Цифровые микросхемы и транзисторы

Цифровые микросхемы и транзисторы

Наименование параметра.

Значение.

Напряжение питания (Uпит).

3−15 В (макс.18В).

Выходное напряжение при лог.0.

<0.05 В.

Выходное напряжение при лог.1.

Uпит.-0.05 В.

Ток потребления (Iпот), при Uпит.=15 В.

<=20мкА.

Потребляемая мощность (Pd).

300мВт.

Время задержки распространения сигнала:

при Uпит=5 В при Uпит=10 В.

<420нС.

<150нС.

Выходная емкость при Uпит=10 В.

<=10пФ.

Диапазон рабочих температур

— 10+70С.

КТ815.

Среднемощный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры. Широко применяется в виде ключа и в линейных схемах. Часто в усилителях звуковой частоты, в импульсных схемах, преобразователях и генераторах.

Структура Цоколевка КТ815 Корпус КТ815.

Маркировка КТ815 (кодированая) Маркировка КТ815 (некодированая) цифровой интегральный микросхема транзистор Выпускаются в двух корпусах из пластмассы, КТ-27 (ТО-126) и КТ-89 (DPAK).

Маркировка КТ815 бывает кодированая, четыре знака в одну строку и некодированая в две строки. В кодированной первая буква означает принадлежность к серии 815, вторая буква группу (характеристики), а две последующие месяц и год когда он был выпущен. В некодированной маркировке в верхней строке указывается дата выпуска, а во второй сама маркировка. У транзисторов в корпусе КТ-89 (DPAK) после буквы означающей группу присутствует цифра 9, пример — КТ815А9.

Кроме того существует цветовая маркировка КТ815. Торец транзистора (сверху) окрашен в серый или сиренево — фиолетовый цвет обозначающий принадлежность к серии 815. Группа в этом случае никак не обозначаются.

Транзистор КТ815 является комплементарной парой транзистору КТ814.

Аналоги КТ815 — BD135, BD137, BD139, TIP29C, TIP61C.

Основные электрические параметры КТ815 при Т окр. среды = 25 °C.

КТ815А.	КТ815Б.	КТ815 В.	КТ815Г.
Граничное напряжение к-э (Uкэо гp.), В.
Обратный ток коллектора (Iкбо), мкА.
Обратный ток кол.-эмиттер (Iкэr), мкА.
Коэффициент передачи тока, h21э.
Напряжение насыщения к-э (Uкэ нас), В.	0,5.	0,6.	0,6.	0,6.

Характеристики КТ815:

КТ815А.	КТ815Б.	КТ815 В.	КТ815Г.
Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max), В.
Напряжение эмиттер-база (Uэб max), В.
Постоянный ток коллектора (Iк max), А.	1,5.	1,5.	1,5.	1,5.
Импульсный ток коллектора (Iки max), А.
Максимально допустимый ток базы (Iб max), А.	0,5.	0,5.	0,5.	0,5.
Рассеиваемая мощность коллектора (Pк max), Вт.
Температура перехода (Tпер), град. цельсия.

Список использованных источников

• 1. Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. — 2-е издание, переработанное и дополненное — Минск: Беларусь, 1993 г. — 382с.
• 2. Аналоговые интегральные микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /Д. И. Атаев, В. А. Болотников. — Москва: Издательство МЭИ, 1991 г. 240 с., ил.
• 3. Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. — Москва: КУБК-а, 1995 г. — 384с.:ил.
• 4. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:КУБК-а, 1996 г. — 640с.:ил.