Влияние адсорбции цезия с кислородом и органических молекул на электронные свойства поверхностей полупроводников для эффективных эмиттеров
Диссертация
Владивосток, 2005 г.), VII международной конференции «Опто-наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2005 г.), научной конференции «Приоритетные направления развития науки, технологии и техники» (Москва, 2005 г.), научной конференции с международным участием «Технологии 2005» (Анталия, 2005 г.), научно-исследовательской конференции «Фундаментальные исследования» (Москва… Читать ещё >
Список литературы
- Salaneck W.R., Lagdlung M., Fahlman M. New methods in modification of surface properties//Materials Science and Enginering.-2001.-v.R34.-p. 121−123.
- Ying-Huang Lai, Wei-Hsiu Hung. Thermal Reaction of Methanetiol and Ethanetiol on Si (100)//J.phys.Chem.B.-2001.-107.-p.9351−9356.
- Komolov A.S. Electronic charge distribution at interfaces between semiconductor sufaces.//Surf.Sci. 2003.- 36.-.p. 1004−1010.
- Averin D.V., Likharev K.K.//Mesoscopic Phenomena in Solids//Ed.by B.L.Altshulers., P.A.Zee. Amsterdam: Elsevier, 1991.-173 p.
- Kirgueris C., Bourgoin J. Comparasion of the electronic structure of organic films//Phys.Rev.B.-1999.-v.59.-p. 12 505−12 513.
- Драпак С.И., Орлецкий В. Б., Ковалюк З. Д. Гетероконтакт полупроводник-прополис//Письма в ЖТФ.-2003.-том.29.-вып.20.-с. 69−76.
- Комолов А.С. Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейса пленок олиго(фенил-венилена) с поверхностью Ge (l 11)//ЖТФ.-2004.-т.74.-вып.5.- с. 113−116.
- Zigler С. Handbook of organic conductive molecules and polymers. N.Y.: Wiley, 1997.-p.677.
- Guo Q., McBreen P.H., Moller P.J. Adsoфtion of C2H4 on Si (001): Core-level photoemission.//Surf.Sci.-1999.-v.423 .-.p. 19−27.
- Naka K., Shimomura M., Sanada N./Surface structure and electronic states of organic/InP (001)/Journal of Applied Physics.-1996.-79.-p.4193.
- Грищук В.П., Давиденко C.A., Жолнер И. Д., Вербицкий А. В., Курик М.В.//Письма в ЖТФ.-2002.-т.28.-в.21. с.36−41.
- M.Rufael T.S., Batteas C.M., Freand J.D.Electronic properties of organic films// Surf.Sci.- 1990.-V.354.-p.156.
- Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела.- М.: Мир, 1980.- 330 с.
- Вартепенян P.M., Полищук A.M. Механизмы адсорбции молекул.//Успехи химии.-1995 .-т.64.-№ 11 .-с. 1055−1072.
- Волькенштейн Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука, 1987. — 375 с.
- Martine-Pastor J., Segura A., Valdes J.L., Chery A.//Appl.Phys.-1987.-v.21.-N2.-p. 1472−1483.
- Бехштедт Ф. Поверхности и границы раздела полупроводников / Ф. Бехштедт, Р. Энедерлан. М.: Мир, 1990. — 488 с.
- Белл P. J1. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством.-М.: Энергия, 1978.-192 с.
- Bechstedt F., Schefler М. Alkali adsorption on GaAs (llO): atomic structure, electronic states and surface dipoles//Surf.Sci.Rep. 1993.-v.l8.-p.l45−198.
- Barden J. Surface states and rectification at a metal semiconductor contact//Phys.Rev. 1967.- 71.-p.717.
- DiNardo N.J., T. Maeda Wong and E.W. Plummer// Semiconductor-to-metal transition in an ultrahin interface: Cs/GaAs (110) // Phys. Rev. Lett.-1990.-65, № 17.- p. 2177−2180.
- Scheer J.J. and J. van Laar. GaAs-Cs: a new type of photoemitter // Solid State Communication. -1965.- 3.-p.l89.
- Pankratov O. and M. Scheffler//Bound bipolaron at the surface: The negative behavior of GaAs with adsorbed alkali metals//Phys.Rev.Lett.-1993.-71(17).-p.2797−2800.
- Силкин B.M., Заргарьянц M.H., Чулков E.B. Электронная структура поверхности GaAs(llO) с адсорбированными слоями цезия//Поверхность.-1990.- 7. с.77−85.
