Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Новая многокомпонентная полупроводниковая система InP-CdS. Её поверхностные физико-химические свойства

Диссертация: Новая многокомпонентная полупроводниковая система InP-CdS. Её поверхностные физико-химические свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Однако применение новых полупроводниковых материалов сдерживает практическое отсутствие сведений о методах получения твердых растворов и, тем более, их как объемных, так и поверхностных свойствах. Синтез твердых растворов системы InP-CdS объективно затруднен из-за сочетания двух факторов: высокое давление паров фосфида индия в точке плавления (до 60 атм) и значительная разница в температурах… Читать ещё >

Новая многокомпонентная полупроводниковая система InP-CdS. Её поверхностные физико-химические свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Объемные свойства InP, CdS и их твердых растворов
      • 1. 1. 1. Термодинамические характеристики
      • 1. 1. 2. Кристаллохимия и химическая связь
      • 1. 1. 3. Химические свойства
      • 1. 1. 4. Электрофизические и оптические свойства
        • 1. 1. 4. 1. Электрофизические и оптические свойства пленок InP, CdS
        • 1. 1. 4. 2. Спектроскопия комбинационного рассеяния
        • 1. 1. 4. 3. Адсорболюминесценция
    • 1. 2. Поверхностные свойства InP, CdS
      • 1. 2. 1. Состояние поверхности
      • 1. 2. 2. Адсорбция газов и паров
      • 1. 2. 3. Каталитические и кислотно-основные свойства
    • 1. 3. Методы получения твердых растворов на основе соединений AHIBV, A"BVI
      • 1. 3. 1. Получение твердых растворов на основе соединений InP, CdS
      • 1. 3. 2. Получение пленок
      • 1. 3. 3. Получение поликристаллических слитков, монокристаллов
    • 1. 4. Практическое применение бинарных полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе
      • 1. 4. 1. Практическое применение в опто- и микроэлектронике
      • 1. 4. 2. Полупроводниковые сенсоры-датчики для газового анализа
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Исследуемые объекты и их получение
      • 2. 1. 1. Синтез твердых растворов (InP)x (CdS)ix в форме порошков
      • 2. 1. 2. Получение пленок исходных бинарных компонентов и твердых растворов
    • 2. 2. Идентификация твердых растворов системы InP-CdS
      • 2. 2. 1. Рентгенофазовый анализ
      • 2. 2. 2. КР-спектроскопические исследования
    • 2. 3. Исследование кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы InP-CdS
      • 2. 3. 1. Определение рН-изоэлектрического состояния
      • 2. 3. 2. Кондуктометрическое неводное титрование
      • 2. 3. 3. Механохимическое исследование кислотно-основных свойств
    • 2. 4. ИК-спектроскопические исследования
    • 2. 5. Исследование адсорбционных свойств
      • 2. 5. 1. Получение адсорбатов
      • 2. 5. 2. Адсорбционные измерения
    • 2. 6. Исследование каталитических свойств проточно-циркуляционным методом
  • Глава 3. Результаты эксперимента и их обсуждение
    • 3. 1. Идентификация твердых растворов системы InP-CdS
      • 3. 1. 1. Рентгенографические исследования
      • 3. 1. 2. Применение спектроскопии комбинационного рассеяния для идентификации твердых растворов системы InP-CdS
        • 3. 1. 2. 1. Идентификация твердых растворов системы InP-CdS
        • 3. 1. 2. 2. Механохимическая активация и люминесцентные свойства системы InP-CdS
    • 3. 2. Кислотно-основные свойства поверхности компонентов системы InP-CdS
      • 3. 2. 1. Определение водородного показателя изоэлектрического состояния поверхности
      • 3. 2. 2. Кондуктометрическое неводное титрование
      • 3. 2. 3. Механохимические исследования
    • 3. 3. Адсорбционные свойства компонентов системы InP-CdS
      • 3. 3. 1. Адсорбция СО на компонентах системы InP-CdS
      • 3. 3. 2. Адсорбция NH3 на CdS — бинарном компоненте системы
    • I. nP-CdS
      • 3. 3. 3. Адсорбция С02 на InP — бинарном компоненте системы
    • I. nP-CdS
      • 3. 3. 4. Исследование адсорбции С02 и NH3 на бинарных компонентах системы InP-CdS методом ИК-спектроскопии
      • 3. 3. 5. Исследование адсорбции СО и NH3 методом спектроскопии комбинационного рассеяния
      • 3. 4. Каталитические свойства компонентов системы InP-CdS в реакции окисления СО
  • Глава 4. Систематизация данных комплексного исследования объемных и физико-химических свойств бинарных компонентов и твердых растворов системы InP-CdS
    • 4. 1. Взаимосвязь кислотно-основных, адсорбционных, каталитических свойств и основные закономерности их изменения в рамках изученной системы и ей подобных
    • 4. 2. Полупроводниковый сенсор для газового анализа
  • Выводы

Актуальность темы

Интенсивное развитие полупроводниковой техники неразрывно связано с разработкой и освоением новых материалов, отвечающих требованиям новой техники. Коллективом кафедры физической химии ОмГТУ под руководством профессора Кировской И. А. ведутся исследования, посвященные получению и изучению многокомпонентных систем на основе бинарных соединений типа АШВУ и AHBVI с целью создания теории управления их поверхностными свойствами и получения новых материалов, адсорбентов и катализаторов с заданными свойствами [1].

Настоящая работа является частью этих исследований, объектом которых является новая, неизученная система InP-CdS. О перспективности применения выбранной системы и потому целесообразности ее изучения свидетельствуют интересные физические и оптические свойства исходных бинарных соединений InP, CdS, благодаря которым они уже нашли применение в оптоэлектронике в качестве материалов для УФ-детекторов, транзисторов, усилителей, фотосопротивлений [2,3].

При образовании твердых растворов на основе таких соединений возможно благоприятное сочетание ярко выраженных люминесцентных и типичных полупроводниковых свойств. Таким образом, свойства твердых растворов могут заполнить большой интервал важных физических и физико-химических параметров. Кроме того, специфические особенности многокомпонентных твердых растворов, связанные с такими явлениями, как упорядоченность, упрочнение структуры, комбинированное действие компонентов в качестве макрои микропримесей и возможное получение высоких концентраций примесных центров, могут обусловить в них неожиданные эффекты, интересные для полупроводниковой техники, сенсорной электроники и гетерогенного катализа [1]. В частности, особый интерес представляет само сочетание InP и CdS. Расположение элементов In и Cd, Р и S в периодической системе Д. И. Менделеева является «соседним», что обеспечивает минимальную степень несоответствия параметров решеток бинарных соединений и дает надежду на высокие излучательные способности полученных твердых растворов.

Одним из возможных новых направлений их применения является создание сенсоров-датчиков, а в дальнейшем — метода экспрессного анализа и контроля вредных микропримесей технологических и окружающей сред. Анализы газовых выбросов в настоящее время еще проводятся преимущественно химическими методами, являются периодическими и не обеспечивают оперативную и эффективную диагностику, предупредительный контроль и соответственно экологическую защиту окружающей среды.

