Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Микроскопика поверхности проводящих кристаллов в сильном электрическом поле

Диссертация: Микроскопика поверхности проводящих кристаллов в сильном электрическом поле
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Современный этап развития физики характеризуется бурным прогрессом в области физики поверхности. Это связано в основном с двумя обстоятельствами. Во-первых, подобный процесс развития определяется потребностями таких современных областей науки и техники как нанотехнология,. рост кристаллов, физическая электроника, гетерогенный катализ. Во-вторых, в настоящее время в распоряжении исследователей… Читать ещё >

Микроскопика поверхности проводящих кристаллов в сильном электрическом поле (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ, МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ПОЛЕВОЙ ЭМИССИОННОЙ МИКРОСКОПИИ
    • 1. Полевые эмиссионные методы изучения поверхности
    • 2. Полевая эмиссионная микроскопия
      • 2. 1. Общий принцип действия полевых эмиссионных микроскопов
      • 2. 2. Автоэлектронная эмиссия и полевая электронная микроскопия
      • 2. 3. Полевая ионизация и полевая ионная микроскопия
      • 2. 4. Полевая десорбционная микроскопия
      • 2. 5. Полевое испарение и полевая испарительная микроскопия
    • 3. Приборы и техника эксперимента
      • 3. 1. Установка комбинированного полевого эмиссионного микроскопа
      • 3. 2. Полевой электронный микроскоп отпаянного типа
      • 3. 3. Технология изготовления острий
      • 3. 4. Технология изготовления источников адсорбата
      • 3. 5. Измерение температуры
        • 3. 5. 1. Оптическая пирометрия
        • 3. 5. 2. Измерение температуры по изменению сопротивления
        • 3. 5. 3. Учет нагревающего действия источника адсорбата
      • 3. 6. Техника электрических измерений
      • 3. 7. Техника регистрации изображений
      • 3. 8. Усиление яркости изображений
    • 4. Методы экспериментального определения некоторых физических величин
      • 4. 1. Определение работы выхода
      • 4. 2. Определение напряженности электрического поля
      • 4. 3. Определение радиуса кривизны острия
      • 4. 4. Индексация полевых эмиссионных изображений
      • 4. 5. Математическая обработка результатов
  • ГЛАВА II. ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОПОЛЕВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА
  • НЕОДНОКОМПОНЕНТНЫЕ СИСТЕМЫ
    • 1. Введение
    • 2. Обзор литературы
      • 2. 1. Взаимодействие атомов кремния с некоторыми переходными металлами
      • 2. 2. Адсорбция и конденсация никеля на вольфраме
      • 2. 3. Адсорбция и конденсация бериллия на вольфраме
      • 2. 4. Взаимодействие атомов углерода с вольфрамом
      • 2. 5. Выводы и постановка задачи
    • 3. Конденсация и кристаллический рост слоев кремния на вольфраме и воздействие на них сильных электрических полей и высоких температур
      • 3. 1. Введение
      • 3. 2. Монослойные покрытия кремния на вольфраме и их роль в формировании структур конденсата
      • 3. 3. Термополевое воздействие на моноатомные слои кремния на вольфраме. Явление полевой реконструкции поверхности
      • 3. 4. Термополевое воздействие на «толстые» слои кремния на вольфраме
      • 3. 5. Воздействие отбираемого эмиссионного тока на слои кремния на вольфраме
    • 4. Взаимодействие атомов кремния с иридием при термополевом воздействии
    • 5. Влияние атомов кремния на теромоплевые формоизменения рения
    • 6. Влияние бериллия на термополевые формоизменения вольфрама
    • 7. Термополевые формоизменения слоев никеля на вольфраме
    • 8. Изучение полевого испарения карбидов вольфрама
      • 8. 1. Введение
      • 8. 2. Карбид, ориентированный гранью {0001}
      • 8. 3. Карбид, ориентированный гранью {1120}
      • 8. 4. Структура «ребристого кристалла»
      • 8. 5. Попытки получения упорядоченного полевого ионного изображения поверхности карбида
      • 8. 6. Определение испаряющих полей для карбидов
      • 8. 7. О характере процесса полевого испарения карбидов и механизм испарения примесных атомов с большими потенциалами ионизации
    • 9. Изучение процесса полевого испарения некоторых материалов ВТСП
      • 9. 1. Введение
      • 9. 2. Определение работы выхода монокристаллов ВТСП
      • 9. 3. Оценка энергий связи в решетке ВТСП-монокристалла, механизм полевого испарения подобных соединений
    • 10. Выводы
  • ГЛАВА III. ИЗУЧЕНИЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛЕВОГО ИСПАРЕНИЯ МЕТАЛЛОВ
    • 1. Введение
    • 2. Обзор литературы
      • 2. 1. Изучение полевого испарения металлов при высоких температурах
      • 2. 2. Выводы и постановка задачи
    • 3. Полевое испарение иридия и платины при высоких температурах
      • 3. 1. Введение
      • 3. 2. Визуализация формоизменения острий в процессе термополевого воздействия, эффект схлопывания колец
      • 3. 3. Величины испаряющих полей при различных температурах острия
      • 3. 4. Определение кинетических параметров высокотемпературного полевого испарения
  • Общий характер явления
    • 4. Выводы
  • ГЛАВА IV. ИЗУЧЕНИЕ ФОРМОИЗМЕНЕНИЙ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛОВ, ВЫЗВАННЫХ КОНДЕНСАЦИЕЙ СОБСТВЕННОГО МАТЕРИАЛА
    • 1. Введение
    • 2. Обзор литературы
      • 2. 1. Изучение процессов конденсации с помощью полевых эмиссионных методов
      • 2. 2. Изучение процессов зародышеобразования
      • 2. 3. Изучение эпитаксиального роста
      • 2. 4. Изучение элементарного акта конденсации
      • 2. 5. Выводы и постановка задачи
    • 3. Формы роста некоторых тугоплавких металлов при вакуумной конденсации собственного материала
      • 3. 1. Введение
      • 3. 2. Автоэпитаксиальный рост тантала
      • 3. 3. Механизмы перемещений атомов, приводящие к различным стадиям формоизменения острий
      • 3. 4. Автоэпитаксиальный рост рения
      • 3. 5. Автоэпитаксиальный рост вольфрама и молибдена
    • 4. Новые методы определения энергии межатомного взаимодействия на поверхности
      • 4. 1. Метод оценки энергий латерального взаимодействия адсорбированных атомов
      • 4. 2. Метод оценки энергий перемещения атомов на поверхности
    • 5. Конденсационные формоизменения острий, подвергнутых термополевому воздействию
    • 6. О сходстве и различии конденсационных и термополевых видов формоизменения острий
    • 7. Эмиссионные свойства эмиттеров, полученных конденсацией собственного материала острия
    • 8. Выводы
  • ГЛАВА V. ИЗУЧЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ И СВОЙСТВ ТЕРМОПОЛЕВЫХ МИКРОВЫСТУПОВ НА ТАНТАЛЕ, РЕНИЕ, ИРИДИЕ И ПЛАТИНЕ
    • 1. Введение
    • 2. Обзор литературы
      • 2. 1. Перестройка острий в электрическом поле
      • 2. 2. Влияние электрического поля на поверхностную самодиффузию и формоизменения острий
      • 2. 3. Определение величин коэффициента поверхностного натяжения
      • 2. 4. Термополевые микровыступы
      • 2. 5. Термополевые макронаросты
      • 2. 6. Общий характер формоизменения острий при термополевом воздействии
      • 2. 7. Модель формоизменения острий при конкуренции электростатических и лапласовых сил
      • 2. 8. Выводы и постановка задачи
    • 3. Экспериментальная проверка модели равновесия электростатических и лапласовых сил
    • 4. Экспериментальное получение равновесных микровыступов
    • 5. Определение коэффициента поверхностного натяжения перестроенного острия
    • 6. Заострение, затупление микровыступов, управление количеством микровыступов на поверхности
    • 7. Новый экспериментальный метод определения испаряющих полей. Величины испаряющих полей для микровыступов
    • 8. Микровыступы как центры зарождения макронаростов
    • 9. Микровыступы как точечные источники электронов и ионов
    • 10. Термополевые формоизменения иридия, платины, тантала и рения в широком интервале изменения электрических полей и температур
      • 10. 1. Введение
      • 10. 2. Термополевые формоизменения иридия
      • 10. 3. Термополевые формоизменения платины
      • 10. 4. Термополевые формоизменения тантала
      • 10. 5. Термополевые формоизменения рения
    • 11. Выводы

