Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Устойчивые конфигурации линейных дефектов на границах раздела в кристаллических твердых телах

Диссертация: Устойчивые конфигурации линейных дефектов на границах раздела в кристаллических твердых телах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Вторая глава посвящена теоретическому анализу равновесных конфигураций частичных дислокаций несоответствия (ЧДН) в тонкопленочных гете-роэпитаксиальных системах. В п. 2.1 рассчитана плотность полной энергии гетероэпитаксиальной системы, в которой на гетерогранице эпитаксиальной пленки и подложки образуется ортогональная сетка ЧДН, расположенных в вершинах У-образных дефектов упаковки. В п. 2.2… Читать ещё >

Устойчивые конфигурации линейных дефектов на границах раздела в кристаллических твердых телах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Линейные дефекты на границах раздела в твердых телах (обзор)
    • 1. 1. Дислокации несоответствия в тонкопленочных гетер о системах
    • 1. 2. Модели границ зерен с произвольными разориентациями
    • 1. 3. Тройные стыки границ зерен
    • 1. 4. Эволюция стыковых дисклинаций в процессе пластической деформации
    • 1. 5. Постановка задачи
  • Глава 2. Равновесные конфигурации частичных дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах
    • 2. 1. Энергия гетеросистемы, содержащей частичные дислокации несоответствия
    • 2. 2. Равновесная плотность частичных дислокаций несоответствия
    • 2. 3. Критические параметры гетеросистемы
    • 2. 4. Резюме
  • Глава 3. Устойчивые дисклинационные структуры на границах зерен в поликристаллах и нанокристаллах
    • 3. 1. Энергия дисклинационных структур при планарном расщеплении
    • 3. 2. Влияние планарного расщепления на образование микротрещин
    • 3. 3. Энергия дисклинационных структур при трехлучевом расщеплении
    • 3. 4. Влияние трехлучевого расщепления на образование микротрещин
    • 3. 5. Резюме
  • Глава 4. Модели квазипериодических границ зерен в кристаллах
    • 4. 1. Дислокационно-структурная модель квазипериодической границы наклона
    • 4. 2. Поле напряжений и энергия квазипериодической границы в дислокационно-структурной модели
    • 4. 3. Влияние структурных перестроек на энергию квазипериодической границы
    • 4. 4. Дисклинационно-структурная модель квазипериодической границы наклона
    • 4. 5. Резюме

Изучение механики и физики границ раздела является одним из наиболее приоритетных направлений исследований в учении о структуре и свойствах современных материалов и твердотельных систем, в частности, в формировании представлений о механическом поведении реальных неоднородных твердых тел. Выступая в качестве упрочняющих, охрупчивающих или пластифицирующих элементов, каналов облегченного диффузионного массопереноса, источников и стоков для различных дефектов, границы раздела часто играют определяющую роль как в создании равновесного упруго-деформированного состояния, так и в развитии процессов пластической деформации и разрушения материалов.

Границы раздела являются предметом особого интереса уже более ста лет, однако наиболее интенсивные исследования начались около 40 лет назад [124]. Среди существующих границ раздела особое внимание привлекают границы зерен [1, 2, 6−9, 11−16, 18, 20−24] и межфазные границы [3−6, 7, 9, 10, 14, 17, 19]. Наряду с дислокациями, дисклинациями и другими дефектами, такие границы сами являются представителями дефектной структуры кристаллических твердых тел и относятся к разряду планарных дефектов [25]. В то же время, границы раздела, помимо того, что отличаются чрезвычайным разнообразием атомных структур, могут содержать различные дефекты меньшей размерности — линейные (дислокации и дисклинации) и точечные (вакансии и примеси). Наличие таких дефектов также отражается на свойствах границ и, как следствие, на свойствах самих материалов. Этим обусловлено особое внимание, которое уделяется в последние годы экспериментальным и теоретическим исследованиям реальной структуры границ раздела, включающей разнообразные дефекты. Фактически, именно поведение таких дефектов, которые одновременно являются источниками упругих полей и элементарными носителями пластической деформации, обычно контролирует развитие деформационных процессов вблизи границ. Особую роль здесь играют линейные дефекты — дислокации [25−38] и дисклинации [39−48], которые, с одной стороны, создают наиболее мощные и дальнодействующие упругие поля и, с другой стороны, движение которых способно служить эффективным каналом релаксации внешних упругих напряжений.

Таким образом, изучение поведения линейных дефектов на границах раздела представляется сегодня одним из наиболее конструктивных подходов к пониманию роли границ и построению их теоретического описания. В ряду важных физических проблем, связанных с дефектами на границах раздела, выделяется класс задач о равновесных или устойчивых дефектных образованиях, к решению которых применимы методы механики деформируемого твердого тела. Решения таких задач могут служить отправной точкой для разработки физических моделей эволюции дефектных структур на границах раздела. Именно изучению устойчивых структур линейных дефектов, дислокаций и дисклина-ций, на границах раздела в современных неоднородных материалах и посвящена настоящая работа, выполненная на стыке физики твердого тела и механики деформируемого твердого тела.

В качестве реальных неоднородных твердотельных систем здесь выступают тонкопленочные гетероэпитаксиальные структуры [10, 17,19, 49−53], на которых построены приборы современной микрои оптоэлектроники, и ультрамелкозернистые поликристаллы (включая нанокристаллы) — новый класс перспективных конструкционных материалов, обладающих необычно высокими прочностными свойствами [54−63]. И в тех, и в других границы раздела играют ведущую роль, являясь рабочей зоной в полупроводниковых гетеросистемах и основным упрочнителем и пластификатором в ультрамелкозернистых поликристаллах.

Таким образом, выбор темы диссертации определялся необходимостью построения теоретических моделей устойчивых дефектных конфигураций на границах раздела и приложения этих моделей к реальным перспективным материалам и твердотельным структурам.

Цель работы состоит в построении теоретических моделей, достоверно описывающих устойчивые конфигурации линейных дефектов на границах раздела в кристаллических твердых телах.

Краткое содержание работы.

Работа состоит из введения, четырех глав основного текста, заключения и списка литературы.

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулирована основная цель работы, кратко представлены содержание диссертации, сведения о ее апробации и об основных публикациях по ее теме, приведены положения, выносимые на защиту.

В первой главе дан обзор литературы по линейным дефектам (дислокациям и дисклинациям) на границах раздела в тонкопленочных гетероэпитакси-альных системах, в полии нанокристаллах. В п. 1.1 рассмотрены дислокации несоответствия, полные и частичные, на межфазных границах в гетерострук-турах. Приведен краткий перечень существующих теоретических подходов к описанию равновесных дислокационных структур в таких системах, даны определения критических параметров (критической толщины эпитаксиальной пленки и критического несоответствия постоянных кристаллических решеток пленки и подложки), характеризующих переход от когерентного (бездислокационного) состояния гетеросистемы к полукогерентному (с дислокациями несоответствия на гетерогранице). Отмечена необходимость учета частичных дислокаций несоответсвия при анализе гетеросистем с большими (> 1%) несоответствиями. В п. 1.2 приведены основные понятия геометрического описания границ зерен в полии нанокристаллах, рассмотрены малои больше-угловые границы. Описаны различные дислокационно-дисклинационные модели структуры границ зерен. Выделены дисклинационная модель Ли, модель структурных единиц Саттона-Витека и дисклинационно-структурная модель Владимирова-Герцмана-Назарова-Романова, описывающие структуру, упругие поля и энергии периодических границ зерен. Дано определение квазипериодических границ зерен. В п. 1.3 представлено геометрическое описание тройных стыков зерен, выделены скомпенсированные и нескомпенсированные стыки, отмечены модели стыковых дисклинаций. В п. 1.4 рассмотрены экспериментальные работы, в которых наблюдались стыковые дисклинации и измерялась их мощность. Проведен подробный анализ модели расщепления стыковой дисклинации Гуткина-Овидько, сопровождаемого локальной твердофазной аморфизацией тройного стыка и приводящего к снижению вероятности зарождения там микротрещины. В п. 1.5 на основе анализа литературных данных определены основные задачи настоящей работы.

Вторая глава посвящена теоретическому анализу равновесных конфигураций частичных дислокаций несоответствия (ЧДН) в тонкопленочных гете-роэпитаксиальных системах. В п. 2.1 рассчитана плотность полной энергии гетероэпитаксиальной системы, в которой на гетерогранице эпитаксиальной пленки и подложки образуется ортогональная сетка ЧДН, расположенных в вершинах У-образных дефектов упаковки. В п. 2.2 путем минимизации этой энергии по остаточной однородной упругой деформации определяется равновесная плотность ЧДН и анализируется ее зависимость от основных параметров гетеросистемы — исходного решеточного несоответствия пленки и подложки и толщины пленки, численно определяются критические значения этих параметров, отвечающие переходу гетеросистемы от когерентного состояния к полукогерентному. В п. 2.3 эти же критические параметры рассчитываются аналитически. В пространстве исходных деформаций несоответствия и толщин пленки строится диаграмма, определяющая четыре основные состояния дефектной структуры гетерограницы: когерентное, наличие ЧДН, наличие ЧДН и полных ДН (П ДН), наличие ПДН. Делается заключение о том, в каких гетеросистемах можно ожидать появления ЧДН. В п. 2.4 приводится резюме к главе 2.

В третьей главе рассмотрены устойчивые (низкоэнергетические) дискли-национные структуры на границах зерен в полии нанокристаллах, которые могут формироваться в результате расщепления стыковых или зерногранич-ных дисклинаций на ансамбли дисклинаций меньшей мощности. В п. 3.1 приведена модель планарного расщепления зернограничной клиновой дисклина-ции, расположенной на прямом отрезке границы зерна, на прямолинейный ряд зернограничных дисклинаций меньшей мощности. Рассчитана полная энергия такой расщепленной конфигурации и выделены такие режимы расщепления (разные для случаев обычного поликристалла и нанокристалла), которые дают наибольший энергетический выигрыш. В п. 3.2 решена задача о равновесной длине микротрещины, которая зарождается на такой расщепленной дисклинационной конфигурации и раскрывается вдоль границы зерна. Показано, что планарное расщепление зернограничных дисклинаций увеличивает эту длину, снижая тем самым вероятность образования микротрещин на границах зерен. В п.п. 3.3 и 3.4 проведено аналогичное рассмотрение случая трехлучевого расщепления, когда стыковая клиновая дисклинация расщепляется на три ряда зернограничных дисклинаций меньшей мощности, распределенных вдоль границ, примыкающих к тройному стыку зерен. В п. 3.5 приводится резюме к главе 3.

Четвертая глава содержит дислокационно-структурную и дисклинационноструктурную модели квазипериодических границ зерен конечной длины, которые характеризуются иррациональными параметрами разориентировки. В п. 4.1 построена дислокационно-структурная модель квазипериодической границы наклона, а в п. 4.2 рассчитано ее поле напряжений и плотность полной энергии, которая оказалась очень близка к энергии ближайшей (по разориен-тировке) периодической границы. В п. 4.3 рассмотрено влияние структурных перестроек (перестановок структурных единиц) на энергию конечной квазипериодической границы наклона. Проведено разделение всех возможных перестановок на «сильные» и «слабые» и показано, что слабые перестановки будут происходить чаще сильных. Получен важный результат — среди исследованных слабых перестановок обнаружена такал, которая не изменила энергию конечной квазипериодической границы. В п. 4.4 предложено описание квазипериодических границ зерен с использованием дисклинационно-структурной модели, применимой к границам с произвольной разориентировкой. Здесь же сделан соответствующий расчет упругих напряжений и плотности полной энергии, снова показано, что последняя незначительно отличается от экспериментальных и теоретических значений для ближайшей периодической границы. В п. 4.5 приводится резюме к главе 4.

В заключении приведен перечень основных результатов и сформулированы основные выводы диссертации, а также указаны возможные направления и перспективы дальнейших исследований.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на Второй международной конференции по наноструктурным материалам ^А1Ч0'94, Штутгарт, ФРГ, 1994), 7 Международной конференции по межзеренным и межфазным границам в материалах (ПВ'95, Лиссабон, Португалия, 1995), XXXII Межреспубликанском семинаре «Актуальные проблемы прочности», посвященном памяти В. А. Лихачева (Санкт-Петербург, 1996), Международном совещании по новым концепциям для материалов высоких технологий — 98 «Неразрушающий контроль и компьютерное моделирование в материаловедении и машиностроении» (КБТС8−98) (Санкт-Петербург, 1998), Школе перспективных исследований НАТО «Материаловедение боридов, карбидов и нитридов» (Санкт-Петербург, 1998), а также на семинарах в Институте проблем машиноведения РАН (СПб) и Санкт-Петербургском государственном техническом университете.

Основные публикации по теме работы.

