Влияние рентгеновского излучения на параметры полупроводниковых изделий
Диссертация
В современном производстве повышаются требования к качеству и надежности полупроводниковых изделий (ПЛИ) — полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров, транзисторов) и интегральных схем (ИС). Чтобы отбраковать потенциально ненадежные изделия необходимо создать диагностические методы в дополнение к существующим технологическим отбраковочным испытаниям. Данные методы уже применяются… Читать ещё >
Список литературы
- Википедия. Свободная энциклопедия Электрон, дан. — Режим доступа: Ь11р://т^1к1ресИа.оге^1к1/Рентгеновское излучение.
- Энциклопедия физики и техники Электрон, дан. — Режим доступа: http://www.femto.com.ua/articles/part2/3422.html
- Горбунов В.И. Рентгеновское излучение: учеб. пособие / В. И. Горбунов, Г. А. Куницин. Томск: ТПИ, 1977. — 72с.
- Чернышев А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А. А. Чернышев. М.: Радио и связь, 1988. — 256 с.
- Коршунов Ф.П. Радиация и полупроводники / Ф. П. Коршунов. -Минск: Наука и техника, 1979. 83 с.
- Вавилов B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах / B.C. Вавилов, Н. А. Ухин. М.: Атомиздат, 1969.-452 с.
- Larin F. Radiation effects in semiconductors devices / F. Larin. New York, 1968.-380 p.
- Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов / Я. А. Федотов. М.: Сов. радио, 1969. — 427 с.
- Вологдин Э.Н. Некоторые вопросы физики радиационных повреждений в полупроводниковых приборах. 4.1. Транзисторы / Э. Н. Вологдин, Е. А. Ладыгин, В. И. Шаховцов. Киев, 1972. — 374 с.
- Sah С. Effects of surface recombination and channel on p-n junction and transistor characteristics / C. Sah // Trans. IRE. 1962. — v. ED-9. — № 1. — P. 35 — 40.
- Митчел Дж. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией / Дж. Митчел, Д. Уилсон. М.: Атомиздат, 1970. 402 с.
- Snow F.H. Effects of ionizing radiation on oxidized silicon surfaces and planar devices / F.H. Snow, A.S. Grove, D.J. Fitzgerald // Proc. IEEE. -1967. v. 55. — № 7. — P. 62−71.
- Holmes-Seidle A. Neutron-induced damage to silicon rectifiers / A. Holmes-Seidle, K. Zaininger // IEEE trans. 1967. — v. R-17. — № 1. — p. 5. 12.
- Brown R. Energy dependence of proton and electron displagement effects on silicon semiconductor devices / R. Brown // In: Report on Intern. Conf. on Radiation effects in semiconductors. Toulouse. — 1967. — P. 107 — 113.
- Кулаков B.M. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / В. М. Кулаков, Е. А. Ладыгин, В. И. Шаховцов и др.- Под ред. Е. А. Ладыгина. М.: Сов. радио, 1980. — 224 с.
- Малин Б.В. Параметры и свойства полевых транзисторов / Б. В. Малин, М. С. Сонин. М.: Энергия, 1967. — 302 с.
- Нарышкин А.К. Теория низкочастотных шумов / А. К. Нарышкин, A.C. Врачев. М.: Энергия, 1972. — 153 с.
- Тимащев С.Ф. Принципы фликкер шумовой спектроскопии / С. Ф. Тимащев // Мат. докл. научн. — техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», М.: 1995. — С. 13−24.
- Тимащев С.Ф. Что такое фликкер шум в электровакуумных системах? / С. Ф. Тимащев // Мат. докл. научн. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», М.: 1999. — С. 239 -260.
- Врачев A.C. Низкочастотный шум свойство диссипативных систем / A.C. Врачев // Мат. докл. научн.- техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», М.: 1995. — С. 43 -56.
- Исследование и разработка методов неразрушающего контроля качества и методов анализа отказов изделий микроэлектроники / отчет о НИР РТ -359, Per. № 1 840 010 239. Ленинград, 1984. — 86 с.
- Жигальский Г. П. Неразрушимый контроль качества и предсказание надежности интегральных микросхем по электрическим шумам и параметрам надежности / Г. П. Жигальский // Радиотехника и электроника. 2005. — № 5. — С. 1−35.
- Hooge F.N. 1/f noise is no surface effect / F.N. Hooge // Phys. Lett. 1969.-№ 29.-P. 139-140.
- Горлов М.И. Диагностика твердотельных полупроводниковых структур по параметрам низкочастотного шума / М. И. Горлов, Л. П. Ануфриев,
- A.П. Достанко, Д. Ю. Смирнов. Минск: Интегралполиграф, — 2006. — 112 с.