Современный этап развития физики характеризуется бурным прогрессом в области физики поверхности. Это связано в основном с двумя обстоятельствами. Во-первых, подобный процесс развития определяется потребностями таких современных областей науки и техники как нанотехнология,. рост кристаллов, физическая электроника, гетерогенный катализ. Во-вторых, в настоящее время в распоряжении исследователей имеется мощный арсенал разнообразных и эффективных методов изучения явлений на поверхности твердого тела. Среди них особый интерес представляют методики изучения поверхности в атомном масштабе, позволяющие визуализировать элементарные процессы на поверхности. Такие методики, как правило, связаны с применением весьма сильных электрических полей напряженностью от нескольких долей до нескольких единиц вольт на ангстрем, к данным методикам относятся полевая эмиссионная микроскопия и сканирующая туннельная микроскопия. В связи с развитием этих методик, а также необходимостью решения многих практически важных задач, связанных в основном с нанотехнологией и техникой точечных источников электронов и ионов высокой яркости особую актуальность приобретает изучение одновременного воздействия сильных электрических полей и температур на поверхности проводящих кристаллов. Помимо практического аспекта физический интерес к данной проблеме несомненен, поскольку воздействие электрических полей, сравнимых с внутриатомными полями в кристаллической решетке и при температурах, обеспечивающих заметную подвижность атомов на поверхности, может дать новую информацию о состоянии поверхности кристалла. Весьма эффективной для такого рода исследований может быть полевая эмиссионная микроскопия, которая визуализирует поверхность с пространственным разрешением от 2−3 до десятков ангстрем, имеет дело как правило с идеальными монокристаллами при весьма чистых вакуумных условиях и может наблюдать состояние поверхности при любых темепературах от криогенных до температур плавления.

С помощью полевых эмиссионных методов было выполнено значительное количество работ, посвященных изучению т. наз. термополевого воздействия, т. е. одновременного воздействия сильных электрических полей и температур на кристаллические обьекты-эмиттеры. Однако в этой области оставался ряд важных нессследованных разделов-белых пятен. Во-первых, термополевое воздействие было изучено лишь для некоторых чистых металлов, практически полностью отсутствовали работы по изучению подобного воздействия на неоднокомпонентные объекты, такие как химические соединения, сплавы, слои постороннего адсорбата на поверхности, неизвестен до конца был и механизм полевого испарения подобных обьектов. Во-вторых, термополевое воздействие связано, как правило, с явлением высокотемпературного полевого испарения. Явление это, лежащее в промежуточной области между классическим полевым испарением при криогенных температурах и поверхностной ионизацией в сильном электрическом поле, было совершенно не исследовано к началу данной работы. Формоизменения острийных монокристаллов могут происходить не только при термополевом, но и при конденсационном воздействии, т. е. за счет конденсации собственного материала на поверхность эмиттера в отсутствии внешнего электрического поля. Изучение подобных формоизменений и их связь с термополевыми формоизменениями также являлось одной из основных задач работы. Наконец, не было проведено детального изучения условий образования и эмиссионных свойств термополевых микровыступов на металлах, особенно интересных для целей нанотехнологии — Р1, 1 г, Яе и Та. Именно термополевые микровыступы, объекты предельно малой кривизны, могут стать основой для создания точечных источников электронов и ионов в первую очередь для нанотехнологии. Для изучения подобных микровыступов необходимо было создать некоторые новые методы их исследования.

Таким образом, работа посвящена изучению четырех основных проблем, связанных с поверхностью кристалла: термополевого воздействия на неоднокомпонентные объекты, высокотемпературного полевого испарения, конденсационного воздействия на поверхность кристалла и условий образования и свойств термополевых микровыступов на Р1, 1 г, Ые и Та. В соответствии с этим и построена диссертация. Она состоит из введения, пяти глав и заключения.

§ 11. Выводы.

1. Экспериментально доказана адекватность модели формоизменения кристаллов-острий, основанной на рассмотрении конкуренции пондеромоторных и лапласовых сил. Показано наличие равновесных и стационарных форм, на основе применения модели разработаны методы заострения, затупления микровыступов, управления их количеством на поверхности.

2. Создан новый экспериментальный метод определения величин испаряющих полей, пригодный для острий любого радиуса кривизны из любого проводящего материала. Определены величины испаряющих полей для микровыступов W, Та, 1 г, Р1 и силицида.

3. Реализован, новый экспериментальный метод определения коэффициента поверхностного натяжения в твердой фазе для перестроенных форм острий.

4. Изучены термополевые формоизменения 1 г, Р1-, Та и Яе в широком интервале изменения Т и Б, определены Т-Б области существования различных форм, минимальные значения Б, вызывающие появление микровыступов при различных Т острия, а также эмиссионные параметры таких микровыступов. Определены режимы Т-Б обработки, дающие точечные эмиттеры с оптимальными эмиссионными свойствами.

5. Проанализированы возможности использования микровыступов в качестве точечных источников электронов и ионов, определены величины электронных и ионных токов как для отдельных микровыступов так и для эмиттеров с большим числом мировыступов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Итак, работа была нацелена не решение следующих основных задач: изучение термополевого воздействия на неоднокомпонентные объекты, изучение высокотемпературного полевого испарения металлов, изучение конденсационного формоизменения монокристаллов-эмиттеров и изучение условий формирования и свойств теромполевых мирковыступов на ряде металлов. Какие же основные выводы можно сделать на основании проведенных исследований? •.

Изучение неоднокомпонентных объектов дало следующие основные результаты:

1. На поверхности W атомы 81 могут образовывать монослойные покрытия двух типов — низкотемпературный монослой, не вызывающий реконструкцию поверхности и высокотемпературный монослой, такую реконструкцию вызывающий. Оба типа монослоев обладают различным ориентирующим действием при наращивании новых слоев 81, в случае низкотемпературного монослоя реализуется механизм роста Странского-Крастанова, в случае же высокотемпературного монослоя реализуется механизм послойного роста Франка-Ван дер Мерве с образованием большого количества псевдоморфных слоев со структурой.

2. Показано, что термополевое воздействие на «толстые» покрытия на (до 1000 монослоев) приводит к тем же видам формоизменений, что и для острий из чистых металлов, т. е. к перестройке в поле и росту микровыступов и макронаростов.

— 4063. Обнаружено явление полевой реконструкции поверхности кристалла, заключающееся в том, что исходно плоская поверхность грани под воздействием инициирующего адсорбата, электрического поля и температуры становится не только ступенчатой, но и макроскопически бугристой, на такой поверхности вырастают о выступы высотой 150−200 А. Показана общность этого явления для систем адсорбат-адсорбент: Si-W, Si-Ir, Si-Re, Be-W, различия состоят лишь в условиях, при которых полевая реконструкция наблюдается и кристаллографических областях на поверхности, где она реализуется. Для системы Ni-W явление полевой реконструкции не наблюдается вследствие чисто металлического характера взаимодействия.

4. Изучены эмиссионные свойства «рыхлых» покрытий Si на W, полученных конденсацией при комнатной Т подложки, такие покрытия хорошо моделируют эмиттеры планарных матричных катодов. Показано, что воздействие отбираемых эмиссионных токов л о плотностью j < 10 А/см не вызывает изменение состояния поверхности, при больших j джоулев нагрев вызывает локальную поверхностную диффузию атомов Si и изменение эмиссионных свойств эмиттера.