- Арсенид галлия в микроэлектронике- Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Наука, 1988.- 246 с.
- Проблемы физики поверхности полупроводников//под ред. Снитко О. В. -Киев.: Наукова Думка, 1987.- 462 с.
- Харрисон, Уолтер А. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. М.: Мир, 1983, т.1.- 480 с.
- Полупроводниковые соединения А3В5- Под редакцией Р. К Виллардсона и X.JI. Гёринга. Москва.: Металлургия, 1967.- 398 с.
- Kaxiras Е, Y. Bar-Yam, J.D. Joannopulos, and Pandey K.C. Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. Methodology and the (2×2) reconstruction of GaAs (l 11) A.//Phys.Rev.B.-1987.-35(18).-p.9625.
- Kaxiras E., Y. Bar-Yam, J.D.Joannopulos J.D., and K.C.Pandey K.C. Ab initio theory of polar semiconductor surfaces. The (2×2) reconstruction and related phase transitions of GaAs (l 1 l) B.//Phys.Rev.B.- 1987.-35.- p.9636
- Stirland D.J., Straughan B.W. A Review of Etching and Defect Characterization of Gallium Arsenide Substrate Material//Thin Solid-Films-1976.-v31-p.139.
- Ивокин И.В., Красильникова JT.M. Влияние способа обработки поверхности GaAs на её морфологию//Изв.вузов. Физика.-1972.-11.-е. 137.
- Возмилова Л.Н., Ступина Н.М.Травление GaAs в смесях азотной кислоты с другими неорганическими кислотами//Сб. «Арсенид галлия». Томск: Издательство ТГУ, 1970. в.З. — с.210.
- Sullivan M.V.and Pompliane L.A. A chemical Polishing Technique for Gallium Arsenide//J.Appl.Phys.-1960.-31 .-p.611.
- Wood D.R. and Morgan D.V. The Characterization of GaAs surfaces//J.Elechtrochem. Soc.-1975.-122. № 6 — p.773.
- Shiota I., Motoya K., Ohmi Т., Nishizaws N. Auger Characterization of chemically Etched GaAs Surfaces//J. Electrochem.Soc.-1977.- 124.-p.155.
- Полинг JT. Природа химической связи. -М.:Госхимиздат, 1947.-386 с.
- Арсенид галлия. Получение, свойства и применение. Под редакцией Ф. П. Кесеманлы и Д. Н. Наследова. М.: Наука. 1973.-412 с.
- S.Y. Tong, W. N. Mei and G.Xu. The geometric structure of the GaAs (lll) and GaAs (l 10)//J. Vac. Sci. Technol. B.-1984.-2.-p. 393.
- Харрисон, Уолтер А. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи. М.: Мир, 1983, Т.2.-457 с.
- Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967.-165 с.
- Алексовский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. JL: Химия, 1976. — 140 с.
- Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников: Сб. науч. трудов./Институт физики полупроводников.-Новосибирск: Изд-во Наука, 1975.-298 с.
- Haneman D. Surface structures and properties of diamond structure semiconductors.-Phys.Rev.-1961 .-№ 4.-p. 1093−1100.
- Gatos H. C., Lavine M.C. Adsorption kinetics of molecules on semiconducting III-V compounds//Journ. Electrochem. Soc.-B107.-1960.-p.427.
- Dinan J.H., Calbrataith B.K., Fisher T. E, Electronic properties of clean cleaved GaAs surfaces//Surf.Sci.,-1971 .-№ 26.-p.587−604.
- Chadi D. J. Surfase states of GaAs- sensitivity of electronic structure to surface structure//Phys. Rev В.,-1978.- p. 184.
- Chelikowsky T.R., Cohen M.L. Surface State in Zincblende Semiconductors//Phys.Rev.B: Solid State.-1976.- v, 13.-№ 2.-p.826−834.
- Ludcke R. Koma A. Electronic Surface State on Clean and Oxyden-Exposed GaAs Surface//J.Vac. Sci. and Technol.-1976,-v. 13.-№ 1.- p.241−247.
- Louis E., Elges M. Pseudopotential Calculations of the Surface of (111) Diamond and Zincblende Faces: Ge, GaAs and ZnS. Phys.Rev.B. Solid State.-1975.-vl2.-№ 2.-p. 618−623.
- Marsi P., Lanoo M.A. Calculation of the Intrinsic (111) Surface State on the Zincblende ANB8'N Compounds//Surf. Sci.-1975.-v.52.-p. 377−390.
