Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние ионов Cd (II) на кристаллизацию и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложен механизм формирования плоских микрокристаллов А^а1, заключающийся в образовании зародышей Т-кристаллов при ориентированной агрегации мелкодисперсных изометрических микрокристаллов с образованием плоскости коалесценции, инициирующей анизотропный рост агрегатов по ионно-диффузионному механизму, обеспечивающих ориентированную латеральную коалесценцию мелкодисперсных изометрических… Читать ещё >

Влияние ионов Cd (II) на кристаллизацию и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Основные направления. совершенствования галогенидосе-ребряных фотоматериалов на основе Т-кристаллов
    • 1. 2. Современные способы получения фотографических эмульсий с Т-кристаллами и механизм формирования ПМК
    • 1. 3. Влияние примесных ионов металлов на свойства галогенидов серебра
      • 1. 3. 1. Влияние ионов Сй (II) на физические свойства МК А^а
      • 1. 3. 2. Влияние примесных ионов металлов на фотографические свойства галогенидов серебра
        • 1. 3. 2. 1. Ионы металлов на стадии получения галогенидосеребря-ных фотоэмульсий
        • 1. 3. 2. 2. Примесные ионы металлов на стадии экспонирования
        • 1. 3. 2. 3. Примесные ионы металлов и процесс химико-фотографической обработки
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТОВ
    • 2. 1. Методы изготовления галогенидосеребряных эмульсий
      • 2. 1. 1. Изготовление мелкозернистых галогенидосеребряных эмульсий
      • 2. 1. 2. Методика синтеза фотографических эмульсий с Т- и Т-Ь-кристаллами
    • 2. 2. Методы исследования микрокристаллов. AgHal
      • 2. 2. 1. Турбидиметрический метод определения размера мелкодисперсных микрокристаллов
      • 2. 2. 2. Электронная микроскопия и дисперсионный анализ
    • 2. 2. 3 Оптическая микроскопия."
    • 2. 3. Химическая сенсибилизация
    • 2. 4. Сенситометрические исследования. ,
    • 2. 5. Потенциометрический метод определения содержания кадмия
    • 2. 6. Химические вещества и реактивы
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ПРИСУТСТВИИ СОЛЕЙ КАДМИЯ
    • 3. 1. Содержание ионов кадмия в эмульсионных МК
    • 3. 2. Взаимодействие соли кадмия с насыщенным раствором галогенидов серебра
    • 3. 3. Модификация габитуса микрокристаллов AgBr в присутствии ионов Сй (II)
    • 3. 4. Влияние ионов Сс1(П) на дисперсионные и гранулометрические характеристики Т-кристаллов
      • 3. 4. 1. Влияние ионов СсЦП) на формирование Т-Ьп-кристаллов при двухструйной кристаллизации
      • 3. 4. 2. Влияние ионов С (Щ1) на формирование Т-Ьп-кристаллов методом физического созревания мелкозернистых эмульсий
    • 3. 5. Влияние анионов на процесс кристаллизации МК А? На
  • ГЛАВА 4. ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МЕХАНИЗМЕ ФОРМИРОВАНИЯ Т-КРИСТАЛЛОВ
  • AgHal
    • 4. 1. Получение хлоридосодержащих Т-кристаллов
      • 4. 1. 1. Синтез мелкодисперсных МК AgBr (Cl)
      • 4. 1. 2. Получение Т-кристаллов AgBr (Cl)
    • 4. 2. Феноменологическая модель образования и роста плоских кристаллов галогенидов серебра
  • ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ИОНОВ КАДМИЯ НА ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА Т-КРИСТАЛЛОВ
    • 5. 1. Фотографические свойства плоских микрокристаллов AgHal, дотированных ионами Cd (II) и влияние локализации примесных ионов
    • 5. 2. Влияние анионов на фотографические свойства МК AgHal
    • 5. 3. Влияние ионов Cd (II) на фотопроцесс в гетероконтактных МК AgHal
    • 5. 4. Влияние ионов Cd (II) на процессы химико-фотографической обработки
  • ВЫВОДЫ

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ: Галогенидосеребряные фотографические материалы до настоящего времени сохраняют свои позиции как непревзойденные по совокупности потребительских свойств средства регистрации оптической информации. Одним из главных направлений является разработка новых типов эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра, позволяющих повысить эффективность использования падающего излучения за счет уменьшения рассеяния в эмульсионном слое, оптимизации процессов образования скрытого изображения и увеличения эффективности процессов химико-фотографической обработки материалов.