Однако применение новых полупроводниковых материалов сдерживает практическое отсутствие сведений о методах получения твердых растворов и, тем более, их как объемных, так и поверхностных свойствах. Синтез твердых растворов системы InP-CdS объективно затруднен из-за сочетания двух факторов: высокое давление паров фосфида индия в точке плавления (до 60 атм) и значительная разница в температурах плавления InP и CdS (722К). Известны всего две работы, посвященные получению твердых растворов (InP)x (CdS)ix [4,5]. В них отмечается, что сплавление в кварцевых ампулах взрывоопасно [4], в системах открытого типа — требует сложного аппаратурного оформления и может сопровождаться загрязнением транспортирующими газами [5]. Поэтому разработка методики, лишенной названных недостатков, необходима и актуальна. Не менее актуальным в научном и практическом плане является исследование, наряду с объемными свойствами, природы активной поверхности компонентов системы InP-CdS, ее адсорбционного и каталитического взаимодействия с различными газами, отличающимися электронной природой и токсичностью.

В соответствии с выше сказанным была поставлена следующая Цель работы. Разработать с учетом физико-химических свойств исходных бинарных соединений (InP, CdS) методики получения и аттестовать твердые растворы системы InP-CdSустановить закономерности их изменения в зависимости от внешних условий и состава, взаимосвязь между закономерностями и оценить возможности практического применения полученных результатов для газового анализа и экологического обезвреживания.

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

1.Разработать методики получения твердых растворов системы InP-CdS в виде порошков и пленок, принимая во внимание объективно затрудняющие факторы: большие давления паров фосфида индия и значительную разницу температур плавления InP и CdS.

2.На основе изученных объемных (рентгенографических, КР-спектроскопических) и кислотно-основных свойств поверхности аттестовать полученные твердые растворы системы.

3.Исследовать адсорбционные и каталитические свойства поверхности твердых растворов и бинарных компонентов системы InP-CdS .

4.Опираясь на полученные экспериментальные данные и накопленные сведения о реальной поверхности алмазоподобных полупроводников, сделать заключение о природе активных центров, механизмах и закономерностях адсорбционного взаимодействия компонентов системы InP-CdS с аммиаком и оксидами углерода (II и IV), обладающими различной электронной природой, являющимися токсичными примесями и участниками изученной каталитической реакции.

5.Получить диаграммы состояния «объемное свойство — состав», «физико-химическое свойство (кислотно-основное, адсорбционное, каталитическое) — состав». Выявить взаимосвязь между ними. С использованием полученных диаграмм определить возможности прогнозирования активных адсорбентов и катализаторов как на основе изученной системы InP-CdS, так и ей подобных (типа AmBv — AnBVI).

6.Разработать практические рекомендации по применению полученных новых материалов для создания сенсоров-датчиков экологического назначения и в полупроводниковом катализе.

Научная новизна работы.

1.Впервые разработаны методики получения твердых растворов системы InP-CdS в форме порошков и пленок с преодолением объективно затрудняющих факторов: больших давлений паров фосфида индия и значительной разницы температур плавления InP и CdS.

2.Впервые изучены объемные свойства (рентгенографические и КР-спектроскопические) полученных твердых растворов, использованные для их идентификации. Показано, что твердые растворы имеют структуру сфалерита и проявляют ярко выраженные люминесцентные свойства.

3.Впервые выполнены комплексные исследования физико-химических свойств поверхности компонентов системы InP-CdS (химического состава, кислотно-основных, адсорбционных, каталитических):

Химический состав исходной поверхности типичен для алмазоподобных полупроводников. Он представлен в основном адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными соединениями, продуктами окисления поверхностных атомов. После тренировки в вакууме остаются в незначительных количествах оксидные фазы.

— Исходная поверхность всех компонентов системы InP-CdS имеет слабокислый характер (рНи!0 изменяется в пределе 6,21 — 6,7). Ответственными за кислотность поверхности, как и на других алмазоподобных полупроводниках, являются преимущественно координационно-ненасыщенные атомы In, Cd и в меньшей степени адсорбированные молекулы Н20, группы ОН". С составом значение рН-изоэлектрического состояния, концентрация кислотных центров изменяются экстремально (с максимумом при 5мол.% CdS).

— Величины адсорбции газов на компонентах системы InP-CdS укладываются в пределе 10″ 5 — 10″ 4 моль/м2, нарастая в последовательности а (С02) —> a (NH3) —> а (СО). Опытные зависимости адсорбции aP=f (T), aT-f (P), aT=f (t)) и результаты термодинамического и кинетического анализов адсорбции указанных газов свидетельствуют о ее преимущественно химической природе при Т>297К. Химическую природу адсорбционного взаимодействия подтвердили спектры комбинационного рассеяния, указав, в согласии с ранее сделанными выводами, на образование преимущественно донорно-акцепторных связей и двойственное поведение СО.

С привлечением результатов адсорбционных исследований подтвержден механизм изученной каталитической реакции окисления оксида углерода (II). Заметную каталитическую активность (как и адсорбционную) уже при 373К проявили InP и твердый раствор (InP)o, 95(CdS)o, o5, значительно меньшую — CdS.

4. Найдена взаимосвязь между изученными кислотно-основными, адсорбционными, люминесцентными, каталитическими свойствами и закономерностями их изменения с составом.

5. Показана возможность использования полученных диаграмм состояния «свойство — состав» для выявления активных адсорбентов и катализаторов в рамках изученной и ей подобных систем. Таким способом найдены активный адсорбент (по отношению к СО) (InP)o, 95(CdS)o, o5 и активные катализаторы (по отношению к реакции окисления СО) — InP, (InP)0,y5(CdS)o, o5. Они рекомендованы к использованию в полупроводниковом газовом анализе и для каталитического обезвреживания.

Защищаемые положения.

Разработанные методики получения твердых растворов системы InP-CdS с преодолением объективно затрудняющих факторов: больших давлений паров фосфида индия и значительной разницы температур плавления InP и CdS.

2.Результаты рентгенографических и КР-спектроскопических исследований, указавших на образование твердых растворов замещения со сфалеритной структурой и проявление ими ярко выраженных люминесцентных свойств.

3.Выводы о механизмах адсорбционного и каталитического действия поверхности компонентов системы InP-CdS по отношению к выбранным газам и реакции.

4.0боснование найденной взаимосвязи между изученными кислотно-основными, адсорбционными, люминесцентными, каталитическими свойствами и закономерностями их изменения с составом.

5.Способ оценки адсорбционной и каталитической активности компонентов изученной и других систем типа AHIBV — AHBVI на основе диаграмм состояния «физическое или физико-химическое свойство — состав».

6.Рекомендации по созданию активных адсорбентов — основных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси СО и катализаторов реакции окисления СО.

Практическая значимость работы.

1.Разработаны методики получения твердых растворов системы InP-CdS в порошкообразном и пленочном состояниях.

2.Найдены оптимальные условия термовакуумной обработки пленок.

3.Предложен способ оценки адсорбционной и каталитической активности компонентов изученной и подобных систем на основе диаграмм состояния «физическое или физико-химическое свойство — состав».

4.С применением данного способа:

— выявлены компоненты системы InP-CdS с повышенной адсорбционной (по отношению к СО) и каталитической (по отношению к реакции окисления.

