Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние радиационных воздействий на электрофизические свойства МНОП структур

Диссертация: Влияние радиационных воздействий на электрофизические свойства МНОП структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведенные к началу настоящей работы исследования влияния различного типа излучений на ЩП структуре были выполнены, в основном, для систем кремний-двуокись кремния. Существует ограниченное количество работ, посвященных исследованиям радиационных воздействий на. причем связь полученных результатов с особенностями состава и структуры пленок не обсуждалась. Исследования по воздействию мощного… Читать ещё >

Влияние радиационных воздействий на электрофизические свойства МНОП структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕЩЕНИЕ ¦
  • ГЛАВА I. ИЗМЕНЕНИЯ СВОЙСТВ МНОП СТРУКТУР ПОД ВЛИЯНИЕМ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЙ
    • I. Общие свойства МНОП структур
    • 2. Изменения характеристик ЩП структур при облучении ионами и под действием электромагнитного излучения
    • 1. Изменение свойств диэлектрических пленок 1 при. облучении ионами
    • 2. " Влияние мощного лазерного излучения на характеристики аморфных диэлектриков
    • 3. Облучение ЩП структур ультрафиолетовыми и рентгеновскими лучами
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
    • I. Образцы для исследований
    • 2. Контактные устройства для измерений
    • 1. Электрофизические измерения
    • 2. Измерения пористости
    • 3. Методики электрофизических измерений
    • 4. Измерение однородности характеристик
  • МНОП структур по площади
    • 5. Методика высокотемпературного травления
  • ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЖЕСТКОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ МНОП СТРУКТУР
    • I. Изменение характеристик аморфного нитрида кремния под действием рентгеновских лучей
    • 2. Влияние ультрафиолетового излучения на свойства нитрида кремния
    • 3. Кинетика заполнения ловушек в Sijl^ при облучении
  • ГЛАВА 4. ИЗМЕНЕНИЯ В МНОП СТРУКТУРАХ В. ПРОЦЕССЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ И ПРИ ЛАЗЕРНОМ ОТЖИГЕ
    • I. Влияние облучения бором и фосфором на свойства нитрида кремния
    • 2. Влияние мощного лазерного излучения на характеристики тонких пленок нитрида кремния
    • 3. Структурные превращения в аморфных пленках нитрида кремния при отжиге в хлористом водороде
  • ВЫВОДЫ
  • ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ. ДИССЕРТАЦИИ .126 «

Нитрид кремния (Si^N*) широко используется в микроэлектронике для создания пассивирующих слоев, применяется в качестве барьера, затрудняющего диффузию щелочных металлов, используется при изготовлении изолятора в тонкопленочных транзисторах [ij. Этот материал является основной составляющей частью элементов постоянных запоминающих устройств со структурой металл-нитрнд—окисел-полупроводник (мноп) [2, з]. Запись и стирание информации в таких элементах сопровождается зарядкой и разрядкой ловушек в SijN/f • Эта же способность накапливать заряд на ловушках используется для создания высокопроводящего инверсионного слоя на поверхности кремния в солнечных батареях со структурой металл-изолятор-полупроводник.

В литературе [2, з] имеется много данных о механизмах зарядки и разрядки ловушек в нитриде кремния, которые основываются •на разнообразных моделях переноса заряда через барьеры на контактах и в объеме диэлектрической пленки. Тем не менее экспериментальные данные о природе ловушек на микроскопическом уровне достаточно ограничены. Кроме того обнаруживается сильная зависимость электрофизических и оптических параметров SijN^ от способа синтеза, состава используемых компонентов, точности поддержания тех или иных технологических параметров процессов синтеза. При любом способе получения SijN^, например, при термическом разложении кремнийсодержащих компонентов в атмосфере аммиака и др. (см. гл. i), в состав пленки входит водород, наличие которого определяется по характерным пикам в инфракрасной области спектра поглощения. Наличие водорода в значительной степени определяет физико-химические характеристики слоев SijN* .