По теме работы опубликовано 6 научных статей в отечественных и зарубежных журналах и сборниках, а также тезисы 2 докладов на конференциях. Список публикаций приведен в конце диссертации (п. Л.2).

Положения, выносимые на защиту.

• Модели равновесных конфигураций частичных дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетероэпитаксиальных системах, расчет критических параметров гетеросистемы, характеризующих переход к равновесной конфигурации полных дислокаций несоответствия.

• Модели устойчивых конфигураций стыковых и зернограничных дискли-наций в полии нанокристаллических твердых телах, исследование различных вариантов расщепления таких дисклинаций на ансамбли дискли-наций меньшей мощности и анализ условий реализации этих вариантов, определение условий зарождения микротрещин вдоль границ зерен вблизи расщепленных дисклинационных конфигураций.

• Дислокационно-структурная и дисклинационно-структурная модели квазипериодических границ зерен конечной длины, анализ их упругих полей и энергий, исследование зависимости энергии квазипериодических границ зерен от элементарных перестроек их структуры (перестановок структурных единиц).

Изложенные выше основные результаты и выводы позволяют сделать заключение, что основная цель работы достигнута — построены теоретические модели, достоверно описывающие устойчивые конфигурации линейных дефектов на границах раздела в кристаллических твердых телах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Мак Лин Д. Границы зерен в металлах. М., Металлургиздат, 1960, 322 с.
  2. М.В. Структура границ зерен в металлах. М., Металлургия, 1962, 160 с.
  3. Несовершенства в кристаллах полупроводников. Под ред. Д. А. Петрова. М., Металлургия, 1964, 302 с.
  4. Прямое наблюдение несовершенств в кристаллах. Ред. Д. Ньюкирк и Д.Верник. М., Металлургия, 1964, 383 с.
  5. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. Под ред. А.М.Ели-стратова. М., Мир, 1965, 351 с.
  6. С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М., Мир, 1968, 440 с.
  7. Дефекты в кристаллах полупроводников. М., Мир, 1969, 376 с.
  8. .А. Границы кристаллов в литых металлах и сплавах. Киев, Техника, 1970, 212 с.
  9. Bollmann W. Crystal Defects and Crystalline Interfaces. Berlin, Springer Verlag, 1970.
  10. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М., Наука, 1971, 480 с.
  11. Г., Чалмерс Б. Болыпеугловые границы зерен. М., Мир, 1975, 376 с.
  12. Атомная структура межзеренных границ. Под ред. А. Н. Орлова. М., Мир, 1978, 292 с.
  13. А.Н., Перевезенцев В. Н., Рыбин В. В. Границы зерен в металлах. М., Металлургия, 1980, 156 с.
  14. В.М., Иевлев B.C., Палатник Л. С., Федоренко А. И. Структура межкристаллитных и межфазных границ. М., Металлургия, 1980, 256 с.
  15. Priester L., Revue Phys. AppL, 1980, Vol. 15, No. 4, p. 789−830.
  16. Gleiter H., Mater. Sei. Eng., 1982, Vol. 52, No. 1, p. 91−131.
  17. Ю.А., Хазан Л. С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев, Наукова думка, 1983, 304 с.
  18. Ч.В., Фионова Л. К. Границы зерен в чистых металлах с кубической решеткой // Поверхность, 1984, N 2, с. 5−31.
  19. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в эпитаксиаль-ных слоях полупроводников. М., Металлургия, 1985, 160 с.
  20. Valiev R.Z., Gertsman V.Yu., Kaibyshev O.A. Grain boundary structure and properties under external influences // Phys. Stat. Sol. (a), 1986, Vol. 97, No. 1, p. 11−56.
  21. O.A., Валиев Р. З. Границы зерен и свойства металлов. М., Металлургия, 1987, 213 с.
  22. Ч.В., Орлов А. Н., Фионова JI.K. Границы зерен в чистых материалах. М., Наука, 1987, 160 с.
  23. Структура и свойства внутренних поверхностей раздела в металлах. Под ред. Б. С. Бокштейна. М., Наука, 1988, 272 с.
  24. Р.З., Вергазов А. Н., Герцман В. Ю. Кристаллогеометрический анализ межкристаллитных границ в практике электронной микроскопии М., Металлургия, 1991, 231 с.
  25. А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М., Высшая школа, 1983, 144 с.
  26. Рид В. Дислокации в кристаллах. М., Металлургиздат, 1957, 280 с.
  27. А.Х. Дислокации и пластическое течение в кристаллах. М., Металлургиздат, 1958, 267 с.
  28. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М., ИЛ, 1962, 584 с.
  29. . Дислокации. М., Мир, 1967, 644 с.
  30. Nabarro F.R.N. Theory of Crystal Dislocations. Oxford, Clarendon Press, 1967, 821 p.
  31. Л.И. Физические основы прочности и пластичности. (Введение в теорию дислокаций). М., Изд-во Моск. ун-та, 1968, 538 с.
  32. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М., Атомиздат, 1972, 600 с.
  33. В.И. Физическая теория пластичности и прочности. Часть I. Дефекты кристаллической решетки. Л., Изд-во ЛПИ, 1973, 119 с.
  34. В.И. Физическая теория пластичности и прочности. Часть II. Точечные дефекты. Упрочнение и возврат. Л., Изд-во ЛПИ, 1975, 152 с.
  35. A.M. Дислокации в теории упругости. Киев, Наукова думка, 1978,220 с.
  36. К. Упругие модели дефектов в кристаллах. М., Мир, 1985, 352 с.
  37. A.A., Тяпунина H.A., Зиненкова Г. М., Бушуева Г. В. Физика кристаллов с дефектами. М., Изд-во МГУ, 1986, 240 с.
  38. И.И., Розин K.M. Кристаллография и дефекты кристаллической решетки. М., Металлургия, 1990, 336 с.
  39. В.А., Хайров Р. Ю. Введение в теорию дисклинаций. Л., Изд-во Ленингр. ун-та, 1975, 183 с.
