ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

РасчСт гСомСтричСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² рСзисторов ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм

ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΠ²Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π­ΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы. Из Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… областСй транзистора коллСкторная ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ примСси ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ R2 (500—5000 Ом). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора постоянна ΠΏΠΎ Π²ΡΠ΅ΠΌΡƒ ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов. Π£ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ сСчСниС ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ сущСствСнно отличаСтся ΠΎΡ‚ ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

РасчСт гСомСтричСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² рСзисторов ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

ΠšΠ°Π»ΡƒΠΆΡΠΊΠΈΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΡƒΠΌ элСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π—ΠΠ”ΠΠΠ˜Π• Π½Π° ΠΊΡƒΡ€ΡΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ Π΄ΠΈΡΡ†ΠΈΠΏΠ»ΠΈΠ½Π΅ «Π˜ΠœΠ‘ ΠΈ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ирования»

ВСма задания

«Π Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚ гСомСтричСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² рСзисторов ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ИМБ»

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

1. Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для проСктирования

1.1 БхСмотСхничСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

1.2 ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхнологичСскиС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

2. ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌΠ΅ курсового ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°

2.1 ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм ΠΈ ΠΈΡ… ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

2.2 ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠ°Ρ характСристика ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм

3. Расчёт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов

3.1 ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ свСдСния ΠΎΠ± ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов

3.2 ΠŸΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΠΊ расчёта ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов

3.3 Расчёт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов

4. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ИМБ

5. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅Π»Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Бписок использованной Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° — это Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктроники, ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ исслСдования, конструирования, изготовлСния ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡ элСктронных устройств с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° развиваСтся ΠΏΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ закономСрностям, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ярко Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ диалСктичСскоС содСрТаниС: ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ количСства Π² Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ качСство (ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΊ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ систСмам); противорСчия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ основными Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΎ-экономичСскими показатСлями (ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π±Ρ‹ΡΡ‚родСйствиСм, качСством ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, энСргопотрСблСниСм ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ); взаимная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΈ Ρ‚СхнологичСской Π±Π°Π·Ρ‹ производства. Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ закономСрности Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠΈΠ»Ρƒ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… физичСских процСссов ΠΈ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ прямых ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… связСй ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ исслСдоватСлями, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³Π°ΠΌΠΈ.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° подраздСляСтся Π½Π° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ. БоврСмСнная микроэлСктроника Π² Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ стСпСни являСтся ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ, Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ схСмотСхничСский ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π² ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ² ΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠ² Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ дискрСтных Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² (рСзисторов, кондСнсаторов, Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², транзисторов ΠΈ Ρ‚. Π΄.) ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ элСктричСских схСм Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ. Π’ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ°Ρ… элСмСнты ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ (ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ) Π² ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности диэлСктричСской ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ.

Π€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микроэлСктроники, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ свСрхчистых ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², использованиС ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ производство микросхСм характСризуСтся Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… тСхнологичСских процСссов (ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π·ΠΌΠΎΡ…имичСских, молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии, элСктронной, рСнтгСновской ΠΈ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ, ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€.) Π’ ΠΏΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π΅ ΠΊ 2000 Π³. ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ся созданиС Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 1 Π½ΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ этом имССтся Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ объСдинСниС Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΡƒΡŽ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ систСму многочислСнных ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… инструмСнтов, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎ-ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройств. ИспользованиС ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ ассортимСнта ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ тСхнологичСского оборудования.

ВСхничСский ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ слоТности микросхСм характСризуСтся ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’Π΅ΠΌΠΏΡ‹ развития микросхСм Π²ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅. Π’ 1959 Π³. ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π» содСрТал нСсколько элСмСнтов, ΠΊ 1970 Π³. Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΎ элСмСнтов возросло Π΄ΠΎ 103, ΠΊ 1976 Π³.— Π΄ΠΎ 104, ΠΊ 1985 Π³. ΡƒΠΆΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 105, ΠΊ 1992 Π³. ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ся 108—109 элСмСнтов. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ кристалла ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π»Π°ΡΡŒ вСсьма ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π»Π°ΡΡŒ. Π“Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ исслСдований Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ поиск возмоТности ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² микросхСм, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ: ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ топологичСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² элСмСнтов микросхСм; ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ кристалла; ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ элСмСнтов микросхСм Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… слоях, Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ микросхСмы. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΡΡ‚ΠΈΡ… ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΉ характСризуСтся вСсьма сущСствСнными трудностями ΠΈ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ СдинствСнноС Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.

НаибольшиС слоТности Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ прСдставляСт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ микроэлСктроникС. Π­Ρ‚ΠΎ связано с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡΠ΅Ρ€ΡŒΠ΅Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ тСхнологичСскими трудностями, хотя поиски Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ вСдутся вСсьма интСнсивно.

НаиболСС простым способом Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ взгляд прСдставляСтся ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° кристалла. Однако ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ производства микросхСм ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ кристалла Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ возрастаСт Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ появлСния Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ². К Ρ‡ΠΈΡΠ»Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹ исходного ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΈ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹, вносимыС Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ тСхнологичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ изготовлСния микросхСм.

