Список литературы. 
Наноэлектроника. 
Часть 2

• 1. Лихарев К.К. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе дискретного одноэлектронного туннелирования // Микроэлектроника. — 1987. — Т. 16, вып. 3. — С. 195−209.
• 2. Аверин Д.В., Лихарев К.К. Когерентные колебания в туннельных переходах малых размеров // ЖЭТФ. 1986. Т. 90, вып. 2. С. 733−743.
• 3. Averin D. V., Likharev К.К. Coulomb blockade of single-electron tunneling, and coherent oscillations in small tunnel junctions // J. Low Temp. Phys. — 1986. — Vol. 62, № ¾. — P. 345−373.
• 4. Likharev K.K. Correlated discrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions // IBM J. Res. Develop. — 1988. -№ 1. P. 144−158.
• 5. Likhare^} K.K., Claeson T. Single electronics // Sci. Am. — 1992. № 6. — P. 80−85.
• 6. Tinkham M. Coulomb blockade and an electron in a mesoscopic box // Am. J. Phys. — 1996. — № 64. — 343−347.
• 7. Geerligs L.J. Charge quantisation effects in small tunnel junctions // Phys. of

Nanostructures. Cambridge Univ. Press., 1992. P.171 204.

• 8. Van Houten H. Coulomb blockade oscillation in semiconductor nanostructures If Sur. Sci. — 1992. — № 263. — P. 442⁴⁴⁵.
• 9. Hu G. Y. O’Connel R.F. Exact solution of the electrostatic for a single electron multijunction trap // Phys. Rev. Lett. 1995. — № 74. P. 1839−1842.
• 10. Isawa Y., Sima F. Transport through discrete energy levels in quantum dots // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — № 34. — P. 4492^4495.
• 11. Adachi S., Fujimoto K., Hatano T. Current Response of quantum dot modulated by time-dependent external fields // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — № 34. — P. 4298 4301.
• 12. Hatano I, Fujimoto K. Isawa Y. Role of displacement current in quantumdot turnstile devices // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — № 34. — P. 4488−4491.
• 13. Zorin A.BPekola., J.P., Hini K.P., Paalen М.Л. Pumping of single electron with a travelling wave // Phys. B. — 1995. — № 210. — P. 461−467.
• 14. Gorelik L.Y., I sacs son A., Voinova M. V. Shuttle mechanism for charge trans

fer in Coulomb blockade nanodtructures // E-print archive (http://xxx.lanl.gov) condmat/9 711 196. 1997.