- Eastman D.E., Grobman W.D. Photoemission Densities of Intrinsic Surface States for Si, Ge, GaAs//Phys. Rev. Lett.-1972.-v.28.-№ 21.-p.l378−1381.
- Блиев А.П. Исследование атомной структуры и работы выхода атомарно-чистых поверхностей кристаллов германия, кремния и галлия арсенида: Диссертация канд. физ.-мат.наук/МИСиС.-Москва, 1981.-133 с.
- Faraci G., Pennisi A.R., Gozzo F., Rosa S.L., Maegaritondo G.-Cs bonding at the Cs/GaAs (l 10) interface//Phys.Rev. 1996, v.53, № 7, p.3987−3992.
- Гусев А.О.-Химические связи и электронные свойства систем Cs/GaAs (100) и S/GaAs (001): Диссертация канд.физ.-мат.наук/ФТИ РАН.-Санкт-Петербург, 1995.-134 с.
- Kamaratos М., Bauer Е. Interaction of Cs with the GaAs (lOO) surface//J. Appl. Phys.-1991 .-v.70.-№ 12.-p.7564−7572.
- Yamada K., Asanari J., Naitoh M., Nishigava S.-Co-adsorption of cesium and oxygen on GaAs (OOl) surface studied by metastable de-excitation spectroscopy.//Surf. Sci.-1998.-v.402−404.-p.683−686.
- AlperovichV.L., Paulish A.G., Terekhov A.S. Domination of adatom-induced over detect-induced states on p-type GaAs (Cs, O) at room temperature//Phys. Rev.B.-1994.-v.50.-№ 8.-p.5480−5483.
- Spicer W.E., Chye P.W., Skeath P.R., Su C.Y., Lindau I. New and unfitted model Schottky barrier and III-V insulator interface states formation. //J. Vac. Sci. Tech.-1979.- v. l6.-№ 5.-p.l422−1432.
- Plummer E.W., Wong T.M., Dinardo N.J. Semiconductor-to-metall interface: Cs/GaAs (l 10)//Phys. Rev. Lett.-1990.-v.65.- № 17.-p.2177−2180.
- Полинг Д., Полинг П. Химия. М.: Мир, 1978.-497 с.
- Kampen T.U., Eyckeler М., Monch W. Electronic properties of cesium-covered GaN (OOOl) surface.//Appl. Surf. Sci.-1998,-v. 123/124.-p.28−32.
- Rodway D. J., Allenson M.B. In situ surface study of the activating layer on GaAs (Cs, O) photocathodes// J. Appl.Phys.-1986.- vl9.-p.l353−1371.
- Sommer A.H., Whitaker H.H., Williams B.F. Thickness of Cs-O films on GaAs (Cs) and GaAs (Cs-O) photocathodes.//Appl.Phys.Lett.-1970.-v.l7.-№ 7.-p.273−274.
- Термодинамические свойства неорганических веществ. Справочник. Под ред. Зефирова А. П. М.: Атомиздат, 1965.-c.459.
- Goldstein В. On the chemical processes GaAs/Cs// Surf.Sci.-975.-v.47.-№l.-p.143.
- Goldstein В., Szostak D. Different bonding states of Cs and О on highly photoemissive GaAs by flach desorption experiments//Appl.Phys.Lett.-1975.-v.26.-№ 3.-p.l 11−113.
- Gusev A.O., Paget D., Aristov V.Yu., Soukiassian P., Berkovits V.L., Thierry-Mieg V. Combined reflectance anisotropy and photoemission spectroscopy of Cs/GaAs (001) interface formation //J.Vac.Sci.Technol.A.-1997.-v.l5.-№l.-p.192−195.
- Смирнов Р.И., Климин А. И. О химических процессах, происходящих при формировании GaAs-фотокатода с отрицательным электронным сродством.//Поверхность. Физика. Химия. Механика.-1984.-№ 10. с. 27.
- Rodway D. AES, photoemission and work function study of Cs on (100)GaAs epitaxial layers // Surf.Sci.-1984.-v.l47.-№l.-p.l03-l 14.
- Goldstein В. LEED-Auger characterization of GaAs during activation to negative electron affinity by the adsorption of Cs and 0//Surf.Sci.-1975.-v.47. -№ 1.-p. 143−161.
- Fisher D.G. The effect of Cs-O activation temperature on the surface escape probability of NEA (In, Ga) As photocathodes.//IEEE Trans. Devices, 1974, ED21.-p.541−542.
- Sonnenberg H. Low-work function surface for negative-electron-affinity photoemitters // Appl.Phys.Lett.-1990.-v.l4.-p.289−291.