- Горюнов H.H. Влияние гамма-излучения на шумовые характеристики КМОП-структур / H.H. Горюнов, A.B. Паничкин // Мат. докл. науч. техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниках». -М, 1995.-С. 247−257.
- Патент РФ № 2 066 869, МКИ G 01 R 31/26, Способ отбора радиационностойких изделий электронной техники, опубл. 20.09.96, бюл. 26.
- Патент США № 4 816 753, МКИ G 01 R 31/26, Способ испытаний на надежность интегральных схем, опубл. 28.03.89.
- Чернышев A.A. Радиационная отбраковка полупроводниковых приборов и интегральных схем / A.A. Чернышев, В. В. Ведерников, А. И. Галеев // Зарубежная электронная техника. 1979. Вып. 5. — С. 3−25.
- Патент РФ 95 103 986, МПК G 01 R 31/28 AI Способ отбора пластин с радиоционностойкими МОП-интегральными схемами / A.B. Шумилов, JI.H. Фролов, Ю. В. Федорович, опубл. 27.07.96. 5 с.
- Патент РФ 2 168 735, МПК G 01 R 31/26, 31/28 С2 Способ отбора изделий электронной техники по стойкости или надежности / З. Ф. Васильева,
- B.В. Коскин, И. Г. Лукица, В. Б. Лысов, В. Г. Малинин, Л. А. Матвеева, опубл. 10.06.2001.- 11 с.
- Ван дер Зил А. Шум источники, описание, измерение: Пер. с англ. / Под ред. А. К. Нарышкина. — М.: Сов. радио, 1973. — 178 с.
- Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на полупроводниковые диоды / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Антонова // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. Воронеж: ВГТУ, 2011.-Вып. 10.-С. 99- 103.
- Горлов М.И. Способы разделения полупроводниковых приборов по надежности с использованием низкочастотного шума и рентгеновского облучения / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева // Микроэлектроника. 2011.-Т. 40. № 1. — С. 52−56.
- Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на электрические параметры полупроводниковых изделий / М. И. Горлов, Р. Н. Антонов, Е. А. Антонова // Технологии в электронной промышленности. 2012. № 6. — С. 76 -81.
- Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на полупроводниковые диоды / М. И. Горлов, Е. А. Антонова //17 международная научно-техническая конференция «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» Сб.докл. — М.: МЭИ, 2013. — С. 238 — 239.
- Горлов М.И. Способ разделения транзисторов по надежности / М. И. Горлов, Е. А. Антонова, Д. Ю. Смирнов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. Воронеж: ВГТУ, 2010. — Вып. 9. — С. 40 -43.
- Горлов М. И Модель прогнозирования низкочастотного шума / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева, И. А. Шишкин //16 международная научно-техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь», Сб. докл. № 1. Воронеж, 2010. — С. 524 — 527.
- Горлов М.И. Влияние рентгеновского излучения на электрические параметры транзисторов КТ602 / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Антонова // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2011.1. Т. 7.-№ 1.-С. 170- 173.
- Горлов М. И Метод разделения транзисторов по надежности / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева // 42 международный научно-методологический семинар «Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниках», Сб. докл. № 1. М, 2012. — С. 97−100.
- Горлова М.И. Влияние рентгеновского излучения на полевые транзисторы / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Антонова // 17 международная конференция «Современная техника и технология», Томск, 2011. С. 147 — 148.
- Горлов М.И. Способы разделения тиристоров по надежности с использованием низкочастотного шума и рентгеновского облучения / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева // Дефектоскопия. 2010. № 12. — С. 23 -26.
- Горлов М. И Влияние рентгеновского излучения на низкочастотный шум ИС / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева // Известия вузов. Электроника. 2010. № 4(84). — С. 8 — 13.
- Горлов М.И. Способы сравнительной оценки партий полупроводниковых изделий по качеству и надежности / М. И. Горлов, Е. А. Антонова, P.M. Тихонов // Вестник Воронежского государственного технического университета. 2011. Т. 7. — № 6. — С. 18 — 20.
- Gorlov M.I. The Influence of X-Ray Radiation on the Low-Frequency Noise of Integrated Circuits / M.I. Gorlov, D.Yu. Smirnov, and E.A. Zolotareva // Russian Microelectronics, 2011. Vol. 40. — No. 7. — P. 97 — 101.