СО) активностью. Такими оказались (InP)og5(CdS)o, o5 и InP, (InP)0,95(CdS)0.05 соответственно;

— разработаны практические рекомендации по использованию найденных активных адсорбентов и катализаторов для изготовления сенсоров-датчиков на микропримеси оксида углерода (II) и его каталитического обезвреживания.

5.Созданный на основе твердого раствора (InP)0,95(CdS)o, o5 и испытанный в лабораторных условиях сенсор-датчик удовлетворительно работает уже при комнатной температуре.

Апробация работы: Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников и аспирантов ОмГТУ (г.Омск, 2000;2006гг.) — Международной научной школе-конференции студентов и молодых ученых «Экология Южной Сибири и сопредельных территорий» (г. Абакан, 2003, 2006гг.) — VII Конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (г. Новосибирск, 2004 г.) — V Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин» (г. Омск, 2004 г.) — Международной научно-практической конференции «Региональные аспекты обеспечения социальной безопасности населения Юга Западной Сибири — проблемы снижения рисков и смягчения последствий чрезвычайных ситуаций природного и техногенного характера» (г. Барнаул, 2004 г.) — Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс» (г. Новосибирск, 2005, 2006гг.) — Международной научной конференции «Химия, химическая технология и биотехнология на рубеже тысячелетий» (г. Томск, 2006 г.) — V Международной конференции «Неразрушающий контроль и техническая диагностика в промышленности» (г. Москва, 2006 г.).

Результаты проведенных исследований опубликованы в 14 работах.

Выводы:

1.Разработаны методики получения твердых растворов системы InP-CdS в форме порошков и пленок с преодолением объективно затрудняющих факторов: больших давлений паров фосфида индия и значительной разницы температур плавления InP и CdS.

2.Изучены объемные свойства (рентгенографические и КР-спектроскопические) полученных твердых растворов, использованные для их идентификации. Показано, что твердые растворы имеют структуру сфалерита и проявляют ярко выраженные люминесцентные свойства.

3.Выполнены комплексные исследования физико-химических свойств поверхности компонентов системы InP-CdS (химического состава, кислотно-основных, адсорбционных, каталитических):

— Химический состав исходной поверхности типичен для алмазоподобных полупроводников. Он представлен в основном адсорбированными молекулами воды, группами ОН", углеводородными соединениями, продуктами окисления поверхностных атомов. После тренировки в вакууме остаются в незначительных количествах оксидные фазы.

— Исходная поверхность всех компонентов системы InP-CdS имеет слабокислый характер (рН, П0 изменяется в пределе 6,21 — 6,7). Ответственными за кислотность поверхности, как и на других алмазоподобных полупроводниках, являются преимущественно координационно-ненасыщенные атомы In, Cd и в меньшей степениадсорбированные молекулы Н20, группы ОН". С составом рН-изоэлектрического состояния изменяется экстремально (с минимумом при 5мол.% CdS).

— Величины адсорбции газов на компонентах системы InP-CdS.

4 5 2 укладываются в пределе 10″ - 10″ моль/м, нарастая в последовательности а (С02) —> a (NH3) —> а (СО). Опытные зависимости адсорбции aP=f (T), aT=f (P), aT-f (x)) и результаты термодинамического и кинетического анализов адсорбции указанных газов свидетельствуют о ее преимущественно химической природе при Т>297К. Химическую природу адсорбционного взаимодействия подтвердили спектры комбинационного рассеяния, указав, в согласии с ранее сделанными выводами, на образование преимущественно донорно-акцепторных связей и двойственное поведение СО.

С привлечением результатов адсорбционных исследований подтвержден механизм изученной каталитической реакции окисления оксида углерода (И). Заметную каталитическую активность (как и адсорбционную) уже при 373К проявили InP и твердый раствор (InP)0,95(CdS)0,05, значительно меньшую — CdS.

4.Найдена взаимосвязь между изученными кислотно-основными, адсорбционными, люминесцентными, каталитическими свойствами и закономерностями их изменения с составом.

5.Показана возможность использования полученных диаграмм состояния «свойство — состав» для выявления активных адсорбентов и катализаторов в рамках изученной и ей подобных систем. Таким способом найдены активный адсорбент (по отношению к СО) (InP)o, 95(CdS)o, o5 и активные катализаторы (по отношению к реакции окисления СО) — InP, (InP)o, 95(CdS)o, o5. Они рекомендованы к использованию в полупроводниковом газовом анализе и для каталитического обезвреживания.

