Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка-диэлектрик-полупроводник

Диссертация: Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка-диэлектрик-полупроводник
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

СВЧ-методы измерения различаются по физическим эффектам, на которых они основаны, по типу используемой схемы измерений и по характеру взаимного расположения образца и электродинамической системы. В основе деления СВЧ-методов по заложенным в их основу физическим принципам лежат: эффект поглощения электромагнитной энергии свободными носителями заряда, инерционность носителей в СВЧ-поле, поворот… Читать ещё >

Особенности взаимодействия электромагнитного излучения СВЧ-диапазона со слоистыми структурами типа нанометровая металлическая плёнка-диэлектрик-полупроводник (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ИССЛЕДОВАНИЙ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХКТУР НА СВЕРХВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ
    • 1. 1. волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников
    • 1. 2. Мостовые методы измерения параметров полупроводников
    • 1. 3. Резонаторные методы измерения параметров полупроводников
    • 1. 4. Измерение параметров материалов методом волноводно-диэлектрического резонанса
    • 1. 5. Автодинные методы измерений параметров материалов и структур
    • 1. 6. Измерения параметров материалов с использованием синхронизированных генераторов
  • 2. ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБОСНОВАНИЕ МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК СЛОИСТЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК, ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ПО СПЕКТРАМ ОТРАЖЕНИЯ И ПРОХОЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
    • 2. 1. Теоретическое обоснование волноводного метода измерения характеристик слоистых структур по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения
    • 2. 2. Измерение толщины нанометровых металлических пленок и электропроводности полупроводника в слоистых структурах по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения
      • 2. 2. 1. Измерение толщины нанометрового металлического слоя, нанесённого на полупроводниковую подложку
      • 2. 2. 2. Измерение толщины нанометровых металлических пленок и электропроводности полупроводника в слоистых структурах

      3. РЕЗУЛЬТАТЫ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕДУРЫ ИЗМЕРЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ В МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУРАХ ПО СПЕКТРАМ ОТРАЖЕНИЯ И ПРОХОЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

      3.1. Компьютерное моделирование спектров отражения и прохождения электромагнитного излучения в структурах металл-полупроводник.

      3.2. Компьютерное моделирование процедуры измерений толщины нанометровых металлических пленок и электропроводности полупроводника в слоистых структурах по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения.

      3.2.1. Компьютерное моделирование спектров отражения и прохождения электромагнитного излучения в структурах диэлектрик-металл-полупроводник и диэлектрик-полупроводник-металл.

      3.2.2. Компьютерное моделирование процедуры измерений диэлектрической проницаемости и электропроводности полупроводниковых пластин с использованием спектров отраэюения электромагнитного излучения.

      3.2.3. Компьютерное моделирование процедуры измерений толщины нанометровых металлических пленок и электропроводности полупроводниковых подложек с использованием спектров отраэюения электромагнитного излучения.

      3.2.4. Особенности отраэюения электромагнитного излучения от многослойной структуры с нанометровым металлическим слоем, нанесённым на подлоэюку.

      4. РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ ТОЛЩИНЫ И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ НАНОМЕТРОВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ ПО СПЕКТРАМ ОТРАЖЕНИЯ И ПРОХОЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

      4.1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СПЕКТРОВ ОТРАЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

      4.2. экспериментальное определение толщины нанометрового металлического слоя, нанесённого на полупроводниковую подложку, по спектрам прохождения электромагнитного излучения.

      4.3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ НАНОМЕТРОВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ.

      4.4. Определение электропроводности нанометрового металлического слоя по спектру отражения электромагнитной волны.

      4.5. Использование методов радиоволновой интерферометрии для контроля параметров движения тела человека.

Эффективность производства существующих и успешное создание новых приборов твердотельной микрои наноэлектроники во многом зависит от уровня развития технологии изготовления слоев различных материалов толщиной от нескольких нанометров до десятков микрометров. Достижение высокой степени совершенства слоистых структур и, в частности, структур на основе нанометровых металлических пленок, которое и определяет возможность их успешного применения в микро-, нано-, акусто-, СВЧи оптоэлектронике, невозможно без использования высокоточных методов измерений электрофизических параметров диэлектрических и полупроводниковых материалов и структур, металлических пленок.

При измерениях чаще всего применяются контактные методы, т. е. параметры полупроводниковых и диэлектрических материалов и металлических пленок измеряют на постоянном или низкочастотном токе [13]. Измерения такими методами производятся при наличии контакта зонда с образцом. Зачастую это приводит к разрушению исследуемого материала. При использовании таких методов могут возникать характерные для них нежелательные явления, например, связанная с контактом инжекция носителей заряда в материал, возникновение контактной разности потенциалов, термоЭДС, которые приводят к трудноустранимым погрешностям при измерениях, причем влияние этих эффектов может изменяться в зависимости от температуры, что создает трудности при проведении измерений в широком интервале температур. С помощью зондовых методов затруднительно также исследовать образцы малой площади с произвольной геометрией.