Π§Π΅ΠΌ большСС число ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… тСхнологичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ тСхнологичСский процСсс, Ρ‚Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ вСроятным становится ΠΏΠΎΡ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ кристалла Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… микросхСм с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ кристалла ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ кристалла Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достаточно ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ возникновСния Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π±Ρ‹Π»Π° минимальна. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ производства ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния микросхСм ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² постоянно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ кристаллов. ΠŸΡ€ΠΈ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π² Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя тСхнологичСском ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ тСхнологичСских ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ удаСтся ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ кристалла 50—60 ΠΌΠΌ. УмСньшСниС топологичСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² элСмСнтов микросхСм связано с ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.

ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микроэлСктроникой Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ микроэлСктроника, основанная Π½Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ физичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… нСоднородностСй, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… нСсхСмотСхничСскиС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈ ΡƒΡΡ‚ройств.

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ИБ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ элСктронной Π»Π°ΠΌΠΏΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ транзистору, прСдставляСт собой конструктивно Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠ΅ Ρ†Π΅Π»ΠΎΠ΅, выполняСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ трСбованиям ΠΏΡ€ΠΈ испытаниях, поставках ΠΈ ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΎΠ½Π° относится ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡΠ΄Ρƒ элСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ². Однако ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, транзистором ΠΈ Ρ‚. ΠΏ. ИБ ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся качСствСнно Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°.

1. Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для проСктирования

1.1 БхСмотСхничСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ На Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 1 ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° элСктричСская схСма Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° № 5

Рис. 1 ЭлСктричСская схСма Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚Π° № 1

1.2 ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхнологичСскиС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Ρ‚СхнологичСскиС ограничСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы Π½Π° Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторах, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Π½Π° Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΊΠ΅ 2. Π Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° рисунка ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 1.

Рис. 2 ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхнологичСскиС ограничСния ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы Π½Π° Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторах.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1 ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхнологичСскиС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ

Минимально допустимыС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹

ΠΌΠΊΠΌ

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ скрайбирования слоя

РасстояниС ΠΎΡ‚ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π° ΡΠΊΡ€Π°ΠΉΠ±ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ полосы Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ слоя ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ области

50−100

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° d3 ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ < 50 ΠΌΠΊΠΌ

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ d4 ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ < 50 ΠΌΠΊΠΌ

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠΊΠΎΠ½ Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅ ΠΊ ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌ ИМБ d20

РасстояниС ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° Ρ€+ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… областСй для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ смСщСния Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ области раздСлСния

РасстояниС ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° ΠΊ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ областям n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ смСщСния Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ области раздСлСния d22

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΎΠΊ для тСрмокомпрСссионной ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² dl

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ d2

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° d3 ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ > 50 ΠΌΠΊΠΌ

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ d 4 ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ > 50 ΠΌΠΊΠΌ

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΎΠΊ тСкстовых элСмСнтов Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ схСмы

50×50

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ dl5

4x6

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° ΠΊ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Ρƒ dl6

4Ρ…4;3Ρ…5

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΊΠ½Π° вскрытия Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅

2,5×2,5

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΊΠ½Π° Π² ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ окислС d 23

100×100

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° области Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ d 5

РасстояниС ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ подлСгирования Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ d 6

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ области подлСгирования ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΈ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области d7

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области ΠΈ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ скрытого ΠΏ+ -, слоя d 8

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅ ΠΈ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ d 1

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСрной ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ областями d 11

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅ ΠΊ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Ρƒ ΠΈ ΠΊΡ€Π°ΡΠΌ эмиттСра dl

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΎΠΊΠ½Π°ΠΌΠΈ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Ρƒ

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ областями, сформированными Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠΊΠ½ΠΎΠΌ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ dl4

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° области подлСгирования ΠΏ+ - слоя Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ dl7

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠΊΠ½Ρƒ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ dl8

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° рСзистора dl3

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΈ

РасстояниС ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ ΠΎΠΊΠ½Π° Π² ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΈ d 20

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ сосСдними рСзисторами d25

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ рСзисторами

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‰Π΅ΠΉ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ d 26

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° скрытого ΠΏ+ - слоя

РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ тСкстовых элСмСнтов

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠΊΠΎΠ½ Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅ ΠΊ ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°ΠΌ ИМБ d2o

РасстояниС ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° Ρ€+ ΠΊ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ областям для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ смСщСния Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ области раздСлСния d 21

РасстояниС ΠΎΡ‚ ΠΊΡ€Π°Ρ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΊΠ½Π° ΠΊ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ областям n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° для ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ смСщСния Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Ρ области раздСлСния d 22

2. ΠžΠ±Π·ΠΎΡ€ Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹

2.1 ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡ ИМБ ΠΈ ΠΈΡ… ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ развития микроэлСктроники (МЭ), начиная с 1960 Π³., Π½ΠΎΠΌΠ΅Π½ΠΊΠ»Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π˜Π‘ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎ измСнялась. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Π˜Π‘ Π½Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Π»ΠΈΡΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅, Ρ‚. Π΅. ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ всС Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² Π˜Π‘ занял своС, ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ мСсто Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ΅. Π’Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ идСю ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π»ΠΈ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ ИБ — ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅.

По ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Ρƒ изготовлСния ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ этом структурС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм: ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅.