  40. Дисклинации. Экспериментальное исследование и теоретическое описание. Под ред. В. И. Владимирова. Л., Изд-во ФТИ, 1982, 149 с.
  41. Экспериментальное исследование и теоретическое описание дисклинаций. Под ред. В. И. Владимирова. Л., Изд-во ФТИ, 1984, 222 с.
  42. Теоретическое и экспериментальное исследование дисклинаций. Под ред. В. И. Владимирова. Л., Изд-во ФТИ, 1986, 224 с.
  43. В.И., Романов А. Е. Дисклинации в кристаллах. Л., Наука, 1986, 224 с.
  44. В.В. Большие пластические деформации и разрушение металлов. М., Металлургия, 1986, 224 с.
  45. Дисклинации и ротационная деформация твердых тел. Под ред. В. И. Владимирова. Л., Изд-во ФТИ, 1988, 227 с.
  46. Дисклинации и ротационная деформация твердых тел. Под ред. А. Е. Романова. Л., Изд-во ФТИ, 1990, 226 с.
  47. И.А. Дефекты в конденсированных средах: стеклах, кристаллах, квазикристаллах, жидких кристаллах, магнетиках, сверхтекучих жидкостях. Л., Знание, 1991, 247 с.
  48. Romanov А.Е., Vladimirov V.l. Disclinations in Crystalline Solids // Dislocations in Solids. Ed. F.R.N.Nabarro. Amsterdam, North-Holland, 1992, Vol. 9, p. 191−402.
  49. Л.С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М., Металлургия, 1964, 408 с.
  50. Л.С., Фукс М. Я., Косевич В. М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. М., Наука, 1978, 319 с.
  51. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М., Мир, 1975, 432 с.
  52. B.C., Цыбульников М. Б. Эпитаксиальные кремниевые слои надиэлектрических подложках и приборы на их основе. М., Энергия, 1979, 88 с.
  53. .Л., Пурохит Р. К. Полупроводниковые гетеропереходы. М., Советское радио, 1979, 232 с.
  54. Birringer R., Gleiter Н. Nanocrystalline materials // Advances in Materials Science, Encyclopedia of Materials Science and Engineering. Vol. 1. Ed. R.W.Cahn. Oxford, Pergamon Press, 1988, p. 339−349.
  55. Gleiter H. Nanostrukturierte Materialien // Phys., 1991, Bl. 47, N 8, S. 753−759.
  56. Gleiter H. Materials with ultrafine microstructures: retrospective and perspective // Nanostructured Materials, 1992, Vol. 1, p. 1−19.
  57. Erb U., El-Sherik A.M., Palumbo G., Aust K.T. Synthesis, structure and properties of electroplated nanocrystalline materials // Nanostructured Materials, 1993, Vol. 2, p. 383−390.
  58. Siegel R.W. Synthesis and properties of nanophase materials // Mater. Sci. Eng., 1993, Vol. A168, p. 189−197.
  59. Gryaznov V.G., Trusov L.I. Size effect in micromechanics of nanocrystals // Progress in Material Science, 1993, Vol. 37, N 4, p. 290−400.
  60. Siegel R.W. Nanostructured materials — mind over matter // Nanostructured Materials, 1994, Vol. 4, N 1, p. 121−138.
  61. Proceedings of the Second International Conference on Nanostructured Materials (Stuttgart, Germany, October 3−7, 1994). Eds. H.-E.Schaefer, R. Wurschum, H. Gleiter, T. Tsakalakos // Nanostructured Materials, 1995, Vol. 6, Nos. 5−8, p. 533−1026.
  62. Nanostructured Materials: Science & Technology (Proc. NATO Advanced Study Institute, St. Petersburg, Russia, August 10−20,1997), Ed. G.-M.Chow, N.I.Noskova, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht/Boston/London, 1998, 457 p.
  63. Matthews J.W. Misfit dislocations // Dislocations in Solids, Ed. by F.R.N.Nabarro, Amsterdam, North-Holland Publ. Co., 1979, Vol. 2, p. 461−545.
  64. Jesser W.A., van der Merwe J.H. The prediction of critical misfit and thickness inepitaxy // Dislocations in Solids, Ed. by F.R.N. Nabarro, Amsterdam, Elsevier Science Publishers B.V., 1989, Vol. 8, p. 421−460.
  65. Nix W.D. Mechanical properties of thin films // Metall. Trans. A, 1989, Vol. 20, No. 11, p. 2217−2245.
  66. Fitzgerald E.A. Dislocations in strained layer epitaxy: theory, experiment, and applications // Mater. Sci. Rep., 1991, Vol. 7, No. 1, p. 87−142.
  67. Rajan K., Fitzgerald E., Jagannadham K., Jesser W.A. Misfit accommodation at epitaxial interfaces // J. Electron. Maters., 1991, Vol. 20, No. 10, p. 861−867.
  68. Delavignette P., Tournier J., Amelinckx S. Direct observation of dislocations due to epitaxy // Phil. Mag., 1961, Vol. 6, p. 1419−1420.
  69. Электронномикроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки, Под ред. В. М. Косевича, А. С. Палатника, М., Наука, 1976, 224 с.
  70. М.Ю. Модели дефектов и механизмы пластической деформации в неоднородных средах с мезо- и наноструктурой. Диссер. д.ф.-м.н., ИПМаш РАН, Санкт-Петербург, 1997, 364 с.
  71. Burle N., Pichaud В., Guelton N., Saint-Jacques R.G. X-ray topographic identification of dislocation nucleation mechanisms in the heteroepitaxial system GaAs/GePhys. stat. sol. (a), 1995, Vol. 149, No. 1, p. 123−129
  72. Jesser W.A., Matthews J.W. Growth of f.c.c. cobalt in nickel // Acta met all., 1968, Vol. 16, No. 11, p. 1307.
  73. De Cooman B.C., Carter C.B. The accommodation of misfit at {100} heterojunctionsin III-V compound semiconductors by gliding dissociated dislocations // Acta met all., 1989, Vol. 37, No. 10, p. 2765−2777.
  74. De Cooman B.C., Carter C.B., Kam Toi Chan, Shealy J.R. The characterization of misfit dislocations at {100} heterojunctions in III-V compound semiconductors // Acta met all., 1989, Vol. 37, No. 10, p. 2779−2793.
  75. Zou J., Cockayne D.J.H. Lomer-Cottrell misfit dislocations in 001. In0.2Ga0.sAs/GaAs single heterostructures // Appl. Phys. Lett., 1996, Vol. 69, No. 8, p. 1083−1085.
