Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Формирование, структура и свойства тонких пленок силицида магния на Si (111)

Диссертация: Формирование, структура и свойства тонких пленок силицида магния на Si (111)
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены на 1ой, 4ой и 5ой Азиатско-Тихоокеанской конференции по фундаментальным проблемам оптои микроэлектроники (г. Владивосток, Россия, 2000 г. и 2002 г.- г. Хабаровск, Россия, 2004 г.) — 40 м Российско-Японском семинаре по физике поверхности полупроводников JRSSS-4 (г. Нагойя, Япония, 2000 г.) — 2ой Региональной научной… Читать ещё >

Формирование, структура и свойства тонких пленок силицида магния на Si (111) (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Формирование и свойства пленок силицида магния
    • 1. 1. Методы формирования тонких пленок силицида магния на кремнии
    • 1. 2. Электронная структура монокристалла Mg2S
    • 1. 3. Оптическая колебательная спектроскопия и транспортные свойства монокристалла Mg2Si и тонких пленок Mg2Si на кремнии
    • 1. 4. Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства Mg2Si и его сплавов с переходными металлами
    • 1. 5. Выводы
  • Глава 2. Методы исследования, аппаратура и методики
    • 2. 1. Методы исследования
      • 2. 1. 1. Зондовые методы измерений электрических параметров полупроводников
      • 2. 1. 2. Оптическая спектроскопия полупроводников
      • 2. 1. 3. Атомная силовая спектроскопия полупроводников
      • 2. 1. 4. Рентгеновская дифракция
    • 2. 2. Экспериментальная аппаратура
      • 2. 2. 1. Сверхвысоковакуумная установка VARIAN
      • 2. 2. 2. Сверхвысоковакуумная установка В
      • 2. 2. 3. ановка для ледования температурных завмей термо-э.д в полупроводниковых образцах
      • 2. 2. 4. Установка для температурных исследований эффекта холла в полупроводниковых образцах
      • 2. 2. 5. Сканирующий зондовый микроскоп Solver Р
      • 2. 2. 6. Оптические спектрофотометры
    • 2. 3. Методики экспериментов
      • 2. 3. 1. Методики приготовления образцов и источников
      • 2. 3. 2. Схемы ростовых, структурных, электрических и термоэлектрических экспериментов
    • 2. 4. Методики расчетов 61 2.4.1. Методики расчета оптических функций тонких пленок
      • 2. 4. 2. Двухслойная модель для расчета электрических параметров пленок на проводящей подложке
      • 2. 4. 3. Рет параметров пленок по данным термо-э.д
      • 2. 4. 4. Методика расчета параметров кристаллической решетки в тонких пленках из данных рентгеновской дифракции
  • Глава 3. Рост и структура пленок силицида магния на кремнии
    • 3. 1. Оптимизация условий формирования затравочных островков Mg2Si на Si (l 11)
    • 3. 2. Формирование, состав и морфология тонких пленок Mg2Si на Si (111), выращенных методом многократного отжига
    • 3. 3. Влияние температуры однократного отжига многослойной системы
  • Mg-Si на морфологию и структуру тонких пленок Mg2Si на Si (l 11)
    • 3. 4. Влияние длительности отжига и толщины многослойной смеси
  • Mg-Si на морфологию пленок Mg2Si на Si (l 11)
    • 3. 5. Выводы
  • Глава 4. Электронная структура и оптические свойства пленок силицида магния на Si (lll)
    • 4. 1. Оптические функции и параметры электронной структуры тонких пленок Mg2Si на Si (l 11), выращенных методом многократного отжига
    • 4. 2. Оптические функции и параметры электронной структуры тонких пленок Mg2Si на Si (lll), выращенных по технологии однократного отжига многослойной смеси Mg-S
    • 4. 3. Выводы
  • Глава 5. Электрические, термоэлектрические свойства пленок Mg2Si на
  • Si (l 11) и фотоэлектрические свойства гетероперехода Mg2Si/Si (l 11)
    • 5. 1. Транспортные свойства и механизм проводимости в тонких пленках
  • Mg2Si на Si (l 11)
    • 5. 2. Термоэлектрические свойства тонких пленок Mg2Si на Si (l 11)
    • 5. 3. Фотоэлектрические свойства гетероструктуры Mg2Si-p/Si-p
    • 5. 4. Выводы 141 Основные результаты и
  • выводы
  • Литература

