Заключение. 
Вольтамперная характеристика Al–p-CdTe–Mo

Проведенное исследование показало, что рекомбинационные процессы в структуре Al-p-CdTe-Mo с протяженной базой (w = 120 µm) в основном происходят с участием сложных комплексов, внутри которых происходит электронный обмен, в результате чего задерживаются неравновесные носители. Вероятно, задержки рекомбинационных процессов приводят к обогащению свободными носителями, которые задают профиль распределения неравновесных носителей в р-базе, создающий встречные направления потоков биполярной диффузии и дрейфа, в результате чего появляется сублинейный участок на обратной ВАХ. Причем сохранение формы и протяженности сублинейного участка обратной ВАХ показывает, что из-за высокой высоты потенциального барьера фронтального n⁺-p-гетероперехода профиль распределения неравновесных носителей в р-базе практически не изменяется в интервале температуры 173 К — 373 К.

Сохранение высокого значения коэффициента выпрямления К? 10⁴ — 10⁵ и формы сублинейного участка без изменения в области температур 173 К — 373 К показывает перспективность создания на базе таких структур полупроводниковых приборов, в которых принципиальное значение имеют малые величины темнового тока в широком диапазоне напряжения смещения и слабая чувствительность к температуре окружающей среды.