Контрольные вопросы и задания

1. Чем обусловлен ток в полупроводниках? Какие два вида электропроводности полупроводников существуют и каковы их особенности? Какова рольр-и-переходов в создании полупроводниковых приборов? Поясните особенности процессов, протекающих в равновесном состоянии p-w-персхода, при его прямом и обратном включениях.

2. Что служит основой для построения полупроводниковых диодов? Каковы особенности формы вольт-амперной характеристики р-н-перехода? Приведите основные классификационные признаки диодов.

3. Что такое транзистор? Какие два класса транзисторов существует и каковы их особенности?

4. Опишите структуру биполярного транзистора и основные режимы его работы. Какие процессы протекают в активном режиме?

5. Какие типы униполярных транзисторов вам известны? Каковы их отличительные признаки? Опишите полевой транзистор и его особенности. Каковы особенности МОП-транзисторов? Поясните принцип действия МОП-транзистора с индуцированным каналом.

6. Что такое нелинейные реактивные двухполюсники? Каковы их характеристики и фундаментальные свойства? Поясните энергетические соотношения Мэнли — Роу, их суть и область применения. Что лежит в основе принципа обратимости кратного преобразования частоты, какова его суть и область применения?

7. Что такое нелинейные реактивные многополюсники и каковы их свойства? В чем проявляются особенности характеристик идеальных нелинейных реактивных многополюсников?

8. Перечислите основные типы НРЭ, опишите их функциональные возможности и области применения. Каковы особенности синтезированных НРД?

9. Поясните суть понятия математической модели 11Э. Каковы основная классификация моделей НЭ, требования к моделям, точность моделей? Как построена систематизация показателей и параметров НЭ?

10. Какие способы используют для моделирования НЭ? Дайте их краткую характеристику и сравнительную оценку.

11. Какие характеристики используются для моделирования биполярных транзисторов? Что служит основой для построения их слабосигнальной модели? Составьте линейную модель транзистора в виде физической эквивалентной схемы.

12. В чем состоят особенности моделирования униполярных транзисторов?

13. Опишите особенности универсальных нелинейных моделей в базисе переменных состояния, в базисе узловых напряжений, с базисными величинами нелинейных элементов и на основе функциональных рядов. Оцените их достоинства и недостатки.