Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро-и акустоэлектронике

Диссертация: Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро-и акустоэлектронике
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В последнее десятилетие стало очевидным, что слои алмаза более эффективно можно использовать в технических устройствах в сочетании со слоями других материалов, среди которых наиболее перспективными являются имеющие структуру вюрцита пленки A1N и ZnO. Слоистые структуры, такие как Si^Ma3/AlN (ZnO), сапфир/AlN (ZnO) позволяют создавать устройства микрои акустоэлектроники с уникальными… Читать ещё >

Выращивание плазменными методами пленок алмаза и родственных материалов (алмазоподобных, нитрида алюминия, оксида цинка) и применение многослойных структур на основе этих пленок в микро-и акустоэлектронике (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Физико-химические и электрофизические свойства алмаза, алмазоподобного углерода, A1N и ZnO
    • 1. 2. Методы синтеза пленок алмаза и АУП
    • 1. 3. Получение пленок A1N и ZnO
      • 1. 3. 1. Методы химического осаждения из паровой фазы
      • 1. 3. 2. Вакуумное испарение
        • 1. 3. 2. 1. Реактивное испарение А1 в азотсодержащей газовой фазе
        • 1. 3. 2. 2. Выращивание пленок AINмолекулярно-лучевой эпитаксией
        • 1. 3. 2. 3. Получение пленок AIN и ZnO лазерным испарением
      • 1. 3. 3. Получение пленок AIN имплантацией азота в А
      • 1. 3. 4. Осаждение пленок AIN и ZnO методами ионно-плазменного распыления
        • 1. 3. 4. 1. Формирование пленок AIN и ZnO диодным ВЧреактивным распылением
        • 1. 3. 4. 2. Магнетронноераспыление
  • Магнетронное реактивное распыление мишеней из А1 и Zn на постоянном токе
  • Магнетронное ВЧ реактивное распыление мишеней изА1и Zn
  • Магнетронное ВЧ распыление мишеней из AIN и ZnO
    • 1. 3. 4. 3. Триодное распыление
      • 1. 3. 4. 4. Получение пленок AIN и ZnO методом распыления ионным пучком
      • 1. 3. 5. Одновременное использование метода распыления ионным пучком и других методов распыления для осаждения пленок AIN
    • 1. 4. Легирование пленок A1N и ZnO в процессе их выращивания
    • 1. 5. Устройства микро- и акустоэлектроники с использованием слоистых структур, включающих слои алмаза, АУП, A1N и ZnO
      • 1. 5. 1. Алмаз, АУП, AIN, ZnO и слоистые структуры на их основе в устройствах электронной техники
  • Применение в электронной технике слоистых структур алмаз/AIN (ZnO)
  • Конструкции устройств на ПАВ на слоистых средах
  • Строение и свойства пленок ZnO и AIN, используемых в качестве пъезоэлектрика слоистого звукопровода на основе алмаза
  • Методы низкотемпературного выращивания текстурированных, близких к монокристаллу, пленок AIN и ZnO на подложках кристаллических и аморфных материалов
  • Устройства на ПАВ на слоистой структуре алмаз (АУП)/пьезоэлектрик
    • 1. 6. Выводы по главе 1
  • Этапы выполнения работы
  • ГЛАВА 2. ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ, ПОЛИРОВАНИЯ И РАЗМЕРНОЙ ОБРАБОТКИ ПЛЕНОК АЛМАЗА, АЛМАЗОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА, A1N И ZnO
    • 2. 1. Оборудование для синтеза пленок алмаза, АУП и карбина
      • 2. 1. 1. Оборудование для синтеза алмазных пленок методом дугового разряда
        • 2. 1. 1. 1. Установка АЛМАЗ
        • 2. 1. 1. 2. Установка на базе вакуумного поста УРМ
        • 2. 1. 1. 3. Установка УВА-IP
        • 2. 1. 1. 4. Установка УВА — 1РМ
      • 2. 1. 2. Оборудование для синтеза пленок алмазоподобного углерода методом тлеющего разряда
      • 2. 1. 3. Оборудование для синтеза алмазных пленок методом нагретой нити
      • 2. 1. 4. Оборудование для формирования углеродных пленок методом активации газовой смеси ВЧ и СВЧразрядами, близкими к ЭЦР
      • 2. 1. 5. Оборудование для формирования углеродных пленок диодным
  • ВЧ разрядом
    • 2. 1. 6. Оборудование для формирования углеродных пленок методом распыления графитовой мишени ионным пучком
    • 2. 1. 7. Двухкамерная установка для формирования углеродных пленок
    • 2. 2. Оборудование для выращивания пленок A1N и ZnO
    • 2. 2. 1. Элементы магнетронныхраспылительных систем
      • 2. 2. 1. 1. Конструкции разработанных магнетронов. Магнетроны с магнитами, размещенными в вакууме
  • Магнетроны с постоянными магнитами, размещенными в водоохлаждаемой полости, герметизированной эластомерными уплотнениями
  • Цельнометаллические магнетроны
  • Магнетроны с цилиндрической мишенью
    • 2. 2. 1. 2. Конструкции разработанных экранов и мишеней
  • Многоярусный экран
  • Мишени. Управление составом пленки по ее толщине
    • 2. 2. 2. Разработанные установки магнетронного распыления
      • 2. 2. 2. 1. Модернизированная установка ВУП
      • 2. 2. 2. 2. Установка, оснащенная цельнометаллическим магнетроном
      • 2. 2. 2. 3. Модернизированная установка ВУП
      • 2. 2. 2. 4. Модернизированная установка ВУП— 5 с непланарной деформируемой крышкой
      • 2. 2. 2. 5. Установка с двумя цельнометаллическими магнетронами
      • 2. 2. 2. 6. Установка с двумя магнетронами, один из которых используется для контролируемого введения легирующего материала
      • 2. 2. 2. 7. Установка магнетронного распыления со шлюзовой загрузкой
      • 2. 2. 2. 8. Модернизированная установка УВН-62П
      • 2. 2. 2. 9. Модернизированные установки КАТОД- 1 М и ПЛАЗМА-ЗМЦ
      • 2. 2. 2. 10. Установка для выращивания пленок AIN, в которой область горения плазмы отделена экранами от объема вакуумной камеры
      • 2. 2. 2. 11. Установка для выращивания пленок ZnO
      • 2. 2. 3. Установки для применения магнетронного распыления в сочетании с другими методами формирования пленок
  • Установки для осаждения пленок при совместном использовании магнетрона и ионных источников. Установка, совмещающая магнетрон и два ионных источника
  • Модернизированная установка УВН-62П
    • 2. 2. 4. Установка с тремя ионными источниками
    • 2. 3. Оборудование для плазменных методов полирования и размерной обработки пленок алмаза и алмазоподобного углерода
    • 2. 4. Выводы по главе 2
  • ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ, СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК АЛМАЗА И АЛМАЗОПОДОБНЫХ УГЛЕРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • 3. 1. Формирование пленок алмаза и алмазоподобных кристаллических и некристаллических материалов
      • 3. 1. 1. Дуговой и тлеющий разряды
      • 3. 1. 2. Выращивание алмаза при активировании газовой фазы методом нагретой нити
      • 3. 1. 3. Осаждение алмазных материалов в плазме ВЧи СВЧразрядов, близких к электронно-циклотронному резонансу
      • 3. 1. 4. Магнетронное распыление
      • 3. 1. 5. Осаждение пленок алмазоподобного углерода методом диодного
  • ВЧ распыления
    • 3. 1. 6. Формирование алмазных пленок распылением графитовой мишени ионным пучком
    • 3. 2. Строение пленок алмаза и алмазных материалов
    • 3. 2. 1. Строение и состав пленок поликристаллического алмаза, выращенных методом дугового разряда
    • 3. 2. 2. Строение углеродных пленок, сформированных методом тлеющего разряда
    • 3. 2. 3. Строение и состав пленок алмаза, выращенных методом нагретой нити
    • 3. 2. 4. Строение и свойства пленок алмазоподобного углерода, сформированных методом плазменного ВЧ разряда, близкого к ЭЦР
    • 3. 2. 5. Строение пленок алмазоподобного углерода, сформированных магнетронным распылением
    • 3. 2. 6. Строение и свойства пленок алмазоподобного углерода, выращенных в диодном ВЧ разряде
    • 3. 2. 7. Строение и состав пленок алмазоподобного углерода, выращенных распылением графитовой мишени ионным пучком
    • 3. 3. Полирование, размерная обработка и металлизация пленок алмаза и алмазоподобного углерода
  • Механическое полирование. Требования к качеству поверхности слоев многослойного звукопровода устройств акустоэлектроники
  • Механическое полирование слоев алмаза
  • Обработка алмазных пленок в плазме, стимулированной магнитным полем
    • 3. 4. Металлизация углеродных пленок
    • 3. 5. Выводы по главе 3
  • ГЛАВА 4. ПОЛУЧЕНИЕ, СТРОЕНИЕ И СВОЙСТВА ПЛЕНОК A1N И ZnO
    • 4. 1. Получение, строение и свойства пленок A1N
      • 4. 1. 1. Получение пленок AIN. Введение легирующей примеси в выращиваемые пленки
      • 4. 1. 2. Строение пленок AIN
      • 4. 1. 3. Строение пленок AIN с введенной легирующей примесью
  • Электропроводность
    • 4. 2. Получение, строение и свойства пленок ZnO
      • 4. 2. 1. Выращивание пленок ZnO магнетроннымраспылением на постоянном токе
      • 4. 2. 2. Применение распыления ионным пучком для выращивания пьезоэлектрических пленок ZnO
    • 4. 3. Выводы по главе 4
  • ГЛАВА 5. УСТРОЙСТВА НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИТЧЕСКИХ ВОЛНАХ НА СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ
    • 5. 1. Конструкции устройств на ПАВ
    • 5. 2. Использование в устройствах на ПАВ пьезоэлектрических пленок ZnO
    • 5. 3. Использование в устройствах на ПАВ пленок A1N
  • Температурные исследования датчиков
    • 5. 4. Применение в устройствах на ПАВ слоистого звукопровода алмаз/AlNCZnO)
    • 5. 5. Выводы по главе 5
  • ГЛАВА 6. УСТРОЙСТВА МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ СЛОИСТЫХ СТРУКТУР, СОДЕРЖАЩИХ СЛОИ АЛМАЗА, АЛМАЗОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА И A1N
    • 6. 1. Применение поликристаллических алмазных пленок в гибридных интегральных схемах
  • Оценка влияния конструктивных особенностей многокристальных модулей на температуру перегрева активных элементов
  • Аналого-цифровой преобразователь для видеопамяти
    • 6. 2. Тонкопленочные термопечатающие матрицы
    • 6. 3. A1N — защитное покрытие измерительных и оптических растров
    • 6. 4. Ненакаливаемые катоды
    • 6. 5. Фотоприемники
    • 6. 6. Источники излучения в УФ области
    • 6. 7. A1N в СВЧ устройствах
    • 6. 8. Выводы по главе 6

Актуальность темы

.

Перспективность алмаза в электронике связана с его наивысшими среди известных материалов твердостью (-10 000 кг/мм), а именно в ~4,5 раза выше, чем у корундатеплопроводностью (2000 Вт/(м-К) при комнатной температуре), что в пять раз превышает теплопроводность медискоростью распространения поверхностных и объемных акустических волн (-10 км/с и -18 км/с) — высокой стабильностью электрических и полупроводниковых характеристик (до температуры -823 К), электрической прочностью (до 107 В/см). Отдельные образцы природных кристаллов и синтетические кристаллы алмаза (легированные определенными примесями) являются широкозонными полупроводниками (ширина запрещенной зоны 5,45 эВ и большая подвижность носителей), обладающими химической и радиационной стойкостью (на 1−2 порядка выше, чем у традиционных полупроводниковых материалов).

При всех перспективах применения алмаза в электронике использование подложек для различных устройств микроэлектроники, изготовленных из монокристаллов природного алмаза, может быть рентабельным при размерах не более 5×5 мм. Синтетические кристаллы алмаза, выращенные при высоких давлениях и температурах, могут иметь примерно те же размеры. Алмаз в настоящее время доступен для применения в электронике в широких масштабах, так как освоено его выращивание с использованием промышленного оборудования в виде пленок и пластин толщиной до миллиметра и площадью, ограниченной только размерами технологического оборудования. Предполагается, что применение алмазных и алмазоподобных углеродных пленок (АУП) в электронике позволит создать радиационностойкие полупроводниковые приборы, высокотемпературную электронику, интегральные схемы с субмикронными размерами и сверхвысокой плотностью элементов, сверхбыстродействующие интегральные схемы.

В последнее десятилетие стало очевидным, что слои алмаза более эффективно можно использовать в технических устройствах в сочетании со слоями других материалов, среди которых наиболее перспективными являются имеющие структуру вюрцита пленки A1N и ZnO. Слоистые структуры, такие как Si^Ma3/AlN (ZnO), сапфир/AlN (ZnO) позволяют создавать устройства микрои акустоэлектроники с уникальными характеристиками. По экспертным оценкам, наиболее перспективная область применения слоистых структур, включающих слои поликристаллического алмаза, — СВЧ акустоэлектроника на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Использование слоистых структур алмаз/АПМ^пО), где A1N или ZnO — слой пьезоэлектрика, позволяет повысить верхнюю границу частотного диапазона устройств на ПАВ. На слоистых структурах алмаз/ZnO изготовлены фильтры, линии задержки (JI3) и другие устройства на ПАВ, работающие на частоте >3 ГГц. На основе слоистых структур алмаз/AlN, где A1N, легированный примесью-донором, является широкозонным полупроводником л-типа проводимости, трудно реализуемой у алмаза, возможно изготовление температурнои радиационностойких транзисторов и интегральных схем.

И алмаз, и A1N при определенных условиях обладают отрицательным электронным сродством. Применение этих материалов дает возможность понизить порог эмиссии при изготовлении ненакаливаемых катодов устройств эмиссионной электроники и плоских дисплеев с высокой яркостью и малым энергопотреблением. Известно использование слоистых структур металл/диэлектрик и полупроводник/диэлектрик для повышения эффективности эмиссии электронов. В этой связи значительный интерес представляет применение слоистых структур типа алмаз/A1N и им подобных.

В России работы в области получения, исследования и применения в электронной технике алмазных пленок постоянно ведутся в Институте физической химии РАН (ИФХРАН), МоскваНаучно-исследовательском институте ядерной физики Московского государственного университета (НИИЯФ МГУ) — Институте общей физики РАН, МоскваОткрытом акционерном обществе Центральный научно-исследовательский технологический институт «Техномаш» .

ОАО ЦНИТИ «Техномаш»), МоскваБурятском научном центре СО РАН (БНЦ СО РАН), Улан-УдэИнституте кристаллографии РАН (ИК РАН), Москва, и в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург. Ряд организаций Екатеринбурга, Москвы, Новосибирска и С.-Петербурга работает в области синтеза и применения в электронной технике АУП. Синтезу, анализу свойств и применению пленок алмаза и АУП посвящены работы Б. В. Спицына, В. М. Голянова, В. В. Слепцова, В-Е.Стрельницкого, В. И. Конова, Д. Ангуса, Д. Батлера, Д. Давидсона, П. Бахмана, С. Мацумото, Й. Сато, а многослойным структурам, содержащим слой алмаза, -Н.В.Суетина, Х. Накахаты, С.Шикаты. Полученные результаты по разработке технологии синтеза и изучения функциональных свойств слоев алмаза и слоистых структур на их основе дают возможность оценить эффективность использования пленок алмаза и АУП в устройствах электронной техники.

Таким образом, необходимость исследований в области разработки конструктивно-технологических решений по формированию пленок алмаза, АУП, A1N и ZnO с заданными строением и свойствами и создания приборов электронной техники с применением слоистых структур на их основе весьма актуальна.

Цель работы.

Целью настоящей работы являлась разработка технологии и оборудования для осаждения пленок алмаза, алмазоподобного углерода, нитрида алюминия и оксида цинка с контролируемым содержанием и строением кристаллических фаз, формирование многослойных структур, включающих эти пленки, и создание на их основе устройств электронной техники с улучшенными эксплуатационными характеристиками.

Для достижения поставленной цели потребовалось решить следующие задачи: — Создать принципиально новое и модернизировать существующее вакуумное специальное технологическое оборудование, и разработать технологию синтеза плазменными методами алмазных пленок и пленок родственных материалов (АУП, A1N и ZnO). Технология и оборудование должны позволять: а) формировать рентгеноаморфные и выращивать при низких температурах (<600 К) на неориентирующих подложках пленки A1N и ZnO с упорядоченным строением кристаллической фазыосаждать углеродные пленки с регулируемыми концентрациями алмаза и алмазоподобного углеродаб) легировать при выращивании слои алмаза и A1N с заданным распределением легирующей примеси или компонентов многокомпонентных пленок по их толщинев) изготавливать многослойные структуры с заданными функциональными характеристиками, необходимыми для создания устройств микрои акустоэлектроникид) полировать и проводить размерную обработку пленок алмаза и АУП плазменными методами.

— Изучить влияние параметров процесса и конструктивных особенностей оборудования на фазовый состав, строение фаз и электрофизические свойства пленок алмаза, A1N и ZnO, сформированных плазменными методами.

— Исследовать влияние введенной примеси (Си, Mo, Zn, Sm, Ей, Er, Tb и др.) на концентрацию и строение кристаллической фазы, а также на свойства (электропроводность и др.) пленок A1N и ZnO.

— Разработать конструкции, изготовить и провести испытания элементов приборов электронной техники на основе многослойных структур, содержащих слои алмаза, АУП, A1N и ZnO: а) фильтров и J13 на ПАВ на основе слоистых звукопроводов anMa3/AlN (ZnO), a-Al203/AlN (Zn0), ситалл/АМ^пО) и др.- б) многослойных теплоотводов на основе пленок алмаза, АУП и A1N для микроэлектронных устройствв) тонкопленочных термопечатающих матриц (ТТМ) с защитным покрытием на основе A1Nг) ненакаливаемых катодовд) слоистых подложек для СВЧ техники и др.

Научная новизна.

1. Теоретически обоснована и экспериментально подтверждена возможность выращивания плазменными методами пленок алмаза, A1N и ZnO с упорядоченным строением кристаллической фазы на подложках аморфных и кристаллических материалов (без эпитаксиальных ограничений) с целью формирования многослойных структур на их основе.

2. Исследовано влияние технологических параметров и конструктивных особенностей оборудования (мощность разряда, температура кристаллизации, состав и давление газа, материал подложки, конструкция и состав мишени, расположение подложки относительно мишени и др.) на состав, строение и функциональные характеристики пленок A1N и ZnO и слоистых структур на их основе.

3. Обоснована и экспериментально подтверждена возможность выращивания сильнотекстурированных по <0001 > пленок A1N и ZnO с заданной ориентацией оси текстуры относительно подложки.

4. Установлены закономерности выращивания пленок диэлектрических материалов методом магнетронного распыления, позволяющие стабилизировать направление потока пленкообразующих частиц относительно подложки и формировать многокомпонентные пленки с заданным неоднородным по толщине распределением компонентов.

5. Исследована зависимость состава, строения и свойств пленок A1N от вводимых примесей металлов. Впервые установлено распределение примесей между рентгеноаморфной и кристаллической фазами пленок A1N.

6. Впервые теоретически и экспериментально обоснована возможность использования пленок поликристаллического алмаза в составе слоистых структур алмаз/AlN и алмаз/ZnO в качестве материала звукопровода устройств на ПАВ.

На защиту выносятся.

1. Конструкции специального вакуумного технологического оборудования для формирования, полирования и размерной обработки пленок алмаза, АУП, A1N и ZnO плазменными методами.

2. Конструктивно-технологические решения в области применения магнетронного распыления для выращивания пленок A1N и ZnO с упорядоченным строением кристаллической фазы при низких температурах кристаллизации (<600 К) на подложках из аморфных и кристаллических материалов, а также по формированию многослойных структур на основе этих пленок.

3. Результаты исследований закономерностей влияния параметров технологических процессов на функциональные характеристики сформированных плазменными методами пленок алмаза, АУП, A1N и ZnO и многослойных структур на их основе.

4. Зависимости эксплуатационных характеристик устройств электронной техники (фильтры и JI3 на ПАВ, ТТМ, ненакаливаемые катоды, слоистые подложки для СВЧ электронной техники, фотоприемники и источники излучения в УФ области), изготовленных на основе многослойных структур, включающих слои алмаза, алмазоподобного углерода, A1N и ZnO от их толщины, состава, строения и последовательности нанесения.

Практическая ценность работы.

Разработаны технология и оборудование для выращивания на подложках аморфных и кристаллических материалов пленок A1N и ZnO с заданной концентрацией, упорядоченным строением и ориентированием относительно подложки кристаллической фазы. Внедрено несколько типов промышленных и исследовательских установок магнетронного распыления, предназначенных для выращивания пленок A1N, ZnO и других материалов со стабильными функциональными характеристиками (установка ПЛАЗМА-ЗМЦ и др.). Разработаны и изготовлены не имеющие аналогов установки для выращивания, легирования и коррекции состава многокомпонентных (одно и многофазных) пленок, в частности такие установки, как ИОН-1, совмещающей магнетронное распыление с распылением ионным пучком, и установка с тремя ионными источниками. Разработаны технологии и оборудование (установки АЛМАЗ, УВА-1РМ, УМТ-51П-1 и др.) для плазменных процессов осаждения, полирования и размерной обработки пленок алмаза и АУП.

Разработанные технологии и оборудование были рекомендованы для использования на предприятиях, специализирующихся в области создания устройств и приборов электронной техники. Разработанные магнетроны могут быть рекомендованы для модернизации вакуумных установок серий УВН, КАТОД и ВУП с целью использования их для выращивания пленок.

Разработаны и внедрены технологии формирования ТТМ строчного и точечного типов, в конструкцию которых входит многослойное защитное покрытие на основе A1N, выдерживающие воздействие ударных и тепловых нагрузок, которое другими известными методами сформировать невозможно. Разработаны технологии изготовления устройств на ПАВ и ненакаливаемых катодов на основе пленок алмаза и родственных материалов. Разработана технология изготовления теплоотводящих подложек, включающих слои алмаза или A1N, по эксплуатационным характеристикам Не уступающих подложкам из токсичной керамики на основе ВеО. Разработанные Технологии могут быть использованы при изготовлении устройств микроэлектроники, в частности, гибридных интегральных схем (ГИС), устройств отображения информации.

Представленные в диссертации исследования выполнены в соответствии с планами научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ ОАО ЦНИТИ «Техномаш» по госбюджетным темам: НИР 8121−1 «ВОЛНА-1» и ОКР 8321−1 «BOJ1HA-5» «Разработка технологического процесса промышленного изготовления элементов приборов на поверхностных акустических волнах на слоистых средах» — НИР 87ДС «РАДУГА ТПГ-1» «Модернизация специального технологического оборудования и разработка технологического процесса для формирования защитных диэлектрических покрытий термопечатающих головок» — НИР 8921−1 «РЕАКТОР» «Исследование в области технологии изготовления толстых алмазных слоев, пригодных для использования в качестве активных и пассивных элементов микроэлектронных устройств» — НИР 9124 «ДАМЛЕР-МС» «Разработка научных основ и создание промышленного технологического оборудования для выращивания толстых алмазных слоев, пригодных для использования в качестве пассивных элементов микроэлектронных устройств» ;

ОКР 92МТ «МИКРОЭЛЕКТРОНИКА» «Разработка промышленного оборудования для осаждения алмазных поликристаллических пленок и создание на их основе ГИС повышенной мощности» — НИР 9224 «ДАГОМЕЯ-РВО» «Разработка оборудования и процессов выращивания поликристаллических алмазных слоев с регулируемым строением и свойствами методом плазмохимической кристаллизации и создание на их основе устройств электронной техники» — НИОКР 23−131/2001 «Диамант-М» «Разработка технологии и специального технологического оборудования для нанесения алмазных и алмазоподобных углеродных покрытий и слоев для создания средств отображения информации и элементов связи СВЧ диапазона» и др. Кроме того, работа проводилась в соответствии с договорами о научно-техническом сотрудничестве с ИФХ РАН (Москва) по теме «Разработка опытных образцов приборов на поверхностных акустических волнах на основе поликристаллических алмазных пленок» и с ПО «ПОЗИСТОР» (Абовян, Армения) по теме «Совершенствование технологии получения износостойких защитных покрытий Тонкопленочных термопечатающих головок». (Руководитель и ответственный Исполнитель перечисленных НИОКР и договоров — А.Ф.Белянин).

Апробация работы.

Результаты работы докладывались и обсуждались на III и IV школах по физико-химическим основам методов получения и исследования материалов электронной техники (Улан-Удэ, 1981; Красноярск, 1984) — IX-XII, XIV и XIX Научно-технических конференциях, посвященных дню радио (Москва, 1983;1986, 1988, 1994) — VII Совещании по физико-химическим проблемам кристаллизации (Звенигород, 1984) — IV Всесоюзном совещании «Дефекты структуры в полупроводниках» (Новосибирск, 1984) — II—IV Всесоюзных конференциях «Актуальные проблемы получения и применения сегнето-, пьезо-, пироэлектриков и родственных материалов» (Москва, 1984, 1987, 1991) — VI Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Ереван, Армения 1985) — VII Республиканском семинаре по физике и технологии тонких пленок (Ивано-Франковск, Украина, 1985) — III Всесоюзном совещании «Физика и технология широкозонных полупроводников» (Махачкала, 1986) — XIII Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике (Черновцы, Украина, 1986) — VII Научно-техническом совещании «Тугоплавкие соединения в микроэлектронике» (Ереван, Армения, 1986) — Всесоюзной научно-технической конференции «Конструирование и технология микроэлектронных устройств» (Рига, Латвия, 1986) — Научном симпозиуме «Разработка акустоэлектронных устройств для АПОИ» (Ереван, Армения, 1987) — VIII Научно-техническом совещании «Современные методы физико-химического анализа новых материалов для микроэлектроники на основе металлических систем и тугоплавких соединений» (Одесса, Украина, 1987) — Координационном совещании по комплексной программе «Технология микроэлектронных приборов и аппаратура средств связи» (Львов, Украина, 1988) — Всесоюзной научно-технической конференции «Конструктивно-технологическое обеспечение качества микрои радиоэлектронной аппаратуры при проектировании и в производстве» (Ижевск, 1988) — 2 Всесоюзной научно-технической конференции «Технология и конструирование ГИС и вопросы их производства» (Углич, 1988) — IX Научно-техническом совещании «Материалы и новые технологические процессы в микроэлектронике» (Дрогобыч, Украина, 1988) — Совещании «Прогрессивная технология изготовления гибридных интегральных микросхем» (Минск, Белоруссия, 1988) — III—V Межрегиональных школах-семинарах.

Устройства акустоэлектроники" (Москва, 1988; Ростов, 1991; Пенза, 1992) — Совещании «Новые материалы для микроэлектроники» (Одесса, Украина, 1989) — Отраслевом научно-техническом совещании «Состояние и перспективы применения новых материалов в изделиях микроэлектроники» (Киев, Украина, 1989) — Семинаре «Сегнето-, пьезоэлектрики и высокотемпературные сверхпроводники в электронике и приборостроении» (Москва, 1990) — 1, 6, 8 и 9 Европейских конференциях «Пленки алмаза и алмазоподобного углерода» (Кранс-Монтана, Швейцария, 1990; Барселона, Испания, 1995; Эдинбург, Великобритания, 1997; Крит, Греция, 1998) — I—XII и XIV Международных симпозиумах «Тонкие пленки в электронике» (Йошкар-Ола, 1990, 1992, 1994, 1996, 2000; Ижевск, 1991; Улан-Удэ, 1993; Херсон, Украина, 1995; Харьков, Украина, 1997, 2001, 2002; Иваново, 1998; Ярославль, 1999) — Отраслевом совещании «Состояние и перспектива применения новых материалов в изделиях микроэлектроники» (Киев, Украина, 1991) — XII Научно-техническом совещании «Новые материалы для микроэлектроники» (Кацивели, Украина, 1991) — I-V Международных симпозиумах по алмазным пленкам (Улан-Удэ, 1991; Минск, Белоруссия, 1994; С.-Петербург, 1996; Харьков, Украина, 1999, 2002) — Конференции по электронным материалам (Новосибирск, 1992) — Конференции «Наука и технология» (Москва, 1992) — Научном семинаре Института проблем материаловедения НАН Украины «Пленочные материалы функциональной электроники» (Киев, Украина, 1992, 1993) — Международных конференциях «Алмазы в технике и электронике» (Москва, 1992;2001) — Конференции «Применение пленок алмаза и родственных материалов» (Гайзерсбург, США, 1995) — I—VIII Международных конференциях «Высокие технологии в промышленности России» (Москва, 1996;2002) — XI Международной конференции по вакуумной микроэлектронике (Эшвил, США, 1998) — 2−4 Международных симпозиумах «Вакуумные технологии и оборудование» (Харьков, Украина, 1998, 1999, 2001) — 1−3 Международных симпозиумах «Аморфные и микрокристаллические полупроводники» (С.-Петербург, 1998, 2000, 2002) — 1−3 и 6 Всероссийских научных конференциях «Молекулярная физика неравновесных систем» (Иваново, 1999;2002) — 3 и 4 Всероссийских совещаниях «Нитриды галлия, индия и алюминия — структуры и приборы» (Москва, 1999; С.-Петербург, 2000) — VI Китайско-Российском симпозиуме.

Новые материалы и технологии" (Пекин, Китай, 2001) — 8 Международной конференции по электронным материалам (Хиян, Китай, 2002).

Публикации.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 158 статьях в отечественных и зарубежных изданиях, 55 тезисах докладов в материалах всероссийских и международных конференций и симпозиумов, а также представлены в 14 авторских свидетельствах на изобретения.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы из 582 наименований и приложений. Приложения включают Пактов внедрения оборудования для выращивания пленок и формирования слоистых структур и 2 акта типовых испытаний и сдачи-приемки научно-технической продукции — ТТМ на основе разработанных слоистых структур. Работа содержит 328 страниц основного текста, включающих 47 таблиц и 167 рисунков.

Основные результаты работы.

1. Разработаны технологии получения углеродных пленок с различной концентрацией алмазной фазы. Пленки алмаза и алмазоподобного углерода осаждались из водород-углеводородной газовой смеси, активированной методами дуговоготлеющегоВЧ и СВЧ разрядов, близких к ЭЦРметодом нагретой нитиметодом ВЧ диодного разрядаа также методами распылением графитовой мишени ионным пучком, ВЧ и на постоянном токе магнетронным распылением. Изменяя параметры технологического процесса можно менять концентрацию алмазной фазы в пленке от 0 до >99 об.%. Сформированные методами дугового разряда и нагретой нити беспористые углеродные пленки с концентрацией алмазной фазы >99 об.% перспективны при создании устройств акустоэлектроники и теплоотводов в микроэлектронике.

Разработана технология формирования пленок алмаза с низкой степенью кристалличности (<10 об.%) и пленок алмазоподобного углерода, обладающих функциональными характеристиками, необходимыми для производства устройств эмиссионной электроники и микроэлектроники.

2. Разработаны и исследованы процессы полирования и размерной обработки пленок алмаза и алмазоподобного углерода методами ионно-плазменного и плазмохимического травления. Плазменные методы полирования и размерной обработки пленок алмаза позволили производить съем алмазных материалов, не поддающихся химическим процессам. Методы позволяют формировать отвесные вертикальные стенки рельефной поверхности. Среди этих методов наиболее перспективны травление в плазме, стимулированной магнитным полем, и плазмохимическая обработка пучком ионов. Оба метода могут быть рекомендованы для формирования элементов топологии устройств, на основе пленок алмаза и алмазоподобного углерода.

3. Установлены закономерности влияния параметров технологического процесса формирования пленок A1N и ZnO на изменение степени кристалличности и строение кристаллической фазы. Установлено, что пленки A1N и ZnO, выращенные методами магнетронного распыления и распыления ионным пучком, состоят из рентгеноаморфной и кристаллической фаз. Кристаллическая фаза пленок имеет волокнистое строение. Показано, что направление оси текстуры пленок A1N и ZnO, выращиваемых методами распыления, связано с наличием атомной шероховатости ростовой поверхности. Согласно этому, текстурирование A1N и ZnO происходит преимущественно по <0001>. Ориентирование оси <0001> текстуры A1N и ZnO относительно подложки зависит от направления потока пленкообразующих частиц в процессе осаждения.

4. Разработаны технологии выращивания пленок A1N и ZnO на неориентирующих подложках из аморфных и поликристаллических материалов при температурах <600 К. С использованием методов магнетронного распыления и распыления ионным пучком на подложках из аморфных материалов (плавленый кварц, стекло, ситалл) выращены пленки A1N и ZnO, имеющие степень кристалличности >90 об.% и разориентацию кристаллитов <0,5°. Разработаны условия выращивания сильнотекстурированных по <0001> пленок A1N и ZnO с заданной ориентацией оси текстуры относительно подложки. Показано, что методы магнетронного распыления и распыления ионным пучком характеризуются неравновесными условиями кристаллизации, при которых преобладает нетангенциальный (нормальный) рост. Нормальный рост пленок открывает перспективы применения пленок заданного состава и строения кристаллической фазы, выращиваемых магнетронным распылением, для создания новых и улучшения функциональных и эксплуатационных характеристик традиционных устройств микро-, и акустоэлектроники, например, устройства на ПАВ и термопечати.