- Горлов М.И. Способ выделения интегральных схем повышенной надежности / М. И. Горлов, Е. А. Золотарева, Е. П. Николаева // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. Воронеж: ВГТУ, 2009. -Вып. 8. — С. 37 — 39.
- Горлов М.И. Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М. И. Горлов, Е. А. Антонова, Д. Ю. Смирнов // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. Воронеж: ВГТУ, 2010. -Вып. 9. — С. 44 — 47.
- Горлов М.И. Влияние рентгеновского облучения на цифровые ИС / М. И. Горлов, Е. А. Антонова // Твердотельная электроника и микроэлектроника: мужвуз.сб.науч.тр. Воронеж: ВГТУ, 2012. — Вып. 10. — С. 99 — 103.
- Горлов М.И. Влияние рентгеновского излучения на электрические параметры и низкочастотный шум цифровых интегральных схем / М. И. Горлов, Р. Н. Антонов, Е. А. Антонова // Дефектоскопия. 2013. № 5. — С. 39 — 44 .
- Аронов B.JI. Полупроводниковые приборы: Транзисторы, справочник / B.JI. Аронов, A.B. Баюков, A.A. Зайцев и др.- под ред. H.H. Горюнова. М.: Энергоатомиздат, 1983. — 904 с.
- Справочник электронных компонентов. Электрон, дан. — Режим доступа: http://chiplist.ru/diodes/KD521G.
- Горлов М.И. Электростатические заряды в электронике / М. И. Горлов, A.B. Емельянов, В. И. Плебанович. Мн.: Бел наука, 2006. — 295 с.
- Горлов М.И. Технологические отбраковочные и диагностические испытания полупроводниковых изделий / М. И. Горлов, В. А. Емельянов, Д. Л. Ануфриев Мн.: Белорусская наука. 2006. — 367 с.
- Patent 4 816 753 United States, Int. CI. G 01 R 31/26 Method and apparatus for radiation testing of electron devices / Leslie J. Palkuti, Sunnyvale, Calif № 481 772, date of Patent 11.03.86.
- Контест Электрон. дан. — Режим доступа: http://ww.kontest.m/datasheet/NATI0NALSEMIC0NDUCT0R/LMP2015,%20LM P2016. pdf
- Патент РФ RU 2 472 171 С2, G01R 31/26, Способ разбраковки полупроводниковых изделий / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева. -опубл. 10.01.2013. Бюл. № 1.
- Горлов М.И. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства / М. И. Горлов, Л. П. Ануфриев, O.JI. Бор дюжа Мн.: Интеграл, 1997.-320 с.
- Авторское свидетельство СССР 490 047 Al, G 01R 31/26, Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов / В. А. Денисюк, Г. Ф. Копыл. опубл. 30.10.1975.
- Патент РФ 2 309 418 С2, G 01R 31/26, Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Д. Л. Ануфриев. опубл. 27.10.2007. Бюл. № 30.
- РД 11 0682−89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров
- Патент РФ 2 365 930, МПК G01R 31/26 Способ выделения интегральных схем повышенной надежности / М. И. Горлов, Е. А. Золотарева, H.H. Козьяков. опубл. 27.08.2009. Бюл. № 24.
- Патент РФ RU 2 289 144 С2, МПК G 01 R 31/26, Способ разбраковки полупроводниковых изделий / М. И. Горлов, A.B. Емельянов, Д. Ю. Смирнов, Ю. Е. Сегал. опубл. 10.12.2006. Бюл. № 34.
- Патент РФ RU 2 374 658 C1 G01R 31/26, Способ разделения полупроводниковых изделий по надежности / М. И. Горлов, Е. А. Золотарева, H.H. Козьяков. опубл.27.11.2009. Бюл.№ 33.
- Патент РФ № 2 226 698, G 01 R 31/26, Способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов / М. И. Горлов, A.B. Андреев, А. Г. Адамян, Л. П. Ануфриев, В. А. Емельянов. опубл. 10.04.2004. Бюл. № 10.
- Патент РФ RU 2 381 514 Cl, G01R 31/26, Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковых изделий / М. И. Горлов, Е. А. Золотарева, H.H. Козьяков. опубл. 10.02.2010. Бюл. № 4.
- Патент на изобретение RU 2 465 612 С2, G01R 31/26, Способ сравнительной оценки партий транзисторов по надежности / М. И. Горлов, Д. Ю. Смирнов, Е. А. Золотарева. опубл. 27.02.2012. Бюл. № 30.
- Бордюжа O. JL Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем // Дис. на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. Воронеж. ВГТУ. 1998. — 163 с.
- Худсон Д. Статистика для физиков / Д. Худсон. М.: Мир. 1970.296 с.