В настоящее время широко изучены и используются термоэлектрические свойства некоторых полупроводников. Соединение Mg2Si хорошо известный многообещающий материал для преобразования термоэлектрической энергии в температурном диапазоне от 500 до 800 К. Фундаментальные электронные свойства монокристаллов Mg2Si широко исследовались теоретически и экспериментально [1−8, 9]. Формирование эпитаксиальных пленок Mg2Si на кремнии осложнено малым коэффициентом прилипания магния к кремнию при повышенных температурах подложки [10−20]. Наибольший интерес получили работы по формированию тонких пленок Mg2Si стехиометрического состава на кремнии методом молекулярно-лучевой эпитаксии [12, 18]. Однако температура подложки в процессе роста не может превышать 200 °C, что обеспечивает формирование только поликристаллических пленок с достаточно развитым рельефом поверхности. Для создания гетеропереходов силицид-кремний и построения новых полупроводниковых приборов это не является достаточным условием. Поэтому представляет несомненный интерес разработка нового метода роста пленок Mg2Si на кремнии, в котором можно использовать более высокие температуры подложек для повышения кристаллического качества пленок. Исследования оптических и термоэлектрических свойств выращенных пленок Mg2Si и фотоэлектрических свойств гетероперехода Mg2Si/Si позволят провести анализ стехиометрии пленок и параметров их энергетических структур. Целью диссертационной работы является определение условий твердофазного роста тонких пленок Mg2Si и перспектив использования пленок Mg2Si в кремниевой термоэлектронике. Обоснование выбора материалов.

Монокристалл силицида магния достигает высоких значений термо-э.д.с., поэтому магний и кремний как экологически чистые материалы выбраны для создания тонкопленочного полупроводникового соединения — Mg2Si, которое может обладать высоким значением термо-э.д.с. Основные научные задачи.

1. Определить условия формирования тонких пленок Mg2Si на поверхности Si (l 11) методом твердофазной эпитаксии из смеси Mg-Si.

2. Исследовать морфологию, структуру, оптические и электрические свойства выращенных пленок Mg2Si.

3. Исследовать изменения электронной структуры в области первых прямых переходов в выращенных пленках Mg2Si на Si (lll) по сравнению с монокристаллом Mg2Si.

4. Исследовать электрические и фотоэлектрические свойства р-р гетероперехода Mg2Si/Si.

Научная новизна.

1. Впервые выращены пленки Mg2Si на Si (lll) с эпитаксиально ориентированными зернами, определены и промоделированы их оптические функции, исследованы особенности структуры энергетических зон вблизи края поглощения.

2. После длительного отжига смеси Mg-Si на Si (l 11) при температурах 450−550°С обнаружено замещение части атомов магния атомами кремния при сохранении кристаллической решетки Mg2Si.

3. Впервые исследованы электрические свойства тонких пленок Mg2Si на Si (l 11). Поликристаллическая пленка Mg2Si является полупроводником р-типа проводимости с концентрацией основных носителей -6.5−1018 см'3 и подвижностью 250±20 см2/В-сек. Определена температурная зависимость подвижности дырок ц ~ Т5'0.

4. Впервые исследованы термоэлектрические свойства тонких пленок Mg2Si. Величина коэффициента термо-э.д.с. тонких пленок Mg2Si не превышает 70 мкВ/град при Т = 300 — 420 К и зависит от температуры однократного отжига смеси Mg-Si.

5. Впервые исследованы фотоэлектрические и приборные свойства р-р гетероперехода Mg2Si/Si на подложке Si (lll) «-типа проводимости и определены параметры разрывов зон.

Практическая ценность.

1. Разработана методика формирования затравочного слоя, состоящего из одинаково ориентированных наноразмерных островков Mg2Si на подложке Si (l 11).

2. Разработана методика твердофазного высокотемпературного (до 550°С) формирования тонких пленок Mg2Si на Si (lll) с использованием предварительно сформированного затравочного слоя.

3. Определены электрические параметры пленок Mg2Si стехиометрического состава и установлено влияние межкристаллитных дефектов на величину проводимости.

Защищаемые положения.

1. При отжиге мультислоев Mg и Si с общей толщиной не более 50 нм на затравочных островках Mg2Si на Si (l 11) температура 550 °C является достаточной для эпитаксиальной ориентации зерен в пленке Mg2Si.

