Гетеропереходы на основе GaAs

Зонные диаграммы полупроводников «-Al_xGa, _xAs, р-GaAs и равновесная энергетическая диаграммар-п перехода показаны на рис. VIII.1.2.

Суммарный разрыв зоны проводимости складывается из разрыва зоны проводимости и разрыва валентной зоны:

Рмс. VIII. 1.2. Зонные диаграммы полупроводников w-Al_xGa_t._xAs, p-GaAs (а) и равновесная энергетическая диаграмма p-и перехода w-Al_xGa,._sAs — p-GaAs (б)

В первом приближении разрыв зоны проводимости, как и AE_g, пропорционален мольной доле гетерокомпонента.

При отсутствии вырождения расстояния ф, ₉ между уровнем Ферми и ближайшей к нему границей запрещенной зоны в электронейтральных областях определяются степенью их легирования (концентрации примеси Л/', и N₂ предполагаются постоянными):

Как следует из рис. VIII. 1.2, а, контактная разность потенциалов составляет.

Обычно диэлектрические проницаемости полупроводников 1 и 2 практически одинаковы. При этом значения V_b, а также ширины ОПЗ 1_Х2 в областях 1 и 2 определяются так же, как в обычном ступенчатом р-п переходе.

Контактная разность потенциалов V_b складывается из напряжений V_b, и V_b2 на иир-участках ОПЗ: V_b = V_b] +V_b2 (рис. VIII. 1.2, б), а значения V_bi2 могут быть получены двукратным интегрированием уравнений Пуассона в пределах -1₂₀ < х < О и 0 < х </<sub>10: