Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника

Диссертация: Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Построена математическая модель радиационно-стойкой гетерофазной полупроводниковой структуры с различающимися коэффициентами диффузии радиационных дефектов в ее фазах. Модель представляет собой систему дифференциальных уравнений (по числу типов дефектов) в частных производных для концентраций дефектов типа уравнений переноса и систему граничных и начальных условий. Данная модель рассмотрена для… Читать ещё >

Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • 1. ПРОБЛЕМА ДЕГРАДАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ПОДХОДЫ К ЕЕ РЕШЕНИЮ. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Классификация радиационно-стимулированных процессов в твердых телах
    • 1. 2. Взаимодействие излучения с твердым телом (на примере электронного пучка допороговых энергий)
    • 1. 3. Неравновесная проводимость в широкозонных полупроводниках
    • 1. 4. Дефекты, их образование и аннигиляция в ходе облучения
      • 1. 4. 1. Дефекты в полупроводниках
      • 1. 4. 2. Основные концепции радиационного дефектообразования
      • 1. 4. 3. Упругие механизмы радиационного дефектообразования
      • 1. 4. 4. Неупругие механизмы дефектообразования
      • 1. 4. 5. Скорость генерации и аннигиляции (рекомбинации) дефектов в широкозонных кристаллах под действием свободных носителей заряда
    • 1. 5. Фотохимические реакции
    • 1. 6. Радиационно-стимулированная диффузия
    • 1. 7. Стимулированная аннигиляция (радиационный отжиг) дефектов
    • 1. 8. Экспериментально наблюдаемая деградации соединений А2 В6 под действием облучения. Эффект малых доз
    • 1. 9. Методы увеличения радиационной стойкости полупроводников. Гетеро-фазный фотопроводник CdS-PbS
      • 1. 9. 1. Методы увеличения радиационной стойкости полупроводников
      • 1. 9. 2. Гетерофазная фотопроводящая система типа CdS-PbS
    • 1. 10. Выводы к главе
  • 2. ДВИЖЕНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В ГЕТЕРОФАЗНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ В УСЛОВИЯХ ОБЛУЧЕНИЯ
    • 2. 1. Радиационно-стимулированная диффузия в широкозонной и узкозонной фазах системы А2В6-А4В6 (на примере системы CdS-PbS)
    • 2. 2. Постановка задачи о движении точечных дефектов в гетерофазном материале
      • 2. 2. 1. Уравнение движения дефектов
      • 2. 2. 2. Начальные условия
      • 2. 2. 3. Поток дефектов на границе областей с различными коэффициентами диффузии. Условия «сшивания». Геттерирование дефектов узкозонными включениями
      • 2. 2. 4. Граничные условия
      • 2. 2. 5. Формулировка краевой задачи
    • 2. 3. Основные приближения и упрощающие модели
      • 2. 3. 1. Стационарное состояние. Отсутствие аннигиляции дефектов. Отсутствие дрейфа
      • 2. 3. 2. Кусочно-постоянный коэффициент диффузии
      • 2. 3. 3. Одномерная слоистая гетерофазная система
      • 2. 3. 4. Сферически симметричный случай
      • 2. 3. 5. Приближение малой концентрации на границе
      • 2. 3. 6. Дрейф под действием электрического поля гетероперехода
    • 2. 4. Модель деградации фотопроводника в результате образования точечных дефектов
    • 2. 5. Возможность сведения системы уравнений для дефектов двух типов к одному уравнению
    • 2. 6. Средние концентрация и скорость генерации дефектов в гетерофазной среде
    • 2. 7. Выводы к главе
  • 3. МОДЕЛЬ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ГЕТЕРОФАЗНОЙ ФОТО-ПРОВОДЯЩЕЙ СИСТЕМЫ. СЛУЧАЙ НЕЙТРАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ
    • 3. 1. Стационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения
      • 3. 1. 1. Отсутствие аннигиляции дефектов
      • 3. 1. 2. Прямая аннигиляция дефектов
    • 3. 2. Нестационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения
      • 3. 2. 1. Отсутствие аннигиляции дефектов: слоистая гетерофазная система
      • 3. 2. 2. Прямая аннигиляция дефектов. Численное решение
    • 3. 3. Выводы к главе
  • 4. МОДЕЛЬ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ГЕТЕРОФАЗНОЙ ФОТО-ПРОВОДЯЩЕЙ СИСТЕМЫ. СЛУЧАЙ ЗАРЯЖЕННЫХ ДЕФЕКТОВ
    • 4. 1. Стационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения
      • 4. 1. 1. Отсутствие аннигиляции дефектов
      • 4. 1. 2. Прямая аннигиляция дефектов
    • 4. 2. Нестационарные состояния гетерофазной системы в условиях облучения. Численное решение
    • 4. 3. Выводы к главе

