Физические константы. 
Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Список общих обозначений

е — относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника.

г₍₁ — относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика.

Т — абсолютная температура.

_а — концентрация донорной, акцепторной примеси.

N = | N_d — jV" | — результирующая концентрация примеси л; — собственная концентрация носителей заряда в полупроводнике.

п, р — концентрации электронов, дырок.

п_{), р₀ — равновесные концентрации электронов, дырок.

Ли = п — «о, Ар = рр₀ — избыточные концентрации электронов, дырок Е — энергия электрона Е₀— потенциальная энергия свободного электрона в вакууме Е», — энергии дна зоны проводимости, потолка валентной зоны Еэнергии донорных, акцепторных уровней ДЕ,/,"= |е", — Е,/"| — энергии активации доноров, акцепторов Е, — энергия ловушечных уровней.

F— энергия Ферми.

F_np — квазиуровни Ферми для электронов, дырок /•' — электростатическая энергия (энергия Ферми в собственном полупроводнике).

Е — напряженность электрического поля Ф — электрический потенциал (р_у =1гТ /е — температурный потенциал V — напряжение I — ток.

j— плотность тока.

— подвижности электронов, дырок Z? — коэффициенты диффузии электронов, дырок т" у, — время жизни электронов, дырок.

L_{n p} = ylD"'_Px"'_P — диффузионные длины электронов, дырок I’D — дебаевская длина экранирования I — ширина области пространственного заряда (ОПЗ).