5. Изучение полевого испарения карбидов W различной ориентации и состава показало невозможность получения высокоупорядоченных полевых ионных изображений поверхности, характерных для чистых металлов вследствие нерегулярности процесса испарения.

6. Обнаружено явление инверсии эмиссионной способности ряда плотноупакованных граней карбида W, возникающее в процессе полевого испарения. Инверсия заключается в понижении величины работы выхода этих граней и превращения их из практически неэмиттирующих в сильноэмиттирующие после полевого испарения поверхности. Объясняется инверсия разрыхлением поверхности граней вследствие нерегулярности процеса испарения.

7. Определены величины испаряющих полей для различных кристаллографических областей карбида расчитаны энергии связи атомов ¥-иСв решетке карбида. На основании полученных данных предложен новый механизм, объясняющий полевое испарение элементов с большими потенциалами ионизации, таких как углерод, кислород, азот из матрицы сложной по составу системы. Заключается этом механизм в том, что в процессе предпочтительного полевого испарения элементов с малыми потенциалами ионизации происходит понижение энергии связи атомов трудноионизуемых элементов с большими потенциалами иннизации. Это приводит к соответствующему снижению величин испаряющих полей для этих атомов, что делает процесс испарения стехиометрическим или близким к таковому.

8. Проведено исследование монокристаллов ВТСП-соединений типа МеВа2Сиз07. х (Ме: У, ТЬ, Ей, Бу). Определены величины работ выхода для атомарно-чистых поверхностей данных соединений. Изучение полевого испарения таких объектов показало, что предпочтительное полевое испарение легкоионизуемых атомов В, а и редкой земли может привести к понижению энергии связи трудноионизуемого кислорода даже до отрицательной величины, а реального испаряющего полядаже до нуля и процесс испарения носит стехиометрический характер несмотря на столь большую разницу в величинах потенциалов ионизации.

Изучение высокотемпературного полевого испарения привело к следующим основным результатам:

1. Подробно изучены зависимости величин испаряющихъ полей от температуры эмиттера. Показано, что зависимость РИСП (Т) носят сложный и неоднозначный характер. При повышении приложенного напряжения величина Рисп может повышаться, понижаться и практически не меняться в зависимости от Т.

2. Обнаружен новый эффект — эффект схлопывания колец на полевом испарительном изображении поверхности. Этот эффект объясняется периодическим ростом и испарением больших макронаростов через растущие по их контуру микровыступы при нарушении динамического равновесия между диффузионным притоком атомов и их испарением. Учитывая, что размер макронаростов соизмерим с размерами острия-эмиттера, эффект схлопывания колец демонстрирует новую динамическую стадию термополевого формоизменения эмитера.

3. При высокотемпературном полевом испарении наблюдаются, по крайней мере для тугоплавких металлов две стационарно существующие формы острия — форма полностью перестроенного острия и форма с растущими и испаряющимися макронаростами, где наблюдается эффект схлопывания колец. Существует также нестабильная форма, где наблюдается кажущееся движение микровыступов вдоль ребер перестроенного острия.

4. Впервые определена энергия активации высокотемпературного полевого испарения, что позволило объяснить наблюдаемую разницу в расчитанных и экспериментально измеряемых величинах ионных токов ~ на 20 порядков и создать полную картину процесса испарения. Увеличение ионного тока происходит вследствие снижения энергии активации процеса испарения, что в свою очередь можно объяснить уменьшением теплоты испарения атомов под действием внешнего электрического поля.

На основании исследования влияния конденсации собственного материала на формоизменения монокристаллических острийных эмиттеров можно сделать следующие основные выводы:

1. Изучение конденсации собственного материала на эмиттеры из Та, Мо, Яе и ЧУ при широкой вариации Т подложки и количества монослоев конденсата п показало, что для всех металов при плавном повышении Т подложки наблюдаются одни и те же стадии изменения формы эмиттера: неупорядоченный, рыхлый конденсат — при низких Т, репликация, т. е. воспроизведение исходной структуры поверхностипри более высоких Т, обособленные кристаллические наросты на плотноупакованных гранях — при дальнейшем росте Т и при наиболее высоких Типконденсационная перестройка острия, заключающаяся в превращении исходной сглаженной формы отжига в ребристый многогранник. Стадии репликации и конденсационной перестройки обнаружены впервые.

2. Установлены температурные и концентрационные интервалы существования каждой стадии формоизменения, зависимости этих интервалов от вида материала и структуры определенной грани, выявлены механизмы перемещений адатомов, приводящие к данным формоизменениям.

3. Установлена характерная общность типов формоизменений острий при термополевом воздействии при отсутствии конденсации атомов извне и при конденсации атомов извне при отсутствии внешнего электрического поля, объяснены причины подобной общности форм.

— 4104. Разработаны методы оценки величин энергий латерального взаимодействия адатомов на поверхности и энергий перехода адатомов через края моноатомных ступеней на поверхности кристалла, оценены подобные энергии для атомов Яе, Мо и Та. 5. Изучены эмиссионные свойства эмиттеров, полученных конденсацией Мо и Яе на собственную подложку, также хорошо моделирующих эмиттеры планарных матричных катодов. Показано, что подобные эмиттеры позволяют отбирать эмиссионные токи с ] до г л.

Юэ А/см с хорошей стабильностью. Наилучшей стабильностью обладают эмиттеры, выращенные в режиме репликации.

Изучение условий образования и свойств микровыступов привело к следующим основным результатам:

1. Экспериментально доказана адекватность модели формоизменения кристаплов-острий, основанной на рассмотрении конкуренции пондеромоторных сил электрического поля и сил поверхностного натяжения. Показано на опыте существование стационарных и равновесных форм как для перестроенных форм острий, так и для микровыступов. На основании применения модели разработаны методы заострения, затупления эмиттеров, управления количеством эмиттирующих центров на поверхности острия.

2. Создан новый экспериментальный метод определения величин испаряющих полей Рисп, пригодный для острий любого радиуса кривизны из любого проводящего материала. Впервые определены величины Рисп для микровыступов некоторых металлов и силицида.

3. Реализован новый экспериментальный метод определения величин коэффициента поверхностного натяжения в твердой фазе для перестроенных форм острий.

— 4114. Изучены термополевые формоизменения 1 г, Р1, Та и 11е в широком интервале изменения Т и Б, определены Т-Б области существования различных форм, минимальные значения Б, приводящие к образованию микровыступов при различных Т острия, а также кристаллографическая локализация и эмиссионные параметры таких микровыступов. Определены режимы термополевой обработки, дающие точечные эмиттеры заряженных частиц с оптимальными свойствами.

5. Проанализированы возможности использования микровыступов в качестве точечных источников заряженных частиц, определены величины электронных токов и ионных токов собственного материала эмиттера как для отдельных микровыступов, так и для эмиттеров с большим числом микровыступов, которые обеспечивают длительное стационарное функционирование эмиттера. Разработан точечный источник элетронов и ионов, содержащий единственный микровыступ с одним или несколькими атомами на вершине, находящийся на геометрической оси острия, при использовании термополевой обработки обычной ориентации, покрытого монослоем атомов 81.

В заключении хочу выразить мою глубокую благодарность Владимиру Николаевичу Шреднику, заведующему лабораторией, где выполнялась данная работа, моему научному руководителю еще на кандидатской диссертации, соавтору большинства моих работ, с кем меня связывают долгие годы совместной работы. Его полезные советы и большая помощь сыграли важную роль в выполнении данной работы.

Выражаю особую признательность всем соавторам моих работ и конечно прежде всего старшему научному сотруднику Павлову В. Г., научному сотруднику Власову Ю. А., младшему научному сотруднику Конторович E.JI., аспирантам Шайхину Б. М. и Бутенко В. Г., а также дипломанту Акимову CA. Большую помощь в подготовке и проведении экспериментов оказали инженеры Спасская Г. В. и Судакова Т. И., которых я сердечно благодарю.