  76. Loubradou M., Bonnet R., Vila A., Ruterana P. Planar defects in epitaxial GaAs meeting in the interfacial region GaAs/(001)Si // Mater. Sci. Forum., 1996, Vols. 207−209, No. 1, p. 285−288.
  77. Tamura M. Two groups of misfit dislocations in GaAs on Si // Appl. Phys. A, 1996, Vol. 63, No. 2, p. 359−370.
  78. B.M., Огнев А. С., Кущев C.B. Дислокационная структура межфазных границ двухслойных пленок (lll)Pt-(0001)Re // ФММ, 1988, т. 65, N 5, с. 1021−1023.
  79. JI.C., Зубарев Е. Н., Стеценко А. Н., Товажнянский В. Л., Федо-ренко А.И. Эволюция упругих деформаций в эпитаксиальных пленках Ta-V // ФТТ, 1988, т. 30, вып. 9, с. 2698−2705.
  80. Dodson B.W. Nature of misfit dislocation sources in strained-layer semiconductor structures // Appl. Phys. Lett., 1988, Vol. 53, No. 5, p. 394−396.
  81. А.Э., Дружинина Л. В., Красильников B.C., Лебедев С. Н., Югова Т. Г. Особенности формирования дислокационной структуры в эпитаксиальных слоях твердых растворов Gai—^ Inj-AsySb1j/ // Кристаллография, 1989, т. 34, вып. 1, с. 176−181.
  82. Fukuda Y., Kohama Y., Seki M., Ohmachi Y. Generation of misfit dislocations inSii-^Ga^/Si heterostructures // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, Vol. 28, No. 1, p. L19-L20.
  83. Villaflor A.B., Kimata M. Controlling plastic relaxation using graded superlattice buffer layers // Jpn. J. Appl. Phys., 1989, Vol. 28, No. 3, p. L496-L499.
  84. Gibbings C.J., Tuppen C.G., Hockly M. Dislocation nucleation and propagation in Sio.gsGeo.os layer on silicon // Appl. Phys. Lett., 1989, Vol. 54, No. 2, p. 148−150.
  85. Kamat S.V., Hirth J.P. Dislocation injection in strained multilayer structures // J. Appl. Phys., 1990, Vol. 67, No. 11, p. 6844−6850.
  86. Guha S., Madhukar A., Rajkumar K.C. Onset of incoherency and defect introduction in the initial stages of molecular beam epitaxial growth of highly strained In^Gai^-As on GaAs (100) // Appl. Phys. Lett., 1990, Vol. 57, No. 20, p. 21 102 112.
  87. Sharan S., Narayan J., Fan J.C.C. Dislocation density reduction in GaAs epilayers on Si using strained layer superlattices //J. Electron. Maters., 1991, Vol. 20, No. 10, p. 779−784.
  88. Dregia S.A., Hirth J.P. A rebound mechanism for Lomer dislocation formation in strained layer structures //J. Appl. Phys., 1991, Vol. 69, No. 4, p. 2169−2175.
  89. Jagannadham K., Narayan J. Nucleation of a 60° glide dislocation in two-dimensional or three-dimensional growth of epilayers //J. Electron. Maters., 1991, Vol. 20, No. 10, p. 767−774.
  90. Hohnisch M., Herzog H.-J., Schaffler F. Relaxation of compositionally graded Sii-^Ge^ buffers: a TEM study // J. Cryst. Growth, 1995, Vol. 157, Nos. 1−4, p. 126−131.
  91. Murri R., Pinto N., Trojani L., Lucchetti L., Majni G., Mengucci P. Islands formation conditions in silicon-germanium alloys grown by MBE // J. Cryst. Growth, 1995, Vol. 157, Nos. 1−4, p. 255−259.
  92. Schwartzman A.F., Sinclair R. Metastable and equilibrium defect structure of II-VI/GaAs interfaces //J. Electron. Maters., 1991, Vol. 20, N 10, p. 805−814.
  93. Anstis G.R., Hutchison J.L. High-resolution imaging of dislocations // Dislocations in Solids, Ed. by F.R.N.Nabarro, Amsterdam, Elsevier Science Publishers B.V., 1992, Vol. 9, p. 1−56.
  94. Fletcher N.H.J. Crystal interfaces // J. Appl. Phys., 1964, Vol. 35, N 1, p. 234−240- N 7, p. 2276.
  95. Fletcher N.H., Lodge K.W. Energy of interfaces between crystals: ab initioapproach // Epitaxial Growth, New York, Academic Press, 1975, p. 529−557.
  96. Dodson B.W. Atomistic study of structural metastability in coherently strained Si-like layers // Phys. Rev. B, 1987, Vol. 35, N 11, p. 5558−5562.
  97. Frank F.C., Van der Merwe J.H. One-dimensional dislocations // Proc. Roy. Soc. Edinburgh A, 1949, Vol. 198, N 1052, p. 205−225.
  98. Van der Merwe J.H. On the stresses and energies associated with inter-crystalline boundaries // Proc. Phys. Soc. London A, 1950, Vol. 63, p. 616−637.
  99. Milchev A., Markov I. The effect of anharmonicity in epitaxial interfaces. I. Substrate-induced dissociation of finite epitaxial islands // Surf. Sci., 1984, Vol. 136, N 2/3, p. 503−518.
  100. Milchev A., Markov I. The effect of anharmonicity in epitaxial interfaces. II. Equilibrium structure of thin epitaxial films // Surf. Sci., 1984, Vol. 136, N 2/3, p. 519 531.
  101. Milchev A., Markov I. The effect of anharmonicity in epitaxial interfaces. III. Energy, mean dislocation density and mean strain // Surf. Sci., 1984, Vol. 145, N 2/3,p. 313−328.
  102. Markov I., Trayanov A. Accommodation of misfit in epitaxial interfaces: discrete Frenkel-Kontorova model with real interatomic forces //J. Phys.: Condens. Matter., 1990, Vol. 2, N 33, p. 6965−6980.
  103. Van der Merwe J.H., Jesser W.A. An exactly solvable model for calculating critical misfit and thickness in epitaxial superlattices: layers of equal elastic constants and thicknesses //J. Appl. Phys., 1988, Vol. 63, N 5, p. 1509−1517.
  104. Jesser W.A., Van der Merwe J.H. An exactly solvable model for calculating critical misfit and thickness in epitaxial superlattices. II. Layers of unequal elastic constants and thicknesses //J. Appl. Phys., 1988, Vol. 63, N 6, p. 1928−1935.
  105. Matthews J.W. Defects associated with the accomodation of misfit between crystals // J. Vac. Sci. and Technol., 1975, Vol. 12, No. 1, p. 126−133.