В заключении автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научному руководителю д.х.н., профессору Ирине Алексеевне Кировской за помощь и поддержку в работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , И.А. Поверхностные свойства алмазо подобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: Томск. ун-т, 1984. — 133с.
  2. , Я.А. Введение в химию полупроводников: 2-е изд. М.:Высш. Школа, 1975. -302с.
  3. , П.И. Индий/П.И. Федоров, Р. Х. Акчурин М.:Наука, МАИК «Наука/Интерпериодика». — 2000. — 276с. ISBN 5−7846−0048−6.
  4. , Н.А. О сложных фосфидах / Н. А. Горюнова, В.И. Соколова// Известия Молдавского филиала Академии наук СССР. 1960. — № 3. — с.31 -35.
  5. Yim, W.M. Vapor growth of (II-VI) (III-V) quaternary alloys and their properties/W.M. Yim, J.P. Dismukes, H. Kressel //RCA Review. — 1970. — 12. -p.662−679.
  6. , M.P. Термодинамика, приготовление материалов и выращивание кристаллов // Физика и химия соединений AHBVI: nep. с анг. под ред. С. А. Медведева. М.:Мир, 1975. — с.64 — 94.
  7. , A. /Stadien uber das Indium // A. Thiel, H. Koelsh // Zs. Anorg. Chem. -1910. Bd.66. — s.288 -321.
  8. , Ж.И. Полупроводникам AmBv 35 лет / Ж. И. Алферов, Б. В. Царенко // Физика и техника полупровлдников. 1985. — Т. 19,№ 12. — с.2113 -2117.
  9. Фоточувствителы-юсть гетероструктур InP/CdS в линейно поляризованном свете / В. М. Бонтарюк и др. // Физика техника полупроводников. 1997. -Т.32,№ 2. -с.241 -244.
  10. , А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. -с. 616.
  11. , Н.А. Семейство алмазоподобных полупроводников . М.: Знание, 1970. — с.36.
  12. , И.А. Критическая оценка и согласование данных по диаграмме состояния системы InSb / И. А. Стрельникова, JI.E. Шелимова // Изв. РАН Неорган, матер. 1994. — Т.30, № 4. — с.467 -473.
  13. , В.М. О термической устойчивость антимонидов алюминия, галлия и индия в жидком состоянии / В. М. Глазов, Д. А. Петров // Изв. АН СССР. Отделение техн. наук. 1957. — № 4. — с. 125 — 129.
  14. , В.Д. Построение диаграммы состояния системы InSb по предкристаллизационным переохлаждениям / В. Д. Александров, М. Р. Рахман, В. И. Боровик // Изв. РАН. Металлы. 1992. — № 6. — с. 184 — 195.
  15. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / под ред. Ф. П. Кесаманды, Д. Н. Наследова. М.: Наука, 1973. — 471с.
  16. , Н.Х. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства/Н.Х. Абрикосов и др. М.: Наука, 1967.- с.8- 14,22−26.
  17. , Н.А. Химия алмазоподобных полупроводников. Л.: Изд. Ленинградского ун-та, 1963. — 220с.
  18. Физика соединений AHBVI / под ред. А. Н. Георгобияни, М. К. Штейнкмана. М.: Наука, 1986. — с. 353 — 379.
  19. Физика и химия соединений AUBVI / пер. с анг. под ред. С. А. Медведева. -М.: «Мир», 1970.- с. 134−205.
  20. Полупроводниковые халкогениды и сплавы на их основе / Н. Х. Абрикосов и др. М.: Наука, 1975. — 216с.
  21. , С.Н. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высш. школа, 1970. — с. 247 — 500.
  22. Термические константы веществ. Справочник- под ред. В. П. Глушко. -М.:ВИНИТИ, 1972.-370с.
  23. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочное издание / под ред. В.П. Глушко- изд. 3-е. М.: Наука, 1978. — 496с.
  24. Справочник по электротехническим материалам. В 3-х т. Т. З / Под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тереева. JL: Энергоатом, 1988. -728 с. ISBN 5−283−4 416−5.
  25. , О. Физика полупроводниковых соединений III и V групп / пер. с анг. под. ред.Б.И Болтако. М.: Мир, 1967. — 477с.
  26. Reddy, R.R. Optical and magnetic susceptibilities for semiconduction and alkali halides / R.R. Reddy et. al. // J. of Magnetism and Magnetic Materials. -1999.- 192. -p.516−522/
  27. , С.И. Теллурид цинка / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан. Кишинев: Штиинца, 1972.-c.il.
  28. , В. Физическая химия дефектов // Физика и химия соединений AHBVI: пер. с анг. / под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1975. — с. 135 — 143.
  29. Полупроводники / под ред. Хеннея- пер. с анг. под ред. Б. Ф. Ормонта. -М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962. 668с.
  30. Кристаллохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник. М.: Изд-во стандартов, 1973. -208с.
  31. , Ч. Квантовая теория твердых тел- пер. с анг. под ред. А. А. Гусева. -М.: Наука, 1967.-492с.
  32. , Н.Н. Полупроводниковые твердые растворы и их применение: Справочные таблицы / Н. Н. Берченко, B.C. Кревс, В. Г. Средин. -М:Воениздат, 1982.-208с.
  33. Рот, B.JI. Кристаллография // Физика и химия соединений AnBVI: пер. с анг. под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1975. — с.97 — 134.
  34. , П.И. Полупроводниковая электроника. Справочник / П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. Киев: Наукова думка, 1975. -682с.
  35. Физические величины. Справочник. М.: Энергоатомиздат, 1992. -1230с.
  36. Полупроводниковые соединения под ред. P.P. Виллардсона, X. Геринга- пер. с анг. М.: Металлургия, 1967. — 727с.
  37. , Н.А. Некоторые вопросы кристаллохимии соединений со структурой цинковой обманки// Изд. АН СССР. Физика. 1957. — Т.21, № 1. -с. 120- 132.
  38. , Д. Химическая связь и строение. М.: Мир, 1966. — 248с.
  39. , А.В. Твердые растворы в системах InAs CdS, InAs -CdSe / А. В. Войцеховский и др. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. — 1968. -Т.4, № 10. — с. 1681 — 1684.
  40. , Н.А. О твердых растворах в системе ZnSe GaAs / Н. А. Горюнова, Н. Н. Федорова // Физика твердого тела. — 1959. — Т.1, № 2. — с. 344 -345.
  41. , Г. В. Фосфиды / Г. В. Самсонов, J1. J1. Верейкина. Киев: Изд-во АН УССР, 1961.- 128с.
  42. , Р.В. Выявление дислокаций в монокристаллах сульфида кадмия и сульфида цинка / Р. В. Баркадзе, И.А. Ром-Кричевская // Кристаллография. -1963. Т.8, № 2. — с. 238−242.
  43. Некоторые химические свойства фосфида индия / Я. А. Угай и др. // Химия фосфидов с полупроводниковыми свойствами- под ред. К. Е. Миронова, И. Г. Васильевой. Новосибирск: Наука, 1970. — с. 46 — 51.
  44. , Г. В. Сульфиды / Г. В. Самсонов, С. В. Дроздова. М.: Металлургия, 1972.-303с.
  45. , Ю.А. Выявление дислокаций в сульфиде кадмия методом избирательного травления / Ю. А. Осипьян, И. С. Смирнова, Г. К. Струкова // Физика и химия обработки материалов. 1974. — 6. — с. 145 — 147.
