, КПД.

Малые дозы ионизирующего у-излучения инициируют уменьшение числа дефектови упорядочение структуры. Значительная доля? дефектов компенсируется на границах раздела, слоев гетероструктуры — следствие локального разогрева [80, 81]. .

2. у-облучение изменяет концентрационный профиль, сдвигая: его к поверхности, что связано с изменением, величины компенсированного слоя, а также с: процессами дефектообразования и их компенсации под влиянием у-излучения. Изменяется ширина КЯ:

3. Смещение максимума ЭЛ говорит об увеличении доли содержания In в активном слое СД KPT — 1608PBC (SMD) под воздействием у-квантов.

4. Наблюдается увеличение КПД СД при малыхдозах у-облучения. Увеличивается интенсивность полосыэлектролюминесценции (ЭЛ), что объясняется структурным упорядочением границы раздела In (3aN/GaN (аналогично [82] для структур nc Si/SiCb). В результате такого упорядочения снижается концентрация безызлучательных рекомбинационных центров и, следовательно, возрастает светимость. При высоких дозах облучения интенсивность ЭЛ уменьшается, что связано с интенсивной генерацией поверхностных радиационных дефектов (межузельный Gai мигрирует к поверхности).

5. Подбирая параметры у-излучения, можно повысить эффективность излучения СД на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN, как показано в этой главе, а также, согласно [35], тестовое у-излучение позволяет выявлять потенциально ненадёжные приборы: на основе нитрид галлиевых гетероструктур по деградации параметра мощность излучения.

Заключение

.

1. Определен основной механизм формирования тока в структурах на основе InGaN/GaN — туннелирование с участием прыжковой проводимости при наличии 2-х плотностей состояний g (|x) вблизи' уровня Ферми. Зависимость энергии активации тока от напряжения на структуре согласуется с характером изменения плотностей состояний вблизи уровня Ферми при росте внешнего напряжения смещения. Определена зависимость длины прыжка R — f (U).

2. По вольт-емкостным характеристикам определены параметры компенсированной области InGaN/GaN гетеро структуры. Контактная разность потенциалов Uk = 1.07 В и не зависит от дозы облучения. Ширина компенсированного слоя L падает, а градиент концентрации растет с увеличением дозы облучения. Установлено, что при у-облучении наблюдается сдвиг концентрационного профиля к поверхности из-за уменьшения ширины компенсированного слоя L и сужения ширины квантовых ям.

3. На спектрах ЭЛ гетероструктуры на основе InGaN/GaN при Т = 81 К и I = 5−10″ 5 А наблюдается три, максимума: 468 нм (Ei = 2.65 эВ), 485 нм (Е2 = 2,56 эВ), 493 нм (Ез = 2,52 эВ). Эти пики соответствуют излучательной рекомбинации между уровнями в квантовой яме. Максимумы электролюминесценции (ЭЛ) с ростом температуры слабо сдвигаются в коротковолновую область (из-за эффекта экранирования) и уменьшаются по амплитуде (температурное гашение ЭЛ). С увеличением тока при Т = const амплитуда максимумов ЭЛ растет.

4. На ТСЕ проявляется 3 уровня Et = 0.64+0.04 эВEt = 0.76±-0.04эВEt = 0.83±0.04 эВ. Спектр DLTS позволил выявить наличие одного уровня с энергией Et = 0.73 ± 0,04 эВ, что соответствует уровню № 2, определённому из ТСЕ.

Анализ приведенной скорости рекомбинации Rnp также показал наличие одного глубокого уровня — Et=l, 45 3B, который существенно не меняет.

110 своей глубины в зависимости от дозы обучения. По максимумам производной дифференциального показателя наклона ВАХ определены ещё 2 ГУ: 0.22-г0.23 эВ и 0.43-^-0.45 эВ. Причем второй уровень проявляет себя только после облучения гетероструктуры. Вероятно, Et = 0.22-^0.23 эВ — этот уровень связан с акцепторным состоянием Mg.

5. Зависимость КПД от тока через образец 77 = /(/) имеет немонотонный характер с максимумом в диапазоне тока 1−3 lnA, принимая при этом значения: при дозе 0.3 мРад в максимуме 77 = 11%, при дозе 0.5 мРад 77 = 9% и в образце без облучения- 8%.