Рис. 3. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° элСмСнтов ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ИБ

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ ИБ — это микросхСма, элСмСнты ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностном слоС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ. Π­Ρ‚ΠΈ ИБ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ основу соврСмСнной микроэлСктроники (рис. 3).

ΠŸΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Π°Ρ ИБ — это микросхСма, элСмСнты ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ, нанСсСнных Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ диэлСктричСской ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ (рис. 4). Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π° нанСсСния ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ с ΡΡ‚ΠΈΠΌ ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ИБ (Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ 1—2 ΠΌΠΊΠΌ) ΠΈ толстоплСночныС ИБ (Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ 10—20 ΠΌΠΊΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅).

Рис. 4. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° элСмСнтов ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π˜Π‘:

1 — Π²Π΅Ρ€Ρ…няя ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ°; 2 — ниТняя ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ°; 3 — диэлСктрик; 4 — ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ мСталличСская полоска

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄ΠΎ ΡΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€ никакая комбинация Π½Π°ΠΏΡ‹Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов, ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π˜Π‘ содСрТат Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ пассивныС элСмСнты (рСзисторы, кондСнсаторы ΠΈ Ρ‚. ΠΏ.). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, выполняСмыС чисто ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ИБ, ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Ρ‹. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ эти ограничСния, ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Π˜Π‘ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ дискрСтными ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ, располагая ΠΈΡ… Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ с ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами (рис. 5). Π’ΠΎΠ³Π΄Π° получаСтся смСшанная — ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΠΎ-дискрСтная ИБ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠΉ. Гибридная ИБ (ΠΈΠ»ΠΈ Π“Π˜Π‘) — это микросхСма, которая прСдставляСт собой ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… пассивных элСмСнтов ΠΈ Π΄ΠΈΡΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², располоТСнных Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ диэлСктричСской ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅. ДискрСтныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, входящиС Π² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠΉ ИБ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ навСсными, подчСркивая этим ΠΈΡ… ΠΎΠ±ΠΎΡΠΎΠ±Π»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ тСхнологичСского Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π° получСния ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ части схСмы. Помимо Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ Ρ‚ранзисторов, навСсными ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ИБ, Ρ‚. Π΅. ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ слоТности.

Π•Ρ‰Ρ‘ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ‚ΠΈΠΏ «ΡΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π½Π½Ρ‹Ρ…» ИБ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΏΠ»Ρ‘Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСмСнты, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ совмСщёнными.

БовмСщённая ИБ — это микросхСма, Π£ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностном слоС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ кристалла (ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ИБ), Π° ΠΏΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ нанСсСны Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ кристалла (ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ИБ).

Рис. 5.Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π˜Π‘:

1 — рСзистор; 2 — полоска мСталлизация; 3 — навСсной бСскорпусный транзистор.

Π‘ΠΎΠ²ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π˜Π‘ Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ высокиС Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠ°Ρ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСний ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ; эти трСбования Π»Π΅Π³Ρ‡Π΅ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов, Ρ‡Π΅ΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ….

Π’ΠΎ Π²ΡΠ΅Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… Π˜Π‘ мСТсоСдинСния элСмСнтов ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ… мСталличСских полосок, Π½Π°ΠΏΡ‹Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ нанСсСнных Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΈ Π² Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹Ρ… мСстах ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… с ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами. ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡ нанСсСния этих ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… полосок Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ, Π° ΡΠ°ΠΌ «Ρ€ΠΈΡΡƒΠ½ΠΎΠΊ» мСТсоСдинСний — мСталличСской Ρ€Π°Π·Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠΎΠΉ.

Как ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, ΠΈ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π˜Π‘ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния дСлятся Π½Π° Ρ‚олстои Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅.

ВолстоплСночныС Π“Π˜Π‘ (ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌ ΠΈΡ… Π’ΡΠ“Π˜Π‘) ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ вСсьма просто, Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ взгляд — ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠΈΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ. На Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ пластинку-ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ довольно большой ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ (нСсколько ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… сантимСтров) наносят пасты Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ состава. Π₯арактСрная ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ этого ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° сразу ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ. ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‰ΠΈΠ΅ пасты ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ мСТсоСдинСния элСмСнтов, ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ кондСнсаторов ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ ΡˆΡ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΊΠ°ΠΌ корпуса; рСзистивныС — ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзисторов; диэлСктричСскиС — ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ кондСнсаторов ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΡƒΡŽ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρƒ повСрхности Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π“Π˜Π‘. ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ слой Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ свою ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ, свой рисунок.

Рис. 6. Накладная маска — Ρ‚Ρ€Π°Ρ„Π°Ρ€Π΅Ρ‚ для Рис. 7. ПослойноС

локального нанСсСния пасты Π½Π°Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ слоя пасту наносят Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· свою маску — Ρ‚Ρ€Π°Ρ„Π°Ρ€Π΅Ρ‚ — с ΠΎΡ‚вСрстиями (ΠΎΠΊΠ½Π°ΠΌΠΈ) Π² Ρ‚Π΅Ρ… мСстах, ΠΊΡƒΠ΄Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΠΎΠΏΠ°ΡΡ‚ΡŒ паста Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя (рис 6). ПослС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ плСночная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π’ΡΠ“Π˜Π‘ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π°, Π½Π° Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ «ΠΏΡƒΡΡ‚Ρ‹Π΅» мСста ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ диэлСктричСский слой ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ навСсныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, прСдусмотрСнными Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΡΡ‰ΠΈΡ… слоях. Π“Π»Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ особСнности Π’ΡΠ“Π˜Π‘:

— «ΠΌΠ΅Ρ…аничСский» способ нанСсСния паст Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΠ΅Ρ‚ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10—20 ΠΌΠΊΠΌ (Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния 50—100 ΠΌΠΊΠΌ), ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° — названия толстоплСночная тСхнология ΠΈ Ρ‚олстоплСночныС Π“Π˜Π‘;

— ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ обСспСчиваСт Π΅Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ;

— «ΠΌΠ΅Ρ…аничСский» способ нанСсСния ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ достаточно ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… допусков Π½Π° Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ рСзисторов ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Ρ‚. Π΅. ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСмСнтов.

Π’ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π“Π˜Π‘ (ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌ ΠΈΡ… Π’ΠΊΠ“Π˜Π‘) ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π’ΡΠ“Π˜Π‘, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ спСцифичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ вСсьма Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π’ΠΊΠ“Π˜Π‘ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π’ΡΠ“Π˜Π‘.

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ тонкоплСночная тСхнология Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ ΠΈΠ· Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°ΡŽΡ‚ свою ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ Π½Π΅ ΡΡ€Π°Π·Ρƒ (ΠΊΠ°ΠΊ послС нанСсСния пасты Π² Π’ΡΠ“Π˜Π‘), Π° ΠΏΠΎΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½Π½ΠΎ — ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ мономолСкулярный слой Π·Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ (рис. 7). Вырастив ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΡƒ, ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ химичСский состав Π³Π°Π·Π° ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ самым элСктрофизичСскиС свойства ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ проводящиС, рСзистивныС ΠΈ Π΄ΠΈΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСскиС слои. ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ (рисунок) ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ слоя опрСдСляСтся Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ‚Ρ€Π°Ρ„Π°Ρ€Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ, Π½Π°Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ (ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ Π’ΡΠ“Π˜Π‘), Π»ΠΈΠ±ΠΎ маской, Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ окисной маскС Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π˜Π‘.

Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»Ρ‹ ΠΏΠ°Ρ€Π° бСспрСпятствСнно ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ° Π΄ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ достаточноС Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ атмосфСры, Ρ‚. Π΅. ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ осаТдСниС (нанСсСниС) ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π² Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ пространствС (ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»ΠΏΠ°ΠΊΠΎΠΌ), Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ создан Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌ Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½ΠΎΠΉ стСпСни.

НавСсныС элСмСнты Π² Π’ΠΊΠ“Π˜Π‘, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² Π’ΡΠ“Π˜Π‘, ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π΅ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ части схСмы ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ с ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ элСмСнтов.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π’ΠΊΠ“Π˜Π‘, Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ описания, ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅:

ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ растут со ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшой ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 ΠΌΠΊΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ; ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½Π°ΠΏΡ‹Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1—2 ΠΌΠΊΠΌ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ΡΠ»Π°ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ; поэтому характСрная Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΠΊ Π² Π’ΠΊΠ“Π˜Π‘ составляСт Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,5—1 ΠΌΠΊΠΌ, ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° — названия тонкоплСночная тСхнология ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ Ρ‹ Π΅ Π“Π˜Π‘;

ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ растут с Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ, обСспСчивая ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ допуски Π½Π° Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ сопротивлСний ΠΈ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ, Ρ‚. Π΅. ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСмСнтов.

Π‘Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π“Π˜Π‘ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΡΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ИБ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ отсутствуСт «Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ отсчСта» Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ сущСствуСт Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ большая Π“Π˜Π‘ (ΠΈΠ»ΠΈ Π‘Π“Π˜Π‘), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² Π“Π˜Π‘ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ навСсных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² входят Π½Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы, Π° Ρ†Π΅Π»Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ИБ, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ функция, выполняСмая Π‘Π“Π˜Π‘, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТной, Ρ‡Π΅ΠΌ функция ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π˜Π‘ ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π‘Π˜Π‘.

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, частотному Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρƒ, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ, конструктивно-тСхнологичСскому исполнСнию.

По Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΡƒ микросхСмы ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅, ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅. Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ микросхСмы ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для прСобразования ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигналов, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ дискрСтной Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ — для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… устройствах, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности Π² Π­Π’Πœ. ИспользованиС логичСских схСм позволяСт Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ логичСскиС зависимости ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ элСктричСских сигналов. Π’ ΡΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°ΡˆΠΈΠ½Π°Ρ… информация выраТаСтся Π² ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄Π²ΡƒΡ… состояний ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт Π² Π΄Π²ΠΎΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ систСмС символам 0 ΠΈ 1.

АналоговыС микросхСмы ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для прСобразования ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигналов, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Частным случаСм Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… микросхСм ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ микросхСмы с Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ характСристикой, Ρ‚Π°ΠΊ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы.