Актуальность работы. Широкое развитие и проникновение полупроводниковых приборов во все сферы науки и техники часто обуславливают их использование в условиях ионизирующего излучения, как внешнего, так и внутреннего. Прежде всего это относится к полупроводниковым лазерам [1], солнечным батареям [2], катодолюминес-центным приборам [3] и детекторам радиации [4, 5].

Радиационное воздействие, как правило, вызывает быструю деградацию основных современных полупроводниковых материалов — кремния [6, 7], германия [6, 8], соединений А3В5 [9, 10], А2В6 [1, 5], что проявляется в постепенном изменении (обычно ухудшении) характеристик приборов на их основе.

В этой связи остро встает проблема создания радиационно-стойких полупроводниковых материалов, сохраняющих функциональность традиционных. Экспериментально обнаружено увеличение радиационной стойкости традиционных полупроводниковых материалов при внесении в них некоторых добавок, например, при создании в кремнии областей внедрения кислорода [11]. В то же время количественных теорий, объясняющих такое увеличение радиационной стойкости, до сих пор не существует. Создание же количественной модели радиационной стойкости полупроводниковых структур, охватывающей хотя бы некоторые частные способы, представляется чрезвычайно актуальным, поскольку позволит, во-первых, проводить оптимизацию радиационной стойкости, и во-вторых, применять общие принципы ее увеличения для различных материалов.

Цель работы состоит в теоретическом исследовании влияния миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника. Для достижения поставленной цели:

• проанализированы процессы радиационного стимулирования диффузии дефектов в различных фазах радиационно-стойкого гетерофазного материала CdS-PbS;

• сформулирована краевая задача о генерации, аннигиляции, диффузии и дрейфе дефектов в гетерофазной полупроводниковой структуре в общем виде и проанализированы основные ее приближения;

• аналитически рассмотрена краевая задача о движении нейтральных и заряженных дефектов в рабочей области гетерофазной структуры в отсутствие аннигиляции в стационарном состоянии для слоистой и сферически симметричной систем и в нестационарном состоянии для слоистой системы, а также обусловленные этим процессом изменения статических фотоэлектрических параметров гетерофазного фоторезистора в сравнении с соответствующими величинами фоторезистора из однородного материала;

• численно решена краевая задача о движении нейтральных и заряженных дефектов в гетерофазной структуре с учетом их аннигиляции в стационарном состоянии для слоистой и сферически симметричной систем и в нестационарном состоянии для слоистой системы, а также обусловленные этим процессом изменения статических фотоэлектрических параметров гетерофазного фоторезистора в сравнении с соответствующими величинами фоторезистора из однородного материала.

Научная новизна работы состоит в том, что.

• предложен механизм геттерирования точечных дефектов, реализующийся в ради-ационно-стойких твердотельных структурах, состоящих из широкозонной рабочей матрицы и узкозонных неактивных включений, заключающийся в уходе точечных дефектов в узкозонную фазу из-за различия в коэффициентах их диффузии, обусловленного радиацией;

• построена математическая модель радиационной стойкости гетерофазного полупроводника.

Достоверность полученных результатов обеспечивается применением общепризнанных методик численных расчетов и аналитических преобразований, совпадением в областях применимости аналитических решений результатов численных и аналитических расчетов, переходом получаемых результатов в известные в предельных случаях, а также соответствием результатов расчета имеющимся экспериментальным данным.