С целью увеличения светочувствительности и эффективности детектирования излучения предпринимаются попытки использования микрокристаллов различных структур, составов и форм. Наибольший эффект достигнут при использовании плоских кристаллов сложной структуры — Т-кристаллов с латеральными оболочками (T-L-кристаллов). С использованием таких микрокристаллов изготовлена самая высокочувствительная черно-белая фотопленка Kodak Т-Мах 3200. Светочувствительность этой пленки при соответствующей химико-фотографической обработке может достигать 50 000 ед ASA. Это достигается подбором составов различных участков МК и их расположения, что обеспечивает увеличение эффективности процесса концентрирования фотолитического серебра.

Однако простое варьирование галогенидного состава МК не позволяет полностью использовать потенциальные возможности T-L-систем вследствие энергетических затруднений перехода фо-тоиндуцированных носителей заряда из одной фазы в другую. Преодоление этого препятствия позволило бы существенно повысить уровень светочувствительности фотографических слоев. Одним из возможных способов преодоления энергетического барьера является допирование зоны гетероперехода примесными ионами. Изучению процессов допирования МК AgHal фотографических эмульсий различными ионами, в т. ч. ионами СсЦП) посвящен достаточно широкий круг работ. Отмечено, что при введении ионов СсЦП) происходит изменение электрофизических и фотографических свойств МК АёНа1. Но опубликованные результаты исследований не позволяют сделать однозначных выводов о влиянии ионов СсЦП) на свойства МК АвНа1.

Настоящая работа посвящена изучению влияния ионов СсЦП) на процесс кристаллизации и фотографические свойства эмульсионных слоев с Т-кристаллами AgHal и уточнению модели образования и роста Т-кристаллов.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Установить закономерности процесса кристаллизации МК AgHal в присутствии ионов ей (II), определить влияние ионов СсЦП) на фотографические свойства МК, и на основании полученных результатов изыскать способы допирования Т-Ь-крис-таллов, обеспечивающие лучшие фотографические характеристики получаемых материалов. Кроме того, целью работы являлось уточнение механизма формирования и роста Т-кристаллов.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА.

1. Показано влияние ионов СсЦП) на процессы кристаллизации МК Исследованы закономерности процессов синтеза Т-кристаллов AgHal в присутствии ионов Сс1(П) способами контролируемой двухструйной кристаллизации и физического созревания МК мелкозернистых эмульсий.

2. Изучено влияние локализации примесных ионов СсЦП) в Т-Ь-кристаллах ^Вг/^(Вг, 1) на фотографические свойства. Исследованы количественные закономерности влияния ионов СсЦП) на фотосвойства эмульсионных МК. Предложена феноменологическая модель механизма влияния примесных ионов на свойства гетеро-контакта в системе AgBr/Ag (Br, I).

3. Установлено, что взаимодействие ионов СсЦП) с раствором AgBr приводит к образованию нерастворимого соединения, показана роль соединений кадмия на поверхности МК AgHal в процессах формирования фотографического изображения.

4. На основании анализа результатов исследования процесса кристаллизации AgHal определены условия, необходимые для формирования ПМК и предложена модель образования и роста Т-кристалловНа1, в соответствии с которой формирование Т-МК AgHal происходит по диффузионному и коалесцентному механизмам роста с преобладанием одного или другого, в зависимости от условий проведения процесса.

ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ.

1. Закономерности процесса кристаллизации МК AgHal в присутствии ионов С (3(П).

2. На основании результатов, полученных при изучении влияния ионов Сс1 (II) на процесс кристаллизации МК AgHal и на основании исследования возможности создания хлоридосодержащих Т-кристаллов без применения модификаторов роста — механизм формирования и роста ПМК.

3. Установленный факт влияния локализации ионов Сс1(П) на фотографические свойства Т-кристаллов AgHal и результаты исследования влияния ионов СсЦП) на процессы формирования фотографического изображения при экспонировании и химико-фотографической обработке эмульсионных слоев.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ.

1. Изученные закономерности формирования Т-кристаллов в присутствии ионов Сб (П) при контролируемой двухструнной кристаллизации и перекристаллизации МЗЭ позволяют эффективно и в широком диапазоне управлять дисперсионными характеристиками эмульсионных ПМК, допированных ионами СсЦП).

2. Предложенная феноменологическая модель образования и роста Т-кристаллов AgHal позволяет целенаправленно определять параметры процесса кристаллизации с целью получения ПМК с заданными гранулометрическими характеристиками.

3. Установлены закономерности соосаждения ионов СсЦП) и AgHal и влияние локализации ионов СсЦП) в МК на процессы формирования скрытого изображения, что создает предпосылки для изготовления эмульсионных слоев для регистрации оптической информации содержащих Т-кристаллы сложного строения и состава с повышенной эффективностью использования экспонирующего излучения с уменьшенным содержанием серебра.

4. На основании результатов исследований разработан способ допирования плоских МК АяНа! сложного строения ионами СсЦП), обеспечивающий увеличение светочувствительности эмульсионных слоев в 1.5 — 2 раза.

— и.

ВЫВОДЫ.

1. Присутствие в системе ионов СсЦП) в процессе кристаллизации галогенидов серебра даже в количестве 1*10″ 6 М/л приводит к формированию октаэдрической огранки или образованию плоских микрокристаллов при условиях, обеспечивающих, в отсутствие ионов Сс1(П), получение изометрических микрокристаллов.

2. Предложен механизм формирования плоских микрокристаллов А^а1, заключающийся в образовании зародышей Т-кристаллов при ориентированной агрегации мелкодисперсных изометрических микрокристаллов с образованием плоскости коалесценции, инициирующей анизотропный рост агрегатов по ионно-диффузионному механизму, обеспечивающих ориентированную латеральную коалесценцию мелкодисперсных изометрических кристаллов.

3. Установлено, что введение ионов Сй (П) в матрицу AgHal может вызывать как увеличение светочувствительности, так и десенсибилизацию, в зависимости от локализации примесных ионов в гетероконтактных кристаллах АвНа1.

4. Предложено объяснение влияния ионов ей (II) на фотографические свойства гетероконтактных кристаллов AgBr/AgBr (I), заключающееся в предположении образования ионами Сй (П) дырочных ловушек в фазеВг (1), что снижает эффективность процессов рекомбинации в зоне гетероконтакта, увеличивая эффективность образования скрытого изображения.