Я искренне благодарен также заведующим лабораторий Мамырину Б. А. и Агееву В. Н., ведущему научному сотруднику Тонтегоде А. Я., старшим научным сотрудникам Лаврентьеву Г. Я. и Рутькову Е. В., научным сотрудникам Галлю Н. Р и Блашенкову Н. М. за полезные научные дискусии при обсуждении ряда вопросов.

С чувством глубокой признательности вспоминаю основателя лаборатории физической элетроники ФТИ профессора Николая Ильича Ионова и многолетнюю руководительницу научного семинара лаборатории ведущего научного сотрудника Элеонору Яковлевну Зандберг, сыгравших важную роль в моей научной судьбе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. О.Л., Шредник В. Н., Шайхин Б. М. Об изображаемости карбидов вольфрама в ионном проекторе. // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1.В. 15. С. 714−718.
  2. О.Л., Шайхин Б. М., Шредник В. Н. Автоионная микроскопия карбида вольфрама и твердого раствора углерода в вольфраме. // Тез. докл. 1 Всес. совещ. по автоионной микроскопии. Харьков.1975. С. 22−23.
  3. О.Л., Гурин В. Н., Корсукова М. М. Автоэлектронное исследование монокристаллов тройного соединения в системе Мо-А1-В. // Тез. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Махачкала.1976. Т. 3. С. 63.
  4. О.Л., Павлов В. Г., Шредник В. Н. Поверхностная диффузия Вена? в сильном электрическом поле. // Тез. докл. XVIIIВсес. конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1981. С. 52−53.
  5. О.Л., Ермолаева Г. В., Павлов В. Г. и др. Поверхностная диффузия, кристаллический рост и испарение Ве на в сильном электрическом поле. // Тез. докл. III Всес. совещ. по полевой ионной микроскопии. Свердловск. 1982. С. 17.
  6. О.Л., Спасская Г. В., Павлов В. Г. и др. Исследование природы поверхности автокатода из гексаборида лантана. // Тез. докл. XIX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ташкент. 1984. Т. 3. С. 15.
  7. О.Л., Павлов В. Г., Спасская Г. В. и др. Влияние различной обработки поверхности острийного автокатода из гексаборидалантана на его эмиссионные свойства. // Тез. докл. V Всес. симп. по ненакаливаемым катодам. Томск. 1985. С. 68−70.
  8. О.Л., Шредник В. Н. Изучение адсорбции кремния на вольфраме с помощью полевой эмиссионной микроскопии. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1.С. 213.
  9. О.Л., Шредник В. Н. Изучение границы раздела системы Si-W методами полевой эмиссионной микроскопии. // Тез. докл. конф. «Поверхность-89». Черноголовка. 1989. С. 162.
  10. В.Г., Голубев О. Л., Шредник В. Н. Исследование термополевых формоизменений слоев кремния на вольфраме. // Тез. докл. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ленинград. 1991. Т. 1.С. 297.
  11. Djubua B.Ch., Chubun N.N., Golubev O.L. at al. The action of thermo-field treatment on emission properties of LaB6 field emitters. // 39th Int. Field Emiss. Symp. Halifax. 1992. Program and Abstracts. P. 116.
  12. Golubev O.L., Chubun N.N., Djubua B.Ch. at al. The influence of low temperature thermo-field treatment on thick Si layers on W. // 40th Int. Field Emiss. Symp. Nagoya. 1993. Program and Abstracts. P. 132.
  13. О.JI., Дюбуа Б. Ч., Чубун Н. Н. и др. Низкотемпературная термополевая обработка слоев кремния на вольфраме. // Тез. докл. XXII конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1992. Т. 2. С. 12.
  14. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. Heating in high electricth •field of Ni-layers condensed on W. // 41 Int. Field Emiss. Symp. Ruen. France. 1994. Program and Abstracts. P. 3−6.
  15. O.JI. Одновременнрое воздействие электрического поля и температуры на слои кремния на вольфраме. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 22. С. 16−20.
  16. Голубев O. JL, Конторович E. JL, Шредник В. Н. Влияние электрического поля на реконструкцию поверхности. // ЖТФ. 1996. Т. 66.1. В. 3. С. 88−96.
  17. Chubun N.N., Golubev O.L., Djubua B.Ch. at al. Field emission properties of Si-layers on W-tip. // 9th Int. Vac. Microelectron. Conf. St. Petersburg. 1996. Technical Digest. P. 129−132.
  18. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник B.H. и др. Определение работы выхода монокристаллов ЕиВа2Сиз07х, TbBa2Cu307x и DyBa2Cu307x. // Письма в ЖТФ. 1989. Т.15. В.24. С. 59−64.
  19. Ю.А., Голубев О. Л., Сюткин Н. Н. и др. Полевая десорбция с поверхности сверхпроводящих перовскитов. // ЖТФ. 1990. Т. 60. В. 10. С. 159−163.
  20. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник В. Н. и др. Оценка энергий связи некоторых атомов в решетке ВТСП-монокристаллов. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 11−14.
  21. Vlasov Yu.A., Golubev O.L., Shrednik V.N. Estimation of the binding energy for some lattice atoms in HTSC single crystal. // 40th Int. Field Emiss. Symp. Nogoya. Japan. 1993. Program and Abstracts. P. 96.
  22. Golubev O.L. Field evaporation of the HTSC surface atoms and estimation of binding energy taking into account field penetration. //41th Int. Field Emiss. Symp. Ruen. France. 1994. Program and Abstracts. P. 13.
  23. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник B.H. и др. Неравновесный характер разрушения элементарной ячейки ВТСП-кристалла. // ЖТФ. 1995. Т. 65. В. 1. С. 70−80.
  24. Ю.А., Голубев О. Л., Сюткин Н. Н. и др. Исследование атомной структуры и состава монокристаллов YBa2Cu307.x с помощьюширокоугольного атомного зонда. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 16. С. 62−67.
  25. Ю.А., Голубев O.JL, Сюткин Н. Н. и др. Автоэлектронная работа выхода материалов ВТСП. // Тез. докл. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ленинград. 1991. Т. 1. С. 272.
  26. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник В. Н. Изучение ВТСП-моно-кристаллов с помощью полевых эмиссионных методов. // Тез. докл. III Межд. симп. по физике и химии твердого тела. Благовещенск. 1991. С. 143.
  27. Vlasov Yu.A., Golubev O.L., Shrednik V.N. Field emission and wide-angle atom probe study of HTSC single crystal. // 38th Int. Field Emiss. Symp. Vienna. Austria. Program and Abstracts. P. 3−23.
  28. H.M., Власов Ю. А., Голубев О. Л. и др. Исследование поверхности материалов ВТСП в атомном масштабе. // Тез. докл. Межд. конф. по ВТСП-монокристаллам. Харьков. 1991. С. 47.
  29. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник В. Н. и др. Взаимодействие остаточных газов с атомарно-чистой поверхностью монокристалла ЕиВа2Сиз07-х. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 22. С. 1−5.
  30. Golubev O.L. About the mechanism of field evaporation of the dissolved atoms with large potentials of ionisation. // 45 Int. Field Emiss. Symp. Irbid. Jordan. Program and Abstracts. P. 101.
  31. О.Л., Конторович Е. Л., Шредник В. Н. Влияние кремния на термополевые формоизменения рения. // Письма в ЖТФ. 1996.1. Т. 22. В. 18. С. 72−77.