Π‘Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ микросхСм — ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ стСпСни слоТности микросхСмы К характСризуСтся числом содСрТащихся Π² Π½Π΅ΠΉ элСмСнтов ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²: К=lgN, Π³Π΄Π΅ К — коэффициСнт, округляСмый Π΄ΠΎ Π±Π»ΠΈΠΆΠ°ΠΉΡˆΠ΅Π³ΠΎ большСго Ρ†Π΅Π»ΠΎΠ³ΠΎ числа; N — число элСмСнтов ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², входящих Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡƒ. По ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ микросхСмы ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π°:

ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (МИБ) — схСмы (1 — 2)-ΠΉ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, содСрТащиС ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π΄ΠΎ 100 элСмСнтов ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько Π²ΠΈΠ΄ΠΎΠ² Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ логичСских элСмСнтов, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ логичСских элСмСнтов И, Π˜Π›Π˜, НЕ, Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€ΠΎΠ², усилитСлСй, Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Ρ‚. ΠΏ.;

срСдниС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (БИБ) — схСмы (2—3)-ΠΉ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, содСрТащиС ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… дСсятков Π΄ΠΎ 1000 элСмСнтов ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Π² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ² элСктронных устройств (рСгистр, счСтчик, Π΄Π΅ΡˆΠΈΡ„Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€, постоянноС Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство);

большиС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (Π‘Π˜Π‘) — схСмы (3—4)-ΠΉ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, содСрТащиС ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… сотСн Π΄ΠΎ 10 000 элСмСнтов, Π² ΡΠΎΡΡ‚Π°Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π°Ρ€ΠΈΡ„ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΎ-логичСскоС устройство, ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ постоянноС Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ устройство ΠΈ Π΄Ρ€.);

ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (Π‘Π‘Π˜Π‘) — схСмы (5—7)-ΠΉ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ собой Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠ΅, способноС Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π­Π’Πœ).

НаибольшСй ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ микросхСмы, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, толстоплСночныС. По ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ микросхСмы Π½Π° Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторах ΡƒΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ микросхСмам Π½Π° ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах.

2.2 ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠ°Ρ характСристика ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ИБ. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° класса ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π˜Π‘: биполярныС ИБ ΠΈ ΠœΠ”ΠŸ ΠœΠ‘. Π‘ΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ биполярных ΠΈ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ кристаллС являСтся особым случаСм.

ВСхнология ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π˜Π‘ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… классов основана Π½Π° Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ (ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ) пластины ΠΏΠΎΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎ Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ примСсями, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠ΅ слон с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ проводимости ΠΈ Ρ€—n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π°Ρ… слоСв. ΠžΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ слои ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ рСзисторов, Π° Ρ€—n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ — Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ‚ранзисторных структурах.

Π›Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ пластины приходится ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π» ΠΎ ΠΊ, Π° Π» ь Π½ ΠΎ, Ρ‚. Π΅. Π½Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… участках, Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… достаточно большими расстояниями1*. Π›ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ осущСствляСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… масок с ΠΎΡ‚вСрстиями, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ примСси ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π² ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠ½Ρƒ Π½Π° Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹Ρ… участках, ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π˜Π‘ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ маски ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° двуокиси крСмния SiO2, ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластины. Π’. этой ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ΅ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ гравируСтся нСобходимая ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ отвСрстий ΠΈΠ»ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ говорят, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ рисунок (рис. 8). ΠžΡ‚Π²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΠΈΡ Π² ΠΌΠ°ΡΠΊΠ°Ρ…, Π² Ρ‡Π°ΡΡ‚ности ΠΈ ΠΎΠΊΠΈΡΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ΅, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠΊΠ½Π°ΠΌΠΈ.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎ ΠΎΡ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ составныС части (элСмСнты) Π΄Π²ΡƒΡ… основных классов ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π˜Π‘.

Рис 8, Окисная маска с ΠΎΠΊΠ½Π°ΠΌΠΈ Π΄Π»ΠΈ локального лСгирования

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом биполярных Π˜Π‘ являСтся ΠΏ—Ρ€—ΠΏ-транзистор: Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ориСнтируСтся вСсь тСхнологичСский Ρ†ΠΈΠΊΠ». ВсС Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ элСмСнты Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΏΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с ΡΡ‚ΠΈΠΌ транзистором, Π±Π΅Π· Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… тСхнологичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Π½Π½ΠΉ. Π’Π°ΠΊ, рСзисторы ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ слоСм ΠΏ—Ρ€—транзистора ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ слой. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ кондСнсаторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ обратносмСщСнныС Ρ€—n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… слои ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ слою ΠΏ—Ρ€—n-транзнстора, ΠΈ ΡΠ»ΠΎΡŽ Ρ€— Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом ΠœΠ”ΠŸ Π˜Π‘ являСтся ΠœΠ”ΠŸ-транзистор с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Роль рСзисторов Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ транзисторы, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊΠ°, Π° Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ кондСнсаторов — ΠœΠ”ΠŸ-структуры, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… слой диэлСктрика получаСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с ΠΏΠΎΠ΄Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ слоСм транзистора, Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° — ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ со ΡΠ»ΠΎΡΠΌΠΈ истока ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ биполярной Π˜Π‘ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌ способом ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π° с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· кристалл. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ изоляции элСмСнтов Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ ΠœΠ”ΠŸ Π˜Π‘ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ся Π² ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ изоляции Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ взаимодСйствиС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ смСТными ΠœΠ”ΠŸ-транзисторами Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСста ΠΈ ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ расстоянии Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π°. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… прСимущСств ΠœΠ”ΠŸ ИБ, Π½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹ΠΌ.

Π₯арактСрная ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π˜Π‘ состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ срСди ΠΈΡ… ΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠΈ индуктивности ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ трансформаторы. Π­Π³ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌ. Π§Ρ‚ΠΈ Π΄ΠΎ ΡΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€ Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅Π»Π΅ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ физичСскиС явлСниС, эквивалСнтноС элСктромагнитной ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Π˜Π‘ ΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π±Π΅Π· использования индуктивности, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв удаСтся. Если ΠΆΠ΅ ΠΊΠ°Ρ‚ΡƒΡˆΠΊΠ° индуктивности ΠΈΠ»ΠΈ трансформатор ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹, ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΡ…одится ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ навСсных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².

Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ кристаллов Ρƒ соврСмСнных ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π˜Π‘ Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 1,5 X 1,5 ΠΌΠΌ Π΄ΠΎ Π± X 6 ΠΌΠΌ. Π§Π΅ΠΌ большС ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ кристалла, Ρ‚Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅*' ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΡƒΡŽ, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π½ΡƒΡŽ Π˜Π‘ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π° Π½Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π½ Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ кристалла ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ количСство элСмСнтов, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ Ρ€Π°ΡΡΡ‚ояния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ.

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π˜Π‘ принято Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, Ρ‚. Π΅, количСством элСмСнтов (Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго транзисторов) Π½ΠΈ. кристаллС. Π’ 1978—1979 Π³Π³. максимальная ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ составляла (5—6) * 104 элСмСнтов Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅. ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (Π° Π²ΠΌΠ΅ΡΡ‚Π΅ с Π½Π΅ΡŽ ΠΈ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ, выполняСмых ИБ) — ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΉ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ΅.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ стСпСни ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ — количСство элСмСнтов (Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго транзисторов) Π½Π° Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρƒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ кристалла, Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, Π² Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя составляСт Π΄ΠΎ 500—1000 элСмСнтов/ΠΌΠΌ.

3. Расчёт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов

3.1 ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ свСдСния ΠΎΠ± ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы. Π’ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… микросхСмах Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ рСзистора выполняСт объСм ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ, ΠΈΠ»ΠΈ транзисторная схСма (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ рСзистора). Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹: Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ (Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ эмиттСрной ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области); ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠΉΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ (Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области); ΠΏΠΈΠ½Ρ‡-Ρ€Π΅Π·ΠΊΠ΅Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ рСзисторы, изготовляСмыС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ лСгирования. ВсС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ послСднСго ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈΡΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами микросхСм Π±Π΅Π· ввСдСния Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… этапов ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. Они ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ, Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ эмиттСркой областСй транзистора.

Π”ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы. Π”ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠ΅ΠΉ примСсСй, Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ эмнттСрныС области ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-транзнстора. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора прСдставляСт собой объСмноС сопротивлСниС участка Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Оно опрСдСляСтся гСомСтричСскими Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ рСзистивной области ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ примСси ΠΏΠΎ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слон, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅, Π² ΡΠ²ΠΎΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, характСризуСтся ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ повСрхностным сопротивлСниСм R*- Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Rs являСтся конструктивным ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ рСзистора, зависящим ΠΎΡ‚ Ρ‚СхнологичСских Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² (Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ). Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния сопротивлСнии Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ R Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 4/?6</?< <1()4^. НиТний ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» ограничиваСтся сопротивлСниСм ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹* областСй, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС сопротивлСния основной области рСзистора. Π’ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ алюминий. Π’Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» ограничиваСтся допустимой ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒΡŽ, ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ рСзистор. Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго рСзисторы Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области 100—300 Ом. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС ΠΈ ΠΊΠ°Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅ рСзистора ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (рис 9, Π°). К ΡΠ»ΠΎΡŽ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° прикладываСтся ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ большим сопротивлСниСм, опрСдСляСт Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ области ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ развязку ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚оянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ рСзистором ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ. На ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ рСзисторы с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ сопротивлСний ΠΎΡ‚ 100 Ом Π΄ΠΎ 60 кОм.

Рис. 9. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов, a — рСзистор Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области; 6 — рСзистор Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ эмиттСрцой области

Для рСзисторов с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ ΠΎΡ‚ 3 Π΄ΠΎ 100 Ом Ρ†Π΅Π»Π΅ΡΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ эмиттСрный Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ слой (рис, 10), ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ R% эмиттСрного слоя Π½Π΅Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ R — 10 Ом.

