Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Влияние примеси углерода на формовку и электрофизические параметры МДМ-структур

Диссертация: Влияние примеси углерода на формовку и электрофизические параметры МДМ-структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Практическая значимость результатов диссертационной работы подтверщ ждается их внедрением и использованием при выполнении НИОКР совместно с Научно исследовательским институтом ядерной физики (ФГНУ НИИ ЯФ г. Томск). Так, по тематике диссертации, внедрена технология получения пленок диоксида кремния с контролируемой пористостью. Данная технология использовалась для проведения исследований в области… Читать ещё >

Влияние примеси углерода на формовку и электрофизические параметры МДМ-структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Электронные процессы в тонкопленочных структурах металл — диэлектрик — металл в сильных электрических полях
    • 1. 1. Процесс формовки и пробоя
    • 1. 2. Закономерности процесса формовки
    • 1. 3. Факторы, влияющие на процесс формовки
      • 1. 3. 1. Влияние материала и толщины диэлектрика на процесс формовки
      • 1. 3. 2. Влияние материала и толщины электродов на процесс формовки
      • 1. 3. 3. Влияние полярности приложенного напряжения на процесс формовки
      • 1. 3. 4. Влияние давления и состава окружающей атмосферы на процесс формовки
      • 1. 3. 5. Влияние температуры на процесс формовки
      • 1. 3. 6. Микроскопические исследования формованных МДМ-структур
    • 1. 4. Явления, наблюдаемые в формованных МДМ-структурах
      • 1. 4. 1. Эффекты переключения и памяти
      • 1. 4. 2. Электронная эмиссия
      • 1. 4. 3. Электролюминесценция
      • 1. 4. 4. Процесс деградации в формованных МДМ-структурах
  • 2. Методика приготовления образцов и проведения экспериментов
    • 2. 1. Методика приготовления образцов
      • 2. 1. 1. Материала подложки
      • 2. 1. 2. Нанесение нижнего электрода
      • 2. 1. 3. Выделение рабочей области
      • 2. 1. 4. Нанесение рабочего диэлектрика
      • 2. 1. 5. Нанесение верхнего электрода
      • 2. 1. 6. Нанесение контактов к верхнему электроду
    • 2. 2. Методика проведения экспериментов
      • 2. 2. 1. Исследование электрических характеристик формованных МДМструктур
      • 2. 2. 2. Исследование электрических характеристик неформованных МДМ-структур
      • 2. 2. 3. Исследование пористости диэлектрика
      • 2. 2. 4. Определение элементного состава
      • 2. 2. 5. Исследование поверхности формованных и неформованных МДМ-мтруктур
      • 2. 2. 6. Исследование переходных процессов в формованных МДМ-структурах
  • 3. Влияние примеси углерода на формовку и параметры структур Mo-Si02+C-Al
    • 3. 1. Общее исследование процесса формовки
    • 3. 2. Электронная эмиссия формованных структур Mo-Si02+C-Al
    • 3. 3. Электролюминесценция формованных структур Mo-Si02+C-Al
    • 3. 4. Эффекты переключения и памяти в формованных МДМ-структурах Mo-Si02+C-Al
    • 3. 5. Процессы деградации в формованных структурах Mo-Si02+C-Al
    • 3. 6. Кинетика развития формовки структур Mo-Si02+C-Al
    • 3. 7. Обсуждение результатов
    • 3. 8. Выводы по главе
  • 4. Исследование электрофизических характеристик неформованных структур Mo-Si02+C-Al
    • 4. 1. Проводимость и ВАХ неформованных структур Mo-Si02+C-Al
    • 4. 2. Исследование элементного состава диэлектрика Si02+C.Ill
    • 4. 3. Исследование емкости структур Mo-Si02+C-Al
    • 4. 4. Пробой неформованных структур Mo-Si02+C-Al

В настоящее время в электронике возрастает потребность в разработке и создании принципиально новых приборов обладающих высокой эффективностью, долговечностью и надежностью в условиях значительного уменьшения размеров, вплоть до нанометровых. К классу таких приборов относятся формованные системы металл-диэлектрик-металл (МДМ), которые могут использоваться как ненакаливаемый источник электронов, элемент памяти, датчик давления [64].

В результате электрической формовки, осуществляемой путем приложения некоторого электрического напряжения между обкладками тонкопленочной конденсаторной МДМ-системы, происходят необратимые локальные изменения структуры, приводящие к образованию так называемых формованных каналов (ФК). Наличие ФК делает МДМ-систему принципиально новым объектом по сравнению с исходной конденсаторной структурой, у которой появляются такие свойства как: //-образная вольтамперная характеристика (ВАХ), эмиссия электронов в вакуум, электролюминесценция, эффекты переключения и памяти, чувствительность параметров к давлению некоторых газов. В силу перечисленных свойств формованные МДМ-системы могут быть использованы в ряде приборов твердотельной и вакуумной электроники. Так, на их основе можно создать новые энергонезависимые элементы памяти для запоминающих устройств ЭВМ, эффективные ненакаливаемые эмиттеры электронов для вакуумных интегральных схем и других электровакуумных приборов, светоизлу-чающие элементы для индикаторных устройств, датчики давления и т. д. Приборам и устройствам на основе формованных МДМ-систем присущ ряд достоинств: относительно простая технология изготовления, полностью совместимая с современной полупроводниковой интегральной технологией, возможность микроминиатюризации, легкость изготовления в матричном исполнении. Эмиттеры электронов на основе формованных МДМ-систем отличаются от широко распространенных термокатодов малой инерционностью, низкими значениями температуры и потребляемой мощности. Необходимость создания таких приборов в настоящее время не вызывает сомнения.

