ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

РСализация Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ-Π½Π΅ Π² транзисторной ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмотСхниках

Π Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π˜Π›Π˜-НЕ Ρ€-Π»-схСмотСхники Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° (ИИ) с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ N = 5 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ модСль, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ синтСза, описанного ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (9.1). Ѐункция Π˜Π›Π˜-HE, относящаяся ΠΊ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ логичСскому базису Π² Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΠΉ транзисторной схСмотСхникС, рСализуСтся Π² Π΄Π²ΡƒΡ… схСмотСхничСских базисах: Для получСния самых Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ЀИЭ Π˜Π›Π˜-HE Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

РСализация Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ-Π½Π΅ Π² транзисторной ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмотСхниках (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Ѐункция Π˜Π›Π˜-HE, относящаяся ΠΊ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌΡƒ логичСскому базису Π² Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΠΉ транзисторной схСмотСхникС, рСализуСтся Π² Π΄Π²ΡƒΡ… схСмотСхничСских базисах:

  • β€’ схСмотСхничСский базис НБВЛ (Π˜Π›Π˜-НЕ);
  • β€’ схСмотСхничСский базис Π­Π‘Π› (Π˜Π›Π˜-НЕ/Π˜Π›Π˜).

РСализация Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π˜Π›Π˜-НЕ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмотСхникС

Π‘ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π· ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ ЀИЭ класса НБВЛ

Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠŸΠΈΡ€ΡΠ° (Π˜Π›Π˜-НЕ) Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ примСняСтся ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏ-Ρ€-ΠΏ- ΠΈΠ»ΠΈ Π»-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов Π² Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ МОП-(КМОП-)ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…. НаиболСС Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ являСтся биполярная схСма НБВЛ [84, 85].

Π’Ρ€-Π»-схСмотСхникС Π±Ρ‹Π»ΠΈ рассмотрСны ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… размСрностСй:

  • β€’ инспСкционныС ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ (N = 4);
  • β€’ инспСкционныС ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ (N = 5);
  • β€’ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ биполярныС ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ (N = 6).

Π‘ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π· элСмСнтов Π˜Π›Π˜-НЕ ΠΈΠ· ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ N = 4 описан уравнСниями (7.3)-(7.5).

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° Π˜Π›Π˜-НЕ Ρ€-Π»-схСмотСхники Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° (ИИ) с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ N = 5 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ модСль, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ синтСза, описанного ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (9.1).

РСализация Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ-Π½Π΅ Π² транзисторной ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмотСхниках.
РСализация Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ-Π½Π΅ Π² транзисторной ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмотСхниках.

Π£Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ (9.2) описываСт синтСз матСматичСской ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ЀИЭ Π˜Π›Π˜-HE ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… биполярных ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ N = 6.

Для Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… структур ЀИЭ Π˜Π›Π˜-НЕ (9.1, 9.2) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΡ‹, описанныС Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ (7.3)-(7.5).

Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° гСнСрация ЀИЭ Π˜Π›Π˜-HE, Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅, ΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… структур, ΠΏΡ€ΠΈ использовании объСдинСния структурных Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ» ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ€-Π»-схСмотСхники. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ структура ЀИЭ Π˜Π›Π˜-HE, изобраТСнная Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 7.2, Π³Ρƒ получаСтся Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ объСдинСния структурных Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ» ИИ, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 7.2, Π²:

РСализация Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ-Π½Π΅ Π² транзисторной ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ схСмотСхниках.

Для получСния самых Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ЀИЭ Π˜Π›Π˜-HE Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ провСсти ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π² ΠΊΠ»Π°ΡΡΠ΅ Π­Π‘Π›, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сдСлано Π² Π΄Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΌ.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