Заключение. 
Среднее время жизни неравновесных носителей зарядов

Техническое применение полупроводников еще в будущем. Это — один из наиболее молодых и быстро растущих участков технической изобретательности.

На основании всей полученной информации можно сделать вывод, что работа большинства полупроводниковых приборов основана на неравновесной проводимости, т. е. на инжекции, диффузии, дрейфе и рекомбинации неравновесных носителей тока. Величина и характер распределения неравновесных носителей заряда, а следовательно и их времени жизни, меняются в широких пределах в зависимости от условий их генерации, типа примесных центров, их концентрации в объеме и на поверхности пластины. Исследование этих неоднородностей имеет большое значение для изучения различных физических процессов, а также для увеличения выхода годных полупроводниковых приборов и уменьшения разброса их параметров.

Список литературы

• 1. Кудря А. П., Лаврентев А. А. Определение времени жизни неравновесных носителей заряда. Методические указания.// Издательский центр ДГТУ. Ростов-на-Дону. 2002.
• 2. Гуртов В. А., Артамонов О. Н., Ветров А. С. Твердотельная электроника: [Электронный ресурс]. URL: http://dssp.petrsu.ru/book/main.shtml.
• 3. Учебно-образовательный портал:[Электронный ресурс]. 2011. URL: http://www.mylect.ru/physics/poluprovodnik/339-poluprovodniki5.html
• 4. Учебно-образовательный портал:[Электронный ресурс]. URL: http://nauchebe.net. 2013