• 15. Hackenbroich G. Heiss W.D., Weidenmuller H.A. Deformation of quantum dots in the coulomb blockade regime // E-print archive (http://xxx.lanl.gov) condmat/9 702 184. 1997.
• 16. Richardson YV.H. Possibility of a single electron tunneling diode and a controllable saturated tunneling current // Appl. Phys. Lett. — 1997. № 77. — P. 1113−1115.
• 17. Неизвестный И. Г. Соколова О.В. Шамирян Д.Г. Одноэлектроника. Ч. I// Микроэлектроника. — 1999. — Т. 28, вып. 2. — С. 83−107.
• 18. Неизвестный И. Г. Соколова О.В., Шамирян Д.Г. Одноэлектроника. Ч. II. Применение одноэлектронных приборов // Микроэлектроника. — 1999. — Т. 28, вып. 3. -С. 163−174.
• 19. Schonenberg С, Van Houten Н., Donkersloot Н.С. Single-electron tunneling observed at room temperature by scanning-tunneling microscopy // Europ. Lett. — 1992. — Vol. 20, № 3. — P. 249−254.
• 20. Schonenberg C, Van Houten II. Donkersloot II.C. Single-electron tunneling up to room temperature // Phys. Scripta. — 1992. — № 45. — P. 289−291.
• 21. Van Kempen H., Dubois J.G.A., Gerritsen J.W., Schmid G. Small metallic particles studied by tunneling microscopy// Phys. B. — 1995. — № 204. — P. 51−56.
• 22. Uehara Y., Ohayama S., Ito K., Ushioda S. Optical observation of singleelectron charging effect at room temperature // Jpn. J. Appl. Phys. — 1996. — № 35. — P. L167-L170.
• 23. Dorogi M., Gomez J., Osifchin R. Room-temperature Coulomb blockade from a self-assembled molecular nanostructure // Phys. Rev. B. — 1995. — № 52. — P. 9071— 9077.
• 24. Nejo II. Aono M. Bakshey’ev D.G. Tkachenko V.A. Single-electron charging of a molecule observed in scanning tunneling scattering experiments // J. Vac. Sci. Technol. B. — 1996. -№ 14. — P. 2399−2402.
• 25. Austing D.G. Honda T. Takura Y., Tarucha S. Sub-micron vertical AlGaAs/GaAs resonant tunneling single electron transistor // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. -№ 34.-P. 1320−1325.
• 26. Austing D.G., Honda T., Tarucha S. GaAs/AlGaAs/InGaAs vertical triple single electron transistors // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. — № 36. P. 1667 1671.
• 27. Ashoori R.C., Stormer H.L., Weiner J.S. Single-electron capasitance spectroscopy of discrete quantum levels // Phys. Rev. Lett. — 1992. — № 68. — P. 3088−3091.
• 28. Hang R.J. В lick R.H. Schmidt T. Transport spectroscopy of single and coupled quantum dot systems i! Phys. B. — 1995. — № 212. — P. 207−212.
• 29. Durum C.I., Clarke R.M., Marcus C.M., Harris J.S. Jr. Conduction threshold, switching and histeresys in quantum dot arrays // Phys. Rev. Lett. — 1995. — № 74. — P. 3237−3240.
• 30. Rimherg A.J., Ho T.R., Clarke J. Scaling behavior in the current-voltage characteristic of oneand two-dimensional arrays of small metallic islands // Phys. Rev. Lett. — 1995. — № 74. — P. 4714-^717.
• 31. Tackeuchi A., Nakata Y., Muto S., Sugiyama Y., Usuki T, Nishikawa Y. Timeresolved study of carrier transfer among InAs/GaAs multi-coupled quantum dots // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — № 34. — P. L1439-L1441.
• 32. Matsuoka H., Kirnura S. Transport properties of a silicon single-electron transistor at 4.2 К // Appl. Phys. Lett. — 1995. -№ 66. — P. 613−615.
• 33. Matsuoka //. Ahmed II. Transport properties of two quantum dots connected in series formed in s ilicon inversion layer / Jpn. J. Appl. Phys. — 1996. — № 35. — P. L418-L420.
• 34. Matsuoka H., Kirnura S. Thermally enhanced co-tunneling of single electrons in a Si quantum dots at 4.2 К // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — № 34. — P. 1326−1328.
• 35. Leobandung E. Guo L. Wang Y., Chou S.Y. Observation of quantum effects and Coulomb blockade in silicon quantum dot transistors at temperatures over 100 К // Appl. Phys. Lett. — 1995. — № 67. — P. 938−940.
• 36. Leobandung E., Guo L., Chou S.Y. Single hole quantum dot transistors in silicon // Appl. Phys. Lett. — 1995. — № 67. — P. 2338−2340.
• 37. Fujiwara A. Takahashi Y, Murase K., Tube M. Time-resolved measurement of single-electron tunneling in a Si single-electron transistor with satellite Si islands // Appl. Phys. Lett. — 1995. -№ 67. — P. 2957−2959.
• 38. Ohata A., Niyama H. Shibata I. Nakajima K. Toriumi A. Silicon-based single-electron tunneling transistor operated at 4.2 К // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995 № 34. — P. 4485 4487.
• 39. Waugh F.R., Beny M.J., Mar D.J., Westervelt R.M. Single-electron charging in double and triple quantum dots with tunable coupling // Phys. Rev. Lett. — 1995. — № 75. — P. 705−708.
• 40. Hofmann F. Heinzel T, Wharam D.A., Kotthaus J.P. Single electron switching in a parallel quantum dot// Phys. Rev. B. 1995. № 51. — P. 13 872 13 875.
• 41. Pasquier C., Glatt/i D.C., Meirav U., Williams F.I.B., Jin Y, Etienne B. Coulomb blockade of tunneling in 2D electron gas // Sur. Sci. — 1992. — № 263. — P. 419- 423.
• 42. Furusaki A. Matveev K.A. Coulomb blockade oscillation of conductance in the regime of strong tunneling // Phys. Rev. Lett. — 1995. — № 75. — P. 709−712.
• 43. Visscher E.H., Verbrugh S.M., Lindeman J., Hadley• P. Fabrication of multilayer single-electron tunneling devices // Appl. Phys. Lett. — 1995. — № 66. — P. 305- 307.
• 44. Zimmerman N.M. A simple fabrication method for nanometer-scale thin-metal stencils // J. Vac. Sci. Tcchnol. — 1997. — В 15(2). — P. 369−372.
• 45. Gotz M. Bluthner К, Krech W., Nowack A. Fuchs H.J., Kiev E.B. Preparation of self-aligned in-line tunnel junctions for application in single-charge electronics // J. Appl. Phys. — 1995. — № 78. — P. 5499−5502.
• 46. Литвин Л.В., Колосанов В. А., Могильников К. П. и др. Создание одноэлектронных устройств методом SECO на системе Ti/TiO, // Микроэлектроника. -2000. — Т. 29, вып. 3. — С. 189−196.
• 47. Бакшеев Д.Г., Ткаченко В. А., Литвин Л. В. и др. Я Автометрия. — 2001. — Вып. 3. — С. 118−136.
• 48. Kubatkin S.E. Tzalenchuk A. Ya., Ivanov Z.G. Delsing P. Coulomb blockade

electrometer with a high-Tc island // Письма в ЖЭТФ. 1996. № 63. P.112−117.

• 49. Yoshikawa N. Ishibashi H., Sugahara M. Dynamic characteristic of inverter circuits using single electron transistor // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — № 34. — P. 1332−1338.
• 50. Fukui //., Fujishima M., Iloh K. Simple and stable single-electron logic utilizing tunnel-junction load // Ipn. J. Appl. Phis. — 1995. -№ 34. — P. 1345−1350.
• 51. Kiehl R.A., Ohshima T. Bistable locking of single-electron tunneling elements for digital circuitry// Appl. Phys. Lett. — 1995. — № 67. — P. 2494−2496.
• 52. Nakazato K., Ahmed H. The multiple-tunnel junction and its application to single-electron memory and logic circuits // Jpn. J. Appl. Phys. — 1995. — № 34. — P. 700−706.
• 53. Nakazato K, Ahmed H. Enhancement of coulomb blockade in semiconductor tunnel junction// Appl. Phys. Lett. 1995. № 66. P. 3170−3172.
• 54. Vion D., Oifilla P.F., Joyez P., Esteve D., Devoret M.H. Miniature electrical filters for single electron devices ll J. Appl. Phys. — 1995. — № 77. — P. 2519−2524.
• 55. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Классификация приборных структур одноэлектроники // ФТП. — 1999.-Т. 33, вып.11. — С. 1388−1394.
• 56. WangX., Grabert Н. Coulomb charging at large conduction: Preprint. — 1997.
• 57. Likharev K.K. Single — electron devices and their applications // Proc. of IEEE. — 1999. — Vol. 87, № 4. — P. 606−632.