Достоинством бесконтактных методов, к которым, помимо прочих, относятся СВЧ-методы, является возможность проводить измерения, не разрушая материал и не изменяя его свойства [4−29].

Преимуществом СВЧ-измерений является возможность проводить с помощью одной измерительной установки и на одном образце определение нескольких параметров, измерение которых контактными методами требует создания различных установок и использования нескольких однотипных образцов. При отсутствии контакта появляется возможность вынесения измерительных приборов за пределы области температурного воздействия на полупроводник и, как следствие, измерения свойств полупроводников в широком интервале температур. При использовании СВЧ для измерений становится возможным изучение зависимости тех или иных параметров от частоты. Бесконтактность методов открывает новые возможности для изучения анизотропных эффектов. Из-за возможности приложения сильных электрических полей без использования контактов СВЧ-методы могут быть применены для изучения кинетики разогрева носителей в электрическом поле, так как бесконтактность исключает инжекцию. С помощью данных методов возможно проводить экспрессные измерения, измерение и отбраковку полупроводниковых заготовок для приборов, контроль параметров при термообработке. Измерения с помощью СВЧ очень важны для определения параметров пленочных структур, вследствие того, что СВЧ-методы исследования пленок позволяют проводить разносторонние измерения без разрушения пленки, что открывает возможность использовать прошедшие измерения образцы для производства приборов.

Следует отметить, что СВЧ-методы являются оптимальными при использовании исследуемых материалов и структур в приборах полупроводниковой СВЧ-электроники, поскольку исследования, например, с помощью зондовых методов могут давать недостаточно информации для конструирования именно СВЧ-устройств с заданными характеристиками. Преимущества полупроводниковых СВЧ-приборов по сравнению с их вакуумными аналогами придают актуальность разработке новых методов определения параметров полупроводников.

СВЧ-методы измерения различаются по физическим эффектам, на которых они основаны, по типу используемой схемы измерений и по характеру взаимного расположения образца и электродинамической системы. В основе деления СВЧ-методов по заложенным в их основу физическим принципам лежат: эффект поглощения электромагнитной энергии свободными носителями заряда, инерционность носителей в СВЧ-поле, поворот плоскости поляризации волны при искривлении траектории движения носителей заряда, резонансы. По типу используемой схемы СВЧ-методы делят на волноводные, мостовые, резонаторные. Рассматривая взаимное расположение исследуемого образца и электродинамической системы СВЧ-методы делят на методы измерения «проходными» системами, когда образец помещается внутри системы и методы измерения «накладными» системами, когда образец прикладывается к открытому концу СВЧ-тракта, к отверстию в резонаторе или является частью их стенок.

Наиболее распространенными методами являются волноводные и резонаторные. При использовании волноводных методов рассматривается взаимодействие СВЧ-волны, распространяющейся в волноводе, с помещенным в него образцом, и измеряются интенсивность прошедшей и отраженной волн. При измерениях резонансными методами схема настраивается в резонанс изменением размеров электродинамической системы или частоты генератора. Эти методы основаны на поглощении электромагнитной энергии свободными носителями заряда и изменении эквивалентных размеров резонатора при помещении в него полупроводника. По результатам определения изменения характеристик резонатора могут быть определены диэлектрическая проницаемость и электропроводность материала, изменение электропроводности, вызванное наложением магнитного поля, освещением образца и т. д. Если зависимость между изменением электропроводности и поглощением в образце является линейной, то можно найти величину времени установления неравновесных процессов в полупроводниках, таких как объемное время жизни неосновных носителей заряда и скорость поверхностной рекомбинации.

Введение

исследуемого образца в измерительную резонаторную систему приводит к смещению резонансной частоты и изменению добротности резонатора, по изменению которых рассчитываются параметры образца.

При отработке технологии создания слоистых структур на основе нанометровых металлических пленок, используемых в микро-, акустои оптоэлектронике, важно точно измерить толщину слоя металла и его электропроводность по завершении технологического цикла. Такие измерения желательно производить, не разрушая структуру, например, с использованием микроволнового излучения [4−6, 9].

Для определения толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах можно использовать результаты измерений спектров отражения и прохождения взаимодействующего с ними микроволнового излучения при условии, что известно их теоретическое описание [30,31]. Нахождение электрофизических параметров слоистых структур по спектрам отражения и прохождения электромагнитной волны связано с необходимостью решать обратную задачу.

В настоящей работе исследовались особенности взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастного диапазона со слоистыми структурами на основе тонких нанометровых металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых материалов в волноведущей системе, устанавливалась возможность расширения диапазона и повышения достоверности измерений параметров слоистых структур на основе тонких нанометровых металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых материалов по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего с ними излучения сверхвысокочастного диапазона и повышения чувствительности СВЧ-методов измерения. При этом высокая точность измерений достигалась лишь при условии, что известно теоретическое описание спектров отражения и прохождения, хорошо согласующееся с экспериментом, и эти спектры характеризуются высокой чувствительностью к изменению величин искомых параметров измеряемых структур.