  32. В.Г., Голубев О. Л., Шредник В. Н. и др. Кристаллический рост и испарение 1 г в сильном электрическом поле. // Тез. докл.
  33. Всес. конф. по росту кристаллов. Харьков. 1992. Т. 1. С. 14−15.-4188 Всес. конф. по росту кристаллов. Харьков. 1992. Т. 1. С. 14−15.
  34. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. Point sources of Pt and Ir. //Int. Vac. Microelectron. Conf. Portland. USA. 1995. Technical Digest. P. 447−449.
  35. В.Г., Голубев О. Л., Шредник B.H. и др. Ионные источники нового типа на основе горячего полевого испарения. // Тез. докл. IX Симп. по сильноточной электронике. Екатеринбург. 1992.1. С. 20−21.
  36. В.Г., Голубев О. Л., Шредник В. Н. и др. Эффект схлопы-вания колец при горячем полевом испарении иридия. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 8. С. 86−91.
  37. Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. at al. New kind of collapthsing rings observable at high temperature field evaporation. // 40 Int. Pield. Emiss. Symp. Nagoya. Japan. 1993. Program and Abstracts. P. 96.
  38. О.Л., Конторович Е. Л., Шредник B.H. Термополевые формоизменения и высокотемпературное полевое испарение платины // ЖТФ. 1996. Т. 66. В. 3. С. 97−106.
  39. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. at al. A ball-pen in na-nometric scale. // Int. Symp. «Nanostructures: physics and technology». St. Petersburg. 1994. Absrtacts. P. 233−234.
  40. О.Л., Конторович Е. Л., Шредник B.H. и др. Ионные источники на основе высокотемпературного полевого испарения какпишущее средство в нанометровом масштабе. // Тез. докл. конф. «Микроэлектроника 94». Звенигород. 1994. С. 447−448.
  41. Golubev O.L., Kontorovich E.L., Shrednik V.N. Iridium and platinum writer in nanometric scale. // Int. Symp. «Nanostructures: physics and technology». St. Petersdburg. 1994. Abstracts. P. 382−383.
  42. Golubev O.L. On the mechanism of the high temperature field evaporation. // 42th Int. Field Emiss. Symp. Madison. USA. 1995. Program and Abstracts. P. 14.
  43. Golubev O.L. High temperature field evaporation and its correlation with surface ionization. // 43th Int. Field Emiss. Symp. Moscow. 1996. Program and Abstracts. P. 77.
  44. O.JI. Энергетические параметры и механизм высокотемпературного полевого испарения платины. // Материалы Всеросс. симп. по эмиссионной электронике. Рязань. 1996. С. 76−77.
  45. В.Г., Голубев О .Л., Шредник В. Н. и др. Новый вид схло-пывания колец при высокотемпературном полевом испарении иридия. // Тез. докл. XXII Конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1994. Т. 2. С. 3−4.
  46. Golubev O.L. High temperature field evaporation and its correlation with surface ionization. // Journ. De Phys. IV. Coll. C6 suppl. Journ. De Phys. HI. 1996. V. 6. P. C5−159 C5−164.
  47. О.Л. Процесс высокотемпературного полевого испарения металлов как поверхностная ионизация в сильном электрическом поле. // Тез. докл. Межд. конф. «Эмиссионная электроника: новые методы и технологии». Ташкент. 1997. С. 60.
  48. Golubev O.L. Temperature dependences of the evaporation fields athigh temperature field evaporation. // 45th Int. Field Emiss. Symp. Irbid. Jordan. 1998. Program and Abstracts. P. 102.
  49. О.JI., Одишария Г. А., Павлов В. Г. и др. Двумерная кристаллизация и начальные стадии роста кристаллов, исследуемые с помощью электронного и ионного проекторов. // Тез. докл. 15 Всес. конф. по микроэлектронике. Львов. 1975. С. 58−59.
  50. О.Л., Шайхин Б. М., Шредник В. Н. Кристаллические наросты на остриях-обьектах электронного и ионного проекторов. // Материалы IV Всес. совещ. по росту кристаллов. Ереван. 1972. Т. 1. С. 34−35.
  51. О.Л., Павлов В. Г., Панова С. Н. и др. Двумерные и трехмерные образования, возникающие на начальных стадиях конденсации и структура из изменения. // Тез. докл. XV Всес. конф. по эмисионной электорнике. Киев. 1973. Т. 1. С. 11−12.
  52. О.Л., Шайхин Б. М., Шредник В. Н. Исследование автоэпи-таксиальных наростов W и Re в ионном проекторе. // Тез. докл. IBcec. совещ. по автоионной микроскопии. Харьков. 1975. С. 18.
  53. О.Л., Шайхин Б. М., Шредник В. Н. Кристаллические наросты на остриях-обьектах электронного и ионного проекторов. // Рост кристаллов. 1975. Т. 11. С. 103−110.
  54. О.Л., Шайхин Б. М., Шредник В. Н. О конденсационной перестройке металлических острий. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1976. Т. 40. N. 8. С. 1599−1604.
  55. О.Л., Ермолаева Г. В., Павлов В. Г. и др. Процессы конденсации и самодиффузии как формообразующие факторы при изготовлении ненакаливаемых катодов. // Тез. докл. Всес. симп.-421 по ненакаливаемым катодам. Томск. 1977. С. 5−6.
  56. О.Л., Шайхин Б. М., Шредник В. Н. О конденсационной перестройке металлических острий. // Тез. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Махачкала. 1976. Т. 3. С. 69−70.
  57. О.Л., Павлов В .Г., Шредник В. Н. О конденсационных формах роста кристаллов-острий. // Тез. докл. V Всес. совещ. по росту кристаллов. //Тбилиси. 1977. Т. 1. С. 132−133.
  58. О.Л., Павлов В. Г., Шредник В. Н. Вакуумная конденсация W на W и Mo на Mo, изучаемая методами автоэмиссионной микроскопии. // Тез. докл. XVII Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ленинград. 1978. С. 448−449.
  59. О.Л., Павлов В. Г., Шредник В. Н. Исследование роста плотноупакованных и ступенчатых граней методами полевой эмиссионной микроскопии. // Тез. докл. VI Межд. конф. по росту кристаллов. Москва. 1980. Т. 1. С. 6−7.
  60. О.Л., Павлов В. Г., Шредник В. Н. Изучение комбинированных конденсационных и термополевых кристаллических форм методами полевой эмисионной микроскопии. // Тез. докл. XVIII Всес. конф. по эмиссионной электронике. Москва. 1981. С. 70−72.
  61. О.Л., Павлов В. Г., Шредник В. Н. Полевая эмиссионная микроскопия кристаллических острий при комбинации конденсационных и термополевых формоизменений. // Тез. докл. III Всес. совещ. по полевой ионной микроскопии. Свердловск. 1982. С. 17.
  62. О.Л., Шредник В. Н. Влияние неравновесной концентрации поверхностных атомов на кинетику роста атомных слоев. // Тез. докл. Всес. школы по физике поверхности. Ташкент. 1983. С. 69.
  63. О.Л., Шредник В. Н. Формоизменения рениевых острий при автоэпитаксиальном росте. // Тез. докл. XIX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ташкент. 1984. Т. 3. С. 15.
  64. О.Л. Определение энергии латерального взаимодействия поверхностных атомов с помощью полевой электронной (автоэлектронной) микроскопии. // Тез. докл. XIX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Ташкент. 1984. Т. 3. С. 38.
  65. О.Л., Шредник В. Н. Формы роста рениевых монокристаллов при автоэпитаксии. // Тез. докл. VI Всес. конф. по росту кристаллов. Ереван. 1985. Т. 3. С. 64.