  106. People R., Bean J.C. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for Ge^Sii-^/Si strained layer heterostructures // Appl. Phys. Lett., 1985, Vol. 47, N 3, p. 322−324.
  107. Freund L.B. The stability of a dislocation threading a strained layer on a substrate //J. Appl. Mech., 1987, Vol. 54, N 3, p. 553−557.
  108. В.И., Гуткин М. Ю., Романов А. Е. Особенности образования дефектной структуры границ раздела в гетерогенных материалах // Физические аспекты прогнозирования разрушения и деформирования гетерогенных материалов, JL, Изд-во ФТИ, 1987, с. 76−93.
  109. В.И., Гуткин М. Ю., Романов А. Е. Влияние свободной поверхности на равновесное напряженное состояние в гетероэпитаксиаль-ных системах // Поверхность. Физика, химия, механика, 1988, N 6, с. 46−51.
  110. Gutkin M.Yu., Romanov А.Е. On behaviour of dislocations in thin films // Mater. Sci. Forum, 1990, Vols. 62−64, p. 725−726.
  111. Gutkin M.Yu., Kolesnikova A.L., Romanov A.E. Misfit dislocations and other defects in thin films // Mater. Sci. Engng. A, 1993, Vol. 164, Nos. 1−2,p. 433−437.
  112. Willis J.R., Jain S.C., Bullough R. The energy of an array of dislocations: implications for strain relaxation in semiconductor heterostructures // Phil. Mag. A, 1990, Vol. 62, No. 1, p. 115−119.
  113. Rocket A., Kiely C.J. Energetics of misfit- and threading-dislocation arrays in heteroepitaxial films // Phys. Rev. B, 1991, Vol. 44, No. 3, p. 1154−1162.
  114. Atkinson A., Jain S.C. The energy of systems of misfit dislocations in epitaxial strained layers // Thin Solid Films, 1992, Vol. 222, Nos. 1−2, p. 161−165.
  115. Atkinson A., Jain S.C. The energy of finite systems of misfit dislocations in epitaxial strained layers //J. Appl. Phys., 1992, Vol. 72, No. 6, p. 2242−2248.
  116. Gosling T.J., Jain S.C., Willis J.R., Atkinson A., Bullough R. Stable configurations in strained epitaxial layers // Phil. Mag. A, 1992, Vol. 66, No. 1, p. 119−132.
  117. Jain S.C., Gosling T.J., Willis J.R., Bullough R., Balk P. Theoretical comparison of the stability characteristics of capped and uncapped Ge^Sii-a- strained epi-layers // Solid-State Electronics, 1992, Vol. 35, No. 8, p. 1073−1079.
  118. Jain S.C., Gosling T.J., Willis J.R., Totterdell D.H.J., Bullough R. A new study of critical layer thickness, stability and strain relaxation in pseudomorphic Ge^Six^ strained epilayers // Phil. Mag. A, 1992, Vol. 65, No. 5, p. 1151−1167.
  119. Gosling T.J., Bullough R., Jain S.C., Willis J.R. Misfit dislocation distributions in capped (buried) strained semiconductor layers //J. Appl. Phys., 1993, Vol. 73, No. 12, p. 8267−8278.
  120. Gosling T.J., Willis J.R. The energy of arrays of dislocations in an anisotropic half-space // Phil. Mag. A, 1994, Vol. 69, No. 1, p. 65−90.
  121. Bailly F., Barbe M., Cohen-Solal G. Setting up of misfit dislocations in hetero-epitaxial growth and critical thicknesses //J. Cryst. Growth, 1995, Vol. 153, p. 115−122.
  122. А.К., Пчеляков О. П., Стенин С. И. О возможности управления доминирующим типом дислокаций несоответствия при гетероэпитак-сии // Кристаллография, 1980, т. 25, N 4, с. 806−814.
  123. Н.Ю., Нестерова Е. В., Рубцов А. С., Рыбин В. В. Больше-угловые границы, возникающие при фазовых превращениях // Поверхность, 1982, N 5, с. 30−35.
  124. Belluz R.V., Aust К.Т. Effect of solutes on preferred orientation in high-purity aluminum // Met. Trans. A, 1975, Vol. 6, No. 1, p. 219−220.
  125. С.С. Рекристаллизация металлов и сплавов. М., Металлургия, 1978, 568 с.
  126. JI.K. Специальные границы зерен в равновесной структуре поликристаллического алюминия // ФММ, 1979, т. 48, N 5, с. 998−1003.
  127. Fionova L.K., Andreeva A.V., Zhukova T.I. Grain boundary dissociation in aluminium of high purity // Phys. Stat. Sol. (a), 1981, Vol. 67, No. 1, p. K15-K19.
  128. Ф., Хофманн С. Миграция болынеугловых границ зерен // Рекристаллизация металлических материалов. Ред. Ф. Хесснер, М., Металлургия, 1982, с. 71−102.
  129. Р.З., Герцман В. Ю., Кайбышев О. А. Исследование изменений зернограничной структуры при рекристаллизации магниевого сплава после малых деформаций // ФММ, 1983, т. 55, N 3, с. 554−558.
  130. JI.K. Влияние температуры на морфологию границ зерна в алюминии // Поверхность, 1983, N 11, с. 109−115.
  131. В.В., Титовец Ю. Ф., Козлов A. JL Специальные границы в реальных поликристаллах // Поверхность, 1984, N 9, с. 107−111.
  132. Ч.В., Фионова JT.K. Специальные границы зерен в металлах с различным содержанием примесей // Поверхность, 1984, N 7, с. 56−63.
  133. Г. Н., Валиев Р. З., Герцман В. Ю., Кайбышев О. А. Расщепление границ зерен как механизм зародышеобразования при первичной рекристаллизации // ДАН СССР, 1986, т. 289, N 5, с. 1116−1119.
  134. В.И., Мильман Ю. В., Фирстов С. А. Физические основы прочности материалов. Киев, Наукова Думка, 1975, 316 с.
  135. M.JI. Структура деформированных металлов. М., Металлургия, 1977, 432 с.
  136. О.А., Валиев Р. З., Ценев Н. К. Влияние состояния границ зерен на сверхпластическое течение // ДАН СССР, 1984, т. 278, N 1, с. 93−97.
  137. А.Н., Рыбин В. В., Золотаревский Н. Ю., Рубцов А. С. Больше-угловые границы деформационного происхождения // Поверхность, 1985, N 1, с. 5−31.