5. Показано, что при введении в фотографическую эмульсию соли кадмия на поверхности мик рокристаллов AgHal возможно образование малорастворимого комплексного соединения, аналогичного образующейся в растворе комплексной соли Сй[^Вг2]2 с произведением растворимости меньшим ПР что приводит к ингибированию процесса проявления и десенсибилизации эмульсионного слоя.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Доклад о наиболее важных отечественных и зарубежных достижениях в области науки, техники и производства фотокиноматериалов и носителей магнитной записи. — М.: АО НИИХИМФОТОПРОЕКТ, 1992.
  2. Х.И. Рассеяние света в эмульсионных слоях и их разрешающая способность. Успехи научн. фотографии, 1964, т.10, с.235−242.
  3. Пат. 4 414 304 (США) /Dickerson R.E. -опубл. 1983.
  4. Tani Т. Factors Influensing Photographic Sensitivity. -J. Soc. Photogr. Scl. and Tecnol. Japan, v.43, p335−346.
  5. Sowinski A.E., Wightman P.J. Minimizing Photographic Sensitivity to Environmental Radiation by Controlling Silver Halide Emulsion Morphology. J. Imag. Scl., 1987, v.3i- N46 p. 162.
  6. Пат. 5 045 443 (США) / Urabe S. опубл. 1991.
  7. Пат. 4 945 037 (США) / Saitou M. опубл. 1990.
  8. БреславЮ.А., Пейсахов В. В., Каплун Л. Я. Синтез и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра. -Успехи научн. фотографии, 1986, т.24, с.5−46.
  9. В. Д. Разработка основ синтеза и свойства микрокристаллов галогенидов серебра фотографических эмульсий типа «ядро-оболочка». Дис.. канд. хим. наук. Москва, 1989.
  10. Пат. 2 110 831А (Великобритания) /Daubendiek R.L. et al. опубл. 1983.
  11. Granzer F., Kricsanowits R., Mossig Th. Hetегоjunctionin Silver Halide systems. Intern. Congr. of Photogr. Sci., Koln, 1986, p.273−280.
  12. Ю.Ф., Ушанов Г. Г., Морозов В. П., Пейсахов В. В. Фотографические эмульсии типа ядро-оболочка: проблемы и перспективы. Всесоюзная конференция «Физические процессы в светочувствительных системах на основе солей серебра», Кемерово, 1986, с.8−10.
  13. Breslav Yu.A., Kolesnikov L. V. Surfase Properties of AgHal Real Emulsion Microcrustals. Intern. Symp. on Imag. Systems, Dresden, 1989, p29.
  14. Пат. 4 433 048 (США)/Solberg J.С., Piggin R.H., Wilgus H.S.- опубл. 1984.
  15. Пат. N654118(A5) (Швейцария)/Solberg J.С., Wilgus H.S.- опубл. 1986.
  16. Berry C.R. Change of Silver Halide Energy Levels With Temperature and Halide Composition. Photogr. Sci. and Eng., 1975, v. 19, N2, p. 93−95.
  17. Bando S., Shibahara Y., Ishimari S. Photographic Silver Halide Emulsion Containing Double Structure Grains. -J. Imag. Sci., 1985, v.29, N5, p. 193−196.
  18. Granzer F. Physical properties of phase boundaries in silver halide crystals in relation to photography. Part I. Band structures of abrupt phase boundaries between different silver halide crystals. J. of Imag. Sci. 1989, v.33, N6, p. 207−216.
  19. Maskasky J.E. Epitaxial Selectuve Site of Tabular Grain Emulsions. -J. Imag. Sci., 1988, v.32, N4, p.160.
  20. Пат. 4 435 501 (США) / Maskasky J.E. опубл. 1983.
  21. Пат. 4 463 087 (США) / Maskasky J.E. опубл. 1978.
  22. Cherns D., Stowell M.J., Thin Solid Films, 1975, V. 29, p.107.