2. При твердофазном отжиге смеси Mg-Si на Si (lll) (Т = 450−550°С) происходит замещение части атомов магния на атомы кремния в кубической решетке Mg2Si, что приводит к ее сжатию по сравнению с монокристаллом, и сдвигу величины энергий прямых переходов в область меньших значений.

3. Поликристаллическая пленка Mg2Si с зернами стехиометрического состава является полупроводником р-типа проводимости с энергией первого прямого межзонного перехода 0.9±-0.05эВ, концентрацией дырок 6.5−1018 см'3 и подвижностью 250±20 см2/В-сек при комнатной температуре, а основной вклад в механизм рассеяния вносят межкристаллитные дефекты.

4. Пленки Mg2Si на Si (lll) после однократного отжига смеси Mg-Si при температуре 550 °C являются полупроводником «-типа проводимости и имеют коэффициент термо-э.д.с. до 70 мкВ/К в диапазоне температур 300−420 К.

5. В гетерострукгуре Mg2Si-p/Si-p/Si-" электрические поля р-р гетероперехода Mg2Si/Si и р-п перехода имеют разные направления. Фото-э.д.с. р-р гетероперехода Mg2Si/Si обусловлена межзонными переходами в Mg2Si в области энергий 0.7−0.9 эВ. В зонной структуре гетероперехода разрыв в валентной зоне составляет AEV = 0.48 эВ и в зоне проводимости ДЕс = 0.12 эВ.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены на 1ой, 4ой и 5ой Азиатско-Тихоокеанской конференции по фундаментальным проблемам оптои микроэлектроники (г. Владивосток, Россия, 2000 г. и 2002 г.- г. Хабаровск, Россия, 2004 г.) — 40 м Российско-Японском семинаре по физике поверхности полупроводников JRSSS-4 (г. Нагойя, Япония, 2000 г.) — 2ой Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования» (г. Хабаровск, Россия, 2001 г.) — Зей Региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования» (г. Благовещенск, Россия, 2002 г.) — 9ой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (г. Красноярск, Россия, 2003 г.) — 7ой, 8ой, 9ой и 10ой Региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов (г. Владивосток, Россия, 20 032 006 гг.) — конференции Азиатско-Тихоокеанского региона «Полупроводниковые силициды-2006» (г. Нара, Япония, 2006 г.). Публикации. По теме диссертации опубликованы 6 статей в реферируемых научных журналах и 3 статьи в сборниках трудов региональных и международных конференций.

Личный вклад автора. Вошедшие в диссертацию результаты отражают итоги исследований роста, оптических и фотоэлектрических свойств струюур M&Si на Si (l 11), проведенных автором в ИАПУ ДВО РАН совместно с сотрудниками лаборатории оптики и электрофизики. Все эксперименты и обработка данных по исследованию транспортных и термоэлектрических свойств проведены лично автором. Автор участвовал в обсуждении экспериментальных данных и написании статей.

Участие соавторов публикаций заключалось в следующем: д.ф.-м.н. Н. Г. Галкину принадлежит идея использования твердофазного роста из смеси Mg-Si на затравочных островках для получения эпитаксиальных пленок Mg2Si, он также участвовал в обсуждении результатов и написании статей. К.ф.-м.н. A.M. Маслов и К. Н. Галкин обрабатывали и интерпретировали часть данных по оптической спектроскопии. К.ф.-м.н. А. В. Конченко и В. О. Полярный принимали участие в экспериментах по росту пленок Mg2Si и исследовании фотоэлектрических свойств. Изображения в атомном силовом микроскопе получены Е. А. Чусовитиным. К.ф.-м.н. А. В. Герасименко и к.х.н. Т. А. Кайдалова проводили регистрацию рентгеновских спектров от пленок Mg2Si.

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 152 страницы, включая 59 рисунков, 8 таблиц и список литературы из 103 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработан метод твердофазного роста пленок Mg2Si на Si (lll) при однократном отжиге многослойной смеси Mg-Si. Температура отжига 550 °C является достаточной для эпитаксиальной ориентации зерен в пленке Mg2Si, если толщина пленки не превышает 50 нм.