В процессе приготовления, на различных стадиях технологического процесса, при функционировании полупроводниковых приборов и интегральных схем, слои нитрида кремния подвергаются воздействию различного типа излучений. Перечислим некоторые из таких воздействий.

1. При плазмохимическом способе синтеза, слои Sijft)^ уже в процессе изготовления подвергаются воздействию вакуумного ультрафиолетового излучения. Облучение ультрафиолетовыми лучами происходит при стирании информации в МНОП ПЗУ, а также в процессе работы солнечных батарей на основе ШОП структур.

2. Как уже отмечалось выше, в технологических процессах микроэлектроники нитрид кремния часто используется в качестве масок и пассивирующих покрытий при проведении процессов окисления и диффузии. При производстве больших интегральных схем для улучшения разрешения на стадии фотолитографии структуры облучаются ультрафиолетовыми и рентгеновскими лучами (рентгенолитография).

3. При ионном легировании процесс имплантации в ряде случаев проводится через предварительно нанесенные на поверхность полупроводника пленки диэлектрика. Как известно [4], в этом случае получаются более резкие профили распределения имплантированных в полупроводник ионов. Следует отметить, что при этом как воздействие ионов, так и последующий отжиг приводит к изменениям в электрофизических характеристиках Si^N4. Это, в равной мере, относится к лазерному отжигу. В последнем случае изменения связаны с взаимодействием мощного лазерного излучения с диэлектриком, несмотря на то, что диэлектрическая пленка прозрачна на длине волны лазерного излучения.

Проведенные к началу настоящей работы исследования влияния различного типа излучений на ЩП структуре были выполнены, в основном, для систем кремний-двуокись кремния. Существует ограниченное количество работ, посвященных исследованиям радиационных воздействий на. причем связь полученных результатов с особенностями состава и структуры пленок не обсуждалась. Исследования по воздействию мощного лазерного излучения на свойства нитрида кремния из литературных источников неизвестны, (по-видимому, за исключением работы [б], где исследовалось облучение пленок низкотемпературного SifNj^ на In Sb лазерными импульсами с = 1,06 мкм и энергией W ^ 0,7 Дж/см^ (см. гл. i)) .

В настоящей работе были поставлены следующие основные задачи:

1) Исследовать влияние электромагнитного излучения с различными длинами волн на электрофизические характеристики слоев нитрида кремния, полученных в стандартных технологических условиях.

2) Провести исследования влияния низкотемпературных отжигов СТ <400 °с) после облучения структур рентгеновским, ультрафиолетовым и инфракрасным излучениями.

3) Исследовать структурные превращения, возникающие в образцах SiHi, (в том числе и в предварительно облученных образцах) при высокотемпературных отжигах.

4) Исследовать изменения характеристик аморфных пленок нитрида кремния при облучении ионами бора и фосфора (дозами и энергиями обычно использующимися при ионной имплантации). б) Построить физические модели, объясняющие наблюдаемые в экспериментах закономерности.

Потребности практической микроэлектроники, с одной стороны, и важность получения систематической информации о физических процессах, протекающих при взаимодействии различного типа излучений с аморфными материалами, с другой, определяют необходимость решения поставленных задач.

На защиту" выносятся:

— результаты экспериментального изучения эффектов, возникающих при взаимодействии инфракрасного лазерного излучения, рентгеновского и ультрафиолетового излучений с аморфными слоями нитрида кремния;

— интерпретация результатов по воздействию ионной имплантации бором и фосфором на свойства ШОП структур;

— модель деградации параметров МНОП структур под действием ультрафиолетового облучения.

ВЫВОДЫ.

1. Показано, что облучение ионами бора и фосфора с энергией 40 — 80 кэВ приводит к увеличению сквозной проводимости и уменьшению ширины петли гистерезиса C-V характеристик МНОП структур. При этом на границе раздела полупроводник-диэлектрик накапливается положительный заряд = 5'10~® Кл/см2.

2. Наряду с изменением объемных характеристик нитрида кремния обнаружено изменение параметров поверхности раздела Si — SiO^ — даже в том случае, когда эффективная длина пробега ионов меньше толщины пленки, и дополнительного легирования в подложке не происходит.