5. Впервые предложен метод, использующий перемещение области распыления вдоль мишени для легирования пленок и получения пленок, неоднородно легированных по толщине. Представлены методы и средства введения легирующих добавок в процессе выращивания пленок A1N и ZnO магнетронным распылением. Показано влияние примесей на строение и физико-химические свойства пленок A1N. Установки, оснащенные магнетроном и источником тлеющего разряда, позволяют выращивать и легировать в процессе выращивания пленки алмазоподобного углерода, вести осаждение пленок полупроводниковых и др. материалов, а также создавать на их основе в едином технологическом цикле многослойные структуры. При распылении материала ионным и магнетронным источниками распыленные частицы осаждаются на одну подложку, что, учитывая на два порядка меньшую скорость распыления ионным источником, позволяет использовать его для введения в пленку легирующей примеси. Метод позволяет точно задавать уровень легирования. Одновременная работа ионного источника и магнетрона позволяет проводить выращивание пленок при давлении на порядок меньше, чем при работе одного магнетрона, что позволяет улучшить чистоту выращиваемых пленок.

6. Разработано, изготовлено и внедрено (не имеющие аналогов) оборудование:

— Установка АЛМАЗ, предназначенная для выращивания алмазных пленок методом дугового разряда.

— Установка на основе вакуумного поста УРМЗ.279.026, оснащенная двумя устройствами дугового разряда и предназначенная для осаждения пленок алмаза и алмазоподобного углерода на перемещающиеся подложки.

— Установка ИОН-1, оснащенная двумя ионными источниками и магнетроном и предназначенная для выращивания и легирования в процессе выращивания пленок диэлектрических материалов.

— Установка для выращивания пленок AIN методом ВЧ магнетронного реактивного распыления, оснащенная цельнометаллическим планарным магнетроном, корпус которого изготовлен из А1, распыляемого в процессе выращивания, и предназначенной для выращивания пленок высокой чистоты.

— Установка ПЛАЗМА-ЗМЦ, оснащенная цилиндрическим магнетроном и системой многоярусного кольцевого экрана, предназначенная для выращивания пленок A1N на неподвижных подложках на большей площади и достижения равномерности направленности потока пленкообразующих частиц.

— Установки (УМТ-51П-1 и др.), оснащенные устройством ВЧ диодного разряда со сканированием подложек магнитным полем и предназначенные для осаждения, травления и размерной обработки алмаза и алмазоподобного углерода.

— Модернизированные установки КАТОД-1М и УВН-62П-3, оснащенные специально разработанными магнетронами и предназначенные для выращивания пленок AIN, ZnO и формирования многослойных структур, включающих эти пленки, в едином технологическом цикле.

7. Показана возможность использования слоистой структуры подложка/AlN, (подложка — плавленый кварц, ситалл, сапфир и алмаз) при изготовлении линий задержки и фильтров на ПАВ. Впервые на основе слоистых структур

Si (W)/anMa3/AlN (ZnO), включающих в качестве звукопровода слои поликристаллического алмаза и текстурированные по <0001> пленки A1N или ZnO, изготовлены устройства на ПАВ.

Разработаны технологические процессы промышленного производства устройств на ПАВ с использованием алмазного звукопровода: выращивание непористых, однородных по составу слоев алмазаполирование слоев алмаза большой площади со значительной неоднородностью по толщине и наращивание на поликристаллический алмаз пленок пьезоэлектрических материалов, по внутреннему строению близких к монокристаллу и обладающих воспроизводимыми характеристиками.

8. Изучены особенности использования пленок алмаза, алмазоподобного углерода, полученных методом плазменного ВЧ разряда, близкого к ЭЦР и A1N, выращенных ВЧ магнетронным распылением, в качестве теплоотводящих подложек ГИС.

Разработана технология изготовления теплоотводящих подложек, включающих слои алмаза, алмазоподобного углерода или A1N, по эксплуатационным характеристикам не уступающим подложкам из токсичной керамики на основе ВеО.

9. Разработаны принципиально новые конструкции тонкопленочных термопечатающих матриц строчного (ТТМ-28) и точечного (ТТМ-85) типов, защитное покрытие которых представляет многослойную структуру AlNaM/AlNKp/Al203aM/AlNKp. Показано, что в условиях воздействия ударных нагрузок ресурс работы ТТМ с защитным покрытием на основе A1N более чем в 200 раз превышает ресурс работы матриц с защитным покрытием, состоящим из Si02 и А120з — материалов, превосходящих A1N по микротвердости.

10. Показано, что сочетание пленок алмаза с пленками других полупроводниковых и диэлектрических материалов обеспечивает создание новых пассивных и активных структур для твердотельной микрои акустоэлектроники. Разработана технология изготовления слоистых структур алмаз/АПЧ^пО). На слоистых структурах алмаз, легированный бором, и A1N, легированный цинком, созданы фотоприемники, работающие в фотовольтаическом режиме. Нанесение на поверхность углеродных пленок слоев A1N, MgOx и AI2O3 толщиной <10 нм понижает порог эмиссии пленок из поликристаллического алмаза и острийных катодов из Si и увеличивают крутизну вольт-амперных характеристик пленок из алмазоподобного углерода. Впервые изготовлены и испытаны ненакаливаемые катоды на основе острийных структур из нитевидных кристаллов Si, покрытых пленкой A1N. Использование покрытия из A1N приводит к снижению порога эмиссии на ~200 В.

Благодарности.

Автор считает приятным долгом выразить благодарность коллегам, совместно с которыми были получены экспериментальные результаты, нашедшие отражение в диссертации, и прежде всего своим ученикам: старшему научному сотруднику лаборатории лазерной спектроскопии, к.т.н. В. В. Бесогонову (Институт прикладной механики Уральского отделения РАН, Ижевск) — научному сотруднику лаборатории электронной микроскопии, к.т.н. А. Ю. Илюшечкину (Квинслендский университет, Брисбен, Австралия) — старшему научному сотруднику лаборатории ионно-плазменной технологии и вакуумных процессов, к.т.н. П. В. Пащенко (ОАО Центральный научно-исследовательский технологический институт «Техномаш», Москва) — доценту кафедры Технологии и конструирования радиоаппаратуры, к.т.н. Н. И. Сушенцову (Марийский государственный технический университет, Йошкар-Ола) — главному специалисту научно-производственного сектора, к.т.н. С. М. Найде (ЗАО «ТЕХНОМАП», Москва) — научному сотруднику лаборатории синтеза углеродных покрытий, к.т.н. И. А. Семеновой (Отдел физических проблем при Президиуме Бурятского научного центра Сибирского отделения РАН, Улан-Удэ) и научному сотруднику центра исследования частиц, к.т.н. А. Б. Спицыну (Университет штата Миссури, Колумбия, США).

Автор выражает признательность: заведующему лабораторией технологии наноструктур и фотонных кристаллов, д. ф-м.н., профессору М. И. Самойловичуначальнику отдела печатных плат, ученому секретарю института, к.т.н. Э. А. Сахноведущему конструктору отдела волоконно-оптических систем и специальных стекол В. Д. Масину (все ОАО Центральный научно-исследовательский технологический институт «Техномаш», Москва) — заведующему лабораторией кристаллизации алмазных покрытий, д.х.н. Б. В. Спицынустаршим научным сотрудникам той же лаборатории к. ф-м.н. Л. Л. Буйлову, к. ф-м.н. В. П. Варнину, к. ф-м.н. Г. А. Соколиной и к. ф-м.н. В. И. Савенковедущему научному сотруднику, д.х.н. Н. А. Бульенкову (все.

Ь Институт физической химии РАН, Москва) — ведущему научному сотруднику отдела.

I микроэлектроники, д. ф-м.н. Н. В. Суетину и ведущему программисту того же отдела.

А.А.Бляблину (Научно-исследовательский институт ядерной физики МГУ, Москва) — старшему научному сотруднику отдела технологии устройств микроэлектроники, к.т.н. В. Н. Зиме (Научно-исследовательский институт приборостроения, Омск) — заведующему отделом физических проблем, д.т.н., профессору А. П. Семенову (Бурятский научный центр Сибирского отделения РАН, Улан-Удэ) — научному сотруднику, к.т.н. В. В. Жирнову (Университет штата Северная Королина, США) — младшему научному сотруднику кафедры аналитической химии, к.х.н. К. А. Ковальскому (Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова) — ведущему научному сотруднику Центра прогрессивных технологий микроэлектроники, к. ф-м.н. В. Б. Кваскову (Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (ТУ)), главному инженеру завода Б. Н. Перевозчикову (Ижевск), сотрудничество с которыми способствовало успешному выполнению работы.

Автор также выражает признательность руководству ОАО Центральный научно-исследовательский технологический институт «Техномаш» (Москва), где выполнялась работа: генеральному директору, к.т.н., профессору В. Д. Житковскому и заместителю генерального директора по научной работе, к.т.н. В. В. Жиликову за поддержку в работе над диссертацией.

Особая благодарность аспиранту Московского государственного института радиотехники, электроники и автоматики (ТУ) К. Ю. Петухову за помощь при оформлении диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Внедрение результатов работы.

Материалы диссертационной работы и полученные результаты использованы в следующих организациях:

1. В Научно-исследовательском институте вакуумного электронного машиностроения (Ижевск) использованы:

1.1. Промышленная установка ИОН-1, внутрикамерная оснастка которой содержит планарный магнетрон и два ионных источника. Установка применялась для выращивания пленок сложного состава, в частности пленок высокотемпературных сверхпроводящих материалов. Наращивание пленок проводилось одновременно на 6 подложек размером 48X60 мм при температуре 1273 К. Для легирования осаждаемых пленок и коррекции состава использовали два ионных источника.

1.2. Модернизированная установка КАТОД-1М, предназначенная для осаждения пленок диэлектрических материалов. Экономический эффект 150 тыс. рублей, в ценах 1990 года. В дальнейшем установка была передана в РПО «АЛМАЗ» (Ростов-на-Дону).

1.3. Нижеперечисленные узлы и блоки: а) блок для приготовления газовых смесей, позволяющий поддерживать стабильный состав газовой смеси в процессе осажденияб) магнетрон с улучшенными характеристиками стабильности и надежности. Указанные узлы и блоки в составе вакуумной установки применялись для получения структуры AIN/Al203/A1N в качестве защитного покрытия ТТМ.

1.4. Дросселирующий высоковакуумный затвор 122-Э25.20.00.00. Применен в вакуумной системе установки КВАНТ-М. Экономический эффект 25 млн. рублей на одну установку, в ценах 1995 года.

2. В ЗАО Центр новых технологий «ОПТРОН» (Москва) использованы:

2.1. Двухканальный блок питания для магнетронов постоянного тока ФТЯИ 224-Э16.00.00.00. Применен в составе установки КАТОД-1М для осаждения пленок различных материалов. Экономический эффект 12 млн. рублей, в ценах 1996 года.

2.2. Магнетрон, предназначенный для выращивания пленок AIN, А12Оэ, Si02, ZnO и др. Применяется в составе установки КАТОД- 1 М для наращивания пленок.

A1N на керамику из A1N с целью повышения ее теплопроводности и увеличения однородности теплопроводности по поверхности подложки. Слоистые теплоотводящие подложки АШ-керамикаМЖ-пленка использованы для замены высокотоксичной керамики из ВеО. Экономический эффект 32 млн. рублей в год, в ценах 1996 года.

3. В войсковой части 35 533 использована модернизированная установки ЭРА. Модернизация включала монтаж двух магнетронов КП224-Э09.00.00, внутрикамерной оснастки и блока питания. Модернизированная установка используется для производства изделий микроэлектроники с 1992 года.

4. В Государственном предприятии УНПЦ «ПОИСК» (Йошкар-Ола) использовали магнетрон КП214-Э4.00.00.00. В составе вакуумной установки магнетрон применяли для выращивания пленок A1N. Пленки, выращенные с применением магнетрона, использовались при создании приборов на ПАВ и защитных покрытий ТТМ.

5. В ТОО «ЭЛДЕН» (Ярославль) использовано многослойное защитное покрытие на основе A1N при изготовлении термопечатающих головок типа М0111НФ-М1 (ТУ 25−7807,0019−87), предназначенных для гидрографической аппаратуры.

6. В АОЗТ «Сайгас-Керамика» (Ижевск) использовали деформируемую крышку для рабочей камеры вакуумной установки (по а.с. № 1 828 878). Применение деформируемой крышки на 20−30% уменьшило время достижения вакуума и более чем в 15 раз вес камеры. Экономический эффект 30 млн. рублей, в ценах 1995 года.