Однако, несмотря на это, практического применения формованные МДМ-структуры пока не получили. Причина состоит в низком уровне электронной эмиссии (по сравнению с термокатодами), малым сроком службы, а также недостаточной изученностью процессов в формованных МДМ-структурах. В работах [77−79, 138−143] отмечается, что углерод существенно снижает работу выхода для электронов, повышая эффективность полевой эмиссии. Аналогично, группе физиков из НИИЯФ МГУ (А.Т. Рахимов, Н. В. Суетин, Б. В. Селезнев и др.), используя метод плазмохимического осаждения, удалось получить новый материал на основе углерода с высокими эмиссионными свойствами. Созданные ими эмиттеры обеспечивали плотности тока до 2.5 А/см [138]. В работе [139] установлено, что среди различных углеродных материалов (от поликристаллического алмаза до графита), полученных с помощью одного и того же метода, наилучшими автоэмиссионными параметрами обладают графитоподоб-ные пленки (пороговое значение напряженности электрического поля — 1.5 В/мкм, плотность эмиссионного тока составляла 1 мА/см уже при напряженности 4 В/мкм). Аналогичных исследований формованных МДМ-структур не проводилось, что открывает перспективы для улучшения их параметров и возможности их практического применения. В связи с этим работа направлена на исследование влияния примеси углерода (графита) в рабочем диэлектрике на формовку и параметры МДМ-структур.

Актуальность этого исследования заключается еще и в том, что оно охватывает неизученную область: влияние углерода на параметры диэлектрических пленок. Паромасляные и механические насосы, широко используемые для получения вакуума, приводят к значительному повышению концентрации углеводородов в вакуумной камере. Адсорбируясь на распыляемых поверхностях, углерод участвует в процессах зарождения и роста диэлектрических пленок, что в конечном итоге сказывается на свойствах получаемого диэлектрика. Если рассматривать процесс формовки как метод по определению качества диэлектрика, то можно сказать, что присутствие углерода и углеводородов в вакуумной камере на стадии изготовления диэлектрика оказывает негативное влияние на качество диэлектрика как изолирующего материала. Долговечность, стабильность и надежность полупроводниковых приборов и интегральных схем в значительной мере зависят от поведения пленочных диэлектриков при воздействии на них сильных электрических полей. Это же относится и к элементам электроники на основе формованных МДМ — систем. Подобных исследований для формованных и неформованных МДМ — структур не проводилось и поэтому проведение таких экспериментов актуально.

Целью работы являлось: исследование влияния примеси углерода на формовку МДМ-структур, исследование эмиссионных свойств и деградацион-ных процессов в формованных МДМ-структурах с примесью углерода, исследование влияние примеси углерода на электрические и физические параметры неформованных МДМ-структур.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения. Первая глава посвящена литературному обзору процесса электрической формовки и свойств формованных МДМ-структур. Рассмотрен широкий круг статей, книг, и тезисов докладов, посвященных электрическим явлениям, наблюдаемым в аморфных диэлектриках в сильных электрических полях. Приведены данные по влиянию технологических факторов на формовку и параметры МДМ-структур. Особое внимание уделено описанию одинаковых явлений разными авторами для получения как можно более разнообразного представления о формовке и ее свойствах. В заключении главы приведена постановка задачи для исследований.

4.6. Выводы по главе.

1.

Введение

углерода в пленку диэлектрика Si02 приводит к появлению деформированных связей Si=0 и областей неполного окисления кремния. Наличие таких дефектов объясняется протеканием химической реакции в результате которой углерод «отбирает» кислород у кремния и улетучивается в виде газа СО или С02.

2. Сам углерод в объеме диэлектрика Si02 отсутствует. Он вступает в химическую реакцию с кислородом и улетучивается в виде газа СО или С02.

3.

Введение

углерода в пленку Si02 приводит к увеличению его пористости и появлению газовых включений, что является следствием интенсивного газовыделения со стороны диэлектрика при его нанесении, что вызвано протеканием химических реакций углерода с кислородом или с диоксидом кремния. В результате чего образуется газообразное соединение СО или С02 которое покидает пленку диэлектрика, разрыхляя ее и формируя в ней сквозные поры и газовые включения. Таким образом, четвертая глава позволила ответить на вопросы оставшиеся не выясненными в предыдущей главе, и являющиеся первопричиной изменения свойств формованной структуры Mo-Si02+C-Al при введении углерода в рабочий диэлектрик:

S изменение кинетики образования ФК (как и формовки в целом) связано с формированием в рабочем диэлектрике сквозных пор и газовых включений, что вызвано протеканием химических реакций углерода с кислородом или с диоксидом кремния. В результате чего образуется газообразное соединение СО или С02 которое покидает пленку диэлектрика, разрыхляя ее и формируя в ней сквозные поры и газовые включения.

При протекании токов высокой плотности газ в порах расширяется и осуществляет давление на ВЭ, отрывая его и формируя отверстие правильной формы с характерными размерами 0,08−0,15 мкм. При этом процесс отрыва происходит взрывообразно, что исключает попадание материала ВЭ в тело канала. Отжиг образцов ускоряет формовку, что связано с расширением газа в порах при отжиге и образованию вздутий, которые затем превращаются в формованные каналыS ускорение формовки связано с наличием большого числа дефектов в пленке рабочего диэлектрика Si02+C. Причем количество дефектов определяется значением Sc. Наличие таких дефектов объясняется протеканием химической реакции в результате которой углерод «отбирает» кислород у кремния и улетучивается в виде газа СО или С02, приводя к появлению деформированных связей Si=0 и областей неполного окисления кремния. Поскольку формовка идет по структурным несовершенствам в пленке, то наличие деформированных связей ускоряет процесс формовкиувеличение плотности ФК так же объясняется увеличением количества деформированных связей Si=0 и областей неполного окисления кремния. Поскольку ФК зарождаются на структурных несовершенствах диэлектрической пленки, то увеличение числа дефектов в ней приводит к увеличению числа ФК.

Заключение

.