  23. Пат. 4 806 461 (США) / Ikeda H. опубл. 1989.
  24. Пат. 5 068 173 (США) / Takechara H., Ikeda H. опубл. 1992.
  25. Е.И., Спирина Ю. Р. Проявляемость фотографических эмульсий AgHal с микрокристаллами сложного строения и состава. ЖНиПФ, 1993, т.38, N5, с.1−7.
  26. Пат. 4 434 226 (США) / Wilgus H.S. et al. опубл. 1984.
  27. Пат. 4 414 310 (США) / Daubendiek R.L.опубл. 1983.
  28. А.Г., Уварова Н. В. О получении пластинчатых гало-генсеребряных эмульсионных микрокристаллов способом прямой контролируемой эмульсификации. Актуальные вопросы химии и технологии фотогр. материалов, М., 1986, с. 106-ИЗ-
  29. Пат. 4 411 986 (США) / Abbot Т.J., Jones C.G. опубл. 1983.
  30. Ohzeki К., Urabe S., Tani Т. A Stady of Properties of Tabular Silver Bromide Grains. J. Imag. Sei., 1990, v.34., N4., p.136−132.
  31. Е.И., Ларичев Т. А. Закономерности формирования галогенидосеребряных Т-кристаллов при физическом созревании мелкозернистых эмульсий. ЖНиПФ, 1995, т. 40, N2, с. 57−59.
  32. Пат. 4 439 520 (США) / Kofron J.Т. опубл. — 1984.
  33. De Cugnac A., Chateau Н. Sei. ind. Photogr., 1962, v.33, N2, p. 121−125.
  34. Пат. 4 693 964 (США) / Daubendiek R.L., House G.L., Ger-sey T.R. опубл. 1987.
  35. Пат. 4 797 354 (США) / Saitou M., Urabe S., Ozeki K. -опубл. 1989.
  36. Пат. 4 755 456 (США) / Sugimoto Т., — опубл. 1988.
  37. М.В., Бричкин С. Б., Разумов В. Ф. Механизм образования и роста плоских эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра. ЖНиПФиК, 1992, т.37, N2, с. 165−172.
  38. D. Bollen, G. Bogels, T.M. Pot, H. Meekes, P. Bennema. New Insights in the Substep Mechanism of Twinned AgBr Crystals. Int. Symp. on Silver Halide Imaging, 1997, Vancouver, p.57.
  39. Larichev Т. and Kagakin Е. On Mechanism of Nucleation and Growth of the AgHal T-crystals. IS&T's 48th Annual Conference, Washington, 1995, p.
  40. Т.А. Создание фотоэмульсионных галогенидосереб-ряных Т-кристаллов способом перекристаллизации особомелкозернистых эмульсий. Дисс.. канд. хим. наук., Кемерово, 1993.
  41. И.А. Акимов, Ю. А. Черкасов, М. И. Черкашин, Сенсибилизированный фотоэффект. М.: Наука, 1980.
  42. Т. X. Теория фотографического процесса. JI., Химия, 1980. 672с.
  43. В.В. Фотохимия и радиационная химия твердых неорганических веществ. 1964, с. 127−169, 228−238.
  44. М.А. Полупроводниковые свойства фотоматериалов. Успехи научной фотографии. 1986, т.24, с. 109−119.
  45. Ebert I., Teltow J.- Ann. Phys. (Lpz), 1955, N15, p.268.
  46. Spoonhower J.P., Marchetti A.P. Trapped Holes In Silver Halides. J. Phys. Chem. Solids. 1990, v.51, N7, p. 793−804.
  47. Todorova M., Ivanova Т., Katsev A. A.Hang. Acoust. Opt. and Filmtechnic Soc. (6th Conf. Sci. and Appl. Photogr.), Budapest, 1972, p. 20.
  48. Тодорова M.С. A.c. 23 152 НРБ, 1979.
  49. .И., Харитонова А. И., Хейнман А.0. и др. А.с.554 522, СССР, Б.И. 1977, N14, с. 130.
  50. Luvalle J., Derkach N., Hertzenberg E. et al. Photogr. Korresp., 1968, B. 104, p.193.
  51. Пат. 3 891 442 (США) / Beavers D.J. опубл. 1975.
  52. Tani T. Photographic effects of Си (II), Pb (II) and Cd (II) at the surface of tabular AgBr grains. J. Soc. Phot. Sci. Techol. Japan, N35, 1972, p.272.