На зависимости В = /(/) можно выделить три участка. Участок резкого увеличения с наклоном п больше 1, что связано с преобладанием излучательного канала рекомбинации. Участок линейного роста с наклоном п порядка 1. Оба канала рекомбинации (излучательный и безызлучательный) характеризуются постоянным временем жизни. В этой области токов наблюдается максимум на зависимости 77 = /(/). И третий участок — п меньше 1. Здесь участвует несколько механизмов увеличения безызлучательной рекомбинации: возрастание падения напряжения на компенсированном слоеутечки носителей заряда из КЯв соседние широкозонные слои GaNзамедление понижения потенциального барьера, что ограничивает инжекцию носителей в активную область. Увеличивается доля носителей заряда, способных переходить в неосновную долину InGaN. Эти носители рекомбинируют с участием фононов, что снижает эффективность излучения.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Бюро иностранной научно-технической информации // Наука и жизнь. — 1997.-№ 4.-С. 18.
  2. Jonathan Beard. White Christinas for blue diodes // New Scientist. 1996. -Issue 2061.-P. 22.
  3. Сверхъяркие светодиоды укрепляют свои позиции на сайте: Электронный ресурс, 2007−04−14. // http://www.ledz.org/modules.php7namе= News&file=view&newsid=31/
  4. , А. Э. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия и его твердых растворов / А. Э. Юнович // Светотехника. 1996. -№ 5−6.-С. 2−7.
  5. Nakamura, S. TOPICAL REVIEW InGaN-based violet laser diodes / S. Nakamura // Semicond. Sci. Technol. 14 (1999) R27-R40. Printed in the UK.
  6. , M. H. Физика. Фундаментальные исследования в области информационных и коммуникационных технологий / М. Н. Либенсон // Соросовский образовательный журнал. 2001. — Т. 7, № 9. — С. 75−82.
  7. , К. Д. Разъединённые гетероструктуры II типа InAs/Galn^nAso^Sb с резкой планарной границей раздела / К. Д. Моисеев, А. А. Ситникова, Н. Н. Фолеев и др. // Физика и техника полупроводников. -2000.-Т. 34.-Вып. 12.-С. 1438−1442.
  8. , К. Г. Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN сквантовыми ямами / К. Г. Золина, В. Е. Кудряшов, А. Н. Туркин и др. // ФТП. 1997. — Т. 31. -Вып. 9. — С. 1055−1061.
  9. , В. С. Белые светодиоды на основе GaN гетероструктур с люминофорным покрытием / B.C. Абрамов, Д. Р. Агафонов, А. Э. Юнович // Тезисы докладов между нар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технология». Ульяновск, 2001. — С. 28.
  10. Гетероструктуры для сверхвысокочастотных биполярных транзисторов, полученные методом МЛЭ: Базы данных технологий // http://sciteclibrarv.ru/ms/catalog/pages/2335.html
  11. Dalfors, J. Photoluminescence measurements on GaN/AlGaN modulation doped quantum wells / J. Dalfors, J. P. Bergman, P. O. Holtz et al. // MRS Int. J. of Nitride Semicond. Res. 1999. — Vol. 7. — Ait. 7.
  12. , В. E. Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами / В. Е. Кудряшов, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович и др. // ФТП. 1999. — Т. 33. -Вып. 4.-С. 445−449.
  13. Allegre, J. Time-resolved photoluminescence studies of InGaN/GaN multiple quantum wells / J. Allegre, P. Lefebvre, S. Juillaguet et al. // MRS Int. J. of Nitride Semicond. Res. 1997. — Vol. 2. — Art. 34.
  14. Park, Y. Characteristic of InGaN/GaN Laser Diode Grown by a Multi-Wafer MOCVD System / Y. Park, B. J. Kim, J. W. Lee et al. // MRS Int. J. of Nitride Semicond. Res. 1999. — Vol. 4. — Art. 1. — P. 1−2.