С учетом вышесказанного была сформулирована цель диссертационной работы: исследование особенностей взаимодействия электромагнитного излучения сверхвысокочастного диапазона со слоистыми структурами на основе тонких нанометровых металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых материалов в волноведущей системе для экспериментального и теоретического обоснования возможности измерений параметров исследуемых слоистых структур в широком диапазоне их изменения.

Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:

1. Разработка модели, которая позволяет описать взаимодействие электромагнитного излучения СВЧ-диапазона с многослойными структурами на основе тонких металлических пленок, диэлектрических и полупроводниковых слоев в волноведущей системе;

2. Разработка метода решения обратной задачи: определения параметров металлических и полупроводниковых слоев в многослойных структурах по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения;

3. Экспериментальная реализация методов измерения электропроводности, толщины и диэлектрической проницаемости слоев в структурах металл-полупроводник-диэлектрик в широком диапазоне их изменения по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Новизна исследований, проведенных в ходе диссертационной работы, состоит в следующем:

1. Разработано теоретическое обоснование возможности измерения параметров слоистых структур металл-полупроводник-диэлектрик в широком диапазоне изменения их параметров по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними сверхвысокочастотного излучения;

2. Установлено изменение типа резонанса при отражении электромагнитного излучения, взаимодействующего со слоистой структурой, содержащей металлическую пленку, с ростом толщины пленки, от полуволнового, при котором на длине структуры укладывается целое число полуволн, к четвертьволновому резонансу, при котором на длине структуры укладывается нечетное число четвертей длин волн;

3. Экспериментально реализованы методы измерения толщины, электропроводности и диэлектрической проницаемости слоев в слоистых структурах металл-полупроводник-диэлектрик по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Достоверность результатов диссертации обеспечивается качественным и количественным соответствием выводов теории основным результатам, полученным экспериментально, строгостью используемых математических моделей, корректностью упрощающих допущений, сходимостью вычислительных процессов к искомым решениям, выполнимостью предельных переходов к известным решениям. Достоверность экспериментальных результатов обеспечена применением стандартной измерительной аппаратуры, обработкой экспериментальных данных с использованием стандартных методов.

Практическая значимость полученных результатов заключается в следующем:

1. Реализован метод компьютерного моделирования спектров отражения и прохождения в СВЧ-диапазоне слоистых структур, содержащих тонкие металлические пленки;

2. Разработаны методы измерения параметров слоистых структур на основе металло-полупроводниковых слоев по спектрам отражения и прохождения СВЧ-излучения в широком диапазоне их изменения;

3. Разработана программная и аппаратная реализация методов измерения толщины, электропроводности и диэлектрической проницаемости слоев в слоистых структурах металл-полупроводник-диэлектрик по спектрам отражения и прохождения, взаимодействующего с ними электромагнитного излучения.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. По измеренным частотным зависимостям коэффициента отражения электромагнитного излучения от слоистой структуры диэлектрик-металл-полупроводник и с использованием точного решения задачи о распространении электромагнитной волны в волноведущей системе, полностью заполненной слоистой структурой, при известных параметрах диэлектрика возможно определение толщины нанометрового металлического слоя и электропроводности полупроводниковой подложки;

2. С ростом величины диэлектрической проницаемости диэлектрического слоя в структуре диэлектрик-металл-полупроводник увеличивается диапазон изменения толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя, в котором коэффициент отражения электромагнитной волны СВЧ-диапазона не достигает предельного значения, не изменяющегося с увеличением толщины;

3. С ростом толщины металлической пленки в слоистой структуре диэлектрик-металл-полупроводник изменяется тип резонанса при отражении электромагнитного излучения СВЧ-диапазона, взаимодействующего со слоистой структурой, от полуволнового, при котором на длине структуры укладывается целое число полуволн, к четвертьволновому резонансу, при котором на длине структуры укладывается нечетное число четвертей длин волн;

4. Добротность резонатора, образованного структурой диэлектрик-металлполупроводник, в СВЧ-диапазоне немонотонным образом зависит от толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя.

Апробация работы:

Основные результаты диссертационной работы доложены на:

14-ой международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2004). Севастополь, 13−17 сентября 2004 г.;

9-ой международной научно технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники»,-Дивноморское, Россия, 12−17 сентября 2004; международной научно-технической конференции «Современные методы и приборы контроля качества и диагностики состояния объектов», г. Могилев- 20−22 октября 2004 г.- втором Евразийском конгрессе по медицинской физике и инженерии «Медицинская физика — 2005», Москва, 21−24 июня 2005 г;

15-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2005). Севастополь, 12−16 сентября, 2005 г;

35th European Microwave Conference (EuMC) Paris, France, from 4 to 6 October 2005r.;

5-ой Международной научно-технической конференции. Электроника и информатика-2005, Зеленоград, 23−25 ноября 2005 г;

36rd European Microwave Conference. Manchester, UK. 10−15th September 2006.