3. Впервые обнаружено возникновение необратимых изменений электрофизических параметров МНОП структур в результате облучения неодимовым лазером. С увеличением дозы облучения наблюдались рост проводимости, увеличение ширины петли гистерезиса C-V характеристики и повышение неоднородности сквозного тока. Исследовано восстановление свойств образцов при последующим низкотемпературном отжиге. Предложена интерпретация экспериментальных данных на основе модели перестройки кремниевых кластеров нитрида кремния при поглощении квантов лазерного излучения.

4. Обнаружены структурные перестройки в аморфных пленках нитрида кремния при высокотемпературной обработке в парах HPL. Наблюдалась кристаллизация нитрида кремния, при которой плоскость.

OOOIJd-SijN^ параллельна плоскости fioo} Si. Обнаружены обладающие различной структурой, группы дефектов, границы которых ориентированы по кристаллографическим направлениям подложки. На основе проведенных исследований развита методика идентификации сквозных дефектов в пленках нитрида кремния.

5. Под действием рентгеновского излучения происходит увеличение проводимости МНОП структур, сопровождаемое увеличением наклона вольт-амперных характеристик в координатах Пула-Френкеля lcj I от |/Е на образцах, обогащенных кремнием, и параллельный сдвиг 1(E) характеристик в стехиометрических структурах. Обнаружено повышение однородности проводимости МНОП структур по площади после облучения рентгеновскими лучами.

6. Обнаружен эффект уменьшения плотности сквозных дефектов при обработке образцов большими дозами рентгеновского излучения. Полученные результаты интерпретируются в рамках модели структурных изменений («размягчение» аморфного нитрида кремния), сопровождающихся возникновением новых ловушек.

7. Исследован эффект деградации нитрида кремния МНОП структур под действием вакуумного ультрафиолетового излучения. Обнаружено, что деградация зависит от энергии активации ловушек, определяющих проводимость и эффект памяти в МНОП структурах. Наиболее подвержены деградации структуры с энергией активации ловушек Ф>1 эВ.

8. Построена модель, объясняющая деградационные явления в нитриде кремния и кинетику восстановления исходного состояния при отжиге в рамках представлений о заполнении донорно-акцептор-ных пар при деградации неравновесными носителями заряда последующей донорно-акцепторной рекомбинацией.

ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ.

1. Хан Су Хуан, Ройзин Я. О., Солошенко В. И. и др. Влияние содержания водорода на ультрафиолетовую деградацию МНОП структур. — В отчете по теме «Разработка технологии получения, методов контроля и исследование электрофизических свойств пленок нитрида кремния» И. № 2 8500I36I8, с. 19 — 32.

2. Ройзин Я. О., Хан Су Хуан. Изменение характеристик аморфного нитрида кремния при радиационных воздействиях. — Оптоэлек-троника и полупроводниковая техника, вып. 2, 1985 г.

3. Хан Су Хуан, Сахненко В. Г., Ахмед А. Ф. Структурные превращения в аморфных пленках нитрида кремния при отжиге в хлористом водороде. — В сб.: Материалы Научной конференции молодых ученых Одесского государственного университета. Серия «Физика», Одесса, 1984, с. 194 — 200 (Рукопись деп. в УкрНИШТи).

4. Ройзин И. О., Хан Су Хуан. Влияние мощного лазерного излучения на характеристики тонких пленок нитрида кремния. — Микроэлектроника, 1985 г. (принята к печати).

5. Ахмед А. Ф., Ройзин Я. О., Солошенко В. И., Хан Су Хуан. Влияние температуры синтеза нитрида кремния на ультрафиолетовую деградацию МНОП структур. — УФЖ, 1985 г. (принята к печати).