В результате выполнения диссертационной работы по исследованию влияния примеси углерода на формовку и электрофизические параметры МДМ-структур, получен ряд новых научных и важных практических результатов:

1. выявлено, что введение углерода в пленку диэлектрика SiC>2 приводит к формированию рыхлой неупорядоченной структуры диэлектрика, содержащей большое число сквозных пор и газовых включений. При этом увеличивается его электропроводность, и увеличивается тангенс угла диэлектрических потерь. Причина этих изменений кроется в протекании химической реакции между кислородом и углеродом, приводящей к образованию летучего соединения СО или СОг, которое покидает пленку диэлектрика приводя к образованию сквозных пор и газовых включений, а также образованию областей неполного окисления кремния. Этот факт может служить практической рекомендацией технологам, при изготовлении приборов, содержащих пленочные диэлектрики. Также это решение было востребовано ФГНУ НИИ ЯФ при ТПУ (г. Томск) для проведения исследований в области создания трековых мембран;

2. установлено, что введение углерода в пленку диэлектрика снижает скорость деградационных процессов в формованной МДМ-структуре M0-S1O2+C-AI, приводящих к снижению эмиссионного тока при длительной работе. Подобное решение открывает широкие перспективы для исследований в области снижения деградации в формованных МДМ-структурах, что открывает широкие перспективы для улучшения их характеристик и возможности их практического применения в качестве не-накаливаемых катодов;

3. установлено, что введение углерода в пленку диэлектрика S1O2 приводит к увеличению эмиссионного тока. Достигнута плотность тока 0,075 А/см2 против 0,005 А/см2 у образцов без примеси углерода в диэлектрике;

4. установлено, что кинетика развития процесса формовки может меняться в случае использования пористого диэлектрика, содержащего большое число дефектов;

5. отработана технология получения пленок аморфного углерода. На настоящий момент эта технология востребована ФГНУ НИИ ЯФ при ТПУ (г. Томск) для проведения исследований в области создания рентгеновского волновода, выполняемых в рамках гранта РФФИ.

Практическая значимость результатов диссертационной работы подтверщ ждается их внедрением и использованием при выполнении НИОКР совместно с Научно исследовательским институтом ядерной физики (ФГНУ НИИ ЯФ г. Томск). Так, по тематике диссертации, внедрена технология получения пленок диоксида кремния с контролируемой пористостью. Данная технология использовалась для проведения исследований в области создания трековых мембран. При выполнении хоздоговорной НИР совместно с НИИ ЯФ был решен ряд технологических задач для обеспечения нанесения диэлектрической пленки ^ Si02+C на легкоплавкие лавсановые подложки, температура плавления которых составляет около 50 °C. По полученным результатам написан ряд совместных научных статей.

Так же было проведено исследование пленок углерода, полученных маг-нетронным распылением. Результаты исследований позволили найти практическое применение углеродных пленок. На настоящий момент углеродные пленки используются НИИ ЯФ для проведения исследований в области создания рентгеновского волновода выполняемых в рамках гранта РФФИ № 04−02−17−580. Эта технология имеет огромный как научный, так и коммерческий интерес, по-^ скольку может быть использована для создания медицинского прибора нового поколения, не имеющего аналогов в мире: портативного рентгеновского прибора для облучения раковых опухолей. Исследования в этой области ведутся, написан ряд совместных статей, выполнено несколько хоздоговорных НИР.