2. Эпитаксиальный рост при температуре 550 °C (однократный отжиг) происходит за счет плавления силицида и кристаллизации от подложки Si (lll) и сопровождается замещением части атомов магния атомами кремния в решетке Mg2Si. Уменьшение вклада дефектов в оптические переходы при энергиях ниже 2 эВ свидетельствует о хорошем сопряжении граней зерен в пленке.

3. Однократный отжиг при температурах 420−500°С приводит к сублимации из многослойной смеси Mg-Si части атомов магния, не принявших участие в силицидообразовании. Оставшиеся атомы кремния не встраиваются в решетку силицида и формируют межкристаллитные прослойки, количество которых определяет проводимость пленок Mg2Si при КТ.

4. Многократный отжиг смеси Mg-Si при температуре 400−500°С приводит к формированию поликристаллических пленок Mg2Si с сильно развитой поверхностью. Состав зерен близок к стехиометрическому. В этих пленках наблюдается полупроводниковая проводимость р-типа, ширина запрещенной зоны 0.9±0.05 эВ, концентрация дырок -6.5−1018 см" 3 и подвижность 250±20 см2/В-сек при КТ.

5. Из данных термо-э.д.с. установлено, что основными носителями в пленках Mg2Si, сформированных методом однократного отжига, являются электроны. В пленках Mg2Si, сформированных методом многократного отжига — дырки. Максимальная величина термо-э.д.с. (^70 мкВ/К при 360 К) наблюдается для пленок, выращенных методом однократного отжига при 550 °C, при уменьшении температуры формирования пленок термо-э.д.с уменьшается.

6. Пленки Mg2Si с эпитаксиальными зернами являются перспективными для разработки пленочных термоэлектрических преобразователей.

7. Фото-э.д.с. р-р гетероперехода Mg2Si/Si и р-п перехода имеют разные знаки. Спектральная чувствительность гетероструктуры Mg2Si-p/Si (l 1 l)-p/Si-" определяется суммарным вкладом носителей, генерированных в пленке и подложке, и разделенных р-р гетеропереходом и р-п переходом. В зонной структуре р-р гетероперехода определены разрывы в валентной зоне (АЕу=0.48 эВ) и зоне проводимости (Ес=0.12 эВ) и построена зонная диаграмма гетероструктуры Mg2Si-p/Si-p/Si-n.