Перечисленное подтверждено актами внедрения, представленными в приложении к диссертации. Магнетронные распылительные системы и установки, оснащенные магнетронными распылительными системами, разработаны, изготовлены и поставлены также в следующие организации: ИФХ РАН, ИК РАН, НИИЯФ МГУ, МП «МИКРОС», все МоскваНИИ «Автоматика», Екатеринбургопытный завод «Протон», Зеленоградопытный завод «Эталон», Уфа и др.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Collins J.L. Diamond-like carbon (DLC) — a review // 1. dustrial diamond review. 1998. V. 58. № 578. P.90−92.
  2. А.Ф. Получение пленок AIN (обзор) // Тонкие пленки в электронике. Материалы 7 Международного симпозиума. Йошкар-Ола: МарГТУ. 1996. С. 167−212.
  3. Benjamin М.С., Wang С., Davis R.F., NemanishR.J. Observation of a negative electron affinity for heteroepitaxial AIN on a-(6H)-SiC (0001) // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 24. P.3288−3290.
  4. Shiosaki Т., Yamamoto Т., Oda Т., Harada K., Kawabata A. Low temperature growth of piezoelectic AIN films for surface and bulk wave transducers by RF planar magnetron sputtering//Pros. IEEE. 1980. Ultrasonic Simposium. P.451−454.
  5. ZimanI. Electronic components conference to spotlight advances in matherials // Electronics. 1984. V. 57. № 9. P. 134−136.
  6. Renner T. Herstellung der Nitride von Bor, Aluminium, Gallium und Indium dem Aufwachsvertahren // Zeitshrift fur Anorg. und Allg. Chem. 1959. B. 297. P.22−23.
  7. Акустические кристаллы. Под ред. М. П. Шаскольской. М.: Наука. 1982. 632 с.
  8. Puzikov V.M., Semenov A.V. Ion beam deposition of transparent carbon films // Proceedings of 4th International Symposium on Diamond Films and Related Materials/ Kharkov. Ukraine. 1999. P. 191−196.
  9. А.П., Конов В. И., Углов С. В. Синтез алмазных пленок из стационарной лазерной плазмы в С02 + СН4 газовых смесях // Алмазные пленки и пленки родственных материалов. Харьков. Украина. 2001. С.91−93.
  10. И.И., Стрельницкий В. Е. Синтез безводородных пленок алмазоподобного углерода // Алмазные пленки и пленки родственных материалов. Харьков. Украина. 2001. С.96−105.
  11. Aksenov I.I., Strel’nitskiy V.E. Vacuum arc discharge as an instrument for PVD process of DLC films deposition // Алмазные пленки и пленки родственных материалов. Харьков. Украина. 2002. С.39−64.
  12. .В., Алексенко А. Е. Возникновение, современные возможности и некоторые перспективы развития синтеза алмаза из газовой фазы // Алмазные пленки и пленки родственных материалов. Харьков. Украина. 2002. С. 122−147.
  13. Spitsyn B.V., BouilovL.L., Deryaguin B.V. Diamond and diamond-like films: deposition from the vapour phase, structure and properties // Crystal Growth and Charact. 1988. V. 17. P.79−170.
  14. ChuT.L., IngD.W., Noreika A.J. Epitaxial growth of aluminum nitride // Solid-State Electronics. 1967. V. 10. P.1023−1027.
  15. А.Ф., Пащенко П. В. Конструкции магнетронных распылительных систем (обзор) // Техника средств связи. М.:ЭКОС. 1992. Серия: ТПО. Вып. 1,2. С.6−27.
  16. Химическая энциклопедия. М.: Советская энциклопедия. 1988. Т. 1.
  17. Khan А.Н., OdehM.F., MeeseJ.M., Charlson Е.М., Charlson E.J., Stacy Т., Popovici G., Prelas M.A., Wrogg J.L. Growth of oriented aluminium nitride films on silicon by chemical vapour deposition //J. of Materials Science. 1994. V. 29. P.4314−4318.
  18. YimW.M., Stofko E.J., Zanzucchi P.J., PankoveJ.I., EttenbergM., Gilbert S.L. Epitaxially grown AIN and its optical band gap // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. № 1. P.292−295.
  19. Callaghan M.P., Patterson E., Richards B.P., Wallace C.A. The growth, crystallographic and electrical assessment of epitaxial layers of aluminium nitride on corundum substrates // J. Cryst. Growth. 1974. V. 22. P.85−98.
  20. ItohH., KatoM., SugiyamaK. Plasma-enhanced chemical vapour deposition of AIN coatings on graphite substrates // Thin Solid Films. 1987. V. 146. № 3. P.255−264.
  21. SomenoY., Sasaki M., HiraiT. Preparation of A1N-A1203 composite films by Microwave Plasma Chemical Deposition // Japan. J. of Appl. Phys. 1991. V. 30. № 8. P.1792−1797.
  22. H.B., Добрынин A.B., НайдаГ.А., Соколов Е. Б. Осаждение эпитаксиальных слоев A1N и его свойства // Техника средств связи. 1987. Серия ТПО. Вып. 1.С.45−55.
  23. Chu T.L., Kelm R.W. The preparation and properties of Aluminum Nitride films // J. Electrochem. Soc.: Solid-state Science and Technology. 1975. V. 122. № 7. P.995−1000.
  24. HasegawaF., Takahachi Т., Onoderal., Nannichi Y. Plasma CVD of amorphous AlN films from metal organic A1 source // Extend Abstrs 18th Conf. Solid State Devices and Mater. 1986. Tokyo. P.663−666.
  25. Morita M., Uesugi N., Isogai S., Tsubouchi K., MikoshibaN. Epitaxial Growth of aluminum nitride on sapphire using metalorganic chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. № 1. P.17−23.
  26. Morita M., Isogai S., Tsubouchi K., Mikoshiba N. Characteristics of the metal insulator semiconductor structure: AIN/Si // Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. № 1. P.50−52.
  27. Tsubouchi K., Sugai K., Mikoshiba N. High-frequency and low-dispersion SAW devices on AIN/AI2O3 and AIN/Si for signal processing // Proc. IEEE 1980 Ultrasonics Symposium. P.446−450.
  28. Tsubouchi K., Mikoshiba N. Zero-temperature-coefficient SAW devices on AIN epitaxial films // IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics. V. SU-32. 1985. № 5. P.634−643.
  29. Manasevit M., ErdmannF.M., Simpson W.I. The use of metalorganics in the preparation of semiconductor materials. IV. The nitrides of aluminum and gallium // J. Electrochem. Soc. Solid State Science. 1971. V. 118. № 11. P. 1864−1868.
  30. Akimoto K., Hirosawal., MizukiJ., FujiedaS., MatsumotoY., MatsuiJ. Interfacial superstructure of AlN/n-GaAs (001) system fabricated by metalorganic chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. № 8. P. L1401-L1403.
  31. Duffy M.T., Wang C.C., O’clock Jr. G.D., McFarlane III S.H., Zanzucchi P.J. Epitaxial growth and piezoelectric properties of AIN, GaN and GaAs on sapphire or spinel // J. Electronic Mater. 1973. V. 2. № 2. P.359−372.
  32. LiuJ.K., LakinK.M., WangK.L. Growth morphology and surface-acoustic-wave measurements of AIN films on sapphire // J. Appl. Phys. 1975. V. 46. № 9. P.3703−3706.
  33. Sun С J., Kung P., Saxler A., Ohsato H., Haritos K., Razeghi M. Acrystallographic model of (00.1) aluminum nitride epitaxial thin film growth on (00.1) sapphire substrate // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. № 8. P.3964−3967.
  34. Kawakami H., SakuraiK., Tsubouchi K., MikoshibaN. Epitaxial Growth of AIN film with an initial-nitriding layer on а-А120з substrate // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V. 27. № 2. P. L161-L163.
  35. Chaudhuri J., ThokalaR. X-ray double crystal characterization of single crystal epitaxial aluminum nitride thin films on sapphire, silicon carbide and silicon substrates // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. № 12. P.6263−6266.
  36. Tsubouchi K., Masu K. Epitaxial growth of aluminium nitride with atomic-layer controllability // New Functionality Materials, V.A. «Optical and Quantum Structural Properties of Semiconductors». Japan. 1993. P. 19−26.
  37. Dryburgh P.M. Factors affecting the growth of aluminum nitride layers on sapphire by the reaction of nitrogen with aluminum maroselenide // J. Crystal Growth. 1989. V. 94. № 1. P.23−33.
  38. Hickernel F.S. ZnO proceeding for bulk and surface-wave devices // Ultrasonic Symposium. 1980. P.785−794.
  39. Shiosaki Т., Shimizu M., Yamamoto Т., Kawabata A. Plasma-enhanced of metallorganic chemical vapour deposition of C-axis oriented and epitaxial films of ZnO at low substrate temperature // Ultrasonic Symposium. 1981. P.498−501.
  40. Shiosaki Т., Yamamoto Т., Yagi M., Kawabata A. Plasma-enhanced metallorganic chemical vapour deposition of C-axis oriented and epitaxial films of ZnO at low substrate temperatures //Appl. Phis. Lett. 1981. 39(5). P.399−401.
  41. Yoshiie Т., IwanagaH., YamaguchiT. and ShibataN. Effect of oxigen on the growth of ZnO crystals along the polar axis // Journal of Crystal Growth. 1981. 53. P.639−641.
  42. Tiku S.K., Lau C.K. and Lakin K.M. Chemical vapour deposition of ZnO epitaxial films on sapphire // Appl. Phis. Lett. 1980. 36(4). P.318−320.
  43. Aoki М., Tada К., Murai Т. A new technique for the vapour phase epitaxial growth ZnO as a guided-wave optical material // Thin Solids Films. 1981. (83). P.283−288.
  44. KasugaM., Mochizuki M. Orientation relationships of zinc oxide on sapphire in heteroepitaxial chemical vapour deposition // Journal of Crystal Growth. 1981. 54. P.185−194.
  45. Д.А., Рабаданов P.A., Семилетов С. А., Эфендиев А. З. Зависимость электрических свойств эпитаксиальиых пленок ZnO от условий выращивания и ориентации подложки//Микроэлектроника. 1978. Т. 7. Вып. 3. С.271−273.
  46. ГлодВ.С., Паздерзкий Ю. А., СушкоС.В. Кинетические закономерности роста пленок ZnO гидролизом хлористого цинка в газовой фазе // Электронная техника. 1984. Серия Материалы. Вып. 5. (190). С.49−52.
  47. Shimizu М., Monma A., Shiosaki Т., Kawabata A., Yamamoto Y. Effects of UV light irradiation on the growth of ZnO films // Journal of Crystal Growth. 1989. (94). P.895−900.
  48. Souletie P., Bethke S., Wessels B.W., PanH. Growth and characterisatin of heteroepitaxial ZnO thin films by organometallic chemical vapor deposition // Journal of Crystal Growth. 1988. 86. P.248−251.
  49. Bensalem R., Abid A., Sealy B.J. Evaporated aluminium nitride encapsulating films//Thin Solid Films. 1986. V. 143. P. 141−153.
  50. .Ф., Разрядов С. В., Фомин А. А., Шермергор Т. Д. Свойства пленок нитрида алюминия, полученных методом реактивного испарения алюминия в атмосфере аммиака // Физические основы микроэлектроники. Сборник статей. М. 1979. С.73−76.
  51. Jung Т., Schmidt М. Plasma-assisted reactive evaporation of aluminium nitride films //Phys. Stat. Sol. 1987. V. A100. № 1. P.207−211.
  52. YoichyM., KunihiroK. Aluminum nitride films by RF reactive ion-plating // J. Vac. Sci. Technol. 1980. V. 17. № 4. P.796−799.
  53. Yoshida S., Misava S., Itoh A. Epitaxial growth of aluminum nitride films on sapphire by reactive evaporation // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. № 8. P.461−462.
  54. М.И., Мушкаренко Ю. Н., Неустроев C.A., Смирнов А. А., Фокин Н. И. Получение и использование пьезоэлектрических слоев A1N ввысокочастотных акустоэлектронных приборах // Электронная техника. 1981.
  55. Серия 10. Микроэлектронные устройства. Вып. 6(30). С.58−59.
  56. Ohira S., Hiei К., Iwaki М. Properties of A1N films deposited on N-implanted AI // Nucl. Instrum. and Meth. Phys. Res. 1988. V. B32. № 1−4. P.66−70.
  57. Yamashita H., Fukui K., Misawa S., Yoshida S. Optical properties of A1N epitaxial thin films in the vacuum ultraviolet region // J. Appl. Phys. 1979. V. 50. № 2. P.896−898.
  58. Stevens K.S., Kinniburgh M., Schwartzman A.F., OhtaniA., BeresfordR. Demonstration of a silicon field-effect transistor using A1N asthe gate dielectric // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 55 (23). P.3179−3181.
  59. Tanaka S., Kern R.S., Davis R.F. Initial stage of aluminum nitride film growth oni6H-silicon carbide by plasma-assisted, gas-source molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 66 (1). P.37−39.
  60. Fritz I.J., Drummond T.J. AIN-GaN quarter-wave reflector stack grown by gas-source MBE on (100) GaAs // Electronics Letters. V. 31. № 1. P.68−69.
  61. KotulaP.G., Carter C.B., Norton M.G. Surface morphology of pulsed-laser deposited aluminium nitride thin films // Journ. of Mater. Sci. Let. 1994. V. 13. P.1275−1277.
  62. Vispute R.D., Narayan J., Wu H., Jagannadham K. Epitaxial growth of A1N thin films on silicon (111) substrates by pulsed laser deposition // J. Appl. Phys. V. 77. № 9. 1995. P.4724−4728.
  63. Solanski R, Collins G.J. Laser induced deposition of zinc oxide // Appl. Phis. Lett. 1983.42(8). P.662−663.
  64. KidoY., KakenoM., YamadaK., HiokiT., Kawamoto J., TadaM. Characterisation of aluminium nitride layers formed directly by 700−800 keV 15N2+ implantation into aluminium // J. Phys. D: Appl. Phys. 1982. V. 15. P.2067−2077.
  65. Raushenbach В., Kolitsch A., Richter E. Formation of A1N by nitrogen ion implantation // Thin Solid Films. 1983. V. 109. P.37−45.
  66. Kobayashi K., NambaS., FujihanaT., KobayashiT., Dai Y., Iwaki M. Recrystallization of A1NX (x
  67. Lieske N., Hezel R. Formation of Al-nitride films at room temperature by nitrogenion implantation into aluminum // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. № 9. P.5806−5810.
  68. Tansley T.L., Egan R.J., Horrigan E.C. Properties of sputtered nitride semiconductors // Thin Solid Films. 1988. V. 164. P.441−448.
  69. Duchene J. Radiofrequency reactive sputtering for deposition of aluminium nitride thin films // Thin Solid Films. 1971. V. 8. P.69−79.
  70. Aita C.R. Basal orientation aluminum nitride grown at low temperature by RF diode sputtering // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 3. P.1807−1808.
  71. Kumar N., Pourrezaei K., SsinghB., DeMariaR.J. RF reactively sputtered aluminum nitride thin films // ISAF'86: Proc. 6th IEEE Int. Symp. Appl. Ferroelec. 1986. New York. P.86−88.
  72. Favennec P.N., Henry L., Janicki Т., Salvi M. Protection du GaAs, Gal-xAlxAs et GaAsl-xPx par du nitrure d’aluminium depose par pulverisation reactive // Thin Solid Films. 1977. V. 47. P.327−333.
  73. Ohuchi F.S., Russell P.E. AIN thin films with controlled crystallographic orientations and their microstructure // J. Vac. Sci. Technol. A. 1987. V. 5. № 4. P.1630−1634.
  74. Ohuchi F.S., French R.H. Summary abstract: Effect of oxygen incorporation in AIN thin films // J. Vac. Sci. Technol. A. 1988. V. 6. № 3. P.1695−1696.
  75. Fujishima S., Kanasami Т., NakamuraT., NishiyamaH. VCO Resonators Using ZnO Sputtered Film // Japanese Journal of Applied Physics. 1983. V. 22. P.150−153.
  76. Murti D.K., Bluhm T.L. Prefered orientation of ZnO films conrtolled by RF-sputtering // Thin Solids Films. 1982. (87). P.57−61.
  77. Caporaletti O. Heat treatment of bias sputtered ZnO films // Solid State Communications. 1982. V. 42. № 2. P.109−111.
  78. Yamazaki O., Mitsui Т., WasaK. ZnO thin films SAW devices // IEEE Transactions on sonics and ultrasonics. 1980. V. SU-27. № 6. P.369−379.
  79. ShiosakiT. High-speed fabrication of high-quality sputterred ZnO thin-films for bulk and surface wave applications // Ultrasonic Symposium Proceedings IEEE. 1978. P.100−110.
  80. Maniv S., Westwood W.D., Colombini E. Pressure and angle of incident effects in reactive planar magnetron sputtered ZnO layers // Journal of Vacuum Science and Technology. 1982. V. 20. № 2. P. 162−170.