16-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо'2006). Севастополь, 11−15 сентября, 2006 г.

XVI International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKQN-2006, Poland, Krakow, May 22−24, 2006;

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 16 работ [3247], в том числе 3 статьи в реферируемых журналах- 13 работ опубликованы в сборниках конференций.

Личный вклад автора выразился в участии в проведении всего объема экспериментальных работ, в создании теоретических моделей, описывающих результаты экспериментов, проведении компьютерного моделирования и анализе полученных результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех разделов, заключения и списка литературы.

Основные результаты и выводы диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Предложены типы многослойных структур, содержащих тонкие манометровые металлические слои и характер их расположения в волноводе, при которых возможно построение теоретической модели, позволяющей строго рассчитывать спектральные зависимости коэффициентов отражения и прохождения СВЧ-излучения.

2. Показано, что использование структур металл-полупроводник в сочетании с диэлектрическими слоями позволяет расширить диапазон толщин металлического слоя, в котором наблюдается резкое изменение величин коэффициентов отражения и прохождения взаимодействующего с ними электромагнитного излучения в выбранном диапазоне частот 8−12 ГГц.

3. На основе компьютерного моделирования взаимодействия электромагнитного излучения с многослойными структурами, содержащими полупроводниковые, диэлектрические и нанометровые металлические слои, описано возникновение резонансного отражения СВЧ-излучения, характеристики которого существенным образом зависят от толщины манометровых металлических слоев.

4. Показана возможность решения обратной задачи по определению толщины и электропроводности нанометровых металлических пленок и полупроводниковых слоев в многослойных структурах в широком диапазоне их значений по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения.

5. Теоретически предсказано и экспериментально обнаружено явление изменения типа резонансного отражения от структур диэлектрик-металл-полупроводник, с увеличением толщины металлических слоев в интервале нанометровых значений от полуволнового резонанса, при котором на длине структуры укладывается целое число полуволн, к четвертьволновому резонансу, при котором на длине структуры укладывается нечетное число четвертей длин волн.

6. Показано, что добротность резонатора, образованного структурой диэлектрик-металл-полупроводник, в СВЧ-диапазоне немонотонным образом зависит от толщины и электропроводности нанометрового металлического слоя.