  46. Wakerois, Е.Р. Crystallographic polarity in the II VI compounds / E.P. Wakerois et. al. // J. Appl. Phys. — 1962. — № 2. — p.690 — 696.
  47. Iwanada, H. Crystal grow and sublimation in II VI compounds along their polar axis / H. Iwanaga et. al. // J. Cryst. Growth. — 1979. — № 5−6. — p. 703 -711.
  48. , Е.И. Управляемый рост нитевидных кристаллов соединений AHBVI / Е. И. Гиваргизов, Р. А. Бабасян //Изв. АН СССР. Сер. Неорган, матер. -Т. 16, № 5. с. 787 -789.
  49. Madelung, О. Die elektrischen Eigenschaften von Indiumantimonid 11/0. Madelung, H. Weiss // Zs/ Naturforsch., 9a. -1954. 527p.
  50. , С.С. Свойства переноса // Физика и химия соединений AnBVI: пер. с анг. под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1975. — с.457.
  51. , М. Полупроводниковые материалы. М.: Металлургия, 1971. — с. 42.
  52. , Ю.В. Тугоплавкие алмазоподобные полупроводники / Ю. В. Шмарцев, Ю. А. Волов, А. С. Бортевский. М.: Металлургия, 1964. — с.64.
  53. , М.С. Полупроводники. М.: Физматгиз, 1961. — с. 85.
  54. , Ф.Ф. Электролюминесценция // Физика и химия соединений A"BVI: пер. с анг. под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1975. — с.488.
  55. , Р.Х. Фотопроводимость // Физика и химия соединений AnBVI: пер. с анг. под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1975. — с.533.
  56. , В.И. Физика и химия твердого тела: учеб. для вузов по направлению и специальности «Материаловедение и технология новых материалов». В 2-х т. Т. 2. М.: Металлургия, 1995. — 320с. — ISBN 5−22 901 195−5.
  57. Yan, Z.W. Effect of electron-phonon interaction on surface state of polar crystals / Z.W. Yan, X.Y. Liang // Solid state communications. 1999. -№ 11.-p. 451−456.
  58. , В.В. Материалы электронной техники / В. В. Пасынков, B.C. Сорокин. СПБ.: Изд-во Лань, 2001. — 368с.
  59. , В.И. Диффузия в полупроводниках. М.: Физматгиз, 1961. -464с.
  60. , B.C. Физика и химия твердого состояния. М.: Металлургия, 1978.-544с.
  61. , Т. Полупроводниковые оптоэлектроника / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. М.: Мир, 1976. — 432с.
  62. , Д. Физика твердого тела: пер. с анг. М.: Мир, 1988. — 608с. ISBN 5−03−1 256−7.
  63. , У. Полупроводниковые свойства некоторых оксидов и сульфидов // Полупроводники/ под ред. Н. В. Хеннея: пер. с анг. под ред. Б. Ф. Ормонта. М.: Изд-во иност. лит-ры, 1962. — с. 466 — 514.
  64. Дитина, 3.3. Парамагнитные центры на поверхности сульфида кадмия / 3.3. Дитина, Б. А. Козенков, Л. П. Страхов // Физика и техника полупроводников. 1967. — Т. 1, № 11. — с. 1730 — 1731.
  65. , Б. Собственное экситонное поглощение // Физика и химия соединений AnBVI/ Б. Сигал, Д. Мэрпл- под ред. М. Авен, Д. С. Пренер. М.: Мир, 1970.-с. 246−295.
  66. , Р.Е. Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения // Физика и химия соединений AnBv': пер. с анг. под ред. С. А. Медведена. М.: Мир, 1970. — с. 296 — 333.
  67. , М.М. Резонансное неупругое рассеяние света в кристаллах // УФН.- 1988.-Т.154,-вып. З.-с. 353 -379.
  68. , К. Тонкопленочные солнечные элементы / К. Чопра, С. Дас- пер. с анг. под ред. М. М. Колтуна. М.: Мир, 1986. — 440с.
  69. Romeo, N. High conductivity CdS films grown by a simple evaporation method / N/ Romeo, G. Sberveglier, L. Tarricone // Thin solid films. 1977. -№ 3, — p. 15- 17.
  70. Amith, A. Thickness dependence of structural and electrical properties of CdS films for solar cells // J. Vac. Sci. and Thechnol. 1978. — № 2. — p. 353 — 358.
  71. Takashi, 0. Structural and electric properties of vacuum evaporated CdS thin films / 0. Takashi, Y. Toshio, S. Yoshihiko // Annu. Rept. Radiat. Center Osaka Prefect.- 1980.-№ 21.-p. 31−35.
  72. Garcia-Cienca, M.V. on the electrical conductivity of polycrystalline CdS films / M.V. Garcia-Cienca, J.L. Morenza // J. Phys. D. Appl. Phys. 1985. — № 10. — p. 2081 -2086/
  73. Пленочная микроэлектроника/под ред. JI. Холлэнда пер. с анг. под ред. М. И. Елинсона. М.: Мир, 1968. — 386с.
  74. Low resistivity CdS (In) films prepared by spray pyrolysis / M. Verita et. al. // Thin solid films. 1982. — № 1. — p. 275 — 278.
  75. Ray, S. Some properties of indium antimony doped vacuum — evaporation CdS thin films / S. Ray, R. Banerjee, A.K. Barua // Thin solid films. — 1982. — № 1. — p. 63−71.
  76. Weng Tung, H. Flash evaporated films of indium doped CdS and CdSxSeix // J. Electrochem. Soc. — 1979. -№ 10. — p. 1820- 1822.
  77. Dhere Neelkanth, G. Morphology and semiconducting properties of vacuum -evaporated thick cadmium sulfide films prepared by the hot wall technigue / G. Dhere Neelkanth, R. Parikh Nalin // Thin solid films. 1979. — № 2. — p. 257 -264.
  78. Panddya, D.K. Growth kinetics and polymorphism of chemically deposited CdS films / D.K. Panddya, K.L. Chopra //J. Elecrochem. Soc. 1980. — № 4. — p. 943−948.
  79. Martinez, G. Improvement on the electrical resistivity of chemical bath deposited CdS films by laser annealing / G. Martinez, J.L. Martinez, A. zehe // Appl. Phys. Lett. 1982.-№ 12.-p. 1031 — 1033.
  80. Kwok, H.L. Carrier concentration and mobility in chemically sprayed cadmium sulphide thine films / H.L. Kwok, W.C. Sin // Thin solid films. 1979. — № 2. — p. 249−257.
  81. Gupta, В.К. The electrical and photoconductig properties of chemically sprayed cadmium sulfide films / B.K. Gupta, O. P Agnihotri // Thin solid films. -1978.-№ 2.- 153- 162.
  82. CdS sprayed thin films. Electrical and optical properties / J. Bougnot et. al. // Conf. Rec. 12-th lEEf Photovoltaic. Spec. Conf. Baton Rouge. 1976. — p. 519 -525.
  83. Bettini, M. CdS/Inp and CdS/GaAs heterojunctions by chemical -vapor deposition of CdS / M. Bettini, K.J. Bachmann, J.L. Shay // J. Appl. Phys. 1978. -№ 2.-p. 865−876.
  84. Люминесценция и электрические свойства пленок CdS, легированных калием и натрием / В. Г. Клюев и др. // Ж. прикл. спектроскоп. 2005. -Т.72, № 4. — с. 509−513.
  85. , А.С. Получение эпитаксиальных слоев твердого раствора (GaAs)ix (ZnSe)x из свинцового раствора расплава / А. С. Саидов, А.ИГ. Раззаков, К. Г. Гаимнозаров // Письма в ЖТФ. — 2001. — Т.27, № 22. — с 86 — 88.
  86. CdS «spray» elaboration. Proprietes physiques application aux cellules solaires Cu2S CdS / M. Perotin et. al. // Rev. Phys. Appl. — 1980. — № 3. — p. 585 — 593.
  87. Storti, G. The Cu2S CdS solar cells / G. Storti, J. Culik // Conf. rec. 12-th IEEF Photovoltaic. Spec. Conf. Baton Rouge. — 1976. — p. 462 — 465.