В заключении автор выражает огромную признательность и благодарность своему научному руководителю д.ф.-м.н. Галкину Николаю Геннадиевичуза помощь в изготовлении блоков электроники и автоматизацию экспериментовк.ф.-м.н., доценту кафедры «Электроника» ИФИТ ДВГУ Виталию Александровичу Ивановуза регистрацию рентгеновских спектров тонких пленок Mg2Si — к.ф.-м.н. А. В. Герасименко и к.х.н. Т. А. Кайдаловой (Институт Химии ДВО РАН). Также автор очень благодарен за помощь в проведении экспериментов, обработке данных и обсуждении результатов к.ф.-м.н. Андрею Маслову, м.н.с. Вячеславу Полярному, м.н.с. Александру Самуиловичу Гуральнику, аспирантам Евгению Чусовитину и Константину Галкину, и всем сотрудникам НТЦ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Semiconducting silicide. / Ed. by Borisenko V.E. — Berlin: Spinger-Verlag, 2000. — 362p.
  2. Folland N.O. Self-Consistent of the Energy band structure of Mg2Si. // Phys. Rev. -1967. V. 153, N. 30- P. 764−775.
  3. Lee P.M. Electronic structure of magnesium silicide and magnesium. // Phys. Rev. -1964.-V. 135, N. 4A P. A1110-A1114.
  4. Au-Yang M.Y., Cohen M.L. Electronic structure and optical properties of Mg2Si, Mg2Ge, and Mg2Sn.//Phys. Rev.- 1969.-V. 178, N.3-P. 1358−1364.
  5. Meloni F., Mooser E., Baldereschi A. Bonding nature of conduction states in electron-deficient semiconductors: Mg2Si. // Physica B+C -1983. V. 117−118, N. 1 — P. 72−74.
  6. Wood D.M., Zunger A. Electronic structure of generic semiconductors: Antifluorite silicide and III-V compounds. // Phys. Rev. B. -1986. V. 34, N. 6 — P. 4105−4120.
  7. Aymerich F., Mula G. Pseudopotential band structure of Mg2Si, Mg2Ge, Mg2Sn, and of the solid solution Mg2(Ge, Sn). // Phys. Stat. Sol. 1970. — V. 42, N. 2 — P. 697−704.
  8. Bashenov V.K., Mutal A.M., Timofeenko V.V. Valence-band density of states for Mg2Si from pseudopotential calculation. // Phys. Stat. Sol. (b) 1978. — V. 87, N. 1 -P. K77-K79.
  9. Morris R.G., Redin R.G., Donielson G.C. Semiconducting properties of Mg2Si single crystals. // Phys. Rev. 1958. — V. 109, N. 6 — P. 1909−1915.
  10. Wittmer M., Luthy W., Von AllmenM. Laser induced reaction of magnesium with silicon. // Phys. Lett. 1979. -V. 75A, N. 1−2 — P. 127−130.
  11. Chu W.K., Lau S.S., Mayer J.W. Implanted noble gas atoms as diffusion markers in silicide formation. // Thin Solid Films. 1975. — V. 25 — P. 393−402.
  12. Vantomme A., Mahan J.E., Langouche G., Becker J.P., Van Bael M., Temst K., Van Haesenndonck C. Thin film growth of semiconducting Mg2Si by codeposition. // Appl. Phys. Lett. -1997. V. 70, N. 9 — P. 1086−1088.
  13. JanegaP.L., McCaffrey J., LandheerD., Buchanan M., DenhollM., MitchelD. Contact resistivity of some magnesium/silicon and magnesium silicide/silicon structures. // Appl. Phys. Lett. 1988. — V. 53, N. 21 — P. 2056−2058.
  14. BoseS., ScharyaH.N., Baneijee H.D. Electrical, thermal, thermoelectric and relatedproperties of magnesium silicide semiconductor prepared from rice. // J. Mater. Sci. -1993. V. 28, N. 20 — P. 5461−5468.
  15. BrauseM., BraunB., OchsD., Maus-Friedrichs W., KempterV. Surface electronic structure of pure and oxidized non-epitaxial Mg2Si layers on Si (l 11). // Surf. Sci. -1998.-V. 398-P. 184−194.
  16. TatsuokaH., TakagiN., OkayaS., SatoY., InadaT., OhishiT., YamamotoA., Matsuyama Т., Kuwabara H. Microstructures of semiconducting silicide layers grown by novel growth techniques. // Thin Solid Films 2004. — V. 461 — P. 57−62.
  17. Goranova E., Amov В., Baleva M., Trifonova E.P., Yordanova P. Ion beam synthesis of Mg2Si. // Journal of materials science 2004. — V. 39-P. 1857−1859.
  18. Mahan J.E., Vantomme A., Langouche G. Semiconducting Mg2Si thin films prepared by molecular-beam epitaxy. // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54, N. 23 — P. 16 965−16 971.