ΠŸΠΈΠ½Ρ‡-рСзисторы. ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости создания высокоомных рСзисторов с ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 60 кОм ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΈΠ½Ρ‡-Ρ€Π΅Π·Π½Π΅Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ (ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, сТатыС ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹Π΅). ΠŸΠΈΠ½Ρ‡-рСзнсторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ. прСдставлСна конструкция ΠΏΠΊΠ½Ρ‡-рСзистора Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠ» шилС эмиттСрным слоСм n+ -Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. РСзистор прСдставляСт собой Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π» Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ, слаболСгированная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области с R,=:2— 5 кОм/П. изолированная со Π²ΡΠ΅Ρ… сторон обратносмСщСнным Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ эмиттСрный слой n-Ρ‚ΠΌΠΏΠ° Π—Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°ΠΌΠΈ рСзистора соСдиняСтся с Π·ΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ n-слоСм ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ области. МаксимальноС сопротивлСниС Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… рСзисторов составляСт 200—300 кОм ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΉ полосковой конструкции. На Ρ€ΠΈΡ. 5.6, Π± ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° конструкция ΠΏΠΈΠ½Ρ‡-рСзистора Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области, ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ сСчСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΎ Π½Π° Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя (L, = 4—8 кОм). Для получСния качСствСнного омичСского ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ n+ -области, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΡΡ‚Π°Π΄ΠΈΠΈ эмиттСрнон Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ, ΠΏΠΈΠ½Ρ‡-рСзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ большой разброс Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² (Π΄ΠΎ 50%) ΠΈΠ·-Π·Π° трудностСй получСния Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π΄ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ части, сопротивлСниС ΠΈΡ… ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ вслСдствиС ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ стСпСни лСгирования областСй, Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ.

Рис10. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΏΠΈΠ½Ρ‡-рСзисторов: Π° — Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя; Π± — Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области

Π­ΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы. Из Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… областСй транзистора коллСкторная ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ примСси ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ R2 (500—5000 Ом). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора постоянна ΠΏΠΎ Π²ΡΠ΅ΠΌΡƒ ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов. Π£ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ сСчСниС ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ сущСствСнно отличаСтся ΠΎΡ‚ ΡΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рСзистор формируСтся Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠ΅ΠΉ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ эта диффузия самая ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΈ Ρ‚очная Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… областСй, особСнно Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ, Π·Π°Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½Π΅Π½Π°, разброс Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ² сопротивлСния ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅Π½. Π­Ρ‚ΠΈ рСзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ большой ВКБ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ коллСкторная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° слабо. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ссли Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΈΠΌΠΈ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями, Ρ‚ΠΎ ΠΈΡ… Ρ†Π΅Π»Π΅ΡΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΡΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ кристалла.

Ионно-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы. ВысокоомныС рСзисторы, Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π»ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС рСзисторов, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ лСгирования, ΠΏΡ€ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π΄ΠΎΠ·Ρ‹ лСгирования ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ 500 Ом Π΄ΠΎ 20 кОм. ΠΠ±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ повСрхностного сопротивлСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ с Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ±6%. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ коэффициСнты сопротивлСния рСзисторов, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ лСгирования, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ мСньшС ВКБ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов такая ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов, Π½ΠΎ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π° ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… слоСв составляСт 0,1—0,3 ΠΌΠΊΠΌ (рис. 11). Π‘ΠΎΠ·Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€- ΠΈΠ»ΠΈ n-областСй Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для получСния качСствСнных омичСских ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Низкий ВКБ, высокоС ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ°Ρ ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ элСмСнтами ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы для изготовлСния ΠΏΡ€Π΅Ρ†ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π°Ρ‚Ρ‚Π΅Π½ΡŽΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… микросхСмах. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹

Рис. 11. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов:

Π° — с Ρ€-ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌ слоСм; Π±— Ρ n-ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ слоСм

3.2 ΠŸΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΠΊ расчСта ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов Как ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π»ΠΎΡΡŒ, ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΠΎΠ² Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ рСзистивных элСмСнтов Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… микросхСмах Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… слоСв, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ эмиттСрных областСй транзисторов. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы.

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ для опрСдСлСния гСомСтричСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ:

Π°) Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктричСской схСмС номинальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ R ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊ Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ yR =R/R;

Π±) повСрхностноС сопротивлСниС Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя Rs, Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ формируСтся рСзистор;

Π²) срСдняя ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая рСзистором Π , ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимая ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π ;

Π³) основныС тСхнологичСскиС ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ограничСния. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора R = RS l/b, Π³Π΄Π΅ l ΠΈ Π¬ — Π΄Π»ΠΈΠ½Π° ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° рСзистора.

ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ рСзистора с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ сводится ΠΊ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ рСзистивного слоя, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ извСстном повСрхностном сопротивлСнии слоя Rs номинальноС значСния сопротивлСния рСзистора зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π΅Π³ΠΎ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π΅ (коэффициСнта Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ K = l/b). ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΈ, располоТСнныС Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора, вносят Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ сопротивлСния. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² Ρ€Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ вводится ΠΏΠΎΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт, зависящий ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… областСй. На Ρ€ΠΈΡ. 12 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹' нСсколько Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов. ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 12, Π°, Π±, ΠΏΡ€ΠΈΠ³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΎΠΌ Π΄ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΎΠΌΠ°. ΠŸΡ€ΠΈ этом оказываСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… рСзисторов ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ. БопротивлСния рСзисторов, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 12, Π°, Π±, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ соотвСтствСнно R=R (Lb+2K) R=R (L+L)

Для рСзисторов с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ 400 Ом, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ. 12. РасчСтноС ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для опрСдСлСния сопротивлСния рСзистора Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС

R=R (Lb+2k)

РСзисторам с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ значСниями Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 кОм цСлСсообразно ΠΏΡ€ΠΈΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Π·ΠΌΠ΅ΠΉΠΊΠΈ (рис. 12, Π³), Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ, Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌΡƒΡŽ рСзистором.