6. Ройзин Я. О., Хан’Су Хуан. Радиационная деградация аморфного нитрида кремния. — В сб.: Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах, 1985 г. (принята к печати).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Mo гоsanu С.-Б. The Preparation, Characterization and Application of Silicon Nitride Thin Films. — Thin Solid Films, 1980, vol. 65, No 2, p. 171 208.
  2. Frohman-Bentchkowsky D. The Metal Nitride — Oxide — Silicon (MNOS) Transistor Characteristics and Applications, Procc. IEEE, 1970, vol. 581 p. 1207−1211.
  3. Pepper M. MNOS Memory Transistors. Insul. Films Semicond., 1979″ Inv., Contrib. Pap. Conf., Durham, 1979″ Bristol-London, 1980, p. 193−205″
  4. Лысенко B.C.", Назаров A.H., Турчаников В. И. Электрофизические свойства МДП структур, имплантированных ионами бора. -В кн.: Проблемы физики поверхности полупроводников / Под общ. ред. Снитко О. В. Киев: Наукова думка, 1981, с. 127 152.
  5. Т.М., Коршунов А. Б., Тихонов В. Г., Трошков А.Г., I
  6. Ф.Л. Структура компонентов БИС. Новосибирск, Наука, 1980, 256 с.
  7. Constantin С. Le Nitride de Silicium: Application aux Dispositic Semicon-ducteurs. L’Onde Elektrique, 1968, vol. 48, p. 327−340.
  8. Brown D.M., Gray P.V., Heumann F.K., Philipp H.R., Taft E.A. Propertiesof Si О N Films on Si. J. Electrochem. Soc., 1968, vol. 115, No 2, x у zp. 311−318.
  9. Gregor L.B. IBM Teclin. Rept. Silicon Nitride: Deposition and Application, 22. О67.17, July, 1969, P" 447−489.
  10. B.B., Мякиненков В. И. 0 новых диэлектрических материалах в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы, 1971, № 10, с. 309−317.
  11. Е.З., Пресс Ф. П. Планарная технология кремниевых приборов. Москва, Энергия, 1974, 384 с.
  12. Been К.Е., Gleira P. S., Yeakly R.L., Runyan V/.R. Some Properties of Vapour Deposited Si1^ Films using the SiH^ NH^ - H2 System. — J. Electro-chem. Soc., 1967, vol. 114, No .4, p. 733−738.
  13. Arizumi Т., Nishinaga Т., Ogawa H. Thermodynamical Analyses and Experiments for the Preparation of Silicon Nitride. Japan. J. Appl. Phys., 1968, vol. 7, No 9, P. 1021−1027.
  14. C.M., Миронова Л. В. Кинетический анализ процесса синтеза нитрида кремния при взаимодействии силана с аммиаком. Изв. СО АН СССР, 1975, № 2 (242), Серия хим. наук, вып. I, с. 44−58.
  15. Meiiottee Н., Cochet G. Calcul des Domaines de Depot en Phase Gas Ouse Dans le System Si N — H. — Rev. Int. Htes. Temp, et Refract., 1976, vol. 13, No 1, p. 31−36.
  16. Ф.Л., Воскобойников B.B., Смирнов B.B., Попов Б. В. Пленки поликристаллического кремния, полученные пиролизом силана. Микроэлектроника, 1974, т. 3, вып. 6, с. 554−556.
  17. Eversteijn F. Gas-Phase Decomposition of SiH in a Horizontal Epitaxial4
  18. Reactor. Philips Res. Repts., 1971, vol. 26, No 2, p. 134−144.
  19. Billy M. System Si N — H. — C. R. Acad. Sci. Paris, 1956, vol. 242, p. 137−151.
  20. Т.П., Белый В. И., Ковалевская Т. И., Тимофеева B.C.
  21. Состав и превращения слоев, полученных аммонолизом моносила-на, по данным ИК-спектроскопии МНПВО. Микроэлектроника, 1975, т. 4, вып. 3, с. 263−269.
  22. Belyi V.I., Kuznetsov F.A., Smirnova Т.P. e. a. Chemical Non-uniformity of Thin Dielectric Films Produced Ъу Ammonolysis of Mbnosilane. Thin Solid Films, 1976, vol. 37, No 3″ Р" 432−442.