Практическая значимость работы состоит в том, что разработанная модель ра-диационно-стойкой гетерофазной твердотельной структуры может быть использована при создании полупроводниковых приборов, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излучения.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. В гетерофазном полупроводнике, состоящем из активной широкозонной области и узкозонных включений, под действием радиации реализуется особый механизм геттерирования точечных дефектов, заключающийся в их уходе в узкозонную фазу вследствие увеличения коэффициента диффузии дефектов в широкозонной фазе по сравнению с узкозонной. Это приводит к повышению (на несколько порядков) радиационной стойкости статических фотоэлектрических параметров по сравнению со структурами, рабочая область которых состоит из однородного материала.

2. Дрейф заряженных точечных дефектов в электрическом поле гетероперехода, возникающего на границе раздела фаз, может существенно (более чем на порядок) увеличивать радиационную стойкость статических фотоэлектрических параметров гетерофазных полупроводниковых структур по сравнению с диффузией.

3. Улучшение фотоэлектрических характеристик гетерофазного полупроводника на начальной стадии облучения (эффект малых доз) может быть объяснено пространственным перераспределением имеющихся в структуре дефектов благодаря генерированию точечных дефектов узкозонными включениями.

Апробация результатов. Основные результаты диссертационной работы докладывались на Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1997 г.), Региональной научно-практической конференции «Состояние и проблемы развития эколого-экономической системы Саратовской области» (Саратов, 1997 г.), Всероссийской научно-практической конференции «Возрождение Волги — проблемы и пути решения» (Саратов, 1998 г.), Международной научной конференции «Проблемы оптической физики» (Саратов, 1999 г.), Международной научной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1999 г.), научной конференции «Физика диэлектриков» (Санкт-Петербург, 2000 г.), а также на научных семинарах кафедры физики полупроводников и кафедры физики твердого тела СГУ.

Личный вклад автора состоит в построении математических моделей и выполнении численных и аналитических решений, а также в анализе полученных результатов. При использовании результатов других авторов или результатов, полученных в соавторстве, даются соответствующие ссылки.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 15 научных работах [12−26].

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Общий объем диссертации составляет 117 страниц, включая 18 рисунков. В списке использованных источников содержится 116 наименований.

4.3. Выводы к главе 4.

В данной главе получены следующие основные результаты.

1. Получены аналитические соотношения для концентрации заряженных дефектов в пренебрежении их аннигиляцией в слоистой гетерофазной системе и в сферически симметричной системе для стационарного случая. Также получен критерий применимости этих соотношений.

2. Численными методами получены стационарные профили концентрации заряженных дефектов с учетом их аннигиляции для слоистой и сферически симметричной гетерофазных систем, а также изменение их профиля со временем для слоистой гетерофазной системы.

3. Получены временные зависимости деградации фотопроводимости, темновой проводимости и кратности фоторезистора из слоистого гетерофазного материала для гетерофазных слоев, расположенных перпендикулярно и параллельно линиям тока, с использованием модели деградации фотопроводника в результате образования вакансий и междоузельных атомов с учетом влияния поля гетероперехода. Проведено сравнение деградации фоторезистора из слоистого гетерофазного материала с учетом и без учета влияния заряда дефектов, а также аналогичного фоторезистора из однородного широкозонного материала. Показано, что наличие электрического поля гетероперехода может существенно влиять на деградационную стойкость электронных приборов на основе гетерофазных материалов. При этом стойкость может как увеличиваться (если вызывающие деградацию дефекты удаляются из рабочей области в результате их дрейфа в поле гетероперехода), так и уменьшаться (при обратном направлении дрейфа дефектов, вызывающих деградацию).

4. Получен критерий экстракции дефектов под действием поля гетероперехода в виде Q< 0, где Q — заряд дефекта, a ipk — контактная разность потенциалов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе выполнено теоретическое исследование метода повышения радиационной стойкости полупроводниковых структур, основанного на внедрении в рабочую область структуры неактивных включений, обладающих пониженным по сравнению с рабочей областью коэффициентом диффузии дефектов, вызывающих деградацию. Основные результаты, полученные в ходе выполнения работы, состоят в следующем.

1. Индуцируемая излучением неоднородность гетерофазного полупроводника по коэффициенту диффузии точечных дефектов приводит к их геттерированию узкозонными включениями, в результате чего концентрация дефектов в его широкозонной (рабочей) области уменьшается по сравнению с аналогичным однородным широкозонным полупроводником.