  88. Takashi, F. Properties of InP films grown by organometallic VPE Method / F. Takashi, Y. Horikoshi // Jap. J. Appl. Phys. 1980. — № 7. — p. 395 -397.
  89. Defects in InP homoepitaxial layers / S. Mahajan et. al. // J. Appl. Phys. -1978. № 1. — p. 245−248.
  90. , Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969. -450с.
  91. , Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. -М.: Наука, 1987. -432с.
  92. , Ю. Основы физики полупроводников: пер. с анг. под ред. Б. П. Захарчени / Ю. Питер, М. Кар дона. М.: Физматлит, 2002. — 560 с.
  93. Применение спектров комбинационного рассеяния / Р. С. Тобиас и др.- пер. с анг. под ред. К. И. Петрова. М.: Мир, 1977. — 586с.
  94. , А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2004. — с.86 — 90.
  95. , Е.Г. Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2005. с. 117 — 184.
  96. , Ф.Ф. Радикально-рекомбинационная люминесценция полупроводников / Ф. Ф. Волькенштейн, А. Н. Горбань, В. А. Соколов. М.: Наука, 1976.-278с.
  97. , В.А. Люминесценция и адсорбция / В. А. Соколов, А.Н. Горбань- под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Наука, 1969. — 187с.
  98. , И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InBv // Изв. РАН Неорган, матер. 1999. — Т.35, № 5. — с. 535 — 540.
  99. , И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск: Изд-во Иркутского ун-та, 1988. — 168с.
  100. , И.А. Поверхностные явления. Омск: ОмГТУ, 2001. — с. 72 -165.
  101. , И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: ИГУ, 1984. -167с.
  102. , И.А. Исследование системы поверхность газ методом термодесорбции / И. А. Кировская, В. А. Хомич, С. Н. Трунов // Матер. I Всесоюз. семинара по адсорбции и жидкостной хроматографии эластомеров. -М.: Наука, 1985.-с.52.
  103. , И.А. Исследование свежеобразованных поверхностей соединений типа AnBVI / И. А. Кировская, В. В. Даньшина, Е. Н. Емельянова // Изв. АН Неорган, матер. -1989. -Т.25, № 3. -с. 379 -381.
  104. , В.В. О механизме взаимодействия водорода с поверхностью соединений типа AnBVI / В. В. Даньшина, И. А. Кировская // ЖФХ. 1988. -7.62, № 4. — с. 1648- 1650.
  105. , И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа AHBV1 // Изв. АН Неорган, матер. 1989. -Т.25, № 9. — с. 1472 -1476.
  106. , И.А. Исследование поверхностной активности алмазоподобных полупроводников в процессе их диспергирования / И. А. Кировская, А. В. Юрьева, В. В. Даньшина // ЖФХ. 1982. Т.56, № 4. -с. 911 — 914.
  107. , И.А. Химическое состояние поверхности компонентов системы ZnSe -CclSe / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // ЖФХ. -2001. -Т.75, № 10.-с. 1837- 1842.
  108. , И.А. Химический состав и кислотно-основные свойства поверхности системы InSb-ZnSe /И.А. Кировская, О. П. Азарова // ЖФХ. -2003. Т.77, № 9. — с. 1663 — 1667.
  109. , И.А. Исследование поверхности системы ZnSe -CdSe методом РФЭС / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // ЖФХ. -2001. -Т.75, № 7. -с. 1310−1313.
  110. Исследование адсорбционных свойств соединений AinBv и AhBvi методом ИК спектроскопии МНПВО / И. А. Кировская и др. // Применениеоптической спектроскопии в адсорбции и катализе: Матер. 9 Всесоюз. школы- семинара. Иркутск, 1986. — с.43 -44.
  111. , О.В. Катализ неметаллами. Л.: Химия, 1967. — 240с.
  112. , И.А. Об Адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах гармания // ЖФХ. -1970.-Т. 44, № 1,-с. 159−165.
  113. , В.Л. Адсорбция паров воды и кислорода на соединениях InBv / В. Л. Штабнова, И. А. Кировская // Изв. АН Неорган, матер. 1989. -Т.25, № 2.-с. 207−211.
  114. , И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск: изд-во Иркут. унт, 1995. -300с.
  115. , И.А. Кинетика химических реакций. Омск.: Изд-во ОмГТУ, 1994.-96с.
  116. , И.А. Исследование каталитической активности соединений InX в реакции разложения изопропилового спирта / И. А. Кировская, В. А. Хомич. Черкассы, 1986. 6 с.Деп. в ОНИИТЭХин. № 229. хп -86 Деп.
  117. , И.А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их реализации // Изв. АН Неорган, матер. -1984. -Т.30, № 2. -с. 147 -152.
  118. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки/ И. А. Кировская и др. // ЖФХ. 1970. — Т.44, № 4. — с. 1250 — 1266.
  119. Л.Г. Майдановская Адсорбция водорода и кислорода селенидом цинка / Л. Г. Майдановская, И. А. Кировская // Кинетика и катализ. 1964. — Т.5, № 3.- с. 546 -548.
  120. , И.А. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки / И. А. Кировская, Л. Г. Майдановская // ЖФХ. -1968. -Т.42, № 11. -с. 2911 -2915.
  121. , И.А. Адсорбция смесей газов на изоэлектронных аналогах германия / И. А. Кировская, Л. Г. Майдановская, Н. В. Соловьева // ЖФХ. -1968.-Т.42, № 5.-с. 1196−1200.
  122. , И.А. Адсорбция газов на поверхности соединений, А В индиевой группы // ЖФХ. 1998. — Т.72, № 6. — с. 1106 — 1110.
  123. , И.А. Адсорбция смесей газов окиси углерода и кислорода на арсениде галлия / И. А. Кировская, В. Д. Жукова // ЖФХ. -1970. Т.44, № 1. -с. 155 -158.
  124. , И.А. Совместная адсорбция водорода и кислорода на арсениде галлия / И. А. Кировская, Л. Г. Майдановская, Г. JI. Лобанова // ЖФХ.- 1971. -Т.45, № 8. с. 2101.
  125. , В.В. Механизм хемосорбции монооксида углерода на тонких поликристаллических слоях сульфида кадмия / В. В. Голованов, В. В. Сердюк // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. — № 5. — с. 35 — 42.
  126. , И.А. Адсорбция компонентов реакции разложения муравьиной кислоты на поликристаллах селенида цинка / И. А. Кировская, Л. М. Пименова, В. А. Крюкова // ЖФХ. 1974 — Т.48, № 11.-е. 2825 -2829.
  127. , И.А. Адсорбция газов и их смесей на пленках селенида цинка / И. А. Кировская, Е.А. Шмидт// ЖФХ. 1975. — Т.49, № 2. — с.428 -430.
  128. Кинетика адсорбции кислорода и зарядки поверхности эпитаксиальных пленок сульфида кадмия / A.M. Курбанова и др. // Изв. РАН Неорг. матер.- 2001.-Т.37,№ 1.-с. 21−23.
  129. Взаимодействие водорода и двуокиси углерода на поверхности алмазоподобных полупроводников / И. А. Кировская и др. // ЖФХ. 1978. -Т. 52, № 9. — с. 2356 -2360.
  130. Влияние окисной пленки на адсорбционные и электрофизические свойства GaAs / И. А. Кировская и др. // Изв. АН Неорган, матер. 1977. -Т. 13, № 11. — с. 1953 — 1958.