7. Экспериментально реализованы методы определения параметров (диэлектрической проницаемости и электропроводности полупроводниковых слоев, толщины и электропроводности нанометровых металлических слоев) многослойных структур, содержащих нанометровые металлические слои по спектрам отражения и прохождения взаимодействующего электромагнитного излучения СВЧ-диапазона.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Л. В. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк., 1987. 239 с.
  2. Н. Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М. 1970, 432 с.
  3. П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. Зарубежная радиоэлектроника, 1981. ч. I, с. 3−50- ч. 2, № 2, с. 3−49.
  4. У санов Д. А. СВЧ-методы измерения параметров полупроводников. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1985. 55 с.
  5. Е.М., Литвак-Горская Л.Б., Плохова Л. А., Зарубина Т. С. Методы определения параметров полупроводниковых плёнок на СВЧ. В кн.: Полупроводниковые приборы и их применение / Под. ред. Е. А. Федотова, М.: 1970. Вып. 23. С. 3−48.
  6. Ю.Г., Давыдов А. Б. Волноводные методы измерения электрофизических параметров полупроводников на СВЧ // Дефектоскопия. 1978. № 11. С. 63−87.
  7. Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003. 312 с.
  8. Д.А., Скрипаль А. В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999. 376 с.
  9. М. Н., Берч Дж. Р., Кларк Р. Н. Измерение характеристик материалов// ТИИЭР. 1986. Т. 74, № 1. С. 206−220.
  10. Ю.Ягудин Г. X. Измерение электрофизических параметров полупроводников с помощью электромагнитных полей СВЧ диапазона. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы и микроэлектроника. М.: ЦНИИ Электроника, 1968, вып. 21. 68 с.
  11. П.Викторов В. А., Лункин Б. В., Совлуков А. С. Радиоволновые измерения параметров технологических процессов. М.: Энергоатомиздат, 1989. 208 с.
  12. Неразрушающий контроль. В 5 кн. Кн. 4. Контроль излучениями: Практ. пособие. Под ред. В. В. Сухорукова. М.: Высш. шк., 1992. 321 с.
  13. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. Справочник. В 2-х книгах. Кн. 1. Под ред. В. В. Клюева. М.: Машиностроение, 1986. 352 с.
  14. М.Баранов JI. И., Гаманюк В. Б., Усанов Д. А. К вопросу об определении проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ // Радиотехника и электроника. 1972. Т. 17, № 2. С. 426428.
  15. Этуотер. Определение времени жизни носителей в полупроводниках на СВЧ // ТИРИ. 1961. Т.49. № 9. С.1671−1672.
  16. Бхар. Исследование полупроводников с помощью СВЧ методов // ТИИЭР. 1963. Т.51. № 11. С. 1597−1605.
  17. А. С., Дунаевский Г. Е. Измерения параметров материалов на сверхвысоких частотах. Томск: Изд. Томского ун-та, 1985. 214 с.
  18. К.С., Армстронг Д. Б. Выражения в явном виде для проводимости и диэлектрической проницаемости объемных полупроводников в волноводе // ТИРИ. 1962. Т.50, № 2. С.272−273.
  19. Д.А., Фойхт Д. Л. Измерение проводимости и диэлектрической проницаемости полупроводников на СВЧ //ТИИЭР. 1964. Т.52. № 1. С.107−108.
  20. М.В. Измерение комплексной диэлектрической проницаемости полупроводников СВЧ методом // ТИИЭР. 1964. Т.52. № 2. С. 194.
  21. Ю.К. Электромагнитный метод анализа слоистых полупроводниковых и металлических структур. Рига.: Зинатне. 1970. 272 с.
  22. В.А., Кулешов Е. М., Пунько И. Н. Радиоволновая эллипсометрия. Под ред. И. С. Ковалева. Минск.: Наука и техника. 1985. 104 с.
  23. Новые СВЧ методы изучения поверхностной рекомбинации и времени жизни / Джекобе X., Брэнд, Мэйндл и др. // ТИИЭР. 1963. № 4. С.608−620.
  24. В.Д. Методы измерения на СВЧ с применением измерительных линий. М.: Сов.радио. 1972. 144 с.
  25. А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. М.: Физматгиз. 1963. 147 с.
  26. Р.А., Сретенский В. Н. Радиотехнические измерения. М.: Сов.радио. 1963. 102 с.
  27. В. Б., Медведев Ю. В., Петров А. С. Резонатор для бесконтактного измерения удельного сопротивления полупроводниковых материалов//Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 4. С.49−51.
  28. Прибор для измерения толщины полупроводниковых эпитаксиальных пленок на низкоомных подложках. / Гордиенко Ю. Е., Старостенко В. В., Дудкин Н. А., Шевченко В.Е.//Приборы и техника эксперимента. 1974. № 4. С. 196−199.
  29. Г. X., Шибаев А. А., Пономаренко О. Н. Бесконтактные методы неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводниковых структур. Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы, 1973, вып. 4(104). 52 с.
  30. П. Свободные электроны в твердых телах. М.: Мир, 1982. 270 с.
  31. Ю.А., Усанов Д. А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В.,
  32. А.А., Абрамов А. В., Голишников А. А. Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металлических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках // Известия вузов. Электроника. 2005. № 1. С. 68−77.