  81. Lee C.T., Su Y.K., WangH.M. Effect of RF sputtering parameters on ZnO films deposited onto GaAs substrates // Thin Solids Films. 1987. (150). P.283−289.
  82. Tansley T.L., Neely D.F. Adsoption, desorbtion and conductivity of sputtered zinc oxide thin films // Thin Solid Films. 1984. V.121. P.95−107.
  83. Panwar B.S., Bhattacharyya A.B., NagpalK.C., MallR.P. Growth and characterisations of ZnO films deposited on monolithic Si3N4-Si02-Si configurations // Thin Solid Films. 1989. V. 168. P.291−305.
  84. Takeda F., Hata T. Low temperature deposition of oriented C-axis AIN films on glass substrates by reactive magnetron sputtering // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. V. 19. № 5. P.1001−1002.
  85. Takeda F., Mori Т., Takahashi T. Effect of hydrogen gas on c-axis oriented AIN films prepared by reactive magnetron sputtering // Jpn. J. Appl. Phys. 1981. V. 20. № 3. P. L169-L172.
  86. Hata Т., Minamikava Т., Marimoto O., Hada T. DC reactive magnetron sputtering ZnO films // Journal of cristal growth. 1979. V. 47. P.171−176.
  87. Gerova E.V., Ivanov N.A., Kirov K.I. Deposition of thin films by magnetron reactive sputtering // Thin Solid Films. 1981. V. 81. № 3. P.201−206.
  88. Wang J.S., Lakin K.M. Sputtered AIN films for bulk-acoustic-wave devices // Proc. IEEE 1981 Ultrasonics Symposium. P.502−505.
  89. Arbab M. s Finley J.J. High temperature behavior of reactively sputtered AIN films on float glass substrates // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. P. 1528−1534.
  90. Usher D.M., Cox G.A. Radio frequency sputtering equipment: design considerations for the disc and annulus system // Vacuum. 1981. V. 31. № 1. P.24−31.
  91. B.A., МочаловБ.Ф., Фомин А. А. Стабилизация магнетронного распылительного устройства//Электроника. 1983. Вып. 1. С.25−29.
  92. Lakin К.М., Wang J.S., Kline G.R., Landin A.R., Chen Y.Y., Hunt J.D. Thin film resonators and filters // Proc. IEEE 1982 Ultrasonics Symposium. P.466−475.
  93. Tominaga K., Iwamura S., Shintani Y., Tada O. High-energy particles in AIN film preparation by reactive sputtering technique // Jpn. J. Appl. Sci. 1983. V. 22. № 3. P.418−422.
  94. Este G., Westwood W.D. Stress control in reactively sputtered AIN and TiN films //J. Vac. Sci. Technol. A. 1987. V. 5. № 4. P.1892−1897.
  95. Affinito J., Parsons R.R. Mechanisms of voltage controlled, reactive, planar magnetron sputtering of A1 in Ar/N2 and Ar/02 atmospheres // J. Vac. Sci. Technol. A. 1984. V. 2. № 3. P.1275−1284.
  96. Tominaga K., Kusaka K., Chong M., Hanabusa Т., Shintani Y. Film degradation in AIN Preparation by Facing Target System // Jpn.J.Appl.Phys. 1994. V. 33. Part 1. № 9B. P.5235−5239.
  97. Wang J.S., Lakin K.M. Sputtered C-axis inclined ZnO films for shear wave resonators // Ultrasonic Symposium. 1982. P.480−483.
  98. ManivS. Aspects for design sputtered systems // Vacuum. 1983. V. 33. № 4. P.215−219.
  99. HataT., NodaE., MorimotoO., HadaT. High-rate deposition of piezoelectric zinc oxide films using new reactive sputtering technique // Ultrasonic Symposium. 1979. P.936−939.
  100. HataT, TotiyamaK, Kawahara J., OzakiM. Optical and electrical properties of ZnO films prepared by high rate sputtering // Thin Solid Films. 1983. (108). P.325−332.
  101. HataT., MinamikawaТ., NodaE., MorimotoO., HadaT. DC magnetron sputterted ZnO films // Japanese Journal of Applied Physics. 1979. V. 18. Supplement 18−1. P.219−224.
  102. В.И., Мочалов Б. Ф., Стрельникова H.H., Троицкая Н. В., Шермергор Т. Д. Экспериментальное исследование структурных свойств пленок ZnO, полученных магнетронным методом // Электронная техника. 1981. Серия 10. Вып. 5(29). С.35−38.
  103. Onishi S., EschwelM., Wang W.C. Transparent and highly oriented ZnO films grown at low temperature by sputtering with a modified sputter gun // Appl. Phis. Lett. 1981. 36(6). P.419−421.
  104. Shiosaki Т., Yamamoto Т., OdaT., Kawabata A. Low-temperature growth of piezoelectric AIN film by RF reactive planar magnetron sputtering // Appl. Phys. Lett. 1980. V. 36. № 8. P.643−645.
  105. ShiosakiT., Adachi M., Kawabata A. Sputtering and chemical vapor deposition of piezoelectric ZnO, AIN and K3Li2Nb50i5 films for optical waveguides and surface acoustic wave devices // Thin Solid Films. 1982. V. 96. P.129−140.
  106. Krishnaswamy S.V., Hester W.A., Szedon J.R., Francombe M.H., Driscoll M.M. R.F.-magnetron-sputtered AIN films for microwave acoustic resonators // Thin Solid Films. 1985. V. 125. P.291−298.
  107. OkanoH., TanakaN., Takahashi Y., TanakaT., ShibataK. Preperation of aluminum nitride thin films by reactive sputtering and their applications to GHz-band surface acoustic wave devices // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. № 2. P.166−168.
  108. А.Ф., БульенковH.A., Богомолов А. Б., БалакиревВ.Г. Строение и применение тонких пленок A1N, полученных методом магнетронного ВЧ-распыления // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1990. Серия: ТПО. Вып. 3. С.4−24.
  109. А.Ф., Бульенков Н. А., Тер-Маркарян А.А., Бублик В. Т., СагаловаТ.Б. Структурные особенности пленок нитрида алюминия, полученных высокочастотным магнетронным распылением // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1983. Серия: ТПО. Вып. 1. С.41−45.
  110. AkiyamaM., NonakaK., ShobuK., WatanabeT. Crystal Orientation and Piezoelectricity of AIN Thin Films Prepared on Polycrystalline Substrates // J. of the Ceramin Soc. of Japan. 1995. V. 103. P.1093−1096.
  111. Lundquist P.M., Lin W.P., XuZ.Y., WongG.K., RippertE.D., Helfrich J.A., Ketterson J.B. Ultraviolet second harmonic generation in radio-frequency sputter-deposited aluminum nitride thin films //Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 1085−1087.
  112. Lee H.C., Lee J.Y. Effects of sputtering pressure and nitrogen concentration on the preferred orientation of AIN thin films // J. of Mater. Sci.:Materials in electronics. 1994. V. 5. P.221−225.
  113. InoueA., YamaguchiT., KimB.G., NosakiK., MasumotoT. Production of compositionally gradient A1-A1N films by reactive sputtering and their mechanical and electrical properties // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P.3278−3282
  114. B.H., Белянин А. Ф. Пьезоэлектрические пленки ZnO, выращенные реактивным магнетронным распылением для устройств на ПАВ // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1987. Серия: ТПО. Вып. 1. С.71−81.
  115. В.Н., Колосницин Б. С., Тарасик А. Н., Янковский В. М. Строение текстурированных пленок ZnO // Техника средств связи. Серия ТПО. Вып. 1. 1988. С.44−48.
  116. А.Ф., Зеленчук П. В., Казарьян В. К., Пастощук О. Б., Пащенко П. В. Люминесценция пленок A1N, активированных РЗЭ // Техника средств связи. М: ЭКОС. 1988. Серия: ТПО. Вып. 1. С.57−60.
  117. Anderson А.С., Oates D.E. Magnetron sputtering of ZnO for SAW: effect of magnetic field stranght and configuration // Ultrasonic Symposium. 1982. P.329−333.
  118. Khuri-Yakub B.T., Smits J.G. Reactive magnetron sputtering of ZnO // J. Appl. Phis. 1981. 52(7). P. 4772−4774.
  119. Yamamoto T, Shiosaki T, KawabataA. Characterisation of ZnO piezoelectic films prepared by RF planar-magnetron sputtering // J. Appl. Phis. 1980. 51(6). P.3113−3120.
  120. Kushida K, Takeushi H. Crystlline properties of rf-sputtered ZnO film on gold film on fused quartz // J. Appl. Phis. 1984. 56(4). P. 1133−1135.
  121. Ambersley D.M., Pitt W.C. Piezoelectric ZnO transduces produced by R.F. magnetron sputtering // Thin Solid Films. 1981. (80) P. 183−195.
  122. Khuri-Yakub B.T., Smits J.G. Reactive magnetron sputtering of ZnO // Ultrasonic Symposium. 1980. P.801−804.
  123. Webb J.B., Williams D.F., Buchanan M. Transparent and highly condactive films of ZnO prepared by rf reactive magnetron sputtering // Appl. Phis. Lett. 1981. 39(8). P.640−642.
  124. Minami Т., Nanto H., Takata S. Highly condactive and transparent zinc oxide films prepared by rf reactive magnetron sputtering under an applied external magnetic field // Appl. Phis. Lett. 1982. 41(10). P.958−960.
  125. Webb J.B., Williams D.F. Summary Abstact: Abrupt transition from insulating to highly conducting layers of ZnO by reactive magnetron sputtering // J. Vac. Sci. Technology. 1982. 20(3). P.467−468.
  126. McAvoy B.R. ZnO film analysis // Ultrasonic Symposium. 1980. P.809−812.
  127. AitaC.R. Sputter deposition of ZnO thin films using glow discharge mass spectrometry //Ultrasonic Symposium. 1980. P.795−800.
  128. Pitt C.W., Gfeller R.F., Stivens R.J. RF sputtered thin films for integrated optical components // Thin Solids Films. 1975. (26). P.25−51.
  129. Brett M.J., Parsons R.R. Properties of transparent, conducting ZnO films deposited by reactive bias sputtering // Solid State Communications. 1985. V. 54. № 7. P.603−605.
  130. Webb J.B. Conductivity imaging of the errosion pattern for ZnO prepared by planar RF magnetron sputtering // Thin Solids Films. 1986. (136). P.135−139.
  131. Mohke A. High-rate sputtering of zinc oxide with a tunnel-shaped magnetic field: Effect of the target thickness on the layer properties // Vakuum-Technik. 1987. V. 36. № 5. P.148−151.
  132. Minami Т., SatoH., SonodaT., NantoH., TakataS. Influence of substate and target temperatures on properties of transparent and conductive dopped ZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering // Thin Solid Films. 1989. V. 171. P.307−311.
  133. Carlotti G., Socino G., Petri A., Verona E. Acoustic investigations of the elastic properties ZnO // Appl. Phis. Lett. 1987. 51(23). P.1889−1891.
  134. Miesch S., ReimerH. Preparation and electrical properties of Al-AIN-Si structures // Phys. Stat. Sol. (a). 1972. V. 11. P.631−635.
  135. Hantzpergue J.J., PauleauY., RemyJ.C., RoptinD., CaillerM. Electrical properties of sputtered A1N films and interface analyses by Auger electron spectroscopy // Thin Solid Films. 1981. V. 75. № 3. P.167−176.
  136. Hickernel F.S. The microstructural properties of sputtered zinc oxide SAW transducers // Revue Phys. Appl. 1985. (20). P.319−324.
  137. Hickernel F.S. Zinc oxide films for acoustoelectic device applications // IEEE Transactions on sonics and ultrasonics. 1985. V. SU-32. № 5. P.621−629.
  138. Г. И., КальнаяГ.И., Огурцов С. В., Пучковская Г. А., ШпакМ.Т. Исследование систем пленка окиси цинка подложка методами рентгеноструктурного анализа и ИК-спектроскопии // Поверхность. 1984. № 5.
  139. Г. А., КальнаяГ.И., Огурцов С. В. Структурные характеристики пленок оксида цинка // Неорганические материалы. 1987. Т. 23. С.1669−1673.
  140. Г. А., КальнаяГ.И., Прищепа Н. М. Возбуждение ПАВ в плавленном кварце ВШП с пленками ZnO и кристаллическое состояние пленок // Вестник Киевского политехнического института. Радиотехника. 1987. № 25. С.44−46.
  141. А.П., БелянинА.Ф., Халтанова В. М., Тер-Маркарян А. А. Особенности строения тонких пленок, сформированных распылением ионным пучком // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1988. Серия: ТПО. Вып. 1. С.25−31.
  142. А.П., БелянинА.Ф., БесогоновВ.В. Газоразрядный источник ионов и область его применения // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1990. Серия: ТПО. Вып. 3. С.29−32.
  143. БелянинА.Ф., Семенов А. П., Халтанова В. М. Выращивание тонких пленок A1N реактивным распылением ионным пучком // Тонкие пленки в электронике. Материалы 7 Международного Симпозиума. Йошкар-Ола: МарГТУ. 1996. С.222−225.
  144. А.П. Технологические плазменные источники ионов для реализации процессов выращивания тонких пленок распылением ионным пучком // Техника средств связи. 1992. Серия ТПО. Вып. 1, 2. С.67−74.
  145. Источники заряженных частиц с плазменным эмиттером / Под. ред. П. М. Щанина. Екатеринбург: УИФ Наука. 1993. 149 с.
  146. А.П. Техника распыления ионными пучками. Улан-Удэ: Изд-во БНЦ СО РАН. 1996. 120 с.
  147. А.П. Пучки распыляющих ионов: получение и применение. Улан-Удэ: Изд-во БНЦ СО РАН. 1999. 207 с.
  148. А.П. Плазменный источник ионов // Приборы и техника эксперимента. 1984. № 5. С. 23−24.
  149. А.П., Мохосоев М. В. Точечный эмиттер с термоплазменным катодом // Доклады АН СССР. 1985. Т.282. № 4. С. 888−889.
  150. АЛ. Устройство распыления ионным пучком в универсальном вакуумном посту (ВУП-4) // Приборы и техника эксперимента. 1986. № 2. С. 220−221.
  151. А.П., МохосоевМ.В. Источник электронов на основе газомагнетрона // Приборы и техника эксперимента. 1987. № 2. С. 138−141.
  152. А.П. Некоторые особенности магнетронного разряда с полым катодом // Журнал технической физики. 1987. Т.57. Вып.1. С. 180−182.
  153. А.П., Батуев Б.-Ш.Ч. Источник ионов (с полым катодом) на основе разряда // Приборы и техника эксперимента. 1991. № 1. С. 177−178.
  154. А.П., Батуев Б.-Ш.Ч. К вопросу извлечения ионов из разряда с полым катодом в условиях проникающей плазмы // Журнал технической физики. 1991. Т.61. Вып.5. С. 120−122.
  155. А.П. Свойства открытого разряда низкого давления с полым катодом // Теплофизика высоких температур. 1992. Т.ЗО. № 1. С. 36−41.
  156. А.П., НархиновВ.П. Плазменный источник электронов с радиально сходящимся пучком // Приборы и техника эксперимента. 1993. № 2. С. nine.
  157. А.П. Генерирование сильноточных ионных пучков в источниках ионов на основе разрядов с холодным полым катодом // Приборы и техника эксперимента. 1993. № 5. С. 128−133.
  158. А.П., НархиновВ.П. Сильноточный тлеющий разряд в электродной структуре стержневых катодов с полым анодом // Журнал технической физики. 1993. Т.63. Вып.8. С. 17−24.
  159. А.П., НархиновВ.П. Плазменный эмиттер на основе тлеющего разряда в электродной структуре сетчатого и пластинчатого катодов большой площади // Приборы и техника эксперимента. 1996. № 3. С. 98−102.
  160. А.П. Источники распыляющих ионных пучков на основе разрядов с холодным катодом (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1996. № 4. С. 3−14.
  161. А.П., Батуев Б.-Ш.Ч. Устройство для нанесения покрытий в вакууме // А.с. SU 1 832 134 А1. С 23 С 14/35. БИ. 1993. № 29. С. 26.
  162. А.П., НархиновВ.П. Широкоапертурный плазменный эмиттер // Патент RU N2096857. 6 Н 01 J 37/ 077, 15/02, 1/30. БИ. 1997. № 32.
  163. А.П., Белянин А. Ф., Мохосоев М. В., Тер-Маркарян А.А. Применение распыления ионным пучком для получения пьезоэлектрических пленок окиси цинка // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1984. Серия: ТПО. Вып. 1. С.66−75.
  164. А.П., Белянин А. Ф., Мохосоев М. В., Манзанов Ю. Е., Халтанова В. М. К вопросу распыления оксида цинка ионным пучком // Поверхность. Физика, химия, механика. М.: Наука. 1989. № 10. С.78−80.
  165. Erler H.-J., ReisseG., Weissmantel С. Nitride film deposition by reactive ion beam sputtering // Thin Solid Films. 1980. V. 65. P.233−245.
  166. Hentzell H.T.G., Harper J.M.E., Cuomo J.J. Synthesis of compound thin films by dual ion beam deposition. II. Properties of aluminum-nitrogen films // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 1. P.556−563.