  131. , И.А. Характеристики заряжения поверхности арсенида галлия при адсорбции газов / И. А. Кировская, Ф. Е. Шакалов // Изв. АН Неорган, матер. 1982. — Т. 18, № 5. — с. 120 -173.
  132. , О.В. Катализ на полупроводниках. Каталитические свойства металлического германия / О. В. Крылов, С. З. Рогинский, В. Н. Фролов // Докл. АН СССР. 1956. — Т. З, № 3. — с. 623 — 625.
  133. , С. Д. Полупроводниковый катализ // Хим. наука и промышленность. 1957. — Т.11, № 2. — с. 139 — 159.
  134. Katalische Wirkung von dotierten eigenhalbleitem / Chwab, G.M. et.al. // Z. Phys. Chem. 1958. — B.15, № 1. — s. 363−371.
  135. Lee, V.J. Catalysis on wide band-gap semiconductors // J. Chem. Phys. -1971. V.55, № 6. — p. 2905 — 2913.
  136. Бонч- Бруевич, В.Л. К вопросу об исследованиях зонной структуры неупорядоченных систем // Физика и техника полупроводников. 1968. -Т.2, № 3. — с. 363 -369.
  137. , О.В. Каталитические свойства новых полупроводников со структурой цинковой обманки / О. В. Крылов, Е. А. Фокина // ЖФХ. 1961. -Т.35, № 3. — с. 651 -659.
  138. Пат. № 2 046 653 Российская Федерация. Способ приготовления катализатора для очистки газовых выбросов автотранспорта и промышленности / Г. М. Льдокова, Н. М. Попова, К. Ж. Кайгалтырова и др. -заявлено 29.04. 1992, опубликовано 27.10.1995.
  139. Крылов, О.В.-О катализе на полупроводниках в области собственной проводимости / О. В. Крылов, С. З. Рогинский // Докл. АН СССР. 1958. -Т.118, № 4. — с. 523 -525.
  140. , О.В. Изучение связи между каталитической активностью некоторых полупроводников и шириной запрещенной зоны / О. В. Крылов, Е. А. Фокина // Кинетика и катализ. 1964. — Т.5, № 2. — с. 284 — 292.
  141. , С.Д. Электронные факторы в изыскании и модифицировании твердых катализаторов // Научные основы подбора и производства катализаторов. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1964. — с. 28 — 45.
  142. , С.З. Исследование роли электронных факторов в катализе // Кинетика и катализ. 1960. -Т.1, № 1. — с. 15−32.
  143. , И.А. Катализ. Полупроводниковые катализаторы. Омск: Изд-во ОмГТУ, 2004. — 272с.
  144. , И.А. Кислотно-основные и каталитические свойства твердых растворов ZnSe-CdSe / И. А. Кировская, Е. М. Буданова // ЖФХ. 2002. — Т.7, № 7. — с. 1246 — 1254.
  145. Твердые растворы в полупроводниковых системах. Справочник. М.: Наука, 1978, — 196с.
  146. , В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений aHBV1. Справочник / В. Н. Томашик, В. И. Грыцив. Киев: Наукова думка, 1982. — 168с.
  147. Всесоюзное совещание по полупроводниковым соединениям a"bvi и их применению: Тезисы докладов. Киев: Наукова думка, 1966. — с. 43 — 47.
  148. , А.В. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP)x (ZnS)-x / А. В. Войцеховский, Л. Б. Панченко // Физика твердого тела. — Киев: Киев. пед. ин-т, 1975. — с. 24 — 26.
  149. , И.И. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe / И. И, Бурдиян, В. П. Королевский // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та, 1966. Вып.16. — с. 127- 128.
  150. , А.В. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа AHBVI / А. В. Войцеховский, А. Д. Иащук, В. К. Митюрев // Изв. АН СССР Нерган. матер. 1970. — Т.6,№ 2. — с. 379 — 380.
  151. , В.М. Анализ характера межмолекулярного взаимодействия арсенида галлия с теллуридом цинка и кадмия / В. М. Глазов, Л. М. Павлова, Л. И. Передерни // Термодинамические свойства металлических сплавов. -Баку:Эмл, 1975. с. 372 — 375.
  152. Фазовые равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe / В. М. Глазов и др. // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1973. — Т.9, № 11. — с. 1883 — 1889.
  153. Твердые растворы в системах InAs-CdS, InAs- CdSe / А. В. Войцеховский и др. // Изв. АН. СССР Неорган, матер. 1968. — Т.4, № 10. — с. 1681 — 1684.
  154. Твердые растворы в системе InAs-CdTe / Г. И. Баженова и др. // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1974. — Т. 19, № 10. — с. 1770 — 1773.
  155. , Е.В. Новая многокомпонентная полупроводниковая система InSb-CdTe. Ее поверхностные физико-химические свойства: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2003. — с. 35 — 48.
  156. Некоторые исследования твердых растворов на основе соединений типа A'"BV AnBVI / А. Инюткин и др. // Изв. АН СССР Физическая химия. -1964. -Т.28, № 6. — с. 1110−1116.
  157. Ku, S.M. Synthesis and properties of ZnSe: GaAs solid solution / S.M. Ku, L.J. Bodi // J. Phys. Chem. Sol. 1968. — V.28, № 12. — p. 2077 — 2082.
  158. , Н.А. О твердых растворах в системе ZnSe-GaAs / Н. А. Горюнова, Н. Н. Федорова // Физика твердого тела. 1959. — Т.1, № 2. — с. 344 -345.
  159. Yim, М. Solid solutions in the pseudobinari (III-V), (II-VI) systems and theire optical energy gap // J. Appl. Phys. 1969. — 40, № 6. — p. 2617 — 2623/
  160. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te / Т. Е. Пурис и др. // Изв. АН СССР Неорган, матер. 1973. — Т.9, № 10. — с. 1811 — 1815.
  161. Получение материалов твердых растворов AmBv AHBVI, близких к собственным / Е. В. Калашникова и др. // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: Наука, 1975. — с. 232−236.
  162. Механохимический синтез твердых растворов системы ZrO? Се02 / Л. В. Морозова и др. // Изв. РАН Неорг. матер. — 2002. — Т.38,№ 2. — с. 204 -209.
  163. , Е.Г. Механохимические методы активации химических процессов. Новосибирск: Наука, 1986. — 305с.
  164. Механохимический синтез и спекание твердого раствора (Zr02)o,^(Y203)o, o3 // Л. В. Морозова и др. // Изв. РАН Неорган, матер. 2000. — Т. 36,№ 8. — с. 1001 — 1005.
  165. Технология тонких пленок. Справочник / под ред. Л. Майссела, Р. Гленга- В 2-х т. Т. 1. М.: Сов. радио, 1977. — 768с.
  166. , Л.С. Эпитаксиальные пленки / Л. С. Палатник, И. И. Папиров. -М.: Наука, 1971.-c.391 -445.
  167. Тонкие пленки антимонида индия/ под ред. В. А. Касьяна. Кишинев: Штиинца, 1989.- 162с.
  168. , К.Г. Методы выращивания кристаллов / пер. с нем. под. ред. Т. Г. Петрова. Л.: Наука, 1968. — с. 24 — 27.
  169. , И.Б. Физико-химические основы синтеза полупроводниковых монокристаллов / И. Б. Мизецкая, Л. Б. Буденная, И. Д. Олейник. Киев: Наукова думка, 1975. — с. 23 — 27.
  170. , Ю.В. О зависимости ширины запрещенной зоны в системе ZnSe-CdSe от структуры и состава / Ю. В. Жердев, Б. Ф. Ормонт // Ж. Неорг. химия. 1960. — Т.5, № 8. — с. 1796 — 1800.