2. Построена математическая модель радиационно-стойкой гетерофазной полупроводниковой структуры с различающимися коэффициентами диффузии радиационных дефектов в ее фазах. Модель представляет собой систему дифференциальных уравнений (по числу типов дефектов) в частных производных для концентраций дефектов типа уравнений переноса и систему граничных и начальных условий. Данная модель рассмотрена для случая дефектов двух типов — вакансий и ме-ждоузельных атомов одной подрешетки. Модель рассмотрена в нескольких приближениях аналитическими и численными методами.

3. Средняя концентрация радиационных дефектов в рабочей области меньше, а в геттерирующих — больше, чем соответствующие величины для однородного материала.

4. В стационарном случае для незаряженных дефектов выведены аналитически (в пренебрежении аннигиляцией дефектов) и численно (с учетом их аннигиляции) профили концентрации радиационных дефектов в слоистой и сферической конфигурациях. Получены критерии применимости аналитического приближения, выполняющие также роль критериев эффективности геттерирования дефектов узкозонными включениями.

5. Для тех же систем рассчитаны стационарные профили концентрации заряженных дефектов. Показано, что электрическое поле гетероперехода, возникающего на границе раздела фаз гетерофазной полупроводниковой системы, может существенно влиять на радиационную стойкость статических фотоэлектрических характеристик полупроводниковых структур.