  167. Takaoka H., IshikawaJ., TakagiT. Low temperature growth of AIN and А12Оз films by the simultaneous use of a microwave ion source and an ionized cluster beam system // Thin Solid Films. 1988. V. 157. P.143−158.
  168. TanakaN., OkanoH., UsukiT., ShibataK. Preparation of aluminum nitride epitaxial films // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. P.5249−5254.
  169. Rutz R.F. Ultraviolet electroluminescence in AIN // Appl.Phys.Lett. 1976. V. 28. № 7. P.379−381.
  170. А.Ф., Пащенко П. В. Конструирование магнетронных распылительных систем, используемых для производства ГИС и устройств функциональной микроэлектроники // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1992. Серия: ТПО. Вып. 1,2. С.28−47.
  171. А.Ф., Пащенко П. В., Семенов А. П., Бесогонов В. В., Солдатенков А. В. Установка для осаждения тонких пленок материалов, обладающих ВТСП // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1990. Серия: ТПО. Вып. 5. С.42−49.
  172. Minami Т., Nanto Н. and Takata S. Optical properties of aluminium doped zinc oxide thin films preparated by RF magnetron sputtering // Journal of Applied Phisics. 1985. № 8. P. L605-L607.
  173. Shin I., Qiu C.X. Indium dopped zinc oxide thin films prepared by rf magnetron sputtering // Journal of Applied Phisics. 1983. 58(6). P.2400−2401.
  174. Takata S., Minami Т., Nanto H. The stability of aluminium dopped ZnO transparent electrodes fabricated by sputtering // Thin Solid Films. 1986. V. 135. P.183−187.
  175. JinZ-C., Hambergl., Granqvist C.G. Reactively sputtered ZnO: Al films for energy-efficient windows // Thin Solid Films. 1988. V. 164. P.381−386.
  176. Gobrecht J. Metallurgical bonding technology for power hybrids // DVS. V, 102. 1983. P.65−68.
  177. Toulouklan Y.S., Powell R.W., HoC.Y., KlemensP.G. // Thermophisical properties of matter (IFI/Plenum, N.Y.) 1970. V. 2. P.12.
  178. GelsM.W., EfremowF.F., RathmanD.D. Device applications of diamonds // J. Vac. Sci. and Technol. 1988. V. 6, 3. P.1953−1954.
  179. Banhoizer W., Spiro C.L. Nontraditional applications of diamond made possible by GVD // Diamond Films and Technol. V. 1. № 2. 1991. MYU Tokyo. P. 115−126.
  180. Алмаз в качестве теплоотвода // Электронная техника. Серия 1. Электроника СВЧ. Вып. 4(376). 1985. С. 75.
  181. Дисплеи. Под ред. Ж.Панкова. М.: Мир. 1982. 316 с.
  182. HimpselF.J., Knapp J.A., Van Vechten J.A., Eastman D.E. Quantum photoyield of diamond (111) a stable negative-affinity emitter // Phys. Rev. 1979. V. B20. P.624−627.
  183. EimoriN., Mori Y., HattaA. // Diamond and Related Materials. 1995. N4. P.806.
  184. Armatunga G.A.J., Silva S.P.R. Nitrogen containing hydrogenated amorphous carbon for thin-film field emission cathode // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P.2529−2531.
  185. Shibata Y., KannoY., KayaK., KanaiM., Kawai T. Formation and surface acoustic wave properties of LiNb03/AlN/Sapphire // Jpn.J.Appl.Phys. 1995. V. 34. Part 2. № 3a. P. L320-L322.
  186. A.B., Найда Г. А., Сидоров А. П., Соколов Е. Б. Составной резонатор на основе нитрида алюминия // Радиотехника и электроника, 1989. Т. 34. № 5. С.1091−1093.
  187. Shiosaki Т. Growth and properties of piezo-, pyro-, and ferroelectric thin films // Proc. 6th Conf. «Acoustoelectronics' 93». Varna. 1993. S. 1. P.41−50.
  188. А.Ф., Волянский В. Ф., КессенихГ.Г. Совершенствование процесса выращивания пленок нитрида алюминия // В сб.: «Сегнето- и пьезоэлектрики в ускорении научно-технического прогресса». М.: МДНТП. 1987. С.51−55.
  189. В.Ю. Термические печатающие головки (обзор) // Приборы и системы управления 1977. № 2. С.36−38.
  190. В.Н. Термопечать. М.: Энергоатомиздат. 1990. 135 с.
  191. О.П., Ходырев О. Т. Печатающие устройства персональных ЭВМ // Приборы и системы управления. 1988. № 12. С.11−14.
  192. И.Л., Львов К. В., Медведев B.C., ГирбаИ.А. Термопечатающий блок БТП4 И Приборы и системы управления. 1990. № 7. С. 31.
  193. К.В., ГирбаИ.А. Термопечатающее устройство УТП8 // Приборы и системы управления. 1990. № 7. С.28−29.
  194. К. Термические печатающие устройства // Дэнси цусин гаккай си. 1981. Т. 64. № 7. С.712−716. Перевод ГПНТБ 82/46 097. 1982.
  195. В.Н., Забродин Л. А. Комплект термопечатающих матриц для масштабированной записи эхограм на ленту шириной 110 мм // Приборы и системы управления. 1992 № 8. С.39−40.
  196. .Г., Лихтман А. Е., Сейдман Л. А. Совершенствование технологии изготовления теплопечатающих головок // Приборы и системы управления. 1990. № 5. С. 37.
  197. В.Н. Термопечатающие матрицы // Приборы и системы управления, 1990. № 5. С.31−36.
  198. Р.Г., Саносян Э. И. Тонкопленочная цилинрическая термопечатающая головка // Приборы и системы управления. 1988. № 6. С.40−41.
  199. А.И., ЧуйкоА.Н., Трофимова А. А., Мельникова В. А., Четверикова Р. Н. Технология изготовления тонкопленочной термопечатающей головки И Приборы и системы управления. 1985. № 3. С.37−38.
  200. Отраслевой стандарт. Матрицы тонкопленочные термопечатающие. Типовые технологические процессы ОСТ4.054.003. Редакция 1−76. Издание официальное. 1976.
  201. Материал фирмы BALZERS. Электронно-лучевая пушка ESQ110. Инструкция по эксплуатации. Перевод ГПНТБ 83/39 417. 1983.
  202. Материал фирмы BALZERS. Электронно-лучевое испарительное оборудование EVR3. Перевод ГПНТБ 81/47 857. 1981.
  203. Материал фирмы BALZERS. Электронно-лучевое испарительное устройство типа EVR211. Перевод ГПНТБ 74/3837-В. 1974.
  204. JI.A. Поведение резисторов термопечатающих головок под действием электрических импульсов // Приборы и системы управления. 1990. № 6. С.35−36.
  205. В.В., Житковский В. Д., Пащенко П. В., Елисеев А. Ю. Конструкции магнетронов для распыления металлов // Техника средств связи. 1992. Серия ТПО. Вып. 1,2. С.48−51.
  206. А.Ф., Казарьян В. К. Применение процессов анодирования и ВЧ-магнетронного распыления для формирования тонкопленочных термопечатающих матриц // Приборы и системы управления. М. 1990. № 6. С.33−35.
  207. Shikata S., Nakahata Н., Higaki К. SAW filters based on diamond // Applications of Diamond Films and Related Materials: Third Int. Conf. 1995. USA. P.29−36.
  208. М.П. Кристаллография. M.: Высш. школа. 1976. 391 с.
  209. А.И., Проклов В. В., Станковский Б. А. Пьезоэлектрические преобразователи для радиоэлектронных устройств. М.: Радио и связь. 1981. 183 с.
  210. Э., РуайеД. Упругие волны в твердых телах. М.: Наука. 1982. 424 с.
  211. Поверхностные акустические волны. Под ред. А.Олинера. М.: Мир. 1981. 390 с.
  212. Shikata S., Nakahata Н., Higaki К., Fujii S., HachigoA., Fujimori N. 2,5 GHz SAW bandpass filter using polycrystalline diamond // Advances in New Diamond Science and Technology. MYU. Tokyo. 1994. P.697−700.
  213. Hachigo A., NakahataH., Higaki K., Fujii S., Shikata S. Heteroepitaxial growth of ZnO films on diamond (111) plane by magnetron sputtering // Appl. Phys. Lett. V. 65(20). 1994. P.2556−2558.
  214. А.Ф., Бульенков H.A., КорсунГ.И., Тер-Маркарян А. А. Сильнотекстурированные пленки A1N, выращенные методом высокочастотного магнетронного распыления // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1987. Серия: ТПО. Вып. 1. С.35−44.
  215. Sproul W.D. Reactively sputtered TiN, ZrN and HfN // J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. 3.№ 3.P.580−581.
  216. Sundgren J.-E. Structure and properties of TiN coatings // Thin Solid Films. 128. 1985. P.21−44.
  217. Takai O. Microwave ion plating technigue // Proc. Int. Ion Engineering Congress. ISIAT 83, IP AT 83, Kyoto, 1983.
  218. Satou M., Yamaguchi K., Andoh Y., Suzuki Y., Matsuda K., Fujimoto F. Nitride film formation by ion and vapour deposition // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. В 7/8. 1985. P.910−914.
  219. MatsubaraK., Fukumoto Y., Takagi T. Analytical growth mechanisms of uniaxially oriented films in ion-based processes // Thin Solid Films. 1982. V. 92. P.65−70.
  220. Itoyama K. Properties of Sn-doped indium oxide prepared by high rate and low temperature RF sputtering // Jap. J. of Appl. Phys. V. 17. № 7. 1978. P. l 191−1196.
  221. Sakakura M., Takaku T. Method of fabricating piezoelectric thin film // United States Patent № 4 233 135. 1980.
  222. Ogawa Т., Mashio Т., Nishiyama H. Piezoelectric crystalline film of zinc oxide // UK Patent Application, GB № 2 002 171 A. 1979.
  223. McSkimin H.J., Bond W.Z.//Phys. Rev. 1957. V.105.№ 1. P. l 16.
  224. The Properties of Diamond. Ed. By I.E.Field. London. Acad Press. 1979.
  225. Mcllvenna J. RF and surface acoustic wave device technology // Microwave Journal. 1979. V.22. № 10. P.38.
  226. Roal F.A. Type II a diamond the superlative heat sinh. // Industrial Diamond Rewiew. V. 32. 1972. P. 192−197.
  227. .В., БуйловЛ.Л. Рост алмазных и алмазоподобных пленок из газовой фазы // VI Всесоюзная конференция по росту кристаллов. Тезисы докладов. Ереван: АН Арм.ССР. 1985. Т. 3. С.134−135.
  228. Ю.В., Белянин А. Ф., Ривилис В. М., Лугом Г. Н. Особенности обработки подложек для изделий на поверхностных акустических волнах // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1984. Серия: ТПО. Вып. 1. С.89−96.
  229. Nakahara Т. From business to future dream of new diamond // Advances in New Diamond Science and Technology. MYU. Tokyo. 1994. P.9.
  230. Shikata S., NakahataH., Hachigo A., Fujimori N. High frequency bandpass filter using polycrystalline diamond // Diamond and Related Materials. V. 2. 1993. P. 1197−1202.
  231. Nakahata H., HigakiK., Hachigo A., Shikata S., Fujimori N., TakahashiY., Kajihara Т., Yamamoto Y. High frequency surface acoustic wave filter using ZnO/Diamond/Si structure // Jap. J. Appl. Phys. V. 33. 1994. P.324−328.
  232. Ishihara M., Nakamuram Т., Kokai F., Koga Y. Preparation of AIN and LiNb03 thin films on diamond substrates by sputtering method // Diamond and Related Materials. 2002. N 11. P.408−412.
  233. Zhgoon S., Zhang Q., YoonS.F., RevkovA., AhnJ. Surface acoustic wave reflection from diamond-like carbon thin film reflecting arrays on LiNb03 substrates // IEEE. 2001.
  234. S., Nakahata H., Higaki K., Hachigo A., Fujimori N., Yamamoto Y., Sakairi N. Takahashi Y. // IEEE Ultrason. Symp. Proc. 377. 1992.
  235. Shikata S., NakahataH., HigakiK., Hachigo A., Fujimori N., Yamamoto Y., Sakairi N. Takahashi Y. // IEEE Ultrason. Symp. Proc. 277. 1993.
  236. H., Hachigo A., Shikata S., Fujimori N. // IEEE Ultrason. Symp. Proc. 377. 1992.
  237. Yamanouchi K. et al. // IEEE Ultrason. Symp. Proc. 351. 1989.
  238. Higaki K., NakahataH., Fujii S., Hachigo A., Shikata S., Fujimori N. // IEICE Vttting, 1−435, 1994.
  239. А.Ф., Буйлов JI.JL Поликристаллические алмазные пленки в микроэлектронике // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. Одесса: Изд. МПП Украины. 1997. № 2. С.9−15.
  240. А.Е., Белянин А. Ф., Ботев А. А., Буйлов JI.JL, Мокрецов В. Н., Спицын Б. В. Установка для выращивания поликристаллических алмазных пленок // Информационный листок № 91 -1621. М.: ВИМИ. 1991.
  241. Belyanin A.F., SpitsynB.V. Diamond Films and Plant for Diamond films Growing // Science & Technology Coop. Conf. Moscow. Ref. № 02.07.008. 1992.
  242. .В., Бульенков H.А., Буйлов JI.JL, ДерягинБ.В., Алексенко A.E., Белянин А. Ф. Способ наращивания поликристаллического алмаза / Авторское свидетельство № 1 021 106 (приоритет от 29.12.1981).
  243. Буйлов JI. JL, Ботев А. А., Алексенко А. Е., Спицын Б. В., Бульенков Н. А., Белянин А. Ф., Тер-Маркарян А. А. Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления / Авторское свидетельство № 1 082 082 (приоритет от 07.04.1982).
  244. А.Ф., Алексенко А. Е., Ботев А. А., Бульенков Н. А., Буйлов JI.JI., Спицын Б. В., Тер-Маркарян А.А. Способ получения рельефного рисунка на поверхности алмаза / Авторское свидетельство № 1 114 194 (приоритет от 16.07.1982).
  245. А.А., Белянин А. Ф., Алексенко А. Е., Андрюшин С. Г., Буйлов JLJL, Бульенков Н.А., Репников Н. Н., Спицын Б. В., Тер-Маркарян А.А., Цыба П. Г. Способ получения слоев алмаза / Авторское свидетельство № 1 122 018 (приоритет от 08.06.1983).
  246. .В., Белянин А. Ф., Бульенков Н. А., РивилисВ.М. Строение и механическая обработка слоев алмаза, выращенных из газовой фазы // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1987. Серия: ТПО. Вып. 1. С.61−70.
  247. А.Е., Белянин А. Ф., Ботев А. А., Буйлов Л. Л., Леонтьев И. А., Пащенко П. В., Спицын Б. В. Установка для выращивания алмазных пленок // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1992. Серия: ТПО. Вып. 1,2. С.64−67.
  248. Источник питания УВ40−02. Руководство по эксплуатации ДЛЖМЗ.508.020 РЭ. 1983.
  249. А.Ф., СпицынБ.В. Строение и применение в электронике пленок алмаза, выращенных методом дугового разряда // В кн.: Алмаз в технике и электронике на пороге III тысячелетия. М.: ПОЛЯРОН. 2001. С.50−67.
  250. Дж. Измерение давления в.вакуумных системах. М.: Мир. 1966. 202 с.
  251. Ф. Справочник по вакуумной технике и технологии. М.: Энергия. 1972. 456 с.
  252. Я. Техника высокого вакуума. М.: Мир. 1975. 622 с.
  253. Материал фирмы ALCATEL. Блок электропитания постоянного тока MDC5-J с питанием от трехфазной сети переменного тока. Перевод ГПНТБ 88/4 111. 1988.
  254. Материал фирмы ALCATEL. Блок питания магнетрона, тип MDC5. Перевод ГПНТБ 88/3618. 1988.
  255. Материал фирмы ALCATEL. MDC5 «Магнетрон». Источник питания постоянного тока. Перевод ГПНТБ 83/49 052. 1983.
  256. М.А. Магнитные усилители. М.: Советское радио. 1960. Т. 1. 538 с.
  257. Н.А. Расчет магнитных усилителей. Харьков: Харьковский государственный университет. 1960. 354 с.
  258. Л.Б. Введение в теорию автоматического регулирования. Минск: Наука и техника. 1967. 526 с.
  259. Polushkin V.M., Polyakov S.N., Rakhimov А.Т., SuetinN.V., Timofeev M.A., Tugarev V.A. Diamond film deposition by downstream DC glow discharge plasma chemical vapor deposition // Diamond and Related Materials. 1994. V. 3. P.531−533.
  260. М.И. Высокочастотные генераторы. М.: 1975. 26 с.
  261. З.И., Невяжский И. Х. Радиопередающие устройства. М.: Связьиздат. 1949. 484 с.
  262. Lurch E.N. Fundamentals of Electronics. John Willey & Sons. New York. 1960. 631 p.
  263. Termen F.E. Radio Engineering. McGrow-Hill, New York London. 1943. 1019 p.
  264. A.C. Ламповые генераторы для высокочастотного нагрева. Л.: Машиностроение. 1990. 80 с.
  265. С.И. Ламповые генераторы. М.: Связь. 1967. 384 с.
  266. Материал фирмы LEYBOLD-HERAEUS. Катоднораспылительная установка A550VZK. Перевод материала фирмы LEYBOLD-HERAEUS. Перевод ГПНТБ 80/20 902. 1980.
  267. П.В., Бесогонов В. В., БелянинА.Ф., СимеоноваИ.С. Дросселирующий клапан / Авторское свидетельство № 1 702 046 (приоритет от 21.12.1988).
  268. С.М. Создание многокристальных модулей с использованием групповой технологии формирования межэлементных соединений. Автореферат канд. диссертации. Москва. 1999.
  269. А.Ф., Перевозчиков Б. Н. Установка для осаждения и плазменной обработки пленок алмазоподобного углерода // Труды Украинского вакуумного общества. Харьков: Изд. УВО. 1997. Т. 3. С.90−96.