Таким образом, можно сказать, что диссертационная работа, направленная на исследование влияния примеси углерода на электрическую формовку и ф электрофизические параметры МДМ-структур, имеет важное научное и практическое значение. Предложенные технические и технологические решения востребованы ведущими НИИ, и вносят значительный вклад в ускорение научно-технического прогресса.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.М. О природе образования формованных каналов в тонкопленочных МДМ системах / В. М. Гапоненко // Изв. Вузов. Физика. — 1992. -№ 5.-С. 115−120.
  2. П.Е. Электрическая формовка тонкопленочных МДМ систем / П. Е. Троян // Изв. Вузов. Физика. — 1996. — т. 39, № 5. — С. 55 — 60.
  3. Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов / Д. Дирнлей, А. Стоунхэм, Д. Морган // УФН. -1974. -т.112, № 1. -С. 83−128.
  4. Ray А.К. A critical rewiew of the observed electrical properties MIM devices showing VCNR/ A. K Ray, C.A. Hogarth // Int. J. Electronics. -1984. -Vol. 57, № 1. -P.17−18.
  5. Simmons J.C. New conduction and reversive memory phenomena in thin insulating films/ Simmons J.C., Verderber R. R // Proc. R. Soc. A. -1967. -vol. 301 -P. 77−102.
  6. Doucas G. Electron emission from metal-CdS-insulator-metal and metal-insulator-CdS-metal thin films devices / G. Doucas, D. Wolsh // Thin Solid Films. -1972.-vol.9, №l.-P.25−30.
  7. Gould R.D. The electrical characteristics of porous А120з produced by anodiza-tion / R.D. Gould, C.A. Hogarth // Thin Solid Films. -1974. -Vol.51, № 1. -P.237−250
  8. Hogarth C.A. Further studies on thin films structures of metal-borosilicate-metal / C.A.Hogarth, E.H. Taheri //Int. J. Electronics.- 1974. -Vol. 33.-P.145−156.
  9. Hogart C.A. Voltage temperature memory and pressure-voltage effect in evaporated films SiO-TiO / C.A. Hogart, M. Ilyas // Thin Solid Films. -1983. -Vol. 103, № 1. -P.267−274.
  10. Ю.Воробьев Г. А. О природе электрической проводимости тонкопленочных систем МДМ / Г. А. Воробьев, В. М. Гапоненко // Изв. Вузов. Физика. -1991. -№ 1. -С.65−67.
  11. Balland В. Instabilities in silicon devices. Deffects in silica films. Their nature-Their electrical properties / B. Balland // Amsterdam. -1968. -vol. 1. -P. 101−153.
  12. Н.А. Структурно примесные и элекрофизические свойства систем Si-Si02/ Н. А. Зайцев, И. О. Шурчков.-М.: Радио и связь, 1993. -192 с.
  13. JT.B. Энергия разрыва химических связей, потенциалы ионизации и сродства к электрону / JT.B. Гурвич, Г. В. Карагавцев, В. Н. Кондратьев и др.-М: Наука, 1974. -352 с.
  14. JT.P. Влияние верхнего электрода на формовку МДМ-системы / JT.P. Битнер, Г. А. Воробьев // Радиотехника и электроника. -1983. -т.28, № 6. -С.1223−1224.
  15. JT.A. Влияние рельефа поверхности на формовку МДМ-структуры / JT.A. Троян // Радиотехника и электроника. -1983. -т.28, № 7. —с.1362.
  16. Collins R.A. Electroforming of thin -films MIM devices at atmospheric pressure / R.A. Collins, G. Bowman, R.R. Sutherland // J. Phis. D: Appl. Phis. -1971. -Vol.4, №ll.-P.249−252.
  17. Pagnia H. Bistabile switching in electroformed metal- insulator-metal devices / H. Pagnia, N. Sotnik // Phis. stat. sol (a). -1988. -Vol. 108, № 1. P. l 1−65.
  18. Barriac C. Study of the electrical properties of Al-Al203-metal structures / C. Barriac, P. Pinard, and F. Daroine // Phis, state, sol (a). -1974. -vol.34, № 1. P.621−633.
  19. Emmer I. Conducting filaments and voltage controlled negative resistance in Al-Al203-Au structure with amorphous dielectric /1. Emmer // Thin Solid Films. -1974. -Vol.20, № 1.-P .43−52.
  20. B.M. Вольтамперные характеристики и механизм проводимости нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой в виде открытой сэндвич структуры / В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, B. J1. Левин // Микроэлектроника. -1998. -т.21. -№ 1. -С. 49−57.
  21. В.М. Модель нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой с учетом перколяции в изолирующей щели / В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев, В. Л. Левин // Микроэлектроника. -1998. -т.27, № 4. -С. 265 274.
  22. Ю.А., Исследование эмиссии электронов в вакуум из формованных МДМ-систем / Ю. А. Бурачевский, Г. А. Воробьев, B.JI. Галанский, и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физич. -1979. -т.43, № 9. -С. 1876−1882.
  23. Г. А. Формовка системы МДМ и ее пробой / Г. А. Воробьев, В. Ш. Зеленский // Радиотехника и электроника. -1989. -т.34, № 6. -С. 1312−1315.
  24. Г. А. Влияние паров воды на эмиссионные свойства формованных МДМ-структур/ Г. А. Воробьев, Р. Б. Лубсанов, А. В. Сутягин // Тезисы докладов XIX Всес. конф. по эмиссионной электронике / Ташкент. -1984. -С. 129.
  25. JI.A. Влияние рельефа поверхности и площади на протекание электрических процессов в формованной МДМ-системе: дис. канд. физ.-мат. наук/ Троян Лидия Андреевна-Томск. -1985. -200 с.
  26. Ю.А. Изучения свечения формованны МДМ-структур: дис. канд. физ.- мат. наук/ Бурачевский Юрий Алексеевич -Томск. -1985. -200 с.
  27. В.М. Влияние плазменной обработки диэлектрика на электрическую формовку тонкопленочной системы МДМ / В. М. Гапоненко // Изв. Вузов. Физика. -1991.- № 10. -С. 94−98.