  19. Freller H., GunterK.G. Three-temperature method as an origin of molecular beam epitaxy. // Thin Solid Films 1982. — V. 88 — P. 291−307.
  20. Niu X., Lu L. Formation of magnesium silicide by mechanical alloying. // Advanced Performance Materials 1997. — V. 3 — P. 275−283.
  21. В., ДворинаЛА, РудьБ.М. Силициды. Москва: Металлургия, 1979. -271с.- Samsonov G.V., Vinitstii I.M. Handbook of refractory compounds. — New York: IFI/Plenum Data Corp., 1980. — 555p.
  22. Murarka S.P. Silicides for VLSI Applications. New York: Academic Press, 1983. -200p.
  23. Properties of metal silicides. / Ed. by Meax K., Van Rossum M. London: INSPEC, IEE, 1995.-349p.
  24. O.B., Сидоренко Ф. А. Силициды переходных металлов четвертого периода. Москва: Металлургия, 1971. — 584с.
  25. А.Е., Ржанов А. В., Черепов Е. И. Образование пленок силицидов на кремнии. // Поверхность. -1982. № 2 — С. 1−12.
  26. CheriefN., D’Anterroches С., CintiR.C., TanT.A.N., DerrienJ. Semiconducting silicide-silicon heterojunction elaboration by solid phase epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1989.-V. 55, N. 16-P. 1671−1673.
  27. Von KanelH., StalderR., Sirringhaus H., OndaN., HenzJ. Epitaxial silicides withcalized epitaxial growth of CrSi2 on silicon. // J. Appl. Phys. 1986. -V. 59, N. 8 — P. 2784−2787.
  28. LongR.G., Becker J.P., MahanJ.E., VantommeA., NicoletM.-A. Heteroepitaxial relationships for CrSi2 thin films on Si (l 11). // J.Appl. Phys. 1995. — V. 77, N. 7 -P. 3088−3094.
  29. Vantomme A., Nicolet M.-A., Long R.G., Mahan J.E. Reactive deposition epitaxy of CrSi2. // Appl. Surf. Sci. 1993. — V. 73 — P. 146−152.
  30. Galkin N.G., Velitchko T.V., SkripkaS.V., Khrustalev A.B. Semiconducting and structural properties of CrSi2 A-type epitaxial films on Si (l 11).// Thin Solid Films. -1996.-V. 280-P. 211−220.
  31. Mahan J.E., Le Thanh V., ChevrierJ., BerbezierL, DerrienJ., LongR.G. Surface electron-diffraction patterns of P-FeSi2 films epitaxially grown on silicon. // J. Appl. Phys. 1993. — V. 74, N. 3 — P. 1747−1761.
  32. Radermacher K., Mantl S., Dieker Ch., Luth H., Freiburg C. Growth kinetics of iron silicides fabricated by solid phase epitaxy or ion beam synthesis. // Thin Solid Films. 1992.-V. 215, N. 1-P. 76−83.
  33. B.M., Кольцов В. Б., Курбатов B.A. Исследование эффекта холла соединений Mg2Blv (B1V Si, Ge, Sn, Pb) в твердом и жидком состояниях. // Физика и техника полупроводников. — 1986. — Т. 20, № 6 — С. 834−839.
  34. La BotzRJ., Mason D.R., O’KoneD.F. The Thermoelectric properties of mixed crystals of Mg2GexSi,.x, // J. Electrochem. Soc. 1963. — V. 110, N. 2 — P. 127−134.
  35. Glazov V.M., Pavlova L.M., Poyarkov K.B. Thermodynamics of semiconducting compounds Mg2BIV (BIV -Si, Ge, Sn, Pb). // Obzory po electr. technike, Ser. 6. -1982.-V. 9, N. 917 P. 1−44.
  36. Vazquez F., FormanR.A., CardonaM. Electroreflectance measurements on Mg2Si, Mg2Ge, and Mg2Sn. // Phys. Rev. 1986. — V. 176, N. 3 — P. 905−908.
  37. Stella A., Lynch D.W. Photoconductivity in Mg2Si and Mg2Ge. // J. Phys. Chem. Solids. 1964. — V. 25, N. 12 — P. 1253−1259.
  38. Stella A., Brothers A.D., Hopkins R.H., Lynch D.W. Pressure coefficient of the band gap in Mg2Si, Mg2Ge, and Mg2Sn. // Phys. Stat. Sol. -1967. V. 23, N. 2 — P. 697−702.
  39. А.В., Холод А. Н., Шапошников B.JL, Кривошеее А. Е., Борисенко В. Е. Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si и Mg2Ge с напряженной кристаллической решеткой. // Физика и техника полупроводников. 2002. — Т. 36, № 5 — С. 528−532.
  40. П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. // Зарубежная радиоэлектроника. -1981. -№ 1 С. 3−50- № 2 — С. 3−49-
  41. БатавинВ.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. Москва: Радио и связь, 1985, — С. 72−75.
  42. С.Г., Соболев В. В. Спектры отражения кристаллов Mg2Si и Mg2Sn. // Оптика и спектроскопия. 1966. — Т. 21, № 1 — С. 48−50.