6. Аналитически (для нейтральных дефектов в отсутствие их аннигиляции) и численно (при учете аннигиляции и для заряженных дефектов) получены временные зависимости профиля их концентрации для слоистой гетерофазной системы и на основе этой зависимости рассчитано изменение во времени статических фотоэлектрических параметров.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.А., Мащенко В. Е., Ниязова О. Р. О радиационных изменениях кристаллов CdS в процессе возбуждения в них когерентного излучения. // ФТП. — 1969. — Т. 3, вып. 5. — С. 760−764.
  2. А., Бьюб Р. Солнечные элементы: теория и эксперимент. / Пер. с англ. под ред. М. М. Колтуна. — М.: Энергоатомиздат, 1987. — 280 с.
  3. Л.Н., Золотков В. Д., Мордюк B.C. Ростовые и радиационные дефекты кристаллов люминофоров для источников света. — Новосибирск: Наука, 1986. — 183 с.
  4. Характеристики датчика рентгеновского излучения ДРМ-2 на основе монокристаллов сульфида кадмия. / Фурсенко В. Д., Карпман Н. М., Мазин М. А. и др. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — Киев: изд-во Киев, ун-та, 1979. — N 29. — С. 80−84.
  5. А.Г., Новикова Е. А., Зорина Л. Д. Детектирование слабых потоков электронов с помощью п±п перехода. // Письма в ЖТФ. — 1979. — Т. 5, вып 24. — С. 14 821 483.
  6. Loferski J.J., Rappoport P. Radiation damage in Ge and Si defected by carrier lifetime changes. // Phys. Rev. — 1985. — V. Ill, N. 2. — P. 432−441.
  7. Э.Н., Жукова Г. А., Мордкович B.H. Радиационные повреждения в приповерхностных слоях кремния. // ФТП. — 1973. — Т. 7, вып. 4. — С. 835−836.
  8. Chen V., Mackay J.V. Subthreshold electron damage in п-type germanium. // Phys. Rev.1968. — V. 167, N 3. — P. 745−753.
  9. Eisen F.H. Orientation dependence of electron radiation damage in InSb. // Phys. Rev, 1964. — V. 135, N. 5. — P. 1394−1399.
  10. Debney B.T. A theoretical evaluation and optimization of the radiation resistance of gallium arsenide solar cell structures. // Appl. Phys. — 1979. — V. 50, N. 11. — P. 72 107 219.
  11. Э.Ф., Ковальчук M.B., Петлицкий A.H. Кислородное геттерирование в тонких эпитаксиальных пленках Si. // Микроэлектроника. — 1989. —- Т. 18, N 3. — С. 252−256.
  12. В.Э., Роках А. Г., Стецюра С. В. Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прилипание в пленочных фотопроводниках на основе А2В6-А4В6. // Письма в ЖТФ. — 1999. — Т. 25, вып. 3. — С. 66−72.
  13. В.Э., Роках А. Г. Влияние диффузии дефектов на радиационную стойкость гетерогенного фотопроводника CdS-PbS. // Письма в ЖТФ. — 1999. — Т. 25, вып. 24. — С. 55−60.
  14. В.Э., Роках А. Г., Стецюра С. В. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы. // ЖТФ. — 2003. — Т. 73, вып. 2. — С. 93−98.
  15. А.Г., Бухаров В. Э., Стецюра С. В. Влияние потенциальных барьеров на движение радиационных дефектов в полупроводниках. // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. — Саратов, изд-во Сарат. ун-та, 2002. — Вып. 8. — С. 36−38.
  16. В.Э., Роках А. Г. Возможный механизм радиационной стойкости системы CdSa-Se12--PbS. // Труды международной конф. «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах». — Ульяновск, 1997. — С. 34.
  17. В.Э., Роках А. Г., Стецюра С. В. Кинетика наведенного тока датчиков радиации на основе на основе CdSxSeix-PbS. // Всероссийская научно-практическая конференция «Возрождение Волги — проблемы и пути решения». — Саратов, 1998.1. С. 7.
  18. В.Э., Роках А. Г., Стецюра С. В. Характеристики датчиков радиации с учетом их неоднородности. // Всероссийская научно-практическая конференция «Возрождение Волги — проблемы и пути решения». — Саратов, 1998. — С. 8.
  19. В.Э., Роках А. Г., Ульянин Д. С. Механизм высокой долговечности оптоэлек-тронных приборов на основе CdS-PbS. // Проблемы оптической физики. — Саратов: изд-во Саратовского ун-та, 2000. — С. 157−159.
  20. Bukharov V.E., Rokakh A.G., Ulyanin D.S. Principle of high longevity of optoelectronic devices on basis of CdS-PbS. // Proc. SPIE. — 2000. — V. 4002. — P. 184−188.
  21. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. — М.: Наука, 1981. — 351 с.
  22. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках. / Юнусов М. С., Абду-рахманова С. Н., Зайцовская М. А. и др. — Ташкент: Фан, 1989. — 222 с.