  171. Кристаллическая структура твердых растворов системы ZnSe-CdSe / К. В. Шалимова и др. // Кристаллография. 1969. — Т. 14, № 4. — с. 629 — 633.
  172. , Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур // Физика и техника полупроводников. 1998. — Т.32, № 1. — с. 3 — 18.
  173. Effectcts of Си at the device junction on the properties of CdTe/CdS photovoltaic cells / T.J. Berniard et. al. // J. Vac. Sci. And Tecnol. B. 2004. — 22, № 5. — p. 2423 — 2428.
  174. , A.H. Успехи и проблемы создания полевых гетеротранзисторов на основе материалов AMIBV // Изв. вузов. Матер, электрон, техн. 2005. -№ 2.-с. 4- 13.
  175. Пат. № 6 822 995 США, МПК Н 01 S 3/08 Распределенный брэгговский отражатель GaAs/AlGaAs на InP- Finisar Corp., Kwon Hoki. N 10/78 474- заявл. 21.02.2002- опубл. 23.11.2004, НПК 372/96.
  176. Integrated optics: devices, materials and tehnologies VIII 26−28 Jan. 2004 San Jose / Y. Sidorin et. al. // Proc. SPIE. 2004. — 5355. — p. 1 — 214.
  177. High-performanse InP/InGaAs pnp 8-doped heterojunction bipolar transistor/ J. H. Tsai et. al. // Eur. Phys. — 2005. — 30. — № 3. — p. 167 — 169.
  178. , Н.Н. Полупроводниковые твердые растворы и их применение / Н. Н. Берченко, В. Е. Кревс, В. Г. Средин. М.: Воениздат, 1982 — с. 169- 175
  179. , PI.A. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды // Аналитика Сибири и Дальнего Востока: тез. докл. -Новосибирск, 2000. с. 164 — 165.
  180. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А. Б. Евдокимов и др. // Электроника. 1998. — с. 3 — 39.
  181. А.с. 1 798 672 Рос. Федерация. Датчик влажности газов / А. И. Кировская, Е. Д. Скутин, В. Г. Штабнов (Рос. Федерация). 1993, Бюл. № 8. — 86с.
  182. Пат. 179 672. Датчик влажности газов/ И. А. Кировская и др. 1993.
  183. Пат. 2 125 260. Датчик влажности газов / И. А. Кировская. 1999.
  184. Пат. 2 141 639. Пьезорезонансный датчик влажности газов / И. А. Кировская, О. А. Федяева. 1999.
  185. Пат. 2 161 794. Полупроводниковый датчик влажности газов / И. А. Кировская. 2001.
  186. Пат. 2 178 559 RU, G01N27/12. Полупроводниковый газовый датчик / И. А. Кировская, Т.В. Ложникова- заявитель ОмгТУ. № 99 125 143/28- заявл. 23.11.1999- опубл. 20.01.2002, Бюл. № 2. — 278с.
  187. Пат. 2 038 590 RU, G01N27/12. Датчик концентрации аммиака / С. А. Крутоверцев и др. № 5 062 964/25- заявл. 24.09.1992- опубл. 27.06.1995, Бюл. № 18.-207с.
  188. , И.А. Методология исследований физико-химических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и основные направления практических разработок // Омский научный вестник. 2001. — Вып. 14. — с. 66−68.
  189. , Т.А. Применение метода пьезокварцевого микровзвешивания в аналитической химии. Воронеж, 2001. — 280с.
  190. , С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961. — 863с.
  191. , С.С. Рентгенографический и электроннооптический анализ /С.С. Горелик, Л. Н. Расторгуев, Ю. А. Скаков. М.: Металлургия, 1970. -368с.
  192. , Л.Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов // Каталитические реакции в жидкой среде. Алма-Ата: АН Каз. ССР, 1963.-е. 212−217.
  193. , Л.Г. Влияние на изоэлектрическое состояние окиси цинка / Л. Г. Майдановская, B.C. Мурашкина. Труды ТГУ им. В. В. Куйбышева: Изд-во ТГУ, 1963. — Т. 157. — с. 289 — 293.
  194. , В.Н. Лабораторный практикум по курсу «Методы исследования адсорбентов и катализаторов» / В. Н. Белоусова, Г. М. Зелева. -Томск: Изд-во ТГУ, 1977. с. 61 — 66.
  195. , И.А. Кинетика химических реакций. Учеб. пособие. Омск: ОмГТУ, 1994. — с.76 -96. ISBN 5−230−13 822-Х.
  196. , А.П. Кислотно-основное титрование в неводных растворах / А. П. Крешков, Н. А. Казарян. М.: Химия, 1967. — 192с.
  197. , Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М.: Мир, 1969.-514с.
  198. , А.В. Инфракрасные спектры поверхностных соединений / А. В. Киселев, В. И. Лынгин. -М.: Наука, 1972. -402с.
  199. Экспериментальные методы в адсорбции и хроматографии / под ред. Ю. С. Никитина, Р. С. Петровой. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1999. — с. 185−191.
  200. , А. Прикладная ИК-спектроскопия. М.: Мир, 1982. — 328с.
  201. , А.А. ИК-спектроскопия в химии поверхности окислов. -Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1984. -246с.
  202. , Ф.М. Лабораторные методы получения чистых газов / Ф. М. Рапорт, А. А. Ильинская. М.: Госхимиздат, 1963. — 514с.
  203. Corma, A. Nature of acide sites on solid acid catalysts // Chemical Reviews. -1995. -V. 95, № 3.-p. 560−568.
  204. , Г. Колебательные спектры многоатомных молекул / пер. с нем. -М.: ИЛ, 1949.-324с.
  205. , К. Инфракрасные спектры и строение неорганических соединений. М.: Мир, 1965. — 216с.
  206. , Л.В. Система GaSb-ZnTe. Ее адсорбционные и другие поверхностные свойства: автореф. дис. канд. хим.наук. 2005. — Омск: Изд-во ОмГТУ. — 22с.
  207. , О.П. Физико-химическое состояние поверхности образцов системы InSb-ZnSe: автореф. дис. канд. хим. наук. 2000. — Омск: Изд-во ОмГТУ, — 18с.
  208. , А.Е. Создание новой полупроводниковой системы GaAs-CdS и изучение ее поверхностных физико-химических свойств: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2004. — с.97 — 107.
  209. , Е.Г. Получение твердых растворов системы InSb-ZnTe. Ее адсорбционные, электрофизические и оптические свойства: Дис. канд. хим. наук. Омск, 2005. с. 118— 132.
  210. Патент RU № 2 054 322. Способ получения катализатора окисления оксида углерода / В. М. Мухин, С. Г. Киреев, Н. П. Васильев и др. заявлено 01.03.1993, опубликовано 20.02.1996.
  211. Патент RU № 2 156 164. Катализатор окисления оксида углерода / JT.A. Воропанова, О. Г. Лисицына. заявлено 29.10.1998, опубликовано 20.09.2000.
  212. Патент RU № 2 171 712. Катализатор окисления оксида углерода / В. И. Кононенко, И. А. Чупова, В. Г. Шевченко и др. заявлено 13.03.2000, опубликовано 10.08.2001.
  213. Проблемы теории и практики исследований в области катализа / под ред. В. А. Ройтера. Киев: Наук, думка, 1973. — 364с.
  214. Катализ в кипящем слое/ И. П. Мухленов и др. Л.: Химия, 1978. -229с.
  215. , Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1973. -432с.
  216. , Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников. -М.: Наука, 1973.-399с.
  217. Проблемы кинетики и катализа XIV. Хемосорбция и ее роль в катализе / под ред. С. З. Рогинский и др. М.: Наука, 1970. — 264с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!