  28. Hickmott T.W. Impurity conduction and negative resistance in thin oxide films / T.W. Hickmott // J. Phis. D: Appl. -1971. -Vol. 4, № 11. -P. 249−252.
  29. Simmons I. Forming processes in evaporated SiO thin films / I. Simmons, R. Verderber, B. Eales // Phil. Mag. -1967.- Vol.16. -P. 1049−1061.
  30. Ralph I. A new filamentary model for voltage formed amorphous oxide films / I. Ralph, I. Woodcock // J. Non-Crist. Sol. -1972. -Vol.7, № 3. P. 236−250
  31. В.М. Эффект переключения величины туннельного зазора СТМ с диэлектрической пленкой в эмиссионном режиме / В. М. Мордвинцев, В. Л. Левин // ЖТФ. 1994. — Т. 64, вып. 4. — С. 124 — 134.
  32. В.М. Модель проводимости нано-МИМ-диода с углеродистой активной средой с учетом эффектов перколяции / В. М. Мордвинцев, В. Л. Левин // ЖТФ. 1999. — Т. 69, вып. 11. — С. 66−73.
  33. А.П. Зарядовая нестабильность структур Si- Si02 в процессе полевого воздействия / А. П. Барабан, С. Назар, С. Г. Сазонов // Изв. вузов. Электроника. 2001.-№ 1.-С. 45−48.
  34. Г. А. Исследование процессов в отдельных формованных каналах системы металл диэлектрик — металл / Г. А. Воробьев, Р. Б. Лубсанов, П. Е. Троян // Радиотехника и электроника. — 1985. — Т. ЗО, № 7. — С. 1380 -1383.
  35. П.Е., Эмиссия электронов из системы Al-Si3N4 -А1 / П. Е. Троян, Л. А. Троян, Ю. Б. Янкелевич, А. Н. Сергеев // Радиотехника и электроника. 1972. -Т. 17, № 11.-С. 2463−2464.
  36. А.В. Эмиссия горячих электронов из тонкопленочной системы Al-Si3N4 -А1 / А. В. Баранов, Г. А. Воробьев, П. Е. Троян и др. // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1974. — Т. 38, № 2, — С. 291 — 295.
  37. Л.А. Повышение эмиссионной способности МДМ-катода / Л. А. Троян, П. Е. Троян, И. П. Мезенцева, З. Б. Хоментовская // Тезисы докладов XVIII Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике / М., 1981. С. 222.
  38. Ю.В. Переходные процессы в формованных МДМ-структурах/ П. Е. Троян, А. А. Жигальский, Ю. В. Сахаров //Материалы VI Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП 2002) / Новосибирск, 2002. — Т. 2. — С. 40 — 42.
  39. Ю.В. Влияние примеси углерода в рабочем диэлектрике на проводимость формованных структур Mo-Si02+C-Al / Ю. В. Сахаров, П. Е. Троян // Тезисы докладов Девятой международной конференции «Физика диэлектриков» / СПб., 2000. Т.1. — С. 59 -61.
  40. Saharov Y.V. Change of properties of a MIM-structure formation of a positivecharge in insulator / Y.V.Saharov, A.A. Zhigalsky, P.E. Troyan // J. IE Vide: Science Technique at Applications. July 2001, P. 313−317
  41. Ю.В. Роль углеводородов в процессе электрической формовки МДМ-систем / П. Е. Троян, А. А. Жигальский, Ю. В. Сахаров // Изв. вузов. Физика. 2003. — № 2. — С. 36 — 39.
  42. Y.V. Saharov, P.E. Troyan // The technical digest of 13th IVMC-2000 / Guang-zou, China, 14−17 August, 2000, P.260−261.
  43. Sakharov Y.V. Vapor on the Conductivity and Emission Properties of the formed Mo-SixNyOz-Al structure / R.B. Lubsanov, P.E. Troyan, Yu. V. Sakharov // Russian Physics Journal.- 2004. -№ 47(1). -P.69−74.
  44. Ю.В. Оптические исследования пленок Si02+C / Ю. В. Сахаров,
  45. В.М. Влияние плотности эмиссионных центров на скорость де-градационных процессов в тонкопленочных МДМ-катодах /
  46. B.М. Гапоненко, В. В. Мотошкин // Изв. вузов. Физика.- 1992.- N 6.- С.95−98.
  47. В.М. Влияние напряжения на деградацию формованных каналов в тонкопленочных МДМ-катодах / В. М. Гапоненко // Изв. вузов. Физика.-1992.-N 10.- С.44−47.
  48. Г. А. Влияние плотности эмиссионных центров, площади и температуры на эмиссионную способность МДМ-катода / Г. А. Воробьев, JI.A. Троян //Изв. АН СССР, сер. Физическая,-1985.- Т.49, N 9.- С.1734−1737.
  49. М.Г. Определение состава и динамики плазмы, выбрасываемой из канала пробоя твердого диэлектрика / М. Г. Джапаридзе, П. Е. Шилин // Тез. докл. VI Всес. конференции по физике диэлектриков. Пробой и электрическое старение / Томск, 1988.- С. 67.
  50. Р.Б. Исследование характеристик МДМ-катодов в отпаянном вакуумном объеме / Р. Б. Лубсанов, А. В. Сутягин, П. Е. Троян //Электронная техника, сер. 4.- 1982.- вып.4.- С. 15−18.
  51. А.А. Электроннозондовый микроанализ состава диэлектрика формованного канала МДМ-системы / А. А. Миллер // Изв. вузов. Физика.-1983.- N 7.- С.116−118.
  52. А.А. Электронно-микроскопические исследования структуры и электронных процессов в МДМ-катодах: дисс. канд. физ.-мат. наук / Миллер А. А. Томск, 1983.- 140 с.
  53. Г. А. Формовка системы металл-диэлектрик-металл и ее пробой / Воробьев Г. А., Зеленский В. И. // Радиотехника и электроника. 1989.- Т.34,1. N6.-С. 1312−1315.
  54. В.Ф. Диэлектрические пленки в микроэлектронике / В. Ф. Корзо, В. Н. Черняев. М.: Энергия, 1977.- 368 с.
  55. Г. А. Эмиссионная электроника / Добрецов Г. А., Гомоюнова J1. -М.: Наука, 1966.-381 с.
  56. П.Е. Разработка и исследование тонкопленочного холодного катода для электровакуумных приборов: дисс. канд. техн. наук / Троян Павел
  57. Ефимович Томск, 1976.- 207 с.
