Быстрый термический отжиг

История развития импульсного отжига Импульсный наносекундный лазерный отжиг, протекающий с образованием жидкой фазы в приповерхностном слое полупроводниковой структуры, был открыт группой советских учёных под руководством Хайбулина И. Б. и стал интенсивно исследоваться, начиная с 1974 года. Интенсивные исследования по импульсному отжигу полупроводников показали, что данный метод имеет ряд уникальных достоинств перед традиционным длительным печным отжигом. Был также установлен и ряд недостатков импульсного отжига, основным из которых являются высокий градиент температур и, как следствие, большие механические напряжения и высокое содержание дефектов в полупроводниковой пластине. Выход из сложившейся ситуации был найден в начале восьмидесятых годов, когда специалистами фирмы Sony было предложено удлинить длительность термообработки вплоть до единиц — десятков секунд и проводить изотермический отжиг в твердой фазе при небольших длительностях термообработки, при которых не происходит существенного диффузионного перераспределения легирующих примесей. Начиная с этого времени, быстрые термические обработки полупроводниковых структур прошли большой путь от идеи и лабораторных исследований до широкого промышленного применения. В настоящее время отжиг с характерной длительностью в единицы секунд, вследствие большого диффузионного перераспределения имплантированной примеси, уже не обеспечивает получение сверхмелких ИЛС (толщина слоя 10−20 нм). В связи с этим, активно развиваются и внедряются в производство отжиги с длительностью в диапазоне от долей секунд до микросекунд. При этом отжиг имплантированного слоя по-прежнему происходит в твёрдой фазе. Как весьма недалёкая перспектива рассматривается возможность возврата к импульсному лазерному отжигу в наносекундном диапазоне длительностей с плавлением сверхтонкого приповерхностного слоя кремния.