  138. О.А., Заринов Н. Г., Салихов P.P. Влияние кристаллографической текстуры на механические свойства сверхпластичного сплава МА15 // ФММ, 1985, т. 60, вып. 1, с. 109−114.
  139. Р.З., Кайбышев О. А., Корзникова Г. Ф., Ценев Н. К. Структура границ зерен и сверхпластичность алюминиевых сплавов // ФММ, 1986, т. 62, вып. 1, с. 180−186.
  140. Kronberg M.L., Wilson F.H. Structure of high-angle grain boundaries // Trans. AIME, 1949, Vol. 185, p. 501−508.
  141. Bishop G.H., Chalmers B. Dislocation structure and contrast in high angle grain boundaries // Phil. Mag., 1971, Vol. 24, No. 189, p. 515−526.
  142. Sutton A.P., Vitek V. On the structure of tilt grain boundaries in cubic metals. I. Symmetrical tilt boundaries // Phil. Trans. Roy. Soc. London A, 1983, Vol. A309, No. 1506, p. 1−36.
  143. Hasson G., Biscondi M., Lagarde P., Levy J., Goux C. Structure of grain boundaries. Theoretical determination and experimental observations // Nature and behaviour of grain boundaries. New York, London, 1972, p. 3−40.
  144. Smith D.A., Vitek V., Pond R.C. Computer simulation of symmetrical high angle boundaries in aluminium // Acta metall., 1977, Vol. 25, p. 475−483.
  145. Vitek V., Sutton A.P., Smith D.A., Pond R.C. Atomistic studies of grain boundaries and grain boundary dislocations // Grain boundary structure and kinetics.Am. Soc. Metals, Metals Park, Ohio, 1980, p. 115−148.
  146. Sutton A.P. Grain-boundary structure // Int. Metals Rev., 1984, Vol. 29, No. 5, p. 377−402.
  147. Wang G.-J., Vitek V. Relationships between grain boundary structure and energy // Acta met all., 1986, Vol. 34, No. 5, p. 951−960.
  148. Валиев P.3., Назаров А. А., Романов A.E. Дисклинационная структура межзеренных границ //В сб. 46., с.5−43.
  149. Shockley W., Read W.T. Quantitative predictions from dislocation models of crystal grain boundaries // Phys. Rev., 1949, Vol. 75, No. 4, p. 692.
  150. Read W.T., Shockley W. Dislocation models of crystal grain boundaries // Phys. Rev., 1950, Vol. 78, No. 3, p. 275−289.
  151. Amelinckx S., Dekeyser W. The structure and properties of grain boundaries // Solid State Physics, Vol. 8, New York, 1959, p. 325−499.
  152. Brandon D.G. The structure of high angle grain boundaries // Acta metall., 1966, Vol. 14, No. 11, p. 1479−1484.
  153. Bollmann W. On the geometry of grain and phase boundaries. I. General theory // Phil. Mag., 1967, Vol. 16, p. 363−382.
  154. Balluffi R.W., Komem Y., Schober T. Electron microscope studies of grain boundary dislocation behaviour // Surface Sci., 1972, Vol. 31, No. 1, p. 68−103.
  155. Ashby M.F. Boundary defects and atomistic aspects of boundary sliding and diffusional creep // Surface Sci., 1972, Vol. 31, No. 1, p. 498−542.
  156. Hirth J.P., Balluffi R.W. On grain boundary dislocations and ledges // Acta metall., 1973, Vol. 21, p. 929−942.
  157. Li J.C.M. Disclination model of high angle grain boundaries // Surface Sci., 1972, Vol. 31, p. 12−26.
  158. Shih K.K., Li J.C.M. Energy of grain boundaries between cusp misorientations // Surface Sci., 1975, Vol. 50, p. 109−124.
  159. Kroner E. Dislocations and the Biot-Savart law // Proc. Phys. Soc. A London, 1955, Vol. 68, No. 1, p. 53−55.
  160. Eshelby J.D. The continuum theory of lattice defects // Solid State Phys., 1956, Vol. 3, p. 79−144.
  161. Gjostein N.A., Rhines F.N. Absolute interfacial energies of 001. tilt and twist grain boundaries in copper // Acta Metall., 1959, Vol. 7, No. 5, p. 319−330.
  162. Hasson G., Boos J.Y., Herbeuval I., Biscondi M., Goux C. Theoretical and experimental determination of grain boundary structures and energies: correlation with various experimental results // Surface Sci., 1972, Vol. 31, No. 1, p. 115−136.
  163. A. JI. «Спинодальный распад» границы и структура границы зерен произвольной разориентировки // Поверхность, 1982, N 10, с. 121−127.
  164. В.И., Герцман В. Ю., Назаров А. А., Романов А. Е. Энергия границ зерен в дисклинационной модели. Л., ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Препринт N 1150, 1987, 28 с.
  165. Gertsman V.Yu., Nazarov A.A., Romanov А.Е., Valiev R.Z., Vladimirov V.I. Disclination-structural unit model of grain boundaries // Phil. Mag. A, 1989, Vol. 59, No. 5, p. 1113−1118.
  166. Sutton A.P. Irrational tilt grain boundaries as one-dimensional quasicrystals // Acta Met all., 1988, Vol. 36, No. 5, p. 1291−1299.
  167. Hasson G.C., Goux C. Interfacial energies of tilt boundaries in aluminium. Experimental and theoretical determination // Scripta Metall., 1971, Vol. 5, No. 10, p. 889−894.
  168. В.И., Герцман В. Ю., Назаров А. А., Романов А. Е. Поля напряжений равновесных и неравновесных границ зерен. Л., ФТИ им. А. Ф. Иоффе, Препринт N 1327, 1989, 22 с.
  169. Rivier N., Lawrence A.J. Quasicrystals at grain boundaries // Physica B, 1988, Vol. 150, No. 2, p. 190−202.
  170. Gratias D., Thalal A. Hidden symmetries in general grain boundaries // Phil. Mag. Lett., 1988, Vol. 57, No. 2, p. 63−68.
  171. Rivier N., In: Number theory and physics, Ed. J.M.Luck, P. Moussa, M. Waldschmidt, Springer, Berlin, 1989, p. 63.
  172. Cassada W.A., Shiflet G.J., Poon S.J. Formation of an icosahedral phase by solidstate reaction // Phys. Rev. Lett., 1986, Vol. 56, No. 21, p. 2276−2279.
  173. Ovid’ko I.A. New micromechanism for strengthening in polycrystalline solids // Mater. Sci. Eng. A, 1994, Vol. 188, No. ½, p. 37−41.