  15. Sohmer, A. GalnN/GaN-Heterostructures and Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy / A. Sohmer- J. Off, H. Bolay et al. // MRS Int. J. of Nitride Semicond. Res. 1997. — Vol. 2. — Ait. 14.
  16. Talalaev, R. A. Modeling of InGaN MOVPE in AIX 200 Reactor and AIX 2000 HT Planetary Reactor / R. A. Talalaev, E. V. Yakovlev, S. Yu. Karpov et al. //MRS Int. J. of Nitride Semicond. Res. 1999. — Vol. 4. — Art. 5.
  17. Monemar, B. Radiative recombination in In 0.15 Ga 0.85 N/GaN multiple quantum well structures / B. Monemar, J. P. Bergman, J. Dalfors et al. // MRS Int. J. of Nitride Semicond. Res. 1999. — Vol. 4. — Art. 16.
  18. Wetzel, Ch. On the Bandstructure in GalnN/GaN Heterostructures5
  19. Strain, Band Gap and Piezoelectric Effect / Ch. Wetzel, N. Sliugo, T. Tetsuya et al. // MRS Int. J. of Nitride Semicond. Res. 1999. — Vol. 4. — Art. 1. — P. 1−2.
  20. , В. E. Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетерострукгур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами / В. Е. Кудряшов, К. Г. Золин, А. Н. Туркин и др. // ФТП. 1997. — Т. 31. — Вып. 11. — С. 13 041 309.
  21. , А. Н. Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетерострукгур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе / А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин, В. Е. Кудряшов и др. // ФТП. 1999 — Т. 33. -Вып. 2.-С. 224−231.
  22. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. М.: Наука, 1990.
  23. , А. Э. Спектры излучения гетерострукгур с квантовыми ямами типа InGaN/AlGaN/GaN: модель двумерной комбинированной плотности состояний / А. Э. Юнович, М. Л. Батгутдинов // ФТП. 2008. -Т. 42.-Вып. 4.-С. 438−446.
  24. , Л. С. Ёмкостные методы исследования полупроводников / Л. С. Берман. Л.: Наука, 1972. — 104 е.: ил.
  25. , А. Э. / А. Э. Юнович, А. Б. Ормонт // ЖЭТФ. 1966. — Т. 51. -Вып. 5(11).-С. 1292−1305.
  26. , В. Е. Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN зависимость от тока и напряжения / В. Е. Кудряшов, С. С. Мамакин, А. Н. Туркин и др. // ФТП.2001.-Т. 35. -Вып. 7.-С. 861−868.
  27. , Н. И. Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN / Н. И. Бочкарева, Д. В. Тархин, Ю. Т. Ребане и др. // ФТП. 2007. — Т. 41. -Вып. 1.-С. 88−91.
  28. Mukai, Т. Current and temperature dependence of electroluminescence of InGaN-based UV/blue/green light-emitting diodes / T. Mukai, M. Yamada, S. Nakamura // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. — V. 38. — L. 3976−3981.
  29. , H. И. Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов / Н. И. Бочкарева, А. А. Ефремов, Ю. Т. Ребане и др. // ФТП. 2006. — Т. 40. — Вып. 1. — С. 122−127.
  30. , М. В. Применение тестового гамма-облучения для отбраковки потенциально ненадёжных гетероэпитаксиальных структур
  31. AlGaAs/GaAs / M. В. Перевозчиков, Е. А. Ладыгин, П.'Б. Лагов // Материалы электронной техники. 2007. — № 3. — С. 42−45.
  32. , Н. И. Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN при высокой плотности тока / Н. И. Бочкарева, Р. И. Горбунов, А. В. Клочков и др. // ФТП. 2008. — Т. 42. — Вып. 11. -С. 1384−1390.
  33. , М. М. Глубокий уровень, образующийся в слоях GaN при облучении протонами / М. М. Соболев, Н. А. Соболев, А. С. Усиков и др. // ФТП.-2002.-Т. 36.-Вып. 12.-С. 1437−1439.
  34. , Н. И. Вольт-амперные характеристики GaN и AlGaN p-i-n-диодов / Н. И. Кузнецов, К. G. Irvine // ФТП. 1998. — Т. 32. — Вып. 3. -С. 369−372.
  35. , И. В. Глубокие уровни и электронный транспорт в гетероструктурах AlGaN/GaN / И. В. Антонова, В. И. Поляков, А. И. Руковишников и др:. // ФТП. 2008. — Т. 42. — Вып. 1: — С. 53−59.