  43. Scouler W.J. Optical properties of Mg2Si, Mg2Ge and Mg2Sn from 0.6 to 11.0 eV at 77 K. // Phys. Rev. 1969. — V. 178.N.3-P. 1353−1357.
  44. McWilliams D., Lynch D.W. Infrared reflectivities of magnesium silicide, germanide, and stannide. // Phys. Rev. 1963. — V. 130, N. 6 — P. 2248−2252.
  45. Koenig P., Lynch D.W., Danielson G.C. Infrared absorption in magnesium silicide and magnesium germanide. // J. Phys. Chem. Solids 1961. — V. 20, N. ½ — P. 122 126.
  46. М.И., Зайцев B.K., Еремин И. С. и др. Кинетические свойства твердых растворов р-типа Mg2Xo.4Sno.6 (X=Si, Ge). // Физика твердого тела. 2006. -Т. 48, № 8-Р. 1402−1406.
  47. Г. Н. Термоэлектрическая добротность полупроводниковых субмикронных слоев. // Известия высших учебных заведений, Физика 1993. — № 9 — С. 68−72.
  48. KajikawaT., ShidaK., Shiraishi К, Ito Т. Thermoelectric figure of merit of impurity doped and hot-pressed magnesium silicide elements. // Proc. of 17th International Conference on Thermoelectrics, Nagoya, Japan May 24−28. -1998. P. 362−369.
  49. Riffel M., Schilz J. Influence of production parameters on the thermoelectric properties of Mg2Si. // Proc. of 16th International Conference on Thermoelectrics, Dresden, Germany, August 26−29. -1997. P. 283−286.
  50. HohlH., Ramirez A.P., Palstra T.T.M., BucherE. Thermoelectric and magnetic properties of Сг^У^г solid solutions. // Journal of Alloys and Compounds. 1997. — V. 248 — P. 70−76.248 (1997) 70−76.
  51. Ohkoshi Т., Isoda Y., Kaibe H., etc. Slip casting and thermoelectric property of CrSi2. // Transactions of the Japan Institute of Metals. 1988. — V. 29, N. 9 — P. 756−766.
  52. Ito M., Nagai H., Katsuyama Sh., Majima K. Effects of Ti, Nb and Zr doping on thermoelectric performance of P-FeSi2. // Journal of Alloys and Compounds. 2001. -V.315-P. 251−258.
  53. Ito M., Nagai H., etc. Thermoelectric performance of n-type and p-type p-FeSi2 prepared by pressureless sintering with Cu addition. // Journal of Alloys and Compounds. 2001. — V. 319 — P. 303−311.
  54. Kojima T. Semiconducting and thermoelectric Properties of sintered iron disilicide. // Phys. Stat. Sol. (a). -1989. V. 111 — P. 233−242.
  55. Komabayashi M., Hijikata K., Ido Sh. Effects of some additives on thermoelectric properties of FeSi2 thin films. // Japanese Journal of Applied Physics. 1991. — V. 30, N.2-P. 331−334.
  56. Heinrich A., Griessmann H., Behr G., etc. Thermoelectric properties of P-FeSi2 single crystals and polycrystalline P-FeSi2+x thin films. // Thin solid films. 2001. — V. 381 -P. 287−295.
  57. С.Г., Беляев Е. Ю., Ломовский О. И. Механохимических синтез и термо-э.д.с. материалов на основе P-FeSi2. // Неорганические материалы. 1998. -Т. 34,№ 7-С. 824−827.
  58. Nishida I., Sakata T. Semiconducting properties of pure and Mn-doped chromium disilicides. // J. Phys. Chem. Solids. 1978. — V. 39, N. 5 — P. 499−505.
  59. Tsunoda Т., MukaidaM., Imai Yo. Thermoelectric properties of Ru- or Ge-doped P-FeSi2 films prepared by electron beam deposition. // Thin Solid Films. 2001. — V. 381-P. 296−302.
  60. У.Б. Методы исследования эффекта Холла Москва: Советское радио, 1974. -328с.
  61. В.И. Введение в физику полупроводников. Москва: Высшая школа, 1975. -296с.
  62. Р. Полупроводники. Москва: Мир, 1982. — 558с.
  63. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. Москва: Высшая школа, 1975. — 207с.
  64. Ю.А. Оптические свойства полупроводников. Москва: Наука, 1977. -252с.
  65. . Оптические процессы в полупроводниках. Москва: Мир, 1973. -456с.
  66. В.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Нижний Новгород: Институт физики микроструктур РАН, 2004, — 1 Юс.72. http//www.ntmdt.ru
  67. УсманскийЯ.С. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. Москва: Металлургия, 1982. — 632с.
  68. Методы анализа поверхности. / Под ред. ЗандерыА. Москва: Мир, 1979. -582с.