- Su C.Y., Spicer W.E., Lindau I. Photoelectron spectroscopic determination of the structure of (Cs, 0) activated GaAs (l 10) surfaces//J. App.Phys.-1983.-v.54.-№ 3.-p. 1413−1422.
- Remmers G., Prietsch C., Domke M., Kaindl G. Oxidation of alkali/GaAs (l 10) interface//J.Electr.Spectr.Relat.Phen.-1990.-v.52.-p.79−89.
- Орлов Д.А. Исследование фотоэмиссии из GaAs с отрицательным электронным сродством методом спектроскопии эмитированных электронов: Диссертация канд.физ.-мат. наук / ИФП СО РАНУ-Новосибирск, 1998.-144 с.
- Ляшенко В. И., Литовченко В. Г. Влияние адсорбции молекул на работу выхода и проводимость германия//ЖТФ.-1958.-т.ХХУН.-№ 3.-с.447−459
- Forrest S.R. Organic layer by geometrical modification of Si (100)//Chem.Rev.-1997.-v.97. p.1793−1896.
- Zavodinsky V.G., Kuyanov I.A., Chukurov E.N. Cluster modeling of the trimethylphosphine adsorption and dissociation on the Si (lll)-7×7 surface.//Phys.Low-Dimens.Struct.-1999.-№ 1 -2.-p.5−151.
- Kastner M.A. Organic films on Si (lll) // Rev. Mod. Phys.-1992.-v.64.-p.849−858.
- Monch R. Adsorption of CH3OH on Ge (lll)//Surf. Sci.- 1994.-v.299.-300.-p.928−944.
- Григорьев Е.И., Воронцов П. С., Завьялов С.А.//Письма в ЖТФ.-2002.-т.28.-в.20.-с.15−21.
- Hill. J.G. Rajagopal A., Kahn A. Molecular level alignment at organic semiconductor metal interfaces//Appl.Phys.-1993.-v.73.-№ 5.-p.662−664.
- Fahlman M., Salaneck W.R. Adsorption kinetics of organic molecules on Si and Ge.//Surf.Sci.-2002.-v.500.-p.904−922.
- Фрумкин A. H., Дамаскин Б. Б. Адсорбция органических соединений на электродах.-М.: Изд-во АН СССР, 1967.-358 с.
- Pinotti Е., Sassella A. Electrical characterization of organic films by transient currentmethods//Phys. Rev.B.-1999.-v.61.-№ 18.-p.l 1923−11 931.
- Нестеренко Б.А., Снитко O.B. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наук. Думка, 1983.-342 с.
- Greenham N.C., Reng X., Alivisatos А.Р. Study of acetylene adsorption on the Si (100)//Phys.Rev.B.-1996.-v.54.-p. 17 628−17 637.
- Мигатов Ю.С., Сергеева Jl.M. Адсорбция полимеров. Киев: Наукова Думка. 1972.-196 с.
- Пунегов В.И., Нестерец Я. И. Адсорбция органических молекул из различных растворов//ЖТФ.-1992.-Т. 14.-№ 3.- с.127−139.
- Xu S.H., Yang Y., Keefe М., Lapeyre G.J. High-resolution photoemission study of acetylene adsorption and reaction with the Si (100)-2xl surface.//Phys.Rev.B.-1999.-v.60.-№ 16.-p. 11 586−11 592.
- Hanley L., Yongsoo Choi, Erick R., Schlossman M. Controlling the nanoscala morphology of organic films deposited by polyatomic ions//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B.-1998.-203.-p.l 16−123.
- Когановский A.M. Адсорбция органических веществ из воды / A.M. Когановский, Н. А. Клименко, Т. М. Левченко. Л.: Химия, 1990.-256 с.
- Ржанов А.В. Физика поверхности полупроводников. М.: Наука, 1963.418 с.
- Takaisi-Kinuni N.G.//Planya Med.-1994.-v.60.-N3. р.222−228.
- Burrougnes J.H., Bradley D.D.C., Brown A.R.//Nature.-1990.-v.347.- p.539−544.
- Greczynsky G., Kugler Т., Salaneck W.R.//Cur.Appl.Phys.-2001 .-v. 1.- p.98−112.
- Комолов A.C. Фотовольтаический эффект в пленках поли(алкилтиофена) на кремниевой подложке//ФТТ.-2001.-т.43.-вып.2.-с.379−382.
- Kern W. Chemical Etching of Silicon, Germanium, Gallium Arsenide and Gallium Phosphide//RCA Review.-1978.-38.-№ 2.-p.278.