  33. Д.А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С. Резонансное отражение электромагнитного излучения от структур с нанометровыми металлическими слоями // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2006, Том 9, № 3, с. 59−63.
  34. Benedict T. S., Shockly W. Microwave Observation of the Collision Frequency of Electrons in Germanium. Phys. Rev., 1953, vol. 89, p. 1152−1153.
  35. Gunn M. W., Brown J. Measurement or semiconductor properties in a slotted-waveguide structure. Proc. IEE, 1965, vol. 112, № 3, p. 463−468.
  36. Gabriel G. J., Brodwin M. E. The Solution of Guided Waves in Jnhomogeneous Anisotropic Media by Petru bation and Variational Methods. IEEE Trans., 1965, vol. MTT-13, № 5, p. 364−370.
  37. Cheikh R. H., Gunn M. W. Wave propagation in a rectangular waveguide innomogemously filled with semiconductors. IEEE Trans. 1968, vol. MTT-16, № 2, p. 117−121.
  38. Molnar В., Kenedy Т. A. Evaluation of S- and Se-implanted GaAs by contactless mobility measurement// J. Electrochem. Soc. Solid-State Science and Technology. 1978. Vol. 125, № 8. P. 1318−1320.
  39. B.C., Качуровский Ю. Г., Петренко И. В. и др. Измерение подвижности носителей заряда методом СВЧ-магнитосопротивления// Электронная промышленность. 1982. № 9. С.48−49.
  40. С.М., Подшивалов В. Н., Фисун А. И. Прибор для бесконтактного определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах // Электронная промышленность. 1986. № 3. С. 66−67.
  41. С.Б., Усанов Д. А., Солоухин Н. Г., Брагин С. М. Влияние высших типов волн на погрешность измерения подвижности методом СВЧ-магнитосопротивления// Электронная техника. Сер. 8. 1990. Вып. 1. С. 64−66.
  42. Лабораторные работы по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ"/Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, В. Б. Феклистов, А. В. Скрипаль// Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997. 140с.
  43. Патент РФ 2 262 658 МПК G 01 В 7/06. Способ определения толщины диэлектрического покрытия / Викторов В. А. Опубл. 20. 10.2005. Бюл.29.
  44. Патент РФ 2 069 052 МПК G 01 R 29/08, G 01 R 29/12 Способ определения комплексных диэлектрической и магнитной проницаемостей радиопоглощающего материала / Ковалев С. В., Нестеров С. М., Скородумов И. А. Опубл. 27.09.2000. Бюл. 27.
  45. К., Кавасаки К. Метод измерения комплексной диэлектрической постоянной с использованием СВЧ-объемного резонатора//Гифу коге кото сэмма гаккай кие. 1970. № 3. С. 33−37.
  46. В. Terselius and В. Ranby, «Cavity perturbation measurements of the dielectric properties of vulcanizing rubber and polyethylene compounds», J. Microwave Power, 1978, vol. 13, pp. 327−335.
  47. A. Parkash, J. K. Vaid, and A. Mansingh, «Measurement of dielectric parameters at microwave frequencies by cavity-perturbation technique», IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1979, vol. MTT-27, pp. 791−795.
  48. JI. Г., Босс С. Б., Риддл А. Н. Настройка и согласование резонатора типа ТМ010 с генератором. Приборы для научных исследований, 1983, т. 54, № 12, с. 69−75.
  49. К. Н. Hong and J. A. Roberts, «Microwave properties of liquids and solids using a resonant microwave cavity as a probe,» J. Appl. Phys., 1974, vol. 45, pp. 2452−2456.
  50. S. Li, C. Akyel, and R. G. Bosisio, «Precise calculations and measurements on the complex dielectric constant of lossy materials using TM010 cavity perturbation techniques,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1.981, vol. MTT-29, pp. 1041−1048.
  51. R. J. Cook, «Microwave cavity methods» in High Frequency Dielectric Measurement (Conf. Proc., March 1972), J. Chamberlain and G. W. Chantry, Eds. Guildford, U.K.: IPC Science and Technology Press, 1973, pp. 12−27.
  52. E. Ni and U. Stumper, «Permittivity measurements using a frequency tuned microwave TE01 cavity resonator», Proc Inst. Elec. Eng., pt. H, 1985, vol. 132, no. 1, pp. 27−32.
  53. А. Р. Диэлектрики и их применение. М.- Л.: Госэнергоиздат, 1959,336 с.
  54. D. Т. Llewellyn-Jones et al., «New method of measuring low values of loss in the near millimetre wavelength region using untuned cavities,» Proc. Inst. Elec. Eng., 1980, vol. 127, pt. A, no. 8, pp. 535−540, Nov.
  55. J. R. Birch and R. N. Clarke, «Dielectric and optical measurements from 30 to 1000 CHz,» Radio Electron. Eng., 1982, vol. 52, no. 11/12, pp. 566−584, Nov./Dec.
  56. F. Kremer and J. R. Izatt, «Millimetre-wave absorption measurements in low-loss dielectrics using an untuned cavity resonator», Int. J. Infrared and Millimetre Waves, 1981, vol. 2, pp. 675−694.
  57. J. R. Izatt and F. Kremer, «Millimetre wave measurement of both parts of the complex index of refraction using an untuned cavity resonator,» Appl. Opt., 1981, July, vol. 20, no. 14, pp. 2555−2559.