  69. Н.Г., Иванов В. А., Конченко А. В., Горошко Д. Л. Установка для автоматизированных холловских измерений параметров двухмерных материалов в условиях сверхвысокого вакуума. // Приборы и техника эксперимента- 1999.-№ 2-С. 153−158.
  70. ВудрафД., ДелчарТ. Современные методы исследования поверхности. -Москва: Мир, 1989. 568с.
  71. Gavriljuk Y.L., Lifshits V.G., Enebish N. Coadsorption of Au and Ag atoms on the Si (l 11) surface. // Surf. Sci. 1993. — V. 297, N. 1 — P. 345−352.
  72. КораблевВ.В. Электронная спектроскопия поверхности твердого тела. // Итоги науки и техники, ВИНИТИ, Электроника и ее применение, 1980. — Т. 12 -С. 3−24.
  73. Palmberg P.W. Quantitative analysis of solid surface by Auger electron spectroscopy. // Anal. Chem. -1973. V. 45, N. 6 — P. 549A.
  74. ЛинивегФ. Измерение температур в технике. Москва: Металлургия, 1980. -520с.
  75. В.В., Алексеев С. А., Донецких В. И. Расчеты оптических функций полупроводников по соотношениям Крамерса-Кронига. Кишинев: Штиинца, 1976,-146с.
  76. Galkin N.G., Maslov A.M., Konchenko A.V. Optical and photospectral properties of CrSi2 A-type epitaxial films on Si (l 11). // Thin Solid Films. 1997. — V. 311, N. 1−2 -P. 230−238.
  77. AlexandrovL.N., Lovyagin R.N., SimonovP.A., Bzinkovskaya I.S. p-n junction in the surface region of silicon obtained by evaporation of silicon in ultrahigh vacuum. // Phys. Stat. Sol. (a) 1978. — V. 45 — P. 521−527.
  78. LiehrM., RenierM., WachnikR.A., ScillaG.S. Dopant redistribution at Si surfaces during vacuum anneal. // J. Appl. Phys. 1987. — V. 61, N. 9 — P. 4619−4625.
  79. Ч., Томсон P. Физика твердого тела. Москва: Мир, 1969. — 558с.
  80. Молекулярно лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / Под ред. ЧенгаЛ., Плога К. Москва: Мир, 1989. — 584с.
  81. Г., Туна Р. Э. Физика тонких пленок. Т. 4. Москва: Мир, 1970, — 440с.
  82. Технология тонких пленок. Справочник. Т. 1. / Под ред. Майссела Л., ГлэнгаР. Москва: Советское радио, 1977. — 664с.
  83. Seah М.Р. A review of the analysis of surfaces and thin film by AES and XPS. // Vacuum. 1984. — V. 34, N. 3−4 — P. 463−478.
  84. Kawashima Y., TanabeH., IkedaT., ItohH., IshinokawaT. Surface structure of the Mg/Si (100) system studied by low-electron diffraction and Auger electron spectroscopy. // Surf.Sci. -1994. -V. 319 P. 165−171.
  85. ЛифшицВ.Г., ЛуняковЮ.В. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии. -Владивосток: Дальнаука, 2004. 315с.
  86. Физические величины. Справочник. / Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е.З.-Москва: Энергоатомиздат, 1991. 1234с.
  87. Edwards D.F. Handbook of optical constants of solids. Orlando: Academic Press, Inc., 1985. pp.552−570.
  88. KimC.C., Garland J.W., AbadH., RaccahP.M. Modeling the dielectric function of semiconductors: Extension of the critical-point parabolic-band approximation. // Phys. Rev. B. 1992. — V. 45 — P. 11 749−11 767-
  89. Adachi S. Optical properties of A^Ga^As alloys. // Phys. Rev. B. 1988. — V. 38 -P. 12 345−12 352.
  90. Adachi S., Sato K. Numerical derivative analysis of the pseudodielectric functions of ZnTe. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. -V. 31 — P. 3907−3912.
  91. Delerue C., Lannoo M., Allan G., Martin E. Theoretical descriptions of porous silicon. // Thin Solid Films. 1995. — V. 255 — P. 27−34.
  92. Thei6 W. Optical properties of porous silicon. // Surf. Sci. Rep. 1997. — V. 29 -P. 92−192.
  93. А., ФойхтД. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. -Москва: Мир, 1975. 432с.
  94. ГаманВ.И. Физика полупроводниковых приборов. Уч. пособие. Томск, 1989.-336с.
  95. Н.Г., Ваванова C.B., Конченко A.B., МасловА.М., Полярный В. О. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок Mg2Si на Si (lll). // Известия вузов. Электроника. 2001. — № 5 -С. 291−298.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!