  58. Hogarth C.A. The voltage-current chracteristics of thin MIM sandwiches with SiO /BiO as the insulator / Arshar K.I., Glot A., Hogarth C.A. // J. of Mater. Sciense.- 1985.- Vol. 20, N 10.- P. 3590−3596.
  59. Kuniyuki Hamano. Breakdown characteristics in thin Si02 films / Kuniyuki Ha-mano. // Japanese J. Appl. Phys.- 1974.- V. 13, N 7.- P. 181−193.
  60. C.C. Исследование импульсной формовки МДМ-катодов / Крамор С. С., Лубсанов Р. Б // Тез. докл. Всесоюзн. н.-т. конф."Актуальные проблемы электронного приборостроения" / Новосибирск, 1990.-С. 87.
  61. Troyan Р.Е. Flat display based on the metal-insulator-metal emitter array / Troyan P.E., Lubsanov R.B., Vorobyev G.A., Ghyngazov S. A, Lakstroem I.V., Kramor
  62. S.S. //Journal ofVac.Sci. Technol. -1993. Vol. 11(2). -P. 514−517.
  63. Г. А. Матрица МДМ-катодов для плоского вакуумно-люминесцентного экрана / Воробьев Г. А., Гынгазов С. А., Крамор С. С.,
  64. Р.Б., Троян П. Е. // Известия Академии Наук. Сер. физическая.-1994.- Т. 58, N10.- С. 80−85.
  65. Khaskelberg М.В. A Study of the Emission Current of a Formed MM System in a Wide Temperature Range / Khaskelberg M.B., Kramor S.S. //Proc. of the 42nd International Field Emission Symposium Madison / Wisconsin, USA August 711, 1995.-P. 65.
  66. Lubsanov R. B. Water adsorption influence on the conductivity and emission properties if formed MIM devices / Lubsanov R. B. // Abstracts of the 5th International Vacuum Microelectronics Conference / Vienna, 1992.-P. 1−16.
  67. В.И. Импульсная электронная эмиссия из систем металл-диэлектрик-металл на основе пленок оксинитрида кремния: дисс. канд. физ.-мат. наук / Зеленский Владимир Иванович. -Томск, 1985.- 204 с.
  68. В.М. Деградационные процессы в тонкопленочных МДМ-катодах: Расчет распределения температурного поля в формованном канале и его окрестности / Гапоненко В. М., Нефедцев Е. В., Чернявский А. В. // Известия вузов. Физика.-1993.- N 9.-С.73−78.
  69. Баренгольц 10. А. МДМ-катод с составным верхним электродом / Баренгольц Ю. А., Диденко А. М., Хаскельберг М. Б., Янкелевич Ю. Б. //Тез.докл. IV Всес. симпозиума по ненакаливаемым катодам / Томск, 1980.-С. 232−233.
  70. Э.Г. Влияние особенностей микрорельефа поверхности электродов на характер нарушения электрической прочности диэлектрических пленок Э.Г. Косцов // Изв. вузов. Физика, — 1970.- N 7, — С. 63- 67.
  71. Tcherepanov A. Y. Flat panel display prototype using low voltage carbon field emitters / Tcherepanov A. Y., Chakhovskoi A, G" Sharov V, В // Journal of Vacuum Science & Technology В.- 1995.- V. 13, N 2.- P. 482−486.
  72. Hogarth C. A. The use of microprobe analysis for the study of the composition of the terminations of conducting filaments of M-I-M structures / Rakhshani A., Hogarth C. A. //J. Non-Cryst. Sol.-1976.-V.21, N 1.- P. 147−150.
  73. Biederman H. Electron emission into vacuum of Al-LiF-Au structures / Biederman H. //Thin Solid Films.- 1973.- V.18, N L- P. 39−43.
  74. П.Е. Изменение параметров системы Al-Si3N4-Al во времени / Троян П. Е. // Радиотехника и электроника.- 1976.- Т. 19, N 7.- С. 1562−1564.
  75. В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников идиэлектриков / Киселев В. Ф., Крылов О. В. М.: Наука, 1978. — 256 с.
  76. А.А. Электрический пробой и проводимость пленок ZnS-Mn, полученных ВЧ магнетронным распылением / Жигальский А. А., Мухачев В. А., Троян П. Е. // Тезисы докладов к Всесоюзной конференции по электролюминесценции / Ангарск, 1991. С. 28.
  77. А.А. Исследование электрического пробоя пленок ZnS-Mn, полученных ВЧ-магнетронным распылением / Жигальский А. А., Мухачев В. А., Троян П.Е.//Изв. вузов. Физика.- 1993.-Т 36, № 3.-С. 41−43.
  78. Г. Хасс. Физика тонких пленок, пер. с англ. под ред. Сандомирского В. Б. / Г.
  79. Хасс. //-М.: Мир, 1978.-Т.8.- 168 с.
  80. W. / Sinclair W. Peters F.G. Rev. // Sci. Instr., 33, P. 744, 1962.
  81. E.B. Исследование многократного пробоя тонких диэлектрических пленок в МДМ-системе: дис. канд. техн. наук / Иванова Е. В. Томск, 1976.- 153 с. it 89. Гитман Д. М. О температурном режиме «холодного» катода / Гитман Д. М.,
  82. Ю.Б. // Изв. вузов. Физика. 1977. -№ 7. — С. 147 — 153.
  83. В.М. Исследование электрической формовки и деградационных процессов в формованных системах металл-диэлектрик-металл: дис. канд. техн. наук / Гапоненко Владимир Михайлович. Томск, 1996. — 162 с.
  84. Као К. Перенос электронов в твердых телах / Као К., Хуанг В. М.: Мир, 1984.- Т.2.-386 с.
  85. Zeller H.R. Breakdown and prebreakdown phenomena in solid dielectrics / Zeller H.R. // IEEE Transact. Electr. Insulation.- 1987.- Vol. 22, N 2.- P. 115−122.
  86. В.М. Исследование механизма деградации эмиссионных центров в тонкопленочных МДМ-катодах / Гапоненко В. М. // Изв. вузов. Физика,-1992.-№ 1.- С. 49−52.
  87. В.А. Особенности процесса электрической формовки МДМ систем на основе пленок оксинитрида кремния / Бурдовицин В. А., Галанский В. Л., Смирнова К. И., Янкелевич Ю. Б. // Изв. вузов. Физика.1976.-№ 5.- С. 71−75.
  88. Dittmer G. Electron conduction, electron emisn and electrolyminescence of MIM sandwich structures with Si02, А120з insulating layers / Dittmer G. // Thin Solid Films.- 1972.- Vol. 9, N2.- P. 141−172.