  66. О.Л., Павлов В. Г., Шредник В. Н. Конденсационные формоизменения металлических острий, подвергнутых термополевой обработке. // Поверхность. 1985. N. 2. С. 50−57.
  67. О.Л. Метод оценки энргии латерального взаимодействия атомов на поверхности кристалла. // ФТТ. 1985. Т. 27. N. 10.1. С. 3127−3129.
  68. О.Л., Шайхин Б. М., Шредник В. Н. Особенности конденсации рения на собственном кристалле при различных температурах. // Поверхность. 1987. N. 4. С. 48−55.
  69. О.Л. Исследование конденсации тантала на собственном кристалле в широком интервале изменения температуры подложкии количества конденсата. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1. С. 211.
  70. O.JI. Рост неравновесных сингулярных граней монокристалла тантала при автоэпитаксии. // Тез. докл. VII Всес. конф. по росту кристаллов. Москва. 1988. Т. 4. С. 79.
  71. Golubev. O.L., Shrednik V.N. Field emission study of the condensation of metals in vacuum. // Acta Univ. Wratislaviensis. 1988. N. 1025.1. P. 315−321.
  72. Golubev O.L. Field emission microscopy study of vacuum condensation of metals. // 35th Int. Field Emiss. Symp. Oak Ridge. USA. 1988. Abstracts. P. 47.
  73. Golubev O.L. Vacuum metal condensation studied by field emission microscopy. // Journ. De Phys. Coll. C6. au n. 11 suppl. 1988. T. 49. P. C6−145 C6−149.
  74. Chubun N.N., Golubev O.L., Djubua B.Ch. at al. Stability of field electron emission of W, Mo and Re vacuum deposits depending on substratethtemperature. // 9 Int. Vac. Microelecrton. Conf. St. Petersburg. 1996. Technical Digest. P. 129−132.
  75. В.Г., Голубев O.JI., Шредник B.H. и др. Термополевые микровыступы из Ir, Pt, Та, W и Si на W как источники стационарного автоэмиссионного тока высокой плотности. // Тез. докл. IX Симп. по сильноточной электронике. Екатеринбург. 1992. С. 52−52.
  76. В.Г., Голубев O.JI., Шредник В. Н. Определение коэффициента поверхностного натяжения вольфрама, перестроенного в электрическом поле. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 19. С. 80−85.
  77. Ю.А., Голубев O.JI., Шредник В. Н. Равновесные и стационарные формы нагретых металлических монокристаллов в сильном электрическом поле. // 7 Всес. конф. по росту кристаллов. Москва. 1988. Т. 4. С. 76−77.
  78. Голубев O. JL, Шредник В. Н. Изучение поверхности с применинием различных видов ионизации в сильном электрическом поле. // Тез. докл. Всес. конф. «Поверхность-89». Черноголовка. 1989. С. 160.
  79. В .Г., Голубев O.JL, Шредник В. Н. и др. Развитие изучения термополевых явлений. // Тез. докл. XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Лениград. 1990. Т. 1. С. 234.
  80. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник В. Н. Процессы роста и затупления термополевых микровыступов и их связь с эмиссионными свойствами автокатодов. // Тез. докл. V Всес. совещ. по ненакали-ваемым катодам. Томск. 1985. С. 63−64.
  81. Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. at al. Point- sources of electrons and ions using microprotrusion on the top of a tip. // Surf. Sci. 1992. V. 266. P. 165−169.
  82. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник В. Н. Равновесные и стационарные формы нагретых металлических кристаллов в сильном электрическом поле. // Рост кристаллов. 1991. Т. 19. С. 5−21.
  83. Butenko V.G., Golubev O.L., Shrednik V.N. at al. Point sources of• thelectrons and ions using microprotrusion on the top of a tip. //38 Int. Field Emiss. Symp. Vienna. Austria. 1991. Program and Abstracts. P.3−23.
  84. Golubev O.L. The new experimental method of the estimation of thexLevaporating fields for the microprotrusions. // 43 Int. Field Emiss. Symp. Moskow. 1996. Program and Abstracts. P. 68.
  85. Golubev O.L. Field evaporation of very sharp microprotrusions with single atom on the top. // Fourth Nordic Conf. on Surf. Sci. Alesund. Norway. 1997. Book ofExtended Abstracts. P. 184−185.
  86. Golubev O.L. A new experimental method of the determination of the evaporating fields. // Journ. De Phys. IV. Coll. C5 suppl. Journ. De Phys. III. 1996. T. 6. P. C5−153 C5−158.
  87. В.Г., Голубев О. Л., Конторович Е. Л. и др. Выращивание единственного микровыступа на вершине острия. // Тез. докл.
  88. Всес. конф. по росту кристаллов. Харьков. 1992. Т. 1. С. 10−11.
  89. О.Л. Радиационные и термополевые методы получения микровыступов на поверхности металлов. // Труды VIII Межнац. совещ. «Радиационная физики твердого тела». Севастополь. 1998. С. 649−652.
  90. Ю.А., Голубев О. Л., Шредник В. Н. Термополевые формы монокристалла вольфрама, ориентированного по оси <111>. // Тез. докл. Межотрасл. совещ. по полевой эмиссионной микроскопии. Харьков. 1989. С. 32.
  91. Ю.А., Голубев O.JL, Шредник В. Н. Изменений формы металлических острий при конкуренции электростатических и «капиллярных» сил. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1. С. 182.
  92. Vlasov Yu.A., Golubev O.L., Shrednik V.N. Progress in the study of thermo-field phenomena. // Journ. De Phys. Coll. C6. N. 11 suppl. 1988. T. 49. P. C145 C150.
  93. Ю.А., Голубев O.JI., Шредник В. Н. Изменение формы металлического острия при конкуренции электростатических и «капиллярных» сил. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1988. Т. 52. N. 8. С. 1538- 1543.
  94. А-1. Автоионная микроскопия. Под ред. Дж. Рена и С. Ранганатана. М. Мир. 1971.270 с.
  95. А-2. Агеев В. Н., Афанасьева Е. Ю., Галль Н. Р. и др. Совместнаяадсорбция углерода и кремния на вольфраме. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 9. С. 565−570.
  96. А-3. Агеев В. Н., Афанасьева Е. Ю., Галль Н. Р. и др. Взаимодействие атомов кремния с поверхностью вольфрама: адсорбция, десорбция, растворение, образование силицидов. // Поверхность. 1987. N. 6. С. 7−13.
  97. А-4. Агеев В. Н., Потехина Н. Д., Соловьев С. М. Начальные стадии образования пленок кремния на поверхности иридия. // Поверхность. 1988. N. 2. С. 47−54.
  98. Б-1. Бартон В., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхности. // В кн. Элементарные процессы роста кристаллов. М. Изд. ин. лит. 1959. С. 11−109.
  99. Б-2. Березняк П. А., Михайловский И. М. Влияние резонансной перезарядки на резрешение и контраст автоионного изображения. // -ЖЭТФ. 1973. Т. 65. N. 2(8). С. 475−482.
  100. Б-3. Борзяк П. Г., Дадыкин A.A. Термополевая перестройка граней у вершины кремниевых острий. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1982. Т. 46. N. 7. С. 1288−1291.
  101. Б-4. Борзяк П. Г., Дадыкин A.A. К вопросу о механизме автофотоэлектронной эмиссии из кремния. // ДАН СССР. 1982. Т. 263. N. 5. С. 76−80.
  102. Б-5. Блашенков Н. М., Лаврентьев Г .Я. Полевое испарение углеродного острия. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 7. С. 1−3.