  23. Радиационные методы в твердотельной электронике. / Вавилов B.C., Горин Б. М., Данилин Н. С. и др. — М.: Радио и связь, 1990. — 184 с.
  24. И.А., Андронов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии: Учеб. пособие для спец. электронной техники вузов. — М.: Высш. шк., 1984. — 320 с.
  25. Фотопроводящие пленки (типа CdS) / Под ред. А. Г. Рокаха, З. И. Кирьяшкиной — Саратов: Изд-во СГУ, 1979. — 193 с.
  26. Spencer L. V. Theory of electron penetration. // Phys. Rev. — 1955 — V. 98. — P. 15 971 615.
  27. Kanaya K., Okayama S. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1972ю — V. 5, N. 1. — P. 43 — 58.
  28. А.Г., Смоляр В. А. Пространственное распределение потерь энергии киловоль-товых электронов в сернистом кадмии. // Известия АН СССР. — 1964. — Т. 34, N 3. — С. 473.
  29. В.А., Козловский В. В. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и а-частицами. Обзор. // ФТП. — 2001. — Т. 35, вып. 7. — С. 769−795.
  30. Wilson D.J., Curzon А.Е. Film thickness and composition determination for binary alloys using backscattered electrons. // Thin Solid Films. — 1988. — V. 165. — P. 217−225.
  31. Ю.Д. Распределение по глубине вакансий, возникающих при облучении твердого тела потоком ускоренных ионов. // ЖТФ. — 1998. — Т. 64, N 4. — С. 60−65.
  32. А.Г. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. — Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1984. — 159 с.
  33. W., Read W.T. // Phys. Rev. — 1952. — V. 87. — P. 835.
  34. C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. — М: Физматгиз, 1963. — 496 с.
  35. Р.Х. Фотопроводимость. // Физика и химия соединений AnBVI. / Под ред. С. А. Медведева. — М: Мир, 1970. — С. 499−536.
  36. А. Основы теории фотопроводимости. — М.: Мир, 1966. — 192 с.
  37. В. Физическая химия дефектов. // Физика и химия соединений AnBVI. / Под ред. С. А. Медведева. — М: Мир, 1970. — С. 135−177.
  38. Точечные дефекты в твердом теле. / Сб. стат. под ред. Болтакса Б. И., Машовец Т. В., Орлова А. Н. — М.: Мир, 1979. — 379 с.
  39. Kashirina N.I., Kislyuk V.V., Sheinkman М.К. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit. // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. — 1998. — V. 1, N. 1. — P. 41−44.
  40. Дж. // Точечные дефекты в твердых телах. — М.: Мир, 1979. — С. 221.
  41. В.A. // Phys. Rev. — 1965. — V. 125. — P. 1865.
  42. P.E. Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения. // Физика и химия соединений AnBVI. / Под ред. С. А. Медведева. — М: Мир, 1970. — С. 296−333.
  43. Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS: Си. / Давидюк РЕ., Богда-нюк Н.С., Шаварова А. П. и др. // ФТП. — 1997. — Т. 31, N 8. — С. 1013−1016.
  44. Э.Н., Джафаров М. А. Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS : Си. // ФТП. — 1995. — Т. 29, Вып. 8. — С. 1411−1415.
  45. Н.С., Давидюк Г. Е., Шаварова А. П. Центры красной люминесценции в монокристаллах CdS и CdS : Си и их преобразование при электронном облучении. // ФТП. — 1995. — Т. 29, N 2. — С. 357−361.
  46. И.Б., Матвиевская Г. С., Пекарь Г. С., Шейнкман М. К. // Укр. физ. журн. — 1973. — Т. 18. — С. 733.
  47. J. Е. // Phys. St. Sol. (a) — 1979. — V. 53. — P. 611.
  48. Роль протяженных дефектов в формировании спектра электронных состояний высокочистых поликристаллов p-CdTe стехиометрического состава. / Багаев B.C., Зайцев В. В., Клевков Ю. В. и др. // ФТТ. — 2001. — Т. 43, вып. 10. — С. 1779−1784.
  49. Shockley W. Some predicted effects of temperature gradient on diffusion in crystals. // Phys. Rev. — 1953. — V. 91. — P. 228.
  50. .P. Роль макродефектов в электронных и ионных процессах, протекающих в полупроводниках AnBVI. // ФТП. — 1998. — Т. 32, N 6. — С. 641−645.
  51. В.В. Коллективное взаимодействие точечных дефектов с движущейся винтовой дислокацией. // ФТТ. — 1997. — Т. 39, N 3. — С. 493−494.
  52. И.А., Рейзис А. Б. Переползание зернограничных дислокаций и диффузия в нанокристаллических твердых телах. // ФТТ. — 2001. — Т. 43, вып. 1. — С. 35−38.
  53. Whitworth R.W. Atomic mechanisms for the transport of charge by dislocations in NaCl type crystals. // Phil. Mag. — 1995. — V. 11, N. 109. — P. 83−90.
  54. Huddart A., Whitworth R.W. Measurements of the charge acquired by dislocation in NaCl, crystals of known purity. // Phil. Mag. — 1973. — V. 27. — P. 107−119.
  55. JI.И. О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кристаллизации точечных дефектов в Si. // ФТП. — 2001. — Т. 35, вып. 9. — С.1120−1127.
  56. Е.М., Мазилова Т. П. Радиационно-индуцированные изменения атомной структуры границ зерен в вольфраме. // ФТТ. — 1999. — Т. 41, вып. 5. — С. 383−385.
  57. B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. — М.: Атомиздат, 1969. — 312 с.
  58. Мак В. Т. Зависимость темновой проводимости монокристаллов CdS от энергии облучающих электронов. // ФТП. — 1996. — Т. 30, N 2. — С. 292−295.
  59. В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. — Киев: Наукова думка, 1979. — 333 с.
  60. Х.Х., Ниязов Х. Р., Ниязова О. Р. Радиолиз кристаллов CdS. // Радиационно-стимулированные процессы в твердых телах. — Ташкент: ФАН, 1969.
  61. В.Л., Холодарь Г. А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. — Киев: Наукова думка, 1969 — 188 с.
  62. Механизм фотоутомляемости фоторезисторов на основе спеченных слоев CdS: Си: С1. / Корсунская Н. Е., Маркевич И. В., Павелец A.M. и др. // УФЖ. — 1981. — Т. 26, N 8. — С. 1335−1340.
  63. Н.Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В., Шейнкман М. К. Роль мелких доноров в процессе деградации фотопроводимости в кристаллах CdS : Си. // Письма в ЖТФ. — 1980. — Т. 6, N 2. — С. 120−124.
  64. П.А., Зотов В. В., Сердюк В. В. Механизмы деградации фоточувствительности монокристаллов сульфида кадмия при длительном пропускании фототока. // ФТП. — 1979. — Т. 13, N 5. — С. 897−902.
  65. В.В., Корсунская Н. Е., Маркевич И. В. Эффекты перестройки локальных центров в монокристаллах CdS, вызванные ионизирующим действием 7-лучей. // ФТП. — 1974. — Т. 8, N 2. — С. 433−434.
  66. Н.Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В., Шейнкман М. К. Исследование дрейфа дефектов в электрическом поле в кристаллах CdS : Li. // ФТП. — 1979. — Т. 13, N 3. — С. 435−440.
  67. В.В., Корсунская Н. Е., Маркевич И. В. Исследование дрейфа дефектов под действием 7-облучения. // ФТП. — 1977. — Т. 11, N 2. — С. 243−246.
  68. Н.Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В. Исследование природы центра рекомбинации, ответственного за полосу люминесценции в области 0,95 мкм в кристаллах CdS : Li. // ФТП. — 1977. — Т. И, N 1. — С. 128−131.
  69. Н.Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В., Шейнкман М. К. Взаимодействие доноров и акцепторов и фотохимические реакции различных типов в монокристаллах CdS : Li. // УФЖ. — 1977. — Т. 22, N 3. — С. 363−369.
  70. Н.Е., Маркевич И. В., Шейнкман М. К. // УФЖ. — 1973. — Т. 18, N 10.1. С. 1678−1683.
  71. М.К., Корсунская Н. Е. Фотохимические реакции в полупроводниках типа А2 В6 // Физика и химия соединений А2В6 / под ред. Георгобиани А. Н и Шей-нкмана М.К.— М.: Наука, 1986 — 203 с.
  72. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. — JL: Наука, Ленингр. отд., 1972. — 384 с.
  73. В.Л., Чайка Г. Е. Диффузия атомов в неметаллических кристаллах, стимулированная рекомбинацией носителей тока. // ФТТ. — 1982. — Т. 24, N 7. — С. 2170−2176.
  74. Мак В. Т. Исследование радиационно-стимулированной диффузии фосфора в кремнии. // ЖТФ. — 1993. — Т. 63, N 3. — С. 173−176.
  75. В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах. // ЖТФ. — 1998. — Т. 68, N 8. — С. 67−72.
  76. М.А. Элементарные неупругие радиационные процессы. — М.: Наука, 1988.
  77. Schulze R.G., Kulp В.A. On the conductivity of cadmium sulfide following electron bombardment. //J. Appl. Phys. — 1962. — V. 33, N 7. — P. 2173−2175.
  78. В.Д., Камуз A.M., Орешко Е. В. и др. // УФЖ. — 1987. — Т. 32. — С. 9597.
  79. Д.И., Шкумбатюк П. С. // Письма в ЖТФ. — 1994. — Вып. 20. — С. 86−88.
  80. Koparanova N.S., Drangazhnova P.V. Thermal and optical restoration of photoelectric sensitivity of CdS single crystals after optical degradation. // Доклады Болгарской академии наук. — 1977. — Т. 30, N 7. — С. 989−992.