  89. B.Jl. О влиянии водорода на формующийся МДМ-катод / Галанский В. Л., Сутягин А. В., Янкелевич Ю. Б. // Тез. докл. III Всес. симпозиума по ненакаливаемым катодам / Томск, 1977, — С. 58−59.
  90. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции /Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж.Мейера.- М.: Мир, 1982, — 576 с.
  91. Weinberg Z.A. The relation between positive charge and breakdown in metal-oxide-silicon structures / Weinberg Z.A., Nguyen T.N. // J. Appl. Phys.- 1987.- V 61.- P. 1947−1956.
  92. Г. А. Замечания к механизму эмиссии электронов из МДМ-катода / Воробьев Г. А., Сутягин А. В., Троян П. Е. // Радиотехника и электроника, 1977.-Т.22, N8.-С. 1747−1749.
  93. Kuriki S. Electroforming and conduction in thin anodized У20з films / Kuriki S., Noya A., Matsumoto G. // Thin Solid Films.- 1978. V.48, № 1, — P. 27−45.
  94. П.И. Особенности работы матрицы МДМ-катодов в отпаянном ЭВП / Антоненко П. И., Бурдовицин В. А., Лубсанов Р. Б // Электронная техника.- 1988, — Сер.4.- Вып.З.- С. 66−68.
  95. Tanaka К. Current voltage characteristics of А1-А120з-Аи devices in chlorine atmosphere / Tanaka K., Matsamoto G. // Thin Solid Films. 1975. — V. 27. — P. 5−7.
  96. С.А. Исследование электрофизических свойств тонкопленочных систем металл-диэлектрик-металл в экстремальных условиях внешней среды и электрических полей: дис. канд. техн. наук / Гынгазов Сергей Анатольевич Томск, 1995.- 171 с.
  97. Г. А. Процессы при пробое и электрической формовке системы металл-диэлектрик-металл / Воробьев Г. А., Гапоненко В. М. // Тез. докл. VI Всес. конференции по физике диэлектриков / Томск, 1988, — С. 15.
  98. Г. А. О природе эмиссии электронов из системы Al-Si3N4 -А1 / Воробьев Г. А., Троян П. Е. // Радиотехника и электроника. 1975. — Т.20, № 11.-С. 2415.
  99. В.О. Твердофазные взаимодействия пленок алюминия с двуокисью кремния / Угай Я. А., Тверлохлебова Л. Я., Анохин В. О. и др. // Неорганические материалы.-1974.-Т. 10, № 6.-С. 1033.
  100. Fisheti M.V. Generation of positive charge in silicon dioxide during avalance and tunnel electron injection / M.V. Fisheti // J. Appl. Phys. 1985. — V. 57, № 8.-P. 2860−2879.
  101. Ф.М. Влияние микрорельефа нижнего электрода на плотность эмиссионных центров МДМ-катода / Бенсон Ф. М., Троян П. Е. // Радиотехника и электроника. 1992. — Т. 37, № 7. — С. 1332 — 1336.
  102. DiMaria D. Theory of high-field electron transport and impact ionization in silicon dioxin / Arnold D" Cartier E., DiMaria D. // Phys. Rev. В., 1994. — V. 49, № 15.-P. 10 278- 10 297.
  103. А.П. О механизме диссипации энергии разогретых электронов в слоях двуокиси кремния / Барабан А. П., Булавинов В. В., Рыбаков М. О. // Изв. вузов. Физика, -1991.-№ 4.-С. 36−40.
  104. П.Е. Проводимость МДМ-структур после первой стадии формовки / Троян П. Е., Крамор С. С. // Тезисы V Международной конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения» (АПЭП-2000) / Новосибирск, 2000. Т. 2. — С. 140 — 142.
  105. П.Е. Влияние напряжения переключения на характеристики элементов памяти на основе формованной МДМ-структуры / П. Е. Троян // Микроэлектроника.-1996.-Т. 25, № 2.-С. 150- 152.
  106. A.M. Ловушки электронов в термических пленках Si(>2 на кремнии / Емельянов A.M. // Микроэлектроника 1986. т. 15, вып. 5. — С. 434 -472.
  107. Е.А. Микропористость аморфных пленок диоксида кремния / Репникова Е. А., Гуртов В. А. // Неорганические материалы. 1989. т. 25, № 7.-С. 1149−1151.
  108. В.Н. Исследование микропористости пленок Si(>2 методом МНПВО / Золотарев В. Н., Первеев А. Ф., Аркатова Т. Г., Муранова Г. Л. // Журнал прикладной спектроскопии. 1972. — т. 16, вып. 2. — С. 331 — 338.
  109. Е.Ю. Влияние реактивного ионного травления на пористость и величину заряда пленок диоксида кремния / Замалин ЕЛО., Гриднева Г. Н. // Микроэлектроника. 1986. — т.25, № 2.- С. 143 145.
  110. П.Е. Электрическая формовка тонкопленочных структур металл-диэлектрик-металл в сильных электрических полях/ П. Е. Троян Томск: Изд-во Томского университета, 2003. — 178 с.
  111. К.А. Память на основе нано МИМ — диода с углеродистой активной средой / Валиев К. А., Кудрявцев С. Е., Левин В. Л., Мордвинцев В. М., Савасин В. Л. // Микроэлектроника. — 1997 — т. 26, вып. 1. — с. 3 — 11.
  112. Е.И. Эмиссионные свойства пленочных катодов типа сэндвич / Таборко Е. И., Куздинцева Г. А., Панфилова В. П. // Электронная техника, сер. 1 Электроника СВЧ.-1972. — № 3.
  113. Успехи в области создания дисплеев с холодной эмиссией. // Зарубежная электронная техника. 1999. — № 1. — С. 62 — 69.
  114. Г. А. Электролюминесценция пленочных диодов А1-А1203-М / Филаретов Г. А., Стадев В. И., Бубнов Ю. З. и др. // Физика и техника полупроводников. 1967. — т. 1, № 10.- С. 1492- 1495.
  115. В.М. Влияние верхнего электрода на деградацию МДМ-катода / Гапоненко В. М., Лубсанов Р. Б., Подгорный В. М. //Тез. докл. XX Всес. конференции по эмиссионной электронике / Киев, 1987.- Т.1.- С. 169.