  23. Tanahashi K., Kobayashi K. Properties of Vapor Deposited Silicon Nitride Films with Varying Excess Si Content. Japan. J. Appl. Phys., 1973″ vol. 12, No 5″ P* 641−646.
  24. Thomson-CSF, Department Microelectronique Hyperfrequence, Domaine de Corbeville, 91 401, ORSAY, 1978*
  25. В.И., Малинин А. Ю., Николайкин Н. И. и др. Реакторы осаждения слоев из газовой фазы и тенденции их развития. -Электронная промышленность, 1977, вып. 5, с. 32−35.
  26. С.М., Белый В. И., Воскобойников В. В. и др. Синтез пленок нитрида кремния при пониженном давлении силана. -Неорганические материалы, 1971, т. 7, № 8, с. 1347−1350.
  27. Rosier R.S. Low Pressure CVD Production Processes for Poly, Nitride and Oxide. Solid State Technology, 1977, vol. 20, No 1, p. 63−70.
  28. Brown C.A., Robinelte W.P., Carlson H.G. Electrical Characteristics of Silicon Nitride Shielded Silicon Oxide Films. J. Electrochem. Soc., 1968, vol. 15, No 9, P. 948−955.
  29. Doo V.Y., Kerr D.R., Nichols D.R. Property Changes in Pyrolytic Silicon Nitride with Reactant Composition Changes. J. Electrochem. Soc., 1968, vol. 115, No 1, p. 61−64.
  30. Deal D.E., Fleming P.I., Castro P.L. Electrical Properties of Vapor Deposited Silicon llitride and Silicon Oxide Films on Silicon. J. Electrochem. Soc., 1968, vol. 115, No 3, p. 390−307•
  31. Amett P.O. Transient Conduction in Insulators at High Fields. — J. Appl. Phys., 1975″ vol. 46, No 12, p. 5236−5243.
  32. Gritsenko V.A., Meerson E.E., Mogilinikov K.P., Sinitsa S.P. High-Field Conductivity of Amorphous Insulator Films. Phys. Stat. Sol. (a), 1979"• vol. 52, No 1, p. 47−57.
  33. Heckingbottom R. A leed Investigation of the Nitridation of the Si (ill) Surface. The Struc. A. Chem. of Solid Surf., Proc. 4th Intern. Mater. Sympos., N.Y. 1 Wiley, 1969″ p. 78−1 — 78−8.
  34. Э.И., Обухов В.е., Калошнин Э. П., Кучинский В. А. Влияние температуры осаждения на структуру в физические свойства пленок нитрида кремния. Физика и химия обработки материалов, 1974, № 4, с. 42−45.
  35. Н.А., Павлов П. В., Шитова Э. В., Крузе Т. А., Зорин Е. И. Влияние высокотемпературного отжига на структуру и состав пленок нитрида кремния. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1975, т. II, № II, с. I988-I99I.
  36. Mellottee H. f Cochet G., Delbourgo R. Depot de Films de Nitrur. e de Silicium par Pyrolyse de Melanges Silane-Ammoniac. Structure et Proprietes du Depot. Rev. de Chem. Minerals, 1976, vol. 13″ No 2, p. 373−384*
  37. Ruddlesden S.N., Popper P. On the Crystal Structures of the Nitrides of Silicon and Germanium. Acta Cryst., 1957> vol. 11, p. 465−469.
  38. Ю.Н., Борисов О. П., Уханов Ю. И., Суханова Н. И. Дисперсия коэффициента преломления пиролитических пленок нитрида кремния. Журнал прикладной спектроскопии, 1976, т. 24, вып. I, с. 164−166.
  39. Nakhmanson R.S., Dobrovolskii P.P. Investigation of MS Structure1. homogeneities using a Scanning Mercury Probe. Phys. Status Solidi (a), 1973, vol. 19, No 1, p. 225−241.
  40. H.H. Радиационные процессы в системах МДП.
  41. Материалы IV Всесоюзной школы-семинара по физике поверхности полупроводников. Ленинград, 1979, с. 155−162.
  42. Г. А., Мордкович В. Н. Влияние облучения протонами малых энергий на электрические свойства границы раздела кремний-двуокись кремния. Электронная техника, Сер. 2 Полупроводниковые приборы, вып. I (5l), с. 80.
