Герметизация в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС) является заключительным процессом их изготовления и включает в себя операции сборки на кремниевом кристалле (монтаж кристалла и выполнение проволочных соединений), изготовление корпусов и измерение рабочих характеристик корпусов. Основной тенденцией совершенствования процесса герметизации является объединение как можно большего числа межкомпонентных соединений на кристалле, а затем в корпусе.
Для разделения кремниевых пластин на отдельные кристаллы используют несколько способов, которые предусматривают скрайбирование поверхности кремния, разламывание пластины на отдельные кристаллы, если скрайбирование нс проникает на всю толщину пластины, и сортировку электрически годных отдельных кристаллов в форме, пригодной для следующей стадии сборки.
Скрайбирование может быть выполнено импульсным лазерным лучом, скрайбирующим инструментом с алмазным наконечником и пилой с алмазной кромкой. Алмазный пропил обеспечивает получение более ровного края со значительно меньшими сколами и трещинами.
Процесс сортировки зависит от того, должен ли кристалл удаляться из матрицы разделённой пластины перед выполнением межкомпонентных соединений или во время подсоединения к контактным площадкам кристалла (монтаж с одновременной сортировкой из матрицы).
В процессе производства электронных схем и устройств радиоэлектроники для фиксации и герметизации традиционно используются различные виды клеев-герметиков — это фиксация компонентов и конструкционных элементов, герметизация электронного устройства. Клеи также используются и в задачах со специальными требованиями, такими как обеспечение электропроводности, теплоотвода или получение определенных оптических характеристик соединения.