  270. А.П., Мохосоев М. В., Халтанова В. М. Получение тонких пленок распылением ионным пучком // Тезисы докладов 7 Всесоюзной конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск. 1986. С.316−317.
  271. Semenov А.Р., Smirnjagina N.N., Belyanin A.F., Alexenko A.E., Boujlov L.L., SpitsynB.V. Ionic sources for diamond etching // Abs. 5th Intern. Conference on Ionic Sources. Beijing. China. 1993. P. 153.
  272. А.П., Белянин А. Ф., Мохосоев M.B. Распылительные устройства на основе плазменных эмиттеров // Специальная техника средств связи. М.: ЭКОС. 1987. Серия: ТПО. Вып. 1. С.83−96.
  273. А.Ф., Семенов А. П., Смирнягина Н. Н. Применение источников ионов с холодными медными катодами для выращивания тонких пленок // Тонкие пленки в электронике. Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания. Ижевск: НИИ ВЭМ. 1991. С.26−30.
  274. А.П., Смирнягина Н. Н., ХалтановаВ.М., Белянин А. Ф. О выращивании тонких пленок металлооксидов распылением ионным пучком // Физика и химия обработки материалов. М.: Наука. 1993. № 4. С.99−104.
  275. Г. Техника высокого вакуума. М.: Энергия 1965. 482 с.
  276. Установка для нанесения тонких пленок АУБ289.00.000 МАГНЕТРОН. Эксплуатационная документация. Генератор ВЧ дЕМ.3.541.002. 1990.
  277. JI. Пленочная микроэлектроника. М.: Мир. 1968. 366 с.
  278. Материал фирмы EDWARDS HIGH VACUUM. Инструкция по сборке приспособлений на опорной плите установки для вакуумного напыления Е19Е. Перевод ГПНТБ 76/78 199. 1976.
  279. А.Ф., Житковский В. Д., Пащенко П. В. Планарные магнетронные распылительные системы в технологии ГИС // Тонкие пленки в электронике. Материалы IV Межрегионального совещания. Улан-Удэ: БИЕН СО РАН. 1993. С.30−42.
  280. В.В., Белянин А. Ф., КорсунГ.И., Мокрецов В. Н. Применение магнетронного распыления для выращивания тонких диэлектрических пленок // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1989. Серия: ТПО. Вып. 1. С.49−52.
  281. М.К. Магнетронные системы ионного распыления (Основы теории и расчета). М.: Издательство МГУ. 1990. 75 с.
  282. А.Ф., НайдаС.М., Пащенко П. В. Магнетронная распылительная высокочастотная система на основе вакуумного поста ВУП-5 // Труды Украинского вакуумного общества. Киев: Изд. УВО. 1995. Т. 1. С.217−220.
  283. Elphick С. The construction of small planar magnetrons for sputtering // Vacuum. 1981. V. 31. № l.P.5−7.
  284. Публикация фирмы NRC. Ионизационный вакуумметр 91−840. Перевод ГПНТБ 76/58 663, 1976.
  285. А.Ф., БуйловЛ.Л., НайдаС.М., Пащенко П. В. ВЧ-магнетронное травление алмазных пленок // Тонкие пленки в электронике. Материалы 7 Международного симпозиума. Йошкар-Ола: МарГТУ. 1996. С.89−98.
  286. Е.И., Задорожная Л. А., Белянин А. Ф., Пащенко П. В. Магнетрон для распыления порошковых мишеней // Тонкие пленки в электронике. Тезисы докладов XI Международной научно-технической конференции. Йошкар-Ола: МарГТУ. 2000. С. 27.
  287. А.Ф., Житковский В. Д., Пащенко П. В. Пленки нитрида алюминия: получение, строение и применение в устройствах электронной техники // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. М.: ЭКОС. 1998. Вып. 1. С.29−37.
  288. А. Ф., КорсунГ.И., Бульенков Н. А., Тер-Маркарян А. А. Устройство магнетронной распылительной системы, применяемой для выращиваниятонких пленок нитрида алюминия // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1985. Серия: ТПО. Вып. 1. С.82−86.
  289. Тер-Маркарян А.А., Белянин А. Ф., Казарьян В. К., Корсун Г. И., Симеонова И. С. Планарная магнетронная распылительная система (МРС) // Информационный листок № 88−1135. М.: ВИМИ. 1988.
  290. Рот А. Вакуумные уплотнения. М.: Энергия. 1971. 464 с.
  291. Розанов J1.H. Вакуумная техника. М.: Высшая школа. 1990. 320 с.
  292. А.Ф., Пащенко П. В., Семенов А. П. Устройство высокочастотного магнетронного распыления для выращивания тонких пленок // Приборы и техника эксперимента. М.: Наука. 1991. № 3. С.220−222.
  293. А.Ф., Пащенко П. В., Евсеев В. З., Симеонова И. С. Вакуумная установка ВЧ-магнетронного распыления для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников // Информационный листок № 90−1799. М.: ВИМИ. 1990.
  294. А.Ф., Семенов А. П., Пащенко П. В., Калмыков Д. А. Получение пленок алмазоподобного углерода методами ионно-плазменного распыления // Тонкие пленки в электронике. Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания. Ижевск: НИИВЭМ. 1991. С.36−38.
  295. Holland L. Vacuum deposition of thin films. London: Chapman & Hall. 1956.
  296. Д.П. Справочник по радиоэлектронным устройствам. М.: Энергия. 1978. Т. 1.439 с.
  297. П.В., КорсунГ.И., Белянин А. Ф., Бесогонов В. В. Устройство для нанесения диэлектрических пленок в вакууме / Авторское свидетельство № 1 780 344 (приоритет от 28.111 989).
  298. Публикация фирмы LEYBOLD-HERAEUS. High rate sputtering. 12−100.½ 10.11.79 BNS.
  299. Gugen G.B. An introduction to closed field sputtering (CFS) equipment // Vacuum. 1979. V. 29. № 10. P.351−356.
  300. А.Ф., Корсун Г. И. Вакуумная установка ВЧ-распыления с цилиндрическим магнетроном // Информационный листок № 90−1831. М.: ВИМИ. 1990.
  301. А.Ф., Богомолов А. Б. Выращивание пленок A1N с использованием цилиндрической магнетронной распылительной системы // Тонкие пленки в электронике. Материалы IV Межрегионального совещания. Улан-Удэ: БИЕН СО РАН. 1993. С.24−28.
  302. А.Ф., Лункин В. Я., КорсунГ.И., Тер-Маркарян А.А., Бульенков Н. А. Устройство для нанесения поликристаллических пленок в вакууме (его варианты) / Авторское свидетельство № 1 200 588 (приоритет от 05.01.1984).
  303. Технология тонких пленок. Под ред. Л. Майссела и Р.Глэнга. М.: Советское радио. 1977. Т. 1.662 с.
  304. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р.Бериша. М.: Мир. 1986.
  305. Nyaiesh A.R., Holland L. Properties and characeristics of A1 films deposited in DC and RP magnetron systems // Vacuum. 1982. V. 32. № 10/11. P.661−664.
  306. Waits R.K. Planar magnetron sputtering. In J.S.Vossen and W. Kern (eds.). Thin Film Processes. NY: Academic Press. 1978. P. 131−173.
  307. А.Ф., Лункин В. Я., Коробов А. И., Иванов A.B., Тер-МаркарянА.А., КорсунГ.И. Способ получения многокомпонентных пленок в вакууме / Авторское свидетельство № 1 267 820 (приоритет от 21.12.1984).
  308. А.Ф., Иванов А. В., Коробов А. И., КорсунГ.И., ЛункинВ.Я., Тер-Маркарян А. А. Катодный узел для нанесения многокомпонентных пленок в вакууме / Авторское свидетельство № 1 352 985 (приоритет от 21.12.1984).
  309. А.Ф., Елисеев А. Ю., Найда С. М., Пащенко П. В. Осаждение пленок алмазоподобного углерода на модернизированной установке ВУП-4 // Тонкие пленки в электронике. Материалы X Международного симпозиума. 4.1. Ярославль: ИМ РАН. 1999. С.60−64.
  310. Г. И. Теоретические основы электротехники. Часть 1. Линейные электрические цепи. М.-Л: Энергия. 1966. 320 с.
  311. А.Ф., Пащенко П. В., Житковский В. Д., Елисеев А. Ю. Блок питания постоянного тока для магнетронных распылительных систем // Тонкие пленки в электронике. Материалы V Международной научно-технической конференции. Йошкар-Ола: МарПИ. 1994. С.45−47.
  312. Kuzmichev A.I., Bevza O.N., Sidorenko S.B. The magnetron sputtered system with pulse-modulated power supply // Физика плазмы и плазменные технологии. Материалы конференции. Беларусь. Минск. 1997. Т. 4. С.718−720.
  313. А.И. Бестрансформаторное и импульсно-модулированное питание магнетронных распылителей от сети переменного тока // Приборы и техника эксперимента. 1997. № 6. С.121−124.
  314. А.И. Модуляторы для импульсного питания магнетронных распылительных систем // Тонкие пленки в электронике. Материалы 7 Международного симпозиума. Йошкар-Ола: МарГТУ. 1996. С.237−240.
  315. А.И., Сидоренко С. Б., Бевза О. Н. Импульсные магнетронные распылительные системы с электронно-вакуумными модуляторами // Труды Украинского вакуумного общества. Харьков. 1997. Т. 3. С.462−465.
  316. А.Ф., Пащенко П. В., Семенов А. П., Шулунов В. Р. О двух типах планарных магнетронов // Высокие технологии в промышленности России. Материалы 4 Российской конференции с участием зарубежных специалистов. М.: МГУ. 1998. С.31−39.
  317. Проспект фирмы LEYBOLD-HERAEUS. Универсальная лабораторная система Z400 для катодного распыления. 12−130.7 3.3.78 T&D.
  318. NorsromR. Experimental and designe information for calculating impedance matching networks for use in rf sputtering and plasma chemistry // Vacuum. 1979. V. 29. № 10. P.341−349.
  319. Электровакуумные приборы (Справочник) под ред. БройдеА.М. М.: Государственное энергетическое издательство. 1956. 422 с
  320. .В., Ларионов А. С., Калугин A.M. Электровакуумные и ионные приборы. Справочник. Т. 1. М.: Энергия. 1970.
  321. П.В., Бесогонов В. В., Белянин А. Ф., Ефремов С. М. Вакуумная камера для нанесения пленок / Авторское свидетельство № 1 828 873 (приоритет от 10.06.1991).
  322. А.Ф., Пащенко П. В., Бесогонов В. В., Ефремов С. М. Вакуумная камера с деформируемой крышкой // Тонкие пленки в электронике. Материалы III Межрегионального совещания. Йошкар-Ола: МарПИ. 1992. С.20−24.
  323. Материал фирмы ALCATEL. Технические характеристики устройства для высокочастотного катодного распыления. Перевод ГПНТБ 81/8854. 1981.
  324. И.А., ШоррБ.Ф., Иосилевич Г. Б. Расчет на прочность деталей машин. М.: Машиностроение. 1979. 703 с.
  325. А.С. Прикладные методы расчета оболочек и тонкостенных конструкций. М.: Машиностроение. 1969. 403 с.
  326. И.Н. Устойчивость и колебания пластинок и оболочек с отверстиями. М.: Машиностроение. 1981. 191 с.
  327. В.И. Справочник конструктора-машиностроителя. Т. 1. М.: Машиностроение. 1980. 728 с.
  328. А.Ф., Кудрявцев П. Н., НайдаС.М., Пащенко П. В., СуетинН.В. Устройство привода заслонки, совмещенной с подложкодержателем // Тонкие пленкив электронике. Материалы X Международного симпозиума. Ч. 1. Ярославль: ИМ РАН. 1999. С.208−211.
  329. П.В., Романов Д. В., Белянин А. Ф., Бесогонов В. В., Елисеев А. Ю. Установка магнетронного распыления для осаждения металлов // Тонкие пленки в электронике. Материалы III Межрегионального совещания. Йошкар-Ола: МарПИ. 1992. С.40−45.
  330. .В., Буйлов Л. Л., Белянин А. Ф., Блаут-Блачев А.Н., СтоянВ.П. Композитные пленки на основе нитрида алюминия // Труды Украинского вакуумного общества. Харьков: Изд. УВО. 1997. Т. 3. С.245−259.
  331. Публикация фирмы BALZERS. Аппаратура для непрерывного измерения толщины пленок. Перевод ГПНТБ. 81/37 795. 1981.1389. Инструкция по эксплуатации прибора QSG301. Перевод ГПНТБ. 84/30 864.1984.
  332. А.Ф., Бесогонов В. В., Тер-Маркарян А.А. Применение серийной установки магнетронного распыления «Катод-1М» для выращивания пленок диэлектрических материалов // Специальная техника средств связи. М.: ЭКОС. 1987. Серия: ТПО. Вып. 1. С. 125−128.
  333. В.В., Белянин А. Ф. Применение серийной вакуумной установки «Катод-1М» для выращивания текстурированных диэлектрических пленок //
  334. Конструктивно-технологическое обеспечение качества микро- и радиоэлектроннойаппаратуры при проектировании и в производстве. Тезисы докладов Всесоюзнойнаучно-технической конференции. Ижевск: НИИ ВЭМ. 1988. С.135−136.
  335. А.Ф., Корсун Г. И., Мокрецов В. Н. Модернизированная установка «Катод-1М» // Информационный листок № 90−1776. М.: ВИМИ. 1990.
  336. А.Ф., Сушенцов Н. И. Слоистые структуры подложкаМЛЫ-пленка в акустоэлектронике // «Высокие технологии в промышленности России». Материалы 4 Российской конференции с участием зарубежных специалистов. М. МГУ. 1998. С.77−88.
  337. А.П. Влияние продольной инжекции быстрых ионов на зажигание тлеющего разряда низкого давления в газомагнетроне // Известия СО РАН. I
  338. Сибирский физико-технический журнал. 1993. № 6. С.68−72.
  339. А.П. Планарный магнетрон для напыления многослойных I структур // Тонкие пленки в электронике. Материалы 3 Межрегиональногосовещания. Йошкар-Ола: МарПИ. 1992. Ч. 1. С.34−38.L
  340. А.Ф., Семенов А. П., СпицынБ.В. Устройство для выращивания и легирования в процессе выращивания тонких пленок A1N // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1992. Серия: ТПО. Вып. 1,2. С.54−59.
  341. .С., СырчинВ.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь. 1982. 72 с.
  342. А.Ф., Семенов А. П., СпицынБ.В. Многофункциональное пучковоплазменное устройство для выращивания и размерной обработки тонких пленок // Приборы и техника эксперимента. М.: Наука. 1995. № 4. С.185−190.
  343. А.П., Батуев Б.-Ш.Ч., Белянин А. Ф., СпицынБ.В. Электронно-ионная технологическая аппаратура «ЭЛИТА» // Труды Украинского вакуумного общества. Киев: Изд. УВО. 1995. Т. 1. С.204−208.
  344. А.П. Техника нанесения тонких пленок распылением ионным пучком (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1990. № 4. С.26−42.
  345. А.П. Выращивание тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников рапылением ионным пучком (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1993. № 2. С. 11−27.
  346. А.П., Смирнягина Н. Н., Белянин А. Ф. О выращивании тонких пленок YBa2Cu307.x распылением ионным пучком, извлекаемым из разряда с холодными электродами // Письма в ЖТФ. М.: Наука. 1991. Т. 17. Вып. 19. С.59−63.
  347. А.П., Мохосоев М. В., ХалтановаВ.М. Тонкие пленки молибдата свинца // Докл. АН СССР. 1988. Т. 298. № 3. С.681−683.
  348. В.В., Белянин А. Ф., Семенов А. П., БердышевЛ.Г. Вакуумная установка для получения легированных тонких пленок // Специальная техника средств связи. М.: ЭКОС. 1989. Серия: ТПО. Вып. 1. С.85−91.
  349. А.Ф., Семенов А. П., Бесогонов В. В., Илюшечкин А. Ю., Симеонова И. С. Устройство для нанесения тонких пленок распылением ионным пучком // Информационный листок № 89−2684. М.: ВИМИ. 1989.
  350. А.П. Техника распыления ионными пучками. Улан-Удэ: БНЦ СО РАН. 1996. 119 с.
  351. Дж.Р. Система травления в плазме с электромагнитным стимулированием // Электроника. 1988. Т. 61. № 9. С.3−5.
  352. В.Н., КизиитовК.М. Установка ионного травления // Техника средств связи. 1992. Серия ТПО. Вып. 1, 2. С.51−54.
  353. А.Ф., Зима В. Н. Магнетронное травление алмазных пленок // Алмазы в технике и электронике. Труды Всероссийской конференции. М.: ПОЛЯРОН. 1997. С.114−120.
  354. Л.Л., Алексенко А. Е., БотевА.А., Спицын Б. В. Некоторые закономерности роста слоев алмаза из активированной газовой фазы // ДАН СССР. 1986. Т. 287. № 4. С.888−891.
  355. А.Б. Кристаллизация из газовой фазы пленок алмаза и алмазоподобных нитридов. Автореферат канд. диссертации. Москва. МИСИС (ТУ). 2002.
  356. Spitsyn А.В., Galoushko I.V., Belyanin A.F. Research of growth rate and hydrogen content in polycrystalline diamond films grown by the HF CVD method //
  357. Proceedings of 4-th International Symposium on Diamond Films and Related Materials. Kharkov. Ukraine. 1999. P.23−26.
  358. П.В., Белянин А. Ф., Романов Д. В. Нанесение слоев сложного состава методом магнетронного ВЧ-распыления // Тонкие пленки в электронике. Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания. Ижевск: НИИ ВЭМ. 1991. С.52−53.