  43. Л.Н., Подлепецкий Б. И., Попов В. Д. Образование заряда в S’lOz при облучении МОП структуры в реакторе. Микроэлектроника, 1973, т. 2, вып. I, с. 65−67.
  44. Э.Н., Журкова Г. А., Мордкович В. Н. Облучение кремния, покрытого окисной пленкой, заряженными частицами низких энергий. Физика и техника полупроводников, 1972, т. 6, вып. 7, с. I306-I3I0.
  45. Е.И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. Москва, Энергия, 1975, 128 с.
  46. Chou N.J., Crowder B.L. Effect of 0+ and Ne+ Implantation on the Surface Characteristics of Thermally Oxidized Si. J. Applied Physics, 1970, vol. 41, No 4, p. 1731−1738.
  47. В.А., Попов В. Г. Особенности режима накопления зарядав кремниевых МДП-фототранзисторах. Микроэлектроника, 1978, т. 8, вып. 4, с. 374−376.46.
  48. Sigmon T.W., Chu U.K., Luguijo E., Mayer J.W. Stoichometry of Thin Silicon Oxide Layers on Silicon. Appl. Phys. Lett., 1974, vol. 24, No 3, p. 105−107.
  49. Sproul M.E., Nassibian A.G. Effect of 0+ Implantation on Silicon-Silicon Dioxide Interface Properties. Solid-State Electron., 1974, vol. 17, No 6,1. P. 577−582.
  50. Revesz A.R. Non-crystalline SiC>2 Films on Si: a Review. J. Non-Cryst. Sol., 1973″ vol. 11, No 2, p. 309−330.
  51. В.Д., Ройзин Н. М. Роль ионизации в образовании поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Микроэлектроника, 1973, т. 2, вып. 6, с. 552−556.
  52. В.Я., Лисовский И. П., Литвинов P.O., Литовченко В.Г. Влияние ионизирующего излучения на быстрые состояния системы
  53. Si- Si02. В сб.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев: Наукова думка, 1976, вып. 23, с. 84−91.
  54. В.Я., — Литовченко В.Г., Литвинов P.O. Исследование радиационных состояний в МДП структурах. Микроэлектроника, 1979, т. 8, вып. 6, с. 534−538.
  55. А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. Москва-Ленинград АН СССР, 1963, 250 с.
  56. Coleman M.V., Thomas D.J.D. The Structure of Amorphous Silicon Nitride Films. Fhys. St. Sol., 1968, vol. 25, No 1, p. 241−252.
  57. Giuliano C.R. Laser-Induced. Damage to Transparent Dielectric Materials. -Appl. Phys. Lett., 1964, vol. 5″ No 7″ P" 137−139″
  58. С.Н. Проблема прочности твердых тел. Вестник АН СССР, 1957, № II, с. 78−82.
  59. В.Р., Слуцкер А. И., Томашевский Э. Е. Кинетическая природа прочности твердых тел. 1- Москва, Наука, 1974, 560 с.
  60. С.Б., Журков С. Н., Чмель А. Кинетика накопления пов-ревдений в прозрачных диэлектриках при многократном лазерном облучении. ФТТ, 1978, т. 20, вып. 12, с. 3570−3574.
  61. Ю.К., Маненков А. А., Нечитайло B.C. О механизме лазерного разрушения прозрачных материалов, обусловленном тепловым взрывом поглощающих неоднородностей. Квантовая электроника, 1978, т. 5, № I, с. 194−195.
  62. М.М., Хотенков В. А., Ходаков Г. С. О лавинном пробое и вероятностной природе лазерного разрушения. Оптико-механическая промышленность, 1976, № 6, с. 18−20.
  63. Bass М., Barrett Н.Н. Laser-Induced Damage Probability at 1,06 (д.т and 0,69 jam. Appl. Opt., 1973, vol. 12, No 4, p. 690−699.
  64. Ю.К., Маненков А. А., Нечитайло B.C. Предпороговые явления при лазерном разрушении оптических материалов. -Квантовая электроника, 1976, т. 3, № 2, с. 438−441.