- Lida S., Jto K. Selective Etching of Gallium Arsenide Crystals in H2SO4-H202-H20 System//J.Electrochem.Soc.-1971.-l 18.-№ 5.-p.768.
- Tuck B. The Chemical Polishing of Semiconductors//J.Materials Sci.-1975.-10.-P.321−339.
- Зандерна M. Методы анализа поверхности. M.: Мир, 1979.-582 С.
- Бачыньски Я., Малэцки X., Стемпиньский М. Установка для измерения работы выхода электронов из металла методом динамического конденсатора//ПТЭ-1979.-№ 4. с.205−206.
- Anderson Р.А. The work function of copper//Phys. Rev.-1949.-№ 3.-p.388−390.
- Riviere J.C. Contact potential difference measurement by Kelvin method//Proc.Phis.Soc.-l957.-70.-p.676.
- Holseher A.A. Field emission potential method for measuring work function//Surf.Sci. -1966.-№ 4. p.89−102.
- Riviere J.C. The work function of gold//Appl.Phys.Lett.-1966.-№ 8.-p.l72.
- Clements H.J. Van J. Wienakowsky. On the interaction of cesium cleaved GaAs (llO) and Ge (lll) surface: work function measurements and adsorption site model//Surf.Sci.-1978.-78. p.468−666.
- Фирмэнс Л., Электронная и ионная спектроскопия твердых тел / Л. Фирмэнс, Вэнник Дж., Декейсер В. М.: Мир, 1981.- 428 с.
- Спенс Дж. Экспериментальна электронная спектроскопия высокого разрешения. М.: Наука, 1986.-379 с.
- Наконечников А.В., Блиев А. П. Особенности энергетического спектра полярных граней арсенида галлия//Материалы конференциик
- Приоритетные направления развития науки, технологии и техники", Москва / Успехи современного естествознания.-2005.-№ 6.-с.39−40.
- Derrien J., D’Avitaya A. Adsorption of cesium on gallium arsenide (110y/Surf. Sci.-1977.-v.65.-p.668−689.
- Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.:Мир, 1989.-510 с.
- Терещенко О.Е. Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, 0): Диссертация канд. физ.-мат. наук/ИФП СО РАН.- Новосибирск, 1999.-168 с.
- Блиев А.П., Наконечников А. В. Электронная структура полярных граней арсенида галлия с пленками цезия и кислорода на поверхности// Известия вузов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки.-2005.-№ 5.- с. 1827.
- Блиев А.П., Наконечников А.В. Энергетический спектр поверхностиf
- GaAs (l 11) при коадсорбции цезия и кислорода // Материалы конференции
- Фундаментальные исследования", Москва / Успехи современногоестествознания.-2005.-№ 3.- с.26−27.
- Рамбиди Н.Г. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. М.: Наука, 1985. — 224 с.
- Kanski J., Hua Q., Nilsson P.O., Karlson U.O. Photoemission studies of the GaAs (100)-4xl surface//J.Electr.Spectr. Relat. Phenom.-1990.-v.52.-p. 133−138
- Kierren В., Paget D. Formation of the Cs/GaAs (001) interface: Work function, cesium sticking coefficient and surface optical anisotropy. J. Vac. Sci.Technol.A.-1991.-v. 15.-№ ip.2074−2080.
- Некрасов Б.В. Основы общей химии. М.: Химия, 1973.- т.1. — 580 с.
- Наконечников А.В., Блиев А. П. Фотоэмиссионные исследования адсорбции цезия на полярных гранях арсенида галлия//Труды IX конференции по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов. Владивосток, 2005. — с.74−76.
- Ley L., Pollak R.A., McFeely F.R., Kowalczyk S.R., Shirley D.A. Total valence-band densities of states of III-V and II-VI compounds from x-ray photoemission spectroscopy//Phys. Rev.-1974.-v9.-№ 2.-p.600−621.
- Bechsted F. and Scheffler M.//Surface Science Report.-1993.-№ 18.-p. 145.
- Vergara G., Gomes L.J., Capmany J., Montojio M.T. Adsorption kinetics of cesium and oxyden on GaAs (lOO) (A model for the activation layer of GaAs photocathodes)//Surf. Sci.-1992.-v.278. p.131−145.
- Физические величины. Справочник. Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.:Энергоатомиздат, 1991. — 1054 с.
- Поверхностные свойства твердых тел- Под ред. Грина М.- М.: Мир, 1972.- 432 с.