  359. В.И., Белянин А. Ф., Перевозчиков Б. Н. Влияние алмазоподобных углеродных покрытий на механические свойства приповерхностных слоев монокристаллов кремния // Физика и химия обработки материалов. М.: Наука. 1997. № 2. С.59−64.
  360. И.А. Тонкие пленки углерода: выращивание пучками заряженных частиц, фазообразование, строение и свойства. Автореферат канд. диссертации. Москва. ЦНИТИ «Техномаш». 2002.
  361. А.П., Семенова И. А., Белянин А. Ф. Синтез алмазоподобного углерода и карбина пучками заряженных частиц // Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Тезисы докладов II Международной конференции. Санкт-Петербург: СПбГТУ. 2000. С. 59.
  362. А.П., Белянин А. Ф., Семенова И. А. Низкотемпературные вакуумные технологии в синтезе тонких пленок алмазоподобного углерода // Новые материалы и технологии. Тезисы докладов VI Китайско-Российского симпозиума. Пекин. Китай. 2001. С. 503.
  363. А.П., Белянин А. Ф., Семенова И. А., БарнаковЮ.А. Выращивание I тонких пленок углерода алмазоподобной структуры пучками заряженных частиц //
  364. Аморфные и микрокристаллические полупроводники. Тезисы докладов 3 Международной конференции. Санкт-Петербург: ФТИ РАН. 2002. С. 146−148.
  365. Г. А., Белянин А. Ф., Лазарева О. И., Теремецкая И. Г., Банцеков С. В. Электропроводность алмазных поликристаллических пленок на подложках и пластин // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1989. Серия: ТПО. Вып. 1. С.37−43.
  366. Г. А., БотевА.А., БуйловЛ.Л., Банцеков C.B., Лазарева О. И., Белянин А. Ф. Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок // Физика и техника полупроводников. М.: Наука. 1990. Вып. 24. С.175−179.
  367. ASTM. International Centre for Diffraction Data. 1977.
  368. Алмаз. Справочник. Ред. В. В. Новиков. Киев: Наукова думка. 1981. 76 с.
  369. П. Зависимость морфологии кристалла от кристаллической структуры // Рост кристаллов. М.: Наука. 1967. Т. VII. С.8−24.
  370. А.В. О принципе отбора Гросса-Меллера // Избранные труды по кристаллографии. М.: Наука. 1975. С.479−481.
  371. A.JI. Обобщенная кристаллография алмазоподобных структур // Синтез минералов. 2000. Т. 1. Александров: ВНИИСИМС. С.321113.
  372. М.И., Талис A.JI., Миронов М. И. Квазикристаллы с бесконечной точечной группой, как симметрийная основа некристаллических алмазоподобных материалов // Неорганические материалы. 2002. Т. 38. № 4. С.443−448.
  373. A.JI. Построение обобщенной кристаллографии алмазоподобных структур на основе алгебраической геометрии. Часть II. // В кн.: Синтез минералов. Александров: ВНИИСИМС. 2000. Т. 3. С.32МЮ5.
  374. М.И. Детерминированные (кристаллические и некристаллические) тетракоординированные структуры и их компьютерное моделирование. Автореферат канд. диссертации. Москва. МГУ им. М. В. Ломоносова. 2001.
  375. М.И., Талис А. Л., Миронов М. И. Сушенцов Н.И. Об экспериментальных возможностях получения алмазных пленок со структурой квазикристалла // XI Международная научно-техническая конференция. Тезисы докладов. Йошкар-Ола: МарГТУ. 2000. С.20−22.
  376. В.И., Белянин А. Ф., Перевозчиков Б. Н. Изучение механических свойств приповерхностных слоев кварцевых стекол под влиянием алмазоподобных углеродных покрытий // Труды Украинского вакуумного общества. Харьков: Изд. УВО. 1997. Т. 3. С. 132−135.
  377. В.И., Белянин А. Ф., Перевозчиков Б. Н. Влияние алмазоподобных углеродных покрытий на механические свойства приповерхностных слоев кварцевых стекол // Физика и химия обработки материалов. М.: Наука. 1997. № 5. С.74−76.
  378. А.П., Белянин А. Ф., Семенова И. А. К вопросу применения распыления ионным пучком для выращивания углеродных пленок // Алмазы в технике и электронике. Труды Всероссийской конференции. М.: ПОЛЯРОН. 1997. С.136−145.
  379. А.Ф., Семенов А. П., Семенова И А. О выращивании пучками заряженных частиц тонких пленок углерода различных структурных модификаций // Алмазы в технике и электронике. Труды Всероссийской конференции. М.: ПОЛЯРОН. 1998. С. 158−167.
  380. А.Ф., Семенов А. П. Ионно-плазменные методы выращивания и обработки пленок // Высокие электронные технологии в народном хозяйстве. М.: ОАО ЦНИТИ «Техномаш». 1997. С.55−58.
  381. В.Д. Поверхностная энергия твердых тел. М.: Гостехиздат. 1954. С. 218.
  382. .В. Бугорки, ямки и скорость травления в кристаллах германия // Несовершенства в кристаллах полупроводников. М.: Металлургия. 1964. С.33−45.
  383. А.Ф., Буйлов Л. Л. Термохимическое полирование поликристаллических алмазных пленок // Алмазные технологии. Информационно-аналитический журнал. М.: ДИГАЗКРОН. 1995. № 2. Февраль. С.1−5.
  384. А.Ф., Найда С. М. Магнетронная обработка пленок алмаза и алмазоподобного углерода // Молекулярная физика неравновесных систем. Материалы 1 Всероссийской научной конференции. Иваново: ИвГУ. 1999. С.100−103.
  385. BhushanB., Subramaniam V.V., Gupta В.К. Polishing of diamond films // Diamond Films and Technology. 1994. V. 4. № 2. P.71−97.
  386. А.П., Смирнягина H.H., Белянин А. Ф., Алексенко А. Е., Буйлов Л. Л., Спицын Б. В. Травление ионным пучком поликристаллических пленок алмаза // Конференция по электронным материалам. Тезисы докладов. Новосибирск: Наука. 1992. С. 169−170.
  387. А.Ф., Семенов А. П., Спицын Б. В., Буйлов Л. Л., Алексенко А. Е. Полирование пленок алмаза ионным пучком // Тонкие пленки в электронике. Материалы IV Межрегионального совещания. Улан-Удэ: БИЕН СО РАН. 1993. С.166−168.
  388. Semenov А.Р., Belyanin A.F., Aleksenko А.Е., BoujlovL.L., SpitsynB.V. Ion beam polishing of diamond layers // Advanced Materials and Processes. Third Russian-Chinese Symposium. Kaluga. Russia. RAS. 1995. P.205.
  389. А.П., Смирнягина H.H., Белянин А. Ф., Алексенко А. Е., Буйлов Л. Л., Спицын Б. В. Применение ионного пучка для сверления алмаза // Тонкиепленки в электронике. Материалы III Межрегионального совещания. Йошкар-Ола: МарПИ. 1992. С. 154−155.
  390. А.Ф., Семенов А. П., Алексенко A.E., Буйлов Л. Л., Спицын Б. В., Семенова И. А. Размерная обработка пучком ионов поверхности алмазных слоев // Физика и химия обработки материалов. М.: Наука. 2000. № 4. С.65−70.
  391. Semenov А.Р., Belyanin A.F., Alexenko А.Е., BoujlovL.L., SpitsynB.V. Ionic etching of polycryctalline diamond films // Abstracts First International seminar on diamond films. Ulan-Ude. 1991. P.39.
  392. Sigmund P. Theory of sputtering. 1. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets // Phys.Rev. 1969. V. 184. № 2. P.383−416.
  393. M. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. М.: Мир. 1967. 506 с.
  394. Физические свойства алмаза. Справочник. Под ред. В. Н. Новикова. Киев: Наукова Думка. 1987. 192 с.
  395. М.Д., Плешивцев Н. В., Семашко Н. Н. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. М.: Энергоатомиздат. 1986. С. 248.
  396. Yoshikawa М. Application of CVD diamond to tools and machine components // Diamond Films and Technology. 1991. V. L. № 1. P. l-46.
  397. KyunoT., Saitoh H., UraoR. Sputtering rate of polycrystalline diamond film using argon ion beam // In: Advances in New Diamond Science and technology. MYU, Tokyo. 1994. P.489−492.
  398. А.Ф., Буйлов Л. Л., Спицын Б. В. Металлизация поликристаллических алмазных пленок // Вакуумная металлизация. Тезисы докладов Межотраслевого научно-технического семинара с участием зарубежных специалистов. Харьков: Изд. УВО. 1996. С. 40.
  399. Тер-Маркарян А.А., Белянин А. Ф., Симеонова И. С., Корсун Г. И. Текстурированные пьезоэлектрические пленки нитрида алюминия (A1N), полученные методом высокочастотного (ВЧ) магнетронного распыления // Информационный листок № 86−0722. М.: ВИМИ. 1986.
  400. А.Ф., Богомолов А. Б. Пьезоэлектрические пленки A1N, выращенные методом магнетронного ВЧ-распыления // Устройства акустоэлектроники. Тезисы докладов IV школы-семинара. Ростов-Ярославский: НТО РЭС. 1991. С.ЗЗ.
  401. А.Ф. Применение в электронной технике легированных пленок A1N, выращенных ВЧ-магнетронным распылением // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. 2002. № 1,2. С.74−82.
  402. Т.Д., Стрельцова Н. Н. Пленочные пьезоэлектрики. М.: Радио и связь. 1986. 137 с.
  403. А.Ф., БульенковН.А., Илюшечкин А. Ю., КорсунГ.И. Строение текстурированных пленок A1N // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1988. Серия: ТПО. Вып. 1. С.32−38.
  404. Бабад-Захряпин А.А., Кузнецов Г. Д. Текстурированные высокотемпературные покрытия. М.: Атомиздат. 1980. 176 с.
  405. JI.M., ШклярА.Н., Белянин А. Ф., ЕлингеевЮ.К. Анализ механических напряжений в системе а-А120з-А1Ы // Техника средств связи. М.: ЭКОС. 1988. Серия: ТПО. Вып. 1. С.39−43.
  406. JI.M., ШклярА.Н., Тер-Маркарян А. А. Изучение напряжений в монокристаллической корундовой подложке с пленкой A1N методом рентгеновской топографии // Техника средств связи. 1987. Серия ТПО. Выпуск 1. С.56−60.
  407. У. Исследование резонансных колебаний и нарушений структуры в монокристаллах методом рентгеновской дифракционной топографии // Физическая акустика. Под ред. У.Мэзона. М. 1983. Т. 5. С.162−163.
  408. Р.У. Механические свойства тонких конденсированных пленок // Физика тонких пленок. Под ред. Г. Хасса, Р. Э. Туна. М. 1968. Т. 3. С.225−298.
  409. Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат. 1968. 347 с.
  410. Sokolina G.A., Beljanin A.F., Blaut-Blachev A.N., Bouilov L.L., Karpukhina T.A., Kochetkova E.O. Optical and electrical properties of A1N films // Abstr. Third Intern. Symp. on diamond films. 1996. St.Petersburg. P. 120.
  411. Sokolina G.A., Blaut-Blachev A.N., BouilovL.L., Karpukhina T.A., Kochetkova E.I., Belyanin A.F. Optical and electrical properties of AIN films // Diamond Films and Technology. Tokyo, Japan. Scientific Pabl. Division of MYU K.K. 1997. P.403−409.
  412. G., Weissmantel С. // Thin Solid Films. 1978. V. 50. P. 135−144.
  413. Belyanin A.F., Semenov A.P., Khaltanova V.M. AIN films growth by reactive ion beam sputtering // Abstr. Third Intern. Symp. on diamond films. 1996. St.Petersburg. P.48.
  414. Belyanin A.F., Semenov A.P., Haltanova V.M. AIN thin film deposition by ion beam sputtering // Journal of Chemical Vapour Deposition. TECHNOMIC Publishing Co., Inc. Lancaster. Pennsylvania. USA. 1997. V. 5. № 4/april. P.336−340.
  415. Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир. 1969.
  416. А.Н. Природа окраски минералов. Киев: Наукова думка. 1976.
  417. А.Н., Чайковский Э. Ф. // Поверхность. 1985. № 9. С. 43.
  418. Тер-Маркарян А.А., Белянин А. Ф., Симеонова И. С., Корсун Г. И., Казакова Т. З. Технологический процесс изготовления элементов приборов на поверхностных акустических волнах (ПАВ) на слоистых средах // Информационный листок № 86−0723. М.: ВИМИ. 1986.
  419. А.Ф., Илюшечкин А. Ю., Корсун Г. И., Симеонова И. С. Пьезоэлектрические пленки нитрида алюминия для устройств акустоэлектроники // Устройства микроэлектроники. Тезисы докладов и сообщений школы-семинара. М.: НТО РЭС. 1988. С. 80.
  420. А.Ф., ЗимаВ.Н., Алексенко А. Е., БуйловЛ.Л., СпицынБ.В. Применение алмазных пленок в качестве звукопровода устройств на ПАВ // Тонкие пленки в электронике. Материалы III Межрегионального совещания. Йошкар-Ола: МарПИ. 1992. С. 162−167.
  421. А.Ф., Буйлов Л. Л., Спицын Б. В. Поликристаллические алмазные пленки в устройствах микроэлектроники // В сб.: «Высокие электронные технологии в народном хозяйстве». М.: Изд. Международной академии информатизации. 1997. С.52−54.
  422. Belyanin A.F., BouilovL.L., ZhimovV.V., KamenevA.I., Kovalskij K.A., Spitsyn B.V. Application of aluminum nitride films for electronic devices // Diamond and Related Materials. ELSEVIER. 1999. V. 8. P.369−372.
  423. Belyanin A.F., Kovalskij K.A., Spitsyn B.V., Sushentsov N.I. Application of layer structures based on AIN in microelectronics // Proceedings of 4-th International Symposium on Diamond Films and Related Materials. Kharkov. Ukraine. 1999. P.311−317.
  424. А.Ф., СпицынБ.В. Многослойные структуры на основе алмаза в устройствах на поверхностных акустических волнах // В кн.: «Алмаз в технике и электронике на пороге III тысячелетия». М.: ПОЛЯРОН. 2000. С.90−101.
  425. Belyanin A.F., Blaut-Blatchev A.N., BouilovL.L., SpitsynB.V. AIN films growing and diamond/AIN layer structure application for acoustoelectronics // Abstr. Third Intern. Symp. on diamond films. 1996. St.Petersburg. P.94.
  426. А.Ф., Богомолов А. Б., Спицын Б. В., Буйлов JI.JL, Алексенко А. Е. Применение поликристаллических алмазных пленок в устройствах ГИС // Тонкие пленки в электронике. Материалы IV Межрегионального совещания. Улан-Удэ: БИЕН СО РАН. 1993. С. 168−169.
  427. А.Ф., Галушко И. В., Спицын Б. В. Пленки алмаза и алмазоподобного углерода в устройствах микро- и акустоэлектроники // Тонкие пленки в электронике. Тезисы докладов XI Международной научно-технической конференции. Йошкар-Ола: МарГТУ. 2000. С. 29.
  428. А.Ф., БульенковН.А., КазарьянВ.К., КорсунГ.И., ПащенкоП.В., Тер-Маркарян А.А., Рыженков А. И. Термографическая печатающая головка / Авторское свидетельство № 1 349 140 (приоритет от 25.06.1985).
  429. А.Ф., Тер-Маркарян А.А., Казарьян В. К., Корсун Г. И., Рыженков А. И., Пащенко П. В., Симеонова И. С., Семенов А. П. Тонкопленочная термопечатающая матрица / Авторское свидетельство № 1 361 884 (приоритет от 24.12.1985).
  430. А.Ф., Казарьян В. К. Тонкопленочные термопечатающие матрицы // Тонкие пленки в электронике. Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания. Ижевск: НИИВЭМ. 1991. С.70−72.
  431. М.И., Кудинцева Г. А., Кулюпин Ю. А. и др. Ненакаливаемые катоды. М.: Советское радио. 1974. 336 с.
  432. Spitsyn B.V., Zhirnov V.V., Blaut-Blachev A.N., Bormatova L.V., Belyanin A.F., Pashchenko P.V., Bouilov L.L., Givargizov E.I. Field emitters based on Si tips with A1N coating // Diamond and Related Materials. ELSEVIER. 1998. № 7. P.692−694.
  433. Г. А. Эктоны. Ч. 1. Екатеринбург: Наука. 1993. 184 с.
  434. Belyanin A.F., Paschenko P.V., Soldatov Е.А., SuetinN.V., TrifonovA.S. STM Study of Mo-Doped A1N Films // Abstr. XI Inter. Vacuum Microelectronics Conf. (IVMC'98). Asheville. North Carolina. USA. 1998. P.228−229.
  435. А.Ф., Пащенко П. В., Сенченок A.E., Суетин Н. В. Нанесение пленок оксида магния реактивным магнетронным распылением // Тонкие пленки в электронике. Тезисы докладов XI Международной научно-технической конференции. Йошкар-Ола: МарГТУ. 2000. С. 26.
  436. А.Ф., Петухов К. Ю. Ненакаливаемые катоды на основе слоистых структур, содержащих слой углерода // Материалы Международной научно-технической конференции. М.: МИРЭА (ТУ). 2002. Под ред. А. С. Сигова. С.100−102.
  437. В.А., Миронов И. А., ХоменюкГ.А. Исследование свойств люминесцирующего нитрида алюминия // Химия и технология люминофоров. Л.: Химия. 1968. С. 62.
  438. Dicke G.H., Grosswite Н.М. The spectra of the doubly and triply ionized rereearths // Appl. Opt. 1963. V. 2. P.675−689.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!