  65. В.В., Бонч-Бруевич A.M., Моричев И. Е., Иванова Н. Л., Виноградский А. Г. Статистика микронеоднородностей прозрачных сред и их лучевая прочность. ЖТФ, 1977, т.- 47, № I, с. 183.188.
  66. В.В., Бонч-Бруевич A.M., Имас Я. А., Салядинов B.C. Поглощающие микронеоднородности стекол и их эволюция при воздействии излучения ОКГ. Письма в ЖТФ, 1975, т. I, № 19, с. 903−907.
  67. С.Н., Чмель А., Еронько С. Б. Кинетика светового разрушения прозрачных диэлектриков. Тезисы докладов IV Всесоюзного совещания по нерезонансному взаимодействию оптического излучения с веществом. Ленинград: ГОИ, 1978, с. 185−186.
  68. .И., Кондратенко П. С., Гандельман Г. М. Роль поглощающих неоднородностей в развитии, лавинной ионизации. ФТТ, 1974, т. 16, № I, с. 173−179.
  69. Р.К., Захаров С. И., Дмитриева И. А., Гандельман Г. М. Методы исследования роли поглощающих микровключений в разрушении прозрачных диэлектриков лазерным излучением. I. Пассивные методы. Квантовая электроника, 1978, т. 5- В 6, с. I279-I29I.
  70. P.O. Влияние поверхности на характеристики полупроводниковых приборов. Киев: Наукова думка, 1972, 116 е.
  71. Дж. Действие мощного лазерного излучения. Москва: Мир, 1974, 468 с.
  72. В.А., Камбалин С. А., Назаров А. И. Радиационные эффекты при воздействии рентгеновского излучения на МНОП структуры. Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, № 6, с. II4-II9.
  73. Mitchell J.P., Wilson D.K. Surface Effects of Radiation on Semiconductor Devices. Bell. Syst. Techn. J., 1967, vol. 46, No 1, p. 1−80.
  74. Snow E.H., Grove A.S., Fitzgerals D.J. Effect of Ionization Radiation on Oxidized Silicon Surfaces and Planar Devices, Proc. IEEE, 197″ vol. 551 p. 1168.
  75. Г. А., Дегтяренко Л. В., Кузнецов С. Н. Влияние ультрафиолетового облучения на заряд в МОП-структурах' с анодными окисными пленками на Si (жОП-структуры). Микроэлектроника, 1973, т. 2, вып. 6, с. 563−564.
  76. И.П., Литвинов P.O., Литовченко В. Г. Механизмы формирования быстрых состояний в системе Si~Si02 под действием УФ радиации. В кн.: Физические процессы в МДП структурах. Киев, 1976, с. 25−27.
  77. А.Ф., Селезнев В. Н., Токарчук Д. Н. Деградация МНОП структур под действием УФ облучения. Микроэлектроника, 1979, т. 8, вып. 6, с. 554−558.
  78. А.С., Колосанов В. А., Курымев Г. Л. Релаксация заряда в МНОП транзисторах при многократных переключениях. -Микроэлектроника, 1976, т. 5, вып. 5, с. 419−423.
  79. Ю. И. Кольцова Н.Г., Журавлев Г. И. Спектрофотометри-ческое определение фазового состава и толщины оксинитридных покрытий. Журнал прикладной спектроскопии, 1972, т. 16, вып. 3, с. 474−477.
  80. Патент США, 1978, № 410 830.
  81. Проспект ВДНХ СССР «Установка для измерения однородности полупроводниковых структур», 1974.
  82. Я.О. Исследование электрофизических свойств МИЛ и МИМ структур со сквозными дефектами изолирующих слоев и сколами. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Новосибирск, 1977, 158 с.
  83. B.C., Ройзин Я. О., Солошенко В. И. Неоднородности электрофизических свойств аморфных пленок нитрида кремния.- Микроэлектроника, 1983, т. 12, вып. I, с. 89−92.
  84. М.В., Нагин А. П. Характер проводимости и необратимых изменений в МНОП структурах. Микроэлектроника, 1978, т. 7, вып. 6, с. 531−537.
  85. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / Под ред. Ржанова А. В. Москва: Наука, 1976, 280 с.