  103. Б-6. Бокий Г. В. Кристаллохимия. М. Наука. 1971. 400 с.
  104. Б-7. Блашенков Н. М., Лаврентьев Г. Я., Шредник В. Н. Уменьшение теплоты десорбции кислорода в монокристалле SmBa2Cu307. x в области Тс. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 22. С. 30−35.
  105. В-1. Власов Ю. А., Павлов В. Г., Шредник В. Н. Высокотемпературное полевое испарение термополевых микровыступов. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. В. 9. С. 548−552.
  106. В-2. Вентова И. Д., Фурсей Г. Н. Особенности процесса поверхностной самодиффузии в условиях критической перестройки. // ЖТФ. 1973. T.41.N. И. С. 2432−2440.
  107. В-3. Вентова И. Д., Фурсей Г. Н. Перестройка вершины острийныхкристаллов в многогранник. // ЖТФ. 1977. Т. 47. N. 4. С. 844−848.
  108. В-4. Вентова И. Д., Фурсей Г. Н., Полежаев С. А. Образование микровыступов на вершине металлических острий в сильном электрическом поле. «Критическая перестройка». // ЖТФ. 1977. Т. 47. N. 4. С. 857−859.
  109. В-5. Вентова И. Д., Фурсей Г. Н., Южок А. И. Способ формирования эмиттирующей поверхности. // A.C. N 429 479. Б.И. 1974. N. 19. С. 162.
  110. В-6. Взаимодействие углерода с металлами. Под.ред. Самсонова Г. В. М. Металлургия. 1974. 288 с.
  111. В-7. Волькенштейн В. В. Физико-химическая поверхность полупроводников. 1973. М. Наука. 413 с.
  112. В-8. Векилов Ю. Х., Вернер В. Д., Егорова Т. У. Теоретические модели контакта металл-полупроводник.//Поверхность. 1984. N. 12. С. 12−25.
  113. В-9. Ведула Ю. С., Месяц В. Г., Поплавский В. В. и др. Определение работы выхода соединений ВТСП. // Тез. докл. I Всес. совещ. по высокотемпературной сверхпроводимости. Харьков. 1988. С. 147.
  114. Г-1. Горбатый H.A., Пулатова С. А., Решетникова JI.B. Конечная форма регулярной термополевой перестройки острийных монокристаллов W, Мо и Та. // Поверхность. 1986. N. 12. С. 39−43.
  115. Г-2. Гаврилюк В. М., Медведев В. К. Десорбционный ионный литиевый проектор. //ЖТФ. 1966. Т. 36. В. 9. С. 172 101 723.
  116. Г-3. Галль Н. Р., Михайлов С. Н., Рутьков Е. В. и др. Характер адсорбционной связи между монослоем графита и поверхностью рения. // ФТТ. 1985. Т. 27. N. 8. С. 2351−2356.
  117. Г-4. Гарбер Р. И., Дранова Ж. И., Михайловский И. М. Способ изготовления игольчатых автоэлектронных эмиттеров. // A.C. N/ 171 929. Б.И. 1965. N/12. С. 116.
  118. Г-5. Галль Н. Р. Взаимодействие кремния с поверхностями вольфрама, рения и иридия. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. Ленинград. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР. 1990. 211 с.
  119. Г-6. Гарифуллин Н. М., Зубенко Ю. В. Эмиссионные свойства слоев кремния на вольфраме. // Тез. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Махачкала. 1976. Т. 3. С. 66.
  120. Г-7. Галль Н. Р., Рутьков Е. В., Тонтегоде АЛ. Взаимодействие кремния с поверхностью иридия: адсорбция, десорбция, образование силицида. // Поверхность. 1989. N. 10. С. 47−53.
  121. Г-8. Гольдшмидт Х.Дж. Сплавы внедрения. М. Мир. 1981. Т. 2. 463 с.
  122. Г-9. Габович М. Д. Жидкометаллические эмиттеры ионов. // УФН. 1983. Т. 140. N. 1.С. 137−151.
  123. Д-1. Дранова Ж. И., Дьяченко A.M., Михайловский И. М. Температурная зависимость свободной поверхностной энергии вольфрама. // ФММ. 1971. Т. 31. N. 5. С. 1108−1111.
  124. Д-2. Дранова Ж. И., Михайловский И. М. Низкотемпературная поверхностная миграция вольфрама, активированная ионной бомбардировкой. // ФТТ. 1970. Т. 12. N. 1. С. 132−137.
  125. Д-3. Добрецов Л. Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М. Наука. 1966. 564 с.
  126. Д-4. Дадыкин A.A. Фотополеавя электронная эмиссия из кремния с атомарно чистой поверхностью. // Поверхность. 1982. Т. 1. N. 5. С. 76−80.
  127. М-1. Мюллер Э., Цонь Т. Автоионная микроскопия. М. Металлургия. 1972. 360 с.
  128. М-2. Мюллер Э. В. Автоионизация и автоионная микроскопия. // УФН. 1962. Т. 77. С. 481−523.
  129. М-3. Мюллер Э. В., Цонг Т. Т. Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение. М. Наука. 1980. 217 с.
  130. М-4. Миллер М. Смит Г. Зондовый анализ в автоионной микроскопии. М. Мир. 1993.301 с.
  131. М-5. Мордюк B.C., Иванов Ю. С., Мальцев А. Н. Высокотемпературная автоионная микроскопия. // ФММ. 1988. Т. 66. В. 3. С. 546−550.
  132. М-6 Мюллер Э. В. Автоионная микроскопия. // УФН. 1967. Т. 92. N. 2. С. 293−320.
  133. М-7. Милешкина Н. В., Сокольская И. Л., Кис. Л. Б. Изучение эмиссионных свойств германия на разных гранях монокристалла вольфрама. // ФТТ. Т. 8. N. 5. С. 1390−1398.
  134. М-8. Медведев В. К., Наумовец А. Г., Федорус А. Г. Структура и электронно-адсорбционные свойства пленки натрия на грани (011) вольфрама. // ФТТ. 1970. Т. 12. N. 2. С. 375−385.
  135. М-9. Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М. Мир. 1986. 176 с.
  136. М-10. Митцев М. А., Байков Ю. М., Дунаева Т. Ю. и др. Влияние содержания кислорода в керамике YBa2Cu307. x на кинетику его термического выделения. // ФТТ. 1993. Т. 35. N. 6. С. 1457−1466.
  137. Н-1. Нойманн X., Клозе Э., Сокольская И. Л. Исследование процессов диффузии рения с помощью автоэлектронного микроскопа. // ФТТ. 1964. Т. 6. N. 6. С. 1744−1749.
  138. Н-2. Наумовец А. Г., Федорус А. Г. Исследование структуры и работы выхода платины, на вольфраме и адсорбции на них цезия. // ФТТ. 1968. Т. 10. В. З.С. 801−808.
  139. Н-3. Немченок Р. Л., Тумарева Т. А. Изучение поведения окиси бария на вольфраме в электронном проекторе. // Р. И Э. 1968. N. 2. С. 321−32
  140. П-1. Паутов Д. М., Сокольская И. Л. Изучение поверхностной самодиффузии тантала методом автоэлектронной микроскопии. // ФТТ. 1968. Т. 10. N. 8. С. 2473−2479.
  141. П-2. Павлов В. Г., Рабинович A.A. Шредник В. Н. Температурная зависимость минимальной напряженности электрического поля, необходимой для образования микровыступов. // ЖТФ. 1977. Т. 47. N. 2. С. 405−409.
  142. П-3. Павлов В. Г., Рабинович A.A., Шредник В. Н. Высокие локальные плотности тока автоэлектронной эмиссии в стационарном режиме. // ЖТФ. 1975. Т. 45. N. 10. С.2126−2134.
  143. П-4. Павлов В. Г., Рабинович A.A., Шредник В. Н. Обнаружение вытягивания острий электрическим полем. // Письма в ЖЭТФ. 1973. Т. 17. N. 5. С. 247−250.
  144. П-5. Павлов В. Г., Рабинович A.A., Шредник В. Н. Полевая эрозия Мо, Та, Nb, Ir, Re. // ФТТ. 1975. T. 17. N. 7. С. 2045−2048.
  145. П-6. Птицын Э. В., Фурсей Г. Н. Формоизменения вершины острийного микрокристалла в условиях протекания тока автоэлектронной эмиссии. //Изв. АН СССР, сер. физ. 1988. Т. 52. N.8. С. 1513−1517.
  146. С-4. Сокольская И. Л., Шакирова С. А. Изучение начальных стадий роста пленок SiO на W. // Р. и Э. 1972. N. 3. С. 592−598.
  147. С-5. Сокольская И. Л., Шакирова С. А. Зародышеобразование и эпитак-сиальный рост моноокиси кремния на монокристаллах вольфрама. // ФТТ. 1971. Т. 13. N. 1. С. 319−321.
