Стираемые ПЗУ. 
Наноэлектроника и схемотехника

В качестве логического транзистора МОП-инвертора используется МОП-транзистор с плавающим затвором (ПЛМОП). Его отличие от обычного транзистора состоит в дополнительной вставке (рис. 20.13).

Рис. 20.13. МОП-транзистор с плавающим затвором

Рассмотрим работу ПЗУ на ПЛМОП-транзисторах.

Стирание информации (обнуление матрицы). Стирание информации осуществляется засветкой всей матрицы ультрафиолетовыми лучами. Под их воздействием плавающий затвор освобождается от носителей (электроны, которые могли находиться в зонах плавающих затворов от предыдущих циклов записи информации, возбуждаются ультрафиолетовым светом и «стекают» на подложку).

В результате плавающие затворы всех запоминающих элементов освобождаются от электронов, что соответствует обнулению всей матрицы ПЗУ.

Запись. К затворам тех ЗЭ, в которые требуется записать логическую единицу, прикладывается напряжение порядка 25−40 В. Электроны из подложки притягиваются в плавающий затвор и остаются там после снятия напряжения. Электроны в плавающем затворе создают эффект записи логической единицы (имитация отсутствия транзистора, так как при подаче рабочих напряжений на затвор (5 В) экран из электронов в плавающем затворе будет препятствовать созданию канала). Существующая очень незначительная утечка электронов из плавающего затвора позволяет хранить информацию в таких ПЗУ до 10 лет.

Считывание. Если подать на затворы транзисторов напряжение выше порогового (например, выше 5 В), то транзисторы с электронами в плавающем затворе будут закрыты (на выходе — логическая единица), а транзисторы без электронов в плавающем затворе открыты (на выходе — логический ноль).

Замечание. В электрически программируемых ПЗУ в качестве логических транзисторов МОП-инвертора используются МНОП-транзисторы (металл-нитрид-оксид-полупроводник). Электрические заряды стираются и заносятся электрическим путем при подаче на затвор напряжения много выше рабочего. Заряд, создающий экран, хранится между нитридом и оксидом.