  86. М., Марк П., Инжекпионные токи в твердых телах. -Москва: Мир, 1973, 416 с.
  87. Kirk С.Т. Valence Alternation Pair Model of Charge Storage in MNOS Memory Devices. J. of Appl. Fhys., 1979, vol. 50, No 6, p. 4190−4195.
  88. А.Ф., Георгиева В. Б., Ройзин И. О., Солошенко В. И., Фистуль В. И. Влияние содержания водорода на параметры аморфных пленок нитрида кремния. Электронная техника, 1984, Сер. 6, Материалы, вып. 5(l90), с. 27−29.
  89. А.Ф., Садыгов З. Я., Селезнев В. Н. Влияние величины протекшего заряда на скорость разрядки захваченного заряда в МНОП элементах памяти. Письма в ЖТФ, 1980, т. 6, вып. 7, с. 431−434.
  90. Д.Г., Синица С. П. Спектр и кинетика фотоиндуцирован-ного поглощения в аморфном нитриде кремния. Микроэлектроника, 1984, т. 13, вып. 5, с. 448−455.
  91. В.В., Михайловский И. П., Эпов А. Е. Спектры электролюминесценции пленок нитрида кремния в МНОП структурах.- Микроэлектроника, 1984, т. 13, вып. 5, с. 474−476.
  92. В.В., Есаев Д. Г., Синица С. П. Фотолюминесценция аморфных слоев нитрида кремния. ЖТФ, 1982, т. 52, № 4, с. 795−796.
  93. В.А., Пундур П. А. Катодолюминесценция аморфного нитрида кремния. ФТТ, 1983, т. 25, № 5, с. 1560−1562.
  94. Я.О., Ха Зуй Зунг. Релаксация тока и ¦./{ шумы в МНОП структурах. (в печати).
  95. Anderson P.W. Model for the Electronic Structure of Amorphous Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975″ vol. 34, No 15, p. 953−955.
  96. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Москва: 1974.
  97. Kastner М., Adler D., Fritzche Н. Valens-Altemation Model for Localized Gap States in Lone-Pair Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1976, vol. 37, No 22, p. 1504−1507.
  98. Л.Е., Фойгель М. Г. Кинетика донорно-акцепторной рекомбинации в слабо легированных компенсированных полупроводниках. ФТП, 1985, т. 19, № 2, с. 224−229.
  99. В.А., Меерсон Е. Е., Могильников К. П., Синица С. П., Проводимость нитрида кремния, ограниченная пространственным зарядом ловушек. В сб.: Физические процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Новосибирск, 1978, с. 12−19.
  100. А.В., Зиновьев В. Б., Придачин Н. Б., Федченко В. И. Влияние ионного легирования на проводимость аморфного нитрида кремния. Микроэлектроника, 1976, т. 5, вып. 2, с. 170−175.
  101. X., Руге И. Ионная имплантация. Москва: Наука, 1983, 360 с.
  102. Нитрид кремния в электронике /Под ред. Ржанова А. В. Новосибирск: Наука, 1982, 200 с.
  103. Martinelli J. Laser-Induced. Damage Thresholds for Various Glasses. -J. of Appl. Fhys., 1966, vol. 37, No 4, p. 1939−1940.
  104. В.П., Рыбкин С. М., Салманов В. М., Ярошецкий И. Д. Усталость при оптическом разрушении прозрачных диэлектриков. ФТТ, 1966, т. 8, № II, с. 3432−3434.
  105. НО. Аморфные полупроводники /Под ред. Бродски М. Москва: Мир, 1982, 202 с.
  106. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. -Москва: Энергия, 1973, 656 с.
  107. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Москва: Наука, 1981, 368 с.
  108. ИЗ. Van Vechten J.A., Compaan A.D. Plasma Annealing State of Semiconductors — Plasmon Condensation to a Superconductivity like State at 1000 К? -Solid State Commun., 1981, vol. 39″ No 8, p. 867−873.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!