  36. , В. Я. Инверсия электронной населенности' подзон размерного квантования при* продольном транспорте в туннельно-связанных квантовых ямах / В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов // Физика и техника полупроводников. 2002. — Т. 36. — Вып. 6. — С. 724−729.
  37. , О. А. Разработка автоматизированной установки для измерения вольт-амперных характеристик / О. А. Трифонов // Учёные записки УлГУ. Сер. Физическая / под ред. проф. С. В. Булярского. -Вып. 1(16). Ульяновск: УлГУ, 2004'. — С. 79−80.
  38. , А. В. Температурные исследования электрических характеристик голубых светодиодов на основе GaN с квантовой ямой /
  39. А. В. Лакалин, А. П. Солонин // Ученые записки УлГУ. Сер. Физическая / под ред. проф. С. В. Булярского. Вып. 1(17). — Ульяновск: УлГУ, 2005. -С. 59−64.
  40. , А. С. Релаксационный спектрометр глубоких центров / А. С. Амброзевич, С. В. Булярский, И. В. Мальцев // Учёные записки УлГУ. Сер. Физическая / под ред. проф. С. В. Булярского. Вып. 1(8). — Ульяновск: УлГУ, 2000. — С. 35−41.
  41. , И. Р. О точности восстановления профиля легирования полупроводников на основе вольт-фарадных измерений в процессе электрохимического травления / И. Р. Каретникова, Н. М. Нефедов, В. И. Шашкин // ФТП. 2001. — Т. 35. — Вып. 7. — С. 801−807.
  42. , Н. С. Токоперенос в светодиодах на основе гетероструктуры InGaN/GaN / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. П. Солонин // Прикладная физика. 2008. — № 5. — С. 94−97.
  43. , В. А. Управление электрическим полем эффектами пространственной повторяемости и мультипликации электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах / В. А. Петров, А. В. Никитин"// ФТП. 2006. — Т. 40. — Вып. 8. — С. 977−985.
  44. , Р. М. Релаксорные свойства кристаллов TlInS2 / Р. М. Сардарин, О. А. Самедов, А. Н. Наджафов и др. // Физика и астрономия АН Азербайджана. 2005. — № 2. — С. 70−74.
  45. , С. В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах / С. В. Булярский, Н. С. Грушко. М.: Изд-во МГУ, 1995.
  46. , С. В. Физические основы диагностики полупроводников: учебно-методическое пособие / С. В. Булярский, Н. С. Грушко, А. И. Сомов. -Ульяновск, 1998.-92 с.
  47. , Н. С. Анализ электролюминесценции светодиодов AlGaN/InGaN/GaN с квантовыми ямами / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, 118
  48. А П. Солонин // Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, труды IX международной конференции. Ульяновск, 2007. — С. 228.
  49. , С. В. Модель голубой люминесценции в структурах на основе GaN / С. В. Булярский, Н. С. Грушко, В. В. Типикин // Оптика, оптоэлектроника и технологии: труды международной конференции: Ульяновск: УлГУ. 2001. С. 17.
  50. , Ю. Основы физики полупроводников / Ю. Питер, Мануэль Кардона. М: Физмат, 2002. — 560 с.
  51. , Н. С. Электролюминесценция в структурах AlGaN^GaN/GaN с квантовыми ямами / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. П. Солонин // Сборник докладов 19-го международного симпозиума «Тонкие пленки в оптике, нанофотонике и наноэлекгронике». Харьков, 2007.
  52. , А. Н. Оптическая и квантовая электроника,/ А. Н. Пихтин. -М.: Высшая школа, 2001. С. 571. —. .:.¦ ¦
  53. , Д. И. Основы квантовой электроники / Д. И. Дудкин, JI. Н. Пахомов. СПб.: СПбГТУ, 2001. — С. 305.. '•" ,