  53. C.R., Skillman D.C. «Some effects of Pb(II) on AgBr grain growth». Phot. Sci. and Eng. N11, 1967, p. 412.
  54. Berry C.R., Skillman B.C. Surface Structures and Epitaxial Growths on AgBr Microcrystals. J. Appl. Phys., 1964, v.35, p.2165.
  55. В.M., Михайлов О. В. Влияние ионов металлов и их комплексов на фотографические характеристики гало-генсеребряных светочувствительных материалов.- ЖНиПФиК, 1989, т.34, N3, с.233−238.
  56. Пат. 1 007 303 (Франция)/ -опубл. 1959.
  57. К.В. Химия фотографических эмульсий. М., Наука, 1975, с. 341.
  58. Пат.618 061 (Великобритания)/ Davly E.R., Berriman R.W., Trivelli A.P. опубл. 1946.
  59. Пат. 2 717 833 (США) / Wark H. опубл. 1955.
  60. Пат. 3 367 778 (США) / Berriman R.W. опубл. 1968.
  61. Миз К., Джеймс Т. Теория фотографического процесса. Л., Химия, 1973, с. 572.
  62. П.В. Физические процессы при образовании скрытого изображения. М., Наука, 1972, 350 с.
  63. Platikanova V., Stoicheva R., Malinowski J. Model investigation of the effect of Cd and Cu-ions on the photographic process. J. Phot. Sci., N15, p.29, 1967.
  64. .У., Кондрашкина A.A., Рябова P.В. Влияние соединений свинца и кадмия на свойства светочувствительных материалов. ЖФХ, N52, с. 2406, 1978.
  65. В.И., НижнерД.Г., Суворин В. В., Белоус В. М. Влияние поливалентных катионов на огранку и фотографические свойства эмульсионных микрокристаллов. ЖНиПФиК, 1981, т.26, N5, с.338−343.
  66. И.Ю., Колесова Т. Б., Акимова И. А. Влияние химических примесей на стабильность центров скрытого изображения в хлорсеребряных эмульсиях. ЖНиПФиК, 1989, т. 34, N1, с. 65−67.
  67. Пат. 3 964 912 (США) /Price H.J. опубл. 1976.
  68. Пат. 3 748 138 (США) / Bissonette V.L. опубл. 1973.
  69. Михайлов 0. В, Бимерская С. И. A.c. 1 004 950. СССР Б.И. 1983, N10.
  70. Практикум по коллоидной химии и электронной микроскопии. под ред. Воюцкого С. С., Панич P.M. — М.: Химия, 1974, с.32−33.
  71. А.И. О погрешности измерения.среднего радиуса микрокристаллов в фотографических эмульсиях турбиди-метрическим методом. -ЖНиПФиК, 1982, т.27, N3, с. 202.
  72. Каплун Л. Я!, Богомолов К. С., Груз Э. А. Влияние pAg на коллоидную стабильность особомелкозернистых галогенсе-ребряных эмульсий. ЖНиПФиК, 1980, т.25, N2, с.107−111.
  73. А.П. Основы аналитической химии. М., Химия, 1977, т. 2,3.
  74. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник. Ленинград, Химия, 1977, с. 66.
  75. Klein Е. Das Losungsgewicht Zwischen den Silberhaloge-niden und Halogenionen. Photographische Korrespondenz. 1956, v.92, N9, p.139−148.
  76. Claes F.H., Peelaers W. Crystal Habit Modifications of AgBr Caused by Its Environment and the Presence of Foreign Ions.- Intern. Congr. Photogr. Sei., Tokyo, 1967,1. Sec.1.
  77. Claes F.H., Peelaers W. Influence of Solvation on the Growth of AgBr Crystals.- I. Photogr. Sci. and Eng., v. 12, N4, 1968.
  78. Исследовать способы синтеза фотографических эмульсий с плоскими микрокристаллами. отчет ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТа, М., 1985.
  79. Ю.Р. Химическая сенсибилизация Т-кристаллов сложной структуры, -дисс.. канд. хим. наук., Кемерово, 1993.
  80. Пат. 4 400 463 (США) / Maskasky J.E. опубл. 1983.