  81. Kindleysides L., Woods J. Photo-induced changes in the photoconductivity and luminescence of CdSe. // J. Phys. D: Appl. Phys. — 1970. — V. 3. — P. 1049−1057.
  82. Petrosjan S., Shik A., Vul' A.Ja., Sheinkman M. On the nature of photoelectric fatigue in semiconductors. // Solid State Communications. — 1977. — V. 23, N 6. — P. 385−387. (Great Britain).
  83. Pal U., Saha S., Datta S.K., Chaudhuri A.K. On the mechanism of long-term relaxation in policrystalline cadmium telluride and zinc telluride films. // Semicond. Sci. Technol.1990. — V. 5. — P. 429−434.
  84. Мак В. Т. Новая модель эффекта малых доз в полупроводнике. // Письма в ЖТФ.1989. — Т. 15, вып. 12. — С. 17−19.
  85. О.Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г. // ФТП. — 1984.
  86. Т. 18, вып. 10. — С. 1885−1887.
  87. Holmstrom R.P., Lagowski J., Gatos H.C. Electron beam stimulated changes in composition and electrical properties of CdS surfaces. // Surface Science. — 1980. — V. 100, N 3. — P. L467-L471.
  88. Thangaraj N., Wessels B.W. Electron-beam-enhanced oxidation process in II-VI compound semionductors observed by high-resolution electron microscopy. // J. Appl. Phys. — 1990. — V. 67, N 3. — P. 1535−1541.
  89. H.C., Давидюк Г. Е., Шаварова А. П. Отжиг центров зеленой люминесценции сульфида кадмия. // ФТП. — 1995. — Т. 29, N 2. — С. 201−208.
  90. Г. Е., Богданюк Н. С., Шаварова А. П. Дозовая зависимость интенсивности зеленой люминесценции монокристаллов сульфида кадмия при облучении электронами с Е = 1,2 МэВ. // ФТП. — 1994. — Т. 28, N 11. — С. 2056−2061.
  91. JI.И., Шаховцев В. И., Шумов В. В. Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном германием, при низкотемпературном облучении. // ФТП. -1998. Т. 32, N 2. — С. 132 — 134.
  92. А.В., Парфенюк О. А., Илащук М. И. Компенсирующее действие примеси свинца в теллуриде кадмия. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. — 1989. — Т. 25, N 11. — С. 1848−1851.
  93. Н.Б. Новый класс фотопроводящих радиационностойких полупроводниковых материалов. // Соросовский образовательный журнал. — 1997. — N. 1. — С. 65−72.
  94. А.Г. Варизонная модель полупроводника, стойкого к деградации. // Письма в ЖТФ. — 1984. — N 13. — С. 820−823.
  95. Kamei Т., Stradins P., Matsuda A. Effects of embedded crystallites in amorphose silicon on light-indused defect creation. // Appl. Phys. Lett. — 1999. — V. 74, N 12. — P. 17 071 709.
  96. Низкотемпературное радиационно-стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния. / Куликов А. В., Перевощиков В. А., Скупов В. Д. и др. // Письма в ЖТФ. — 1997. — Т. 23, N 13. — С. 27−31.
  97. Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику. — М.: Мир, 1988 — 320 с.
  98. А.Г., Елагина Н. В., Новикова Е. А. Полупроводниковый детектор электронных потоков. // Патент Российской Федерации N 1 531 678 с приоритетом от 14.08.87, действует с 01.07.93.
  99. С.И., Трофимова Н. Б., Юнович А. Э. Фотолюминесценция пленок тройных твердых растворов PbixCd*S. // ФТП. — 1984. — Т. 18, вып. 4. — С. 631−634.
  100. А.Г., Кац Н.Б. Плазменный резонанс в пленках селенида кадмия. // Письма в ЖТФ. — 1979. — Т. 5, вып. 1. — С. 6.
  101. А.Г., Трофимова Н. Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS. // ЖТФ. — 2001. — Т. 71, вып. 7. — С. 140−142.
  102. .Н., Цукерман Н. М. Гетеропереходы в полупроводниках. — Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1976. — 180 с.
  103. Рот B.JI. Кристаллография // Физика и химия соединений А2 В6. Пер. с англ. под ред. С. А. Медведева. — М.: Мир, 1970. — С. 97−134.
  104. Фазовая диаграмма системы CdS-PbS. / Олейник Г. С., Мизецкий П. А., Низко-ва А.И. и др. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. — 1979. — Т 15, N 2. — С. 202−204.
  105. В.Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках. — М.: Наука, 1969.
  106. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. — 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — 456 с.
  107. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. — М.: Наука, 1970. — 720 с.
  108. Н. Н. Численные методы. — М: Наука, 1978. — 512 с.
  109. РОССИЙСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ БИБЛИОТЕКАо
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!