  116. В.А. Холодный катод на основе диэлектрического слоя, полученного в пенниговской газоразрядной камере / Ведерников В. А., Галанский В. А., Данилина Т. И., Троян П. Е. и др. // Электронная техника, сер. Материалы. 1976. вып. 4 — С. 114−115.
  117. Г. А. Зависимость плотности тока эмиссии МДМ-катода от площади эмитирующей поверхности / Воробьев Г. А., Троян Л. А., Троян П. Е. //Радиотехника и электроника. 1980.-т.25,№ 9.-С. 2011−2019.
  118. Г. А. Эмиссионная электроника / Добрецов Г. А., Гомоюнова Л. -М.: Наука. 1966.-381 с.
  119. С.С. Исследование процессов формовки и деградации эмиссионных параметров тонкопленочных систем металл диэлектрик — металл / Крамор С. С., Хаскельберг М. Б. // Изв. Высших учебных заведений. Физика. 2000.-№ 7-С. 8−12.
  120. JI.Р. Эффекты переключения и памяти в формованных МДМ-структурах: дисс. канд. ф.-м. наук / Битнер Лилия Райнгольдовна.- Томск. 1987.- 175 с.
  121. В.М. Влияние предварительной обработки диэлектрика напряжением на электрическую формовку тонкопленочной МДМ-системы / Гапоненко В. М. //Изв. вузов. Физика.- 1992.- N 10, — С. 48−50.
  122. В.М. Влияние скорости нарастания напряжения на электрическую формовку и пробой тонкопленочной МДМ-системы / Гапоненко В. М., Чернявский А. В //Изв. вузов. Физика, — 1992.-N 11.-С. 95−98.
  123. Р. Б, Электропроводность и деградационные процессы в формованной тонкопленочной структуре металл-диэлектрик-металл на основе оксинитрида кремния: дисс. канд. физ.-мат. наук / Лубсанов Ринчин Болданович. Томск, 1986. — 218 с.
  124. Мотошкин В. В, Влияние плотности эмиссионных центров на скорость де-градационных процессов в тонкопленочных МДМ-катодах / Гапоненко В. М., Мотошкин В. В. // Известия вузов. Физика,-1992, — N 6.-С.95−98.
  125. Petersburg A.R. The Future for Flat PC Desktop Monitors / Petersburg A.R.// Proceedings of the Society for Information Display Symposium, San Jose, CA/ USA.-1999.-P. 123−126.
  126. E.A. Особенности колебательных спектров алмазоподобных и полимероподобных пленок а-С:Н / Е. А. Коншина, А. И. Вангонен. // Физика и техника полупроводников. 2005. — т. 36, вып. 5, — С. 616−622,
  127. Ю.В. Микроскопические исследования пленок Si02+C / Ю. В. Сахаров, А. С. Макрушин, П. Е. Троян. // Известия вузов. Физика,-2006. -№ 2. -С. 88−89
  128. А.Т. «Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокри-сталлических углеродных и наноалмазных пленках / А. Т. Рахимов, Н. В. Суетин, Б. В. Селезнев и др // УФН. 2000, — Т. 170, № 9. — С. 996−999.
  129. А.Н. Автоэлектронная эмиссия в графитоподобных пленках / Образцов А. Н., Павловский И. Ю., Волков А. П. // ЖТФ 2001, Т. 71, № 11, С. 89−90.
  130. А.Ф. Некоторые аспекты использования углеродных материалов в автоэлектронных эмиссионных катодах / Бобков А. Ф., Давыдов Е. В., Зайцев С. В//ЖТФ.-2001.- Т. 71,№ 1L- С. 95.
  131. А.В. Влияние очистки на электронную структуру и автоэмиссионные свойства углеродного материала, содержащего однослойные нанот-рубки / А. В. Окотруб //ЖТФ. 2004.- т. 126, № 6. — С. 1425−34.
  132. Ю.В. Нанотрубные углеродные структуры новый материал эмиссионной электроники / Гуляев Ю. В., Синицын Н. И., Торгашов Г. В. // Журнал „Микроэлектроника“.- 1997.- т.26, № 2.-С.84−88.
  133. Е. П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов / Шешин Е. П. М.: Издательство МФТИ, 2001. — 288 с.
  134. П.А. Потенциальные электрические поля / Борисов П. А., Осипов Ю. М. Изд-во СПб ГУ ИТМО, 2004.- 114 с.
  135. Организация-разработчик Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, кафедра ФЭ.
  136. Работа выполнена аспирантом Сахаровым Юрием Владимировичем, доцентом Жигальским Александром Анатольевичем под руководством зав.каф. ФЭ ТУСУР Трояна Павла Ефимовича.
  137. Представители АНО МНЦТЭ ст. науч. сотрудникзам дирею1. JB. Пуховой1. А. Шикуло
  138. Представители ТУСУР зав. каф ФЭl/1. П.Е. Троян
  139. Научной работе ТУСУР В.Н.Ильюшенко1. Утверждаю» проректор по
  140. Предметом внедрения являются разработанное технологическое устройство для получения пленок диэлектриков и композитных материалов, блок питания распылительного устройства, установка безмасленной откачки, техническая и технологическая документация.
  141. Установка и технологический процесс получения пленок оксинитрида кремния используются при проведении НИОКР по созданию сложных многослойных фоточувствительных структур на основе КРТ.
  142. Зав. лабораторией д.ф.-м.н., профессор1. А.П.Коханенко
  143. Директор НОЦФМРО д.ф.-м.н., профессор1. А.В. Войцеховскийтверждаю"
  144. ФГНУ НИИ ЯФ «Рябчиков А.И.2006 г1. АКТвнедрения технологии получения многослойных структур Та-С-Та
  145. Полученные результаты используются для проведения исследований в области создания рентгеновского волновода, выполняемых в рамках гранта РФФИ № 04−02−17−580ведущий научный сотрудник ФГНУ НИИ ЯФ1. В.В.1. Утверждаю»
  146. ФГНУ НИИ ЯФ Ск — & J Рябчиков А.И.2006 г1. АКТвнедрения технологии получения пленок диоксида кремния с контролируемой пористостью
  147. Полученные результаты использовались при проведении исследований по созданию ассиметричных трековых мембран, выполняемых по ЕЗН.с.н.с. ФГНУ НИИ ЯФ1. Сохорева В.В.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!