  148. С-б. Сюткин H.H., Вяткин H.H., Ивченко В. А. Микрокристаллиты титана на вольфраме. // ФММ. 1970. Т. 30. В. 3. С. 582−586.
  149. С-7. Свойства элементов. // Справочник под. ред. Самсонова Г. В. М. Металлургия. 1976. Т. 1. 599 с.
  150. С-8. Самсонов Г. В., Виницкий И. М. Тугоплавкие карбиды. М. Металлургия. 1976. 558 с.
  151. Т-1. Тегарт В. Электролитическое и химическое полирование металлов. М. И.Л. 1957. 184 с.
  152. Т-2. Таланин Ю. Н. Образование карбидов на монокристаллических вольфраме и молибдене по наблюдениям в электронном и ионном проекторе. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР. Ленинград. 1958. 138 с.
  153. Ф-1. Фурсей Г. Н. Карцев Г. А. Стабильность автоэлектронной эмиссии и миграционные процессы, подготавливающие развитие вакуумной дуги. //ЖТФ. 1970. Т. 40. N. 2. С. 310−319.
  154. Ф-2. Фурсей Г. Н., Птицын В. Э., Кротевич Д. Н., Шваркунов В.А.
  155. Формоизменение поверхности вершины острийного монокристалла в условиях протекания тока автоэлектронной эмиссии. // Тез. докл. XX Всес. конф. по эмиссионной электронике. Киев. 1987. Т. 1.С. 202.
  156. Ф-3. Фоменко B.C. Эмиссионные свойства метериалов. // Справочник. Киев. Наукова Думка. 1981. 338 с.
  157. Ф-4. Фурсей Г. Н., Шакирова С. А. Локализация автоэлектроннойэмиссии в малых телесных углах. // Труды конф. по электронной технике. Электроннолучевые и фотоэлектрические приборы. 1969. N. 1.С. 99−102.
  158. Ф-5. Фурсей Г. Н., Шакирова С. А. К вопросу о возможности локализации эмиссии в малых телесных углах. // ЖТФ. 1966. Т. 36. В. 6. С. 1125−1131.
  159. Ф-6. Френкель Я. И. Теория явлений адсорбции и конденсации. //
  160. ЖРФХО, часть физ. 1924. Т. 56. С. 148−162. Ф-7. Фром Е., Гепхард Е. Газы и углерод в металлах. М. Металлургия. 1980.711 с.
  161. Ф-8. Федоров В. Б., Ширшов М. Х., Хакимов Д. К. Углерод и его взаимодействие с металлами. М. Металлургия. 1978. 53 с. Х-1. Хирс Д., Паунд. Г. Испарение и конденсация. М. Металлургия. 1966.220 с.
  162. Ш-2. Шредник В. Н. Диффузия и рост кристаллов на металлической поверхности, изучаемые в атомном масштабе. // Дисс. док. физ.-мат. наук. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР. Ленинград. 1985. 495с.
  163. Ш-3. Шредник В. Н., Павлов В. Г., Рабинович A.A., Шайхин Б.М.
  164. Воздействие сильного электрического поля и нагрева на металлические острия. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1974. Т. 38. N. 2. С. 296−301.
  165. Ш-4. Шайхин Б. М. Применение ионного проектора к изучению кристаллических наростов тугоплавких металлов. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР. Ленинград. 1975. 146с.
  166. ТТТ-5. Шредник В. Н. Рост кристаллов и автоэмиссионная микроскопия. // В кн. Проблемы современной кристаллографии. М. Наука. 1975. С. 150−171.
  167. Ш-6. Шредник В. Н. Термополевые и конденсационные формы роста кристаллов-острий, изучаемые методами автоэмиссионной микроскопии. // В кн. Рост кристаллов. М. Наука. 1980. Т. 13. С. 68−79
  168. I-7. Шредник В. Н., Павлов В. Г., Рабинович A.A. Способ изготовления автоэмиссионных острийных катодов. // A.C. N. 464 238. Б.И. 1975. N.35. С. 179.
  169. I-8. Шредник В. Н. Высоковольтные ненакаливаемые катоды (мощные и маломощные). // В кн. Ненакаливаемые катоды. М. Сов. Радио. 1974. С. 165−321.
  170. Ш-9. Шредник В. Н. Исследование атомных слоев циркония на гранях кристалла вольфрама при помощи электронного и ионного проекторов. // ФТТ. 1961. Т. 3. В. 6. С. 1750−1761.
  171. Ш-10. Шредник В. Н., Одишария Г. А. Анизотропия теплот миграции и энергий связи (адсорбат-адсорбат) в металлопленочных системах Zr-W, Hf-W, Hf-Mo, Zr-Nb и Zr-Ta. // Изв. АН СССР, сер. физ. 1969. Т. 33. N, 3. С. 536−543.
  172. Ш-11. Шредник В. Н. Электронный проектор. // Природа. 1968. N. 9. С. 10−19.
  173. Ш-12. Шредник В. Н. К вопросу об усреднении автоэмиссионной работы выхода. // Р. И Э. 1963. Т. 8. N. 11. С. 1933−1944.
  174. Ш-13. Шредник В. Н. Автоэмиссионная микроскопия металлопленочных покрытий. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. ФТИ им. А. Ф. Иоффе. Ленинград. 1965. 214 с.
  175. Э-1. Энергии разрыва химических связей, потенциалы ионизации и сродство к электрону. Справочник. М. Наука. 1974. 351 с.
  176. Э-2. Эспе В. Технология электровакуумных материалов. М. Госэнер-гоиздат. 1962. Т. 1. 632 с.
  177. Journ. Appl. Phys. 1965. V. 36. N. 10. P. 3221−3227. a-5. Arthur J.R., Wagner R.S. Field emission from silicon arrays. // Bull.
  178. Sci. 1978. V. 75. N. 2. P. 432−354. c-4. Cavaille J., Drechsler M. Ion impact on field emitter crystals. // Rev.
  179. Soc. 1959. V. 28. P. 16−31. c-7. Collins R.A., Blott B.H. The adsorption and nucleaton of zirconium ontungsten field emitters. // Surf. Sci. 1968. V. 10. P. 349−368. c-8. Collins R.A., Blott B.H. Multilayer adsorption of uranium on tungsten.
  180. Surf. Sci. 1972. V. 32. N. 3. P. 519−526. f-12. Feibelman P.J. Diffusion path for an A1 adatom on A1 (001). // Phys.
  181. Sol. 1967. V. 23. P. 453−460. g-10. Gomer R. Possible mechanism of atom transfer in scanning tunnelingmicroscopy. // IBM Journ. Res. Dev. 1986. V. 30. N. 4. P. 428−430. h-1. Herring C. Effect of charge of scale on sintering phenomena. // Journ.
  182. Appl. Phys. 1950. V. 21. P. 301−303. h-2. Herring C. Some theories on the free energies of crystal surface. //
  183. Phys. Rev. Lett. 1980. V. 44. N. 23. P. 1520−1523. h-5. Hill R.I. The adsorption of water on tungsten. // Vacuum. 1960. V. 2. P. 1520−1523.h-6. Heinrich H., Essig M., Geiger J. Field emitter from carbon wires. //
  184. Sci. 1992. V. 266. P. 18−23. k-14. Klein R. Surface migration of carbon on tungsten. // Journ. Chem.
  185. Zs. Phys. 1938. Bd. 108. S. 668−680. m-2. Muller E.W. Oberflachenwanderung von Wolfram auf dem einigen
  186. Kristallgitter. // Zs. Phys. 1949. Bd. 126. S. 642−665. m-3. Melmed A.J. Surface self-diffusion of nickel and platinum. // Journ.
  187. Appl. Phys. 1967. V. 38. N. 4. P. 1885−1892. m-4. Martin E.E., Trolan J.K., Dyke W.P. Stable high density cold cathode.
  188. Journ. Chem. Phys. 1965. V. 43. N. 9. P. 3057−3062. m-22. Melmed A.J. Epitaxial growth of Cu on W field emitters. // Journ.
  189. Chem. Phys. 1963. V. 38. N. 6. P. 1444−1445. m-23. Melmed A.J. Epitaxial growth of Pb on W field emitters. // Journ.
  190. Sol. 1966. V. 14. P. K63-K64. n-8. Nakamura S., Kuroda T. Field emission from n-type GaP crystals. //
  191. Chem. Phys. 1960. V. 32. N. 4. P. 1173−1177.' z-2. Zacharchuk G., Alvensleben L., Dehring M. at al. Atom probe field ion microscopy of high-temperature superconducting materials. // Journ. De Phys. Coll. C6 suppl. nil. 1988. T. 49. P. C6−471 C6−476.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!