  81. Пат. 4 399 215 (США) / Wey J.S. опубл. 1983.
  82. .А., Рябова М. И., Бреслав Ю. А. Синтез монодисперсных микрокристаллов AgCl. Всесоюзный симпозиум «Фотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра», Черноголовка, 1991, с. 97.
  83. . А., Рябова М. И., Сотникова JI. В., Терентьев Е. Г. Кристаллизация и химическая сенсибилизация фотографических эмульсий с микрокристаллами AgCl. Журнал прикладной химии, 1995, т. 1, с.74−79.
  84. Antoniades M.G. The Effect of Coalescence on AgBr Tabular Grain Formation. IS&T's 48th Annual Conference, Washington, 1995, p.
  85. H. Soijo, T. Isshiki, M. Shigiri Electron Microscope Study of Gelatin Adsorbed on AgBr Emulsion Crystal Surfase.- J. of Imag. Sci and Techn., v. 37, N3, 1993, p. 314−317.
  86. T. Sugimoto, G. Iamaguehi, Contact Recrystallization of
  87. Silver Halide Microcrystals in Solution.- J. of Crystal Growth, v.34, 1976, p.253−262.
  88. E. Terentev, S. Shalimova, A Coalescent Model of A Tabular Crystals Growth. IS&T's 48th Annual Conference, 1995, Washington, p.263−265.
  89. Terentev E., Basalaev Yu. A Role of The Electrostatic Charge In Tabular Crystals Coalescent Growth. Int. Symp. on Silver Halide Imaging, 1997, Vancouver, p.61−63.
  90. J.S. Wey, M.J.Schad, Ostwald Ripeing of AgBr Crystals in Gelatin Solution. J. Imag. Sci., v. 30., 1986, N5, p.193−197.
  91. Czucs M. Kristalykepzodes es novekedes ezusthalogenid emulziokban. II. Fizikal erleles. — Kep — es handtechnika, 1979, evf.25, N1, old. 1−9.
  92. А. Г. Силаев E.A. Модель образования плоских эмульсионных микрокристаллов галогенида серебра. Успехи научной фотографии, М.:Наука, 1986, т. 24., с.47−68.
  93. Iouri Breslav, The Mechanism of Silver Halide Tabular Grain Formation. IS&T 49th Annual Conference, 1996, Minneapolis, p.33−35.
  94. Т.А. Ларичев, Е. И. Кагакин, Формирование бромидосереб-ряных Т-кристаллов при физическом созревании мелкозернистых эмульсий в присутствии тиоционата калия. -ЖНиПФ, 1996, т.41, N4, с. 1−4.
  95. Е.И. Разработка основ синтеза и свойства Т-кристаллов фотографических эмульсий с латеральнымиоболочками переменного состава.- Дисс. канд. хим. наук, М., ГОСНИИХИМФОТОПРОЕКТ, 1990.
  96. Е.I., Ananyna М. А., Larichev Т.А., Titov F.V. On the Mechanlzm of Silver Halides Photographic Emulsions Development. IS&T 49th Annual Conference, 1996, Minneapolis, p.148−151.
  97. Е.И., Бреслав Ю.A., Ларичев Т. А. Плоские микрокристаллы галогенидов серебра с латеральными оболочками. Организация фотопроцесса в гетероконтактных фотографических элементах. ЖНиПФиК, 1992, т.39, N2.
  98. И.В. Фотоэмисионное изучение эмульсионных микрокристаллов AgBrxHali-x и типа ядро-оболочка на их основе. Дисс.. канд. хим. наук., Кемерово, 1996.
  99. James Т.Н. Chemical Sensitization, Spectral Sensitization and Latent Image Formation in Silver Halide Photography. -Adv. Photochem., 1986, v.13, p.324−425.
  100. Gahler S. Roever G., Berndt E. Metallionen in photographischen Silberhalogenidsystemen. I. Bekannte Wifkung Smoglichkeiten und photographische Wirtung von Fremdionen. — J. Signal — A.M., 1986, N6, p.427−431.
Заполнить форму текущей работой