  54. , Н. С. Эффективность излучения голубых светодиодов на основе InGaN/GaN / Н. С. Грушко, А. П. Солонин // Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды VIII международной конференции. -Ульяновск, 2006. С. 206.
  55. , Н. С. Яркость голубых светодиодов на основе GaN / Н. С. Грушко, А. П. Солонин., А. В. Лакалин // Неорганические материалы. -- 2008. Т. 44, № 2. — С. 181−183. ,.
  56. , С. В. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной ёмкости / С. В: Булярский, С. И. Радауцан // ФТП. -1981.-Т. 15.-С. 1443−1446.
  57. , Л. С. Ёмкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л. С. Берман, А. А. Лебедев. Л.: Наука, 1981. — 176 с.
  58. И. Е. Задачи по общей физике / И. Е. Иродов. М.: Наука, 1979.-369 е.: ил.'
  59. , Н. С. Структуры InGaN/SiC с модулированным легированием / Н. С. Грушко, Н. В. Дуванова, Е. А. Логинова- // Учёные записки УлГУ. Сер. Физическая / под ред. проф. С. В. Булярского. -Вып. 1(16). Ульяновск: УлГУ, 2004. — С. 30−39.
  60. , С. В: Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP-светодиодах / С. В: Булярский, М. О. Воробьев, Н. С. Грушко, А. В. Лакалин // ФТП. 1999. — Т. 33. -Вып. 6. — С. 723−726.
  61. , С. В. Туннельная^ рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением / С. В. Булярский, Ю. В. Рудь, Л. Н. Вострицова и др.}// ФТП. 2009: — Т. 43. — Вып. 4. — С. 460−466.
  62. , С. В. Инновационные методы диагностики наноэлектронных элементов: учебно-методический комплекс / С.' В. Булярский. Ульяновск: УлГУ, 2006. — 94 с.
  63. , Н. С. Концентрационный профиль светодиодов с квантовыми ямами под влиянием у-облучения / Н. С. Грушко, А. П. Солонин // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: труды X междунар. конференции. Ульяновск: УлГУ, 2008. — С. 23.
  64. , Н. С. Вольт-фарадные характеристики структур на основе твердого раствора InGaN / Н. С. Грушко,~ Л. Н. Потанахина // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. — Т. 73, № 2. — С. 45−50.
  65. , А. Н. Эффективность светодиодов на основе AlGaN/TnGaN /GaN гетероструктур / А. Н. Ковалев, Ф. И. Маняхин // Известия Вузов. МЭТ. 1998.-№ 1.-С. 59−65.
  66. , А. Н. Элементарные полосы голубого свечения нелегированных пленок нитрида галлия / А. Н. Грузинцев, А. Н. Редысин,
  67. B. И. Таций и др. // ФТП. 2004. — Т. 38, № 9. — С. 1039−1042.
  68. , Д. Б. Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe (Те, О) после у-облучения / Д. Б. Эльмуратова, Э. М. Ибрагимова // ФТП.-2007.-Т. 41.-Вып. 10.-С. 1153−1157.
  69. , Н. Ю. Исследование комплексов вакансионного типа в GaN и A1N методом аннигиляции позитронов / Н. Ю. Арутюнов, А. В. Михайлин, В. Ю. Давидов и др. // ФТП. 2002.- Т. 36, № 10.1. C. 1186−1190.
  70. , Н. С. Спектры электролюминесценции и коэффициент полезного действия светодиодов на основе твердого раствора InGaN / Н. С. Грушко, JI. Н. Потанахина // Прикладная физика. 2007. — № 6. — С. 5−8.
  71. , И. П. Изменения структуры сплава ВК при воздействии малых доз у-излучения / И. П. Чернов, Ю. А. Тимошников, А. П. Мамонтов и др. // Атомная энергия. Т. 57. — Вып. 1. — Июль 1984. — С. 58−59. '
  72. , И. П. Аномальное воздействие малых доз ионизирующего излучения на металлы и сплавы / И. П. Чернов, А. П. Мамонтов, А. А. Ботаки и др. // Атомная энергия. Т. 57. — Вып. 1. — Июль 1984. — С. 56−58.
  73. , И. П. Усиление фотолюминесценции структур с нанокристаллическим кремнием, стимулированное низкодозовым у-облучением / И. П. Лисовский, И. 3. Индутний, М. В. Муравская и др. // ФТП. 2008. — Т. 42, № 5. — С. 591−594.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!