  58. В.А., Дувинг В. Г., Усанов Д. А. Полупроводниковый генератор для измерения диэлектрической проницаемости материалов на СВЧ // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1978. № 8. С. 100−102.
  59. Бесконтактные радиоволновые методы измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов / М. В. Детинко, Ю. В. Лисюк, Ю. В. Медведев, А. А. Скрыльников // Изв. вузов. Физика. 1992. Т.35, № 9. С. 45−63.
  60. И.В. Техника и приборы СВЧ: в 2-х т. М.:Высш. шк., 1970. Т. 1. 372 с.
  61. Диэлектрические резонаторы / М. Е. Ильченко, В. Ф. Взятышев, Л. Г. Гасанов и др.- Под ред. М. Е. Ильченко. М.:Радио и связь, 1989. 328 с.
  62. В.А., Хижняк Н. А. Волноводно-диэлектрический резонанс диэлектрического образца в прямоугольном волноводе // Изв. вузов. Радиофизика. 1978. Т. 21. № 4. С. 558−565.
  63. Определение параметров диэлектриков на сверхвысокой частоте с помощью волноводно-диэлектрических резонансов / Коробкин В. А.,
  64. Н.И., Бабарика Л. И. и др.// Приборы и техника эксперимента. 1976. № 3. С. 169−171.
  65. Д.А., Писарев В. В., Вагарин А. Ю. Использование автодинных преобразователей частоты на диодах. Ганна для бесконтактных измерений параметров диэлектриков на СВЧ // Дефектоскопия. 1985. № 5. 0.82−85.
  66. П.А., Булдыгин А. Ф., Уткин К. К. Расчет и экспериментальное исследование автодинного преобразователя частоты на диоде Ганна // Изв. Вузов MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1977. Т. 20, № 10. С. 64−70.
  67. JI.B., Кукушкин В. В., Соляков В. Н. О частотных свойствах смесителей на диоде Ганна в миллиметровом диапазоне // Радиотехника. 1981. Т. 26. № 3. С. 666−667.
  68. Д.А., Писарев В. В. Особенности работы генератора на МЭП-диоде в автодином режиме при близких частотах генерации и сигнала // Изв. вузов. MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1981. Т. 24. № 10. С. 81−82.
  69. П.А., Булдыгин А. Ф., Уткин К. К. Автодинный смеситель на диоде Ганна // Изв. вузов. MB и ССО СССР. Радиоэлектроника. 1974. Т. 17. № 12. С. 82−84.
  70. А.Г., Соколовский И. И. Усилитель-преобразователь на диоде с переносом электронов // Радиотехника. 1980. Т. 35. № 6. С. 40−42.
  71. О.А., Трепанов В. К. Экспериментальное исследование преобразователей частоты на диодах с переносом электронов // Изв. вузов MB и ССО СССР. 1980. Т. 23. № ю. С. 80−82.
  72. Д. А., Скрипаль А. В. Детектирование МЭП-диодами, работающими в активном режиме// Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1980. Вып. 10. С. 62−63.
  73. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, А. А. Авдеев, А. В. Бабаян // Радиотехника и электроника. 1996. Т. 41, № 12. С. 1497−1500.
  74. Д. А., Безменов А. А., Орлов В. Б. Детекторный эффект в усилителях на лавинно-пролетных диодах // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1980. Т. 23, № 10. С. 63−64.
  75. Детекторный эффект в СВЧ-усилителях на транзисторах/Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1981. Вып. 9. С. 60−61.
  76. Детекторный эффект в СВЧ-усилителях на полевых транзисторах/ Д. А. Усанов, А. А. Безменов, А. Ю. Вагарин, В. М. Логинов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1984. Вып. 1. С. 32−33.1.l
  77. Д.А., Безменов А. А. Детектирование СВЧ-полевыми транзисторами, работающими в активном режиме // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 2. С. 19−21.
  78. Использование эффекта автодинного детектирования в полупроводниковых СВЧ-генераторах для создания устройств радиоволнового контроля/Д. А. Усанов, В. Д. Тупикин, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин // Дефектоскопия. 1995. № 5. С. 16−20.
  79. Д. А., Безменов А. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины диэлектрических пленок, напыляемых на металл// Приборы и техника эксперимента. 1986. № 4. С. 227−228.
  80. Пат. 2 094 811 RU, МКИ G01 R 27/26. Устройство на диоде Ганна для измерения параметров диэлектрических материа-лов/Д. А.,. Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин, А. А. Авдеев № 95 115 788/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 27.10.97- Бюл. № 30.
  81. Пат. 2096Т91 RU, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин, А. А. Авдеев № 95 115 711/09. Заявл. 07.09.95- Опубл. 20.11.97- Бюл. № 32.
  82. А.с. 1 161 898 СССР, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д. А. Усанов, А. Ю. Вагарин, Б. Н. Коротин. № 3 584 535/25- Заявл. 22.04.83- Опубл. 15.06.85- Бюл. № 22.
  83. Д. А., Посадский В. Н., Буренин П. В. и др. Детекторный эффект в усилителях на диодах с переносом электронов // Радиотехника и электроника. 1977. Т. 22, № 5. С. 1085−1086.
  84. Д. А., Вагарин А. Ю., Безменов А. А. Об использовании детекторного эффекта в генераторах на лавинно-пролетных диодах для измерения диэлектрической проницаемости материалов // Дефектоскопия. 1981. № 11. С. 106−107.