Рис. 12. Π’ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов:

Π°. Π± — Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΎ 1 кОм; Π², Π³ — ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 400 Ом

РасчСт гСомСтричСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ с ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈΡ… ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹. Π—Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ рСзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅ наибольшСго значСния ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½:

минимальной ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ рСзистора ?Ρ‚Π΅Ρ…, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ²ΡˆΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ тСхнологичСских процСссов

минимальной ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ рСзистора 6Π’ΠžΡ‡ΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ изготовлСния Ρ€Π°Π²Π½Π° Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ;

минимальной ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ рСзистора Π¬Π  опрСдСляСмой исходя ΠΈΠ· ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ допустимой рассСиваСмой мощности:

Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ рСзистивной полоски (для Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… тСхнологичСских процСссов ΠΌΠΊΠΌ); ΠšΡ„—коэффициСнт Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, опрСдСляСтся ΠΈΠ· ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ коэффициСнта Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ рСзистора:

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ повСрхностного сопротивлСния Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя, для Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… тСхнологичСских процСссов тСмпСратурная ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСния. МинимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ Π³Π΄Π΅ максимально допустимая ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния, выбираСмая Π² Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° корпуса микросхСмы ΠΈ ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠΉ Π΅Π΅ ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…, Π Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ рСзистора ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ исходя ΠΈΠ· Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»

Для составлСния топологичСского Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚Π΅ΠΆΠ° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ рСзистора, ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ тСхнологичСскиС отклонСния Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² Π³Π΄Π΅ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, вносимая счСт систСматичСского растравлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΎΠΊΠΎΠ½ Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅ для Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Ρ… тСхнологичСских ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, вносимая Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ ΡƒΡ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ (эмиттСрной) Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ окнсСл Π² Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ сторону. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ коэффициСнт, ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ распрСдСлСнно примСсСй Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ рСзистора, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ. Для рСзисторов ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 10 ΠΌΠΊΠΌ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ (Π° — 0). Π’ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡƒΠ·ΠΊΠΈΡ… рСзистора боковая Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ влияниС, поэтому Π² Ρ€Π°ΡΡ‡Π΅Ρ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠΏΡ€Π°Π²ΠΊΡƒ.

Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ шаг ΠΊΠΎΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ сСтки ΠΈ Ρ‚. Π΄., ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ топологичСскиС значСния ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ рСзистора;

Π³Π΄Π΅ Π¦Π΅Π»Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ числа.

ПослС этого ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽΡΡ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСниС, рассчитанноС ΠΏΠΎ Π•ΡΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ рСзистора ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈ Π²ΡΠ΅ вычислСния ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚.

3.3 Расчёт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… рСзисторов ВсС расчёты проводятся ΠΏΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС с ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈΠ· ΡΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠ°. Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области для рСзистора:

1) НизкоомныС рСзисторы с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ R? 1 кОм ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области Π’=30 ΠΌΠΊΠΌ;

2) ВысокоомныС рСзисторы с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ 1 кОм Π΄ΠΎ 5 кОм (1кОм ?R? 5кОм) Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ с ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя Π’=20 кОм;

3) ВысокоомныС рСзисторы с Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠΌ R>5 кОм Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ с ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя Π’=15 кОм Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΎΡΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² рСзисторов Π² ΠΎΠ±ΡŒΡ‘ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠΈ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ влияния Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ тСхнологичСских ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ.

Из ΡΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… примСняСм ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ повСрхностного сопротивлСния сs:

1) ΠŸΡ€ΠΈ 100 Ом? R? 300 Ом Ρs= 120 Ом

2) ΠŸΡ€ΠΈ 300 Ом? R? 2,5 кОм сs= 222 Ом

3) ΠŸΡ€ΠΈ 3 кОм? R? 4 кОм сs= 320 Ом

4) ΠŸΡ€ΠΈ 5 кОм? R? 10 кОм сs= 240 Ом Π‘оставим Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ (Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2)

ЗначСния для расчёта Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹ рСзистора.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2

ΠŸΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΡ

R1

R2

R3

R4

Номинал

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ области Π², ΠΌΠΊΠΌ

УдСльноС повСрхностноС сопротивлСниС, сs, Ом

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ коэффициСнт Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ «n» ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ двумя Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌΠΈ:

n = ΠΈ n =

ΠŸΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π½ΡΠ΅ΠΌ ΠΏΡ€Π°Π²Ρ‹Π΅ части этих ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ:

= ,

Π³Π΄Π΅ Π’ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° рСзистора

LΠ΄Π»ΠΈΠ½Π½Π° рСзистора Π€ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° для расчёта Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹ рСзистора L:

L=

ВсС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ входящиС Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ Π½Π°ΠΌ извСстны поэтому рассчитаСм Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ².

1)

2)

Π’

3)

4)

4. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ИМБ Π’Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ этап ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ микросхСмы Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π΅Π΅ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚ричСской схСмы Π² Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ. Π‘ΡƒΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ микросхСм состоит Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ располоТСния элСмСнтов Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π½Π΅ ΡΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ся ΠΊ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ элСмСнтов Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ процСсс Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ располоТСнС элСмСнтов, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ влияниС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π°