  174. Ovid’ko I.A. Dislocations and quasiperiodic structures // Phys. stat. sol. (a), 1995, Vol. 149, No. 1, p. 389−394.
  175. Ovid’ko I.A. Quasiperiodic boundaries and special strengthening effect in nanocrys-tals // NanoStruct. Maters., 1995, Vol. 6, Nos. 5−8, p. 743−746.
  176. И. А. Квазипериодические границы зерен и межзеренное скольжение в кристаллических и квазинанокристаллических твердых телах // ФТТ, 1997, т. 39, N 2, с. 114−120.
  177. Gutkin M.Yu., Ovid’ko I.A. Special interaction between quasiperiodic grain boundaries and lattice dislocations in crystalline solids // Europ. Phys. J. B, 1998, Vol. 1, No. 2, p. 429−437.
  178. B.H., Щербань Н. Ю. Геометрическая теория тройных стыков зерен в кубических кристаллах // Поверхность, 1982, N 5, с. 36−42.
  179. Ч.В., Фионова JI.K. Тройные стыки и взаимодействие границ зерен // Поверхность, 1982, N 12, с. 111−120.
  180. Bollmann W.A. A branching condition for intercrystalline boundaries // Phil. Mag. A, 1981, Vol. 44, N 5, p. 991−1003.
  181. Harring C. Physics of Powder Metallurgy, McGraw-Hill, N.Y., 1951.
  182. В.И., Жуковский И. М. Тройные стыки и линейные дефекты дислокационных границ // ФТТ, 1974, т. 16, N 2, с. 346−350.
  183. В.А., Рыбин В. В. Дисклинации в идеально фрагментированном кристалле // ФТТ, 1976, т. 18, N 1, с. 163−165.
  184. Bollmann W. Triple-line disclinations in polycrystalline material // Mater. Sci. Eng. A, 1989, Vol. 113, No. 1, p. 129−138.
  185. Zaichenko S.G., Shalimova A.V., Titov A.O. Investigation of triple junction defect structure // Mater. Sci. Forum, 1996, Vols. 207−209, Part 1, p. 373−376.
  186. Palumbo G., Erb U., Aust K.T. Triple line disclination effects on the mechanical behaviour of materials // Scripta Metall. Mater., 1990, Vol. 24, N 12, p. 2347−2350.
  187. В.И. Физическая природа разрушения металлов. М., Металлургия, 1984, 280 с.
  188. В.В., Жуковский И. М. Дисклинационный механизм образования микротрещин // ФТТ, 1978, т. 20, N 6, с. 1829−1835.
  189. Gutkin M.Yu., Ovid’ko I.A. Disclinations, amorphization and microcrack generation at grain boundary junctions in polycrystalline solids // Phil. Mag. A, 1994, Vol. A70, N 4, p. 561−575.
  190. Gryaznov V.G., Kaprelov A.M., Romanov A.E., Polonskii I.A. Channels of relaxation of elastic stresses in pentagonal nanoparticles // Phys. stat. sol. (b), 1991, Vol. 167, N 2, p. 441−450.
  191. И.А., Осипов А. В. Расщепление дисклинаций и трансформация «кристалл-стекло» при механическом сплавлении // ФТТ, 1992, т. 34, N 1, с. 288−292.
  192. Osipov А.V., Ovid’ko I.A. Diffusion-induced decay of disclinations and solid state amorphization in mechanically alloyed materials // Appl. Phys. A, 1992, Vol. A54, N 3, p. 517−519.
  193. В. JI. О критериях разрушения в дислокационных теориях прочности // ФТТ, 1961, т. 3, вып. 7, с. 2071−2079.
  194. В.В., Вергазов А. Н., Лихачев В. А. Вязкое разрушение молибдена как следствие фрагментации структуры // ФММ, 1974, т. 37, N 3, с. 620−624.
  195. Regel V.R., Leksovskii A.M., Sakiev S.N. The kinetics of the thermofiuctuation-induced micro- and macrocrack growth in plastic metals // Int. J. Fracture, 1975, Vol. 11, N 5, p. 841−850.
  196. Lyles R.I., Wilsdorf H.G.F. Microcrack nucleation and fracture in silver crystals // Acta metall., 1975, Vol. 23, N 2, p. 269−277.
  197. Pippel E., Woltersdorf J. High-voltage and high-resolution electron microscopy studies of interfaces in zirconia-toughened alumina // Phil. Mag. A, 1987, Vol. A56, N 5, p. 595−613.
  198. Zou J., Usher B.F., Cockayne D.J.H., Glaisher R. Critical thickness determination of In^Gai-^As/GaAs strained-layer system by transmission electron microscopy // J. Electron. Maters., 1991, Vol. 20, No. 10, p. 855−859.
  199. Cherns D., Stowell M.J. Misfit dislocations in epitaxial films // Thin Solid Films, 1975, Vol. 29, No. 1, p. 107−143.
  200. Cherns D., Stowell M.J. Misfit dislocations in epitaxial films // Thin Solid Films, 1976, Vol. 37, No. 2, p. 249−260.
  201. A.E. Граничные задачи теории упругости для дисклинаций // Экспериментальные исследования и теоретическое описание дисклинаций, под. ред. Владимирова В. И., изд. ФТИ, Ленинград, 1984, с. 110−135.
  202. Де Вит Р. Континуальная теория дисклинаций. М., Мир, 1977, 208 с.
  203. М.Ю., Микаелян К. Н., Овидько И. А. Линейное расщепление дис-клинаций в поликристаллах и нанокристаллах // ФТТ, 1995, т. 37, N 2, с. 552−554.
  204. Gutkin M.Yu., Ovid’ko I.A., Mikaelyan K.N. On the role of disclinations in relaxation and deformation processes in nanostructured materials // Nanostructured Materials, 1995, Vol. 6, Nos. 5−8, p. 779−782.
  205. Gutkin M.Yu., Mikaelyan K.N., Ovid’ko I.A. Low-energy disclination structures at grain boundaries in polycrystalline and nanocrystalline solids // Phys. stat. sol. (a), 1996, Vol. 153, N 2, p. 337−346.
  206. Mikaelyan K.N., Ovid’ko I.A., Romanov А.Е. Quasiperiodic tilt boundaries in polycrystalline and nanocrystalline materials: energy and stress fields // Mater. Sci. Engng. A, 1998.
  207. М.Ю., Микаелян K.H., Овидько И. А. Равновесные конфигурации частичных дислокаций несоответствия в тонкопленочных гетеросистемах // ФТТ, 1998, т. 40, N 11, с. 2059−2064.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!