  85. Д. А., Скрипаль А. В. Эффект автодинного. детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля параметров материалов // 42-я Всесоюз. науч. сессия, посвященная Дню радио: Тез.докл. М.: Радио и связь, 1987. Ч. 2. С. 31.
  86. Д.А., Вагарин А. Ю., Вениг С. Б. Использование детекторного эффекта в СВЧ генераторе на диоде Ганна для измерения параметров диэлектриков // Дефектоскопия. 1985. № 6. С.78−82.
  87. Д. А., Коротин Б. Н. Устройство для измерения толщины металлических пленок, нанесенных на диэлектрическую основу // ПТЭ. 1985. № 1.С. 254.
  88. Д. А., Коротин Б. Н., Орлов В. Е. Использование эффекта автодинного детектирования в СВЧ-генераторах на туннельном диоде для определения параметров диэлектриков // Дефектоскопия. 1987. № 9. С. 83−84.
  89. Д. А., Скрипаль А. В. Эффект автодинного детектирования в генераторах на диодах Ганна и его использование для контроля толщины и диэлектрической проницаемости материалов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1987. Т. 30, № 10. С. 76−77.
  90. Д. А., Скрипаль Ал. В., Коротин Б. Н., Скрипаль Ан. В. СВЧ-толщиномер // Состояние и тенденции развития метрики полупроводниковых и диэлектрических структур: Тез.докл.науч.-тех.совещания. М.: ЦНИИ «Электроника», 1986. Сер.8. Вып.2 (232). С. 43.
  91. А.с. 1 264 109, МКИ G01 R 27/26. Устройство для измерения параметров диэлектрических материалов/Д.А.Усанов, А. В. Скрипаль, Б. Н. Коротин и др., Опубл. 15.10.86. Бюл.№ 38.
  92. А. с. 1 448 821 СССР, МКИ G01 В 15/02./Д. А. Усанов, В. Д. Тупикин, А. В. Скрипаль, Ан.В. Скрипаль (СССР). № 4 102 803/24−28- Заявл. 05.08.86.
  93. А. с. 1 831 121А1 RU, МКИ G01 Е 27/26./Д.А. Усанов, В. В. Писарев, А. А. Авдеев, А. В. Скрипаль и др. № 4 497 352/ 09- Заявл. 20.10.88.
  94. Д. А., Скрипаль А. В., Коротин Б. Н. и др. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий // Информ. листок о науч.-техн. достижении/Сарат. ЦНТИ. Саратов, 1988.
  95. Д. А., Скрипаль А. В., Семенов А. А. и др. Информационно-измерительный комплекс для контроля параметров покрытий // Аннотация экспонатов «Ученые Поволжья — народному хозяйству». Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. С. 80.
  96. Д.А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Поздняков В. А. СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах // Известия вузов. Электроника. 2004. № 2. С. 76−84.
  97. Д.А., Скрипаль A.B., Ульянов Д. В. Влияние магнитного поля на работу полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генераторов в режиме гашения мощности // Изв. вузов. Электроника. 2000. № 6. С. 49−54.
  98. Д.А., Скрипаль A.B., Абрамов A.B. Оптическое управление полупроводниковыми синхронизированными СВЧ-генераторами, работающими в схеме вычитания сигналов // Известия вузов. Электроника. 2002. № 5. С. 31−39.
  99. JI.M. Волны в слоистых средах. Москва: Изд-во Наука, 1973, 342 с.
  100. С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение. M.-JL: Госэнергоиздат, 1963. 272 с.
  101. Ф. Оптические свойства металлических пленок // Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и техническиеприменения. Том 6. Под ред. М. Х. Франкомба и Р. У. Гофмана. М.: Мир, 1973.392 с.
  102. И.В., Котов J1.H., Некипелов С. В., Карпушов Е. Н. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок // ЖТФ. 2004. Т. 74, вып.11. С. 102−106
  103. Д.К. Размерные эффекты в электропроводности тонких металлических пленок и проволок // Физика тонких пленок. Современное состояние исследований и технические применения. Том 6. Под ред. М. Х. Франкомба и Р. У. Гофмана. М.: Мир, 1973. 392 с.
  104. Д.А. Усанов, А. Ю. Вагарин, В. Б. Феклистов. Использование полупроводниковых образцов повышенной толщины в невзаимных СВЧ-устройствах. Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1976. Вып. 1. С. 85−87.
  105. А.Л. Теория и применение ферритов на сверхвысоких частотах. М.-Л.: Госэнергоиздат, 1963. 663 с.
  106. А.с. 1 319 118, МКИ Н01Р 1/22. Микрополосковый аттенюатор/ Б. П. Безручко, Д. А. Усанов, Г. А. Филиппов. 3 829 828/24−09. Заявлено 20.12.1984. Опубл. 23.06.1987. Бюл. № 23.
  107. Патент на изобретение РФ № 2 233 430. Способ видеоизмерения толщины пленки / Усанов Д. А., Скрипаль Ан.В., Скрипаль Ал.В., Абрамов А. В., Сергеев А. А., Абрамов А. Н., Коржукова Т. В. Опубл. 27.07.2004. Бюл. № 21.
  108. Дж. Пассивные и активные цепи СВЧ / Пер. с англ. под ред. А. С. Галина. М.: Радио и связь, 1981. 200 с.
  109. Chattopadhyay Т.Р. An injection-locked hybrid microwave discriminator // Proc. IEEE 1986. Vol.74, № 5. P.746−748.
  110. Л.И. Полное собрание трудов. АН СССР-М.: Изд-во АН СССР в ЛГР. 1947. Т.2. 396 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!