Исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектриков

Цель работы: исследование диэлектрических свойств сегнетоэлектриков, экспериментальное наблюдение связи электростатической индукции с напряженностью поля в сегнетоэлектрике, установление зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля.

Приборы и принадлежности: установка для исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков.

Установка для исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков (см. рисунок), используемая в работе, содержит исследуемый образец, представляющий собой конденсатор Сх с диэлектриком из исследуемого сегнетоэлектрика и конденсатор Со с диэлектриком, диэлектрическая проницаемость которого не зависит от напряженности электрического поля («линейный» конденсатор). Конденсаторы Сх и Со могут быть подключены (будучи соединеными последовательно с помощью П1 и П2).

к источнику постоянного напряжения U1. Конденсатор Сх при необходимости может подключаться к источнику переменного (50 Гц) напряжения U2, обеспечивающего деполяризацию исследуемого образца. Напряжение, снимаемое с потенциометра R2 подается также на полупроводниковый индикатор (на рисунке не показан), по интенсивности свечения которого можно судить о величине деполяризующего напряжения. Заряд на конденсаторе Со измеряется с помощью операционного усилителя ОУ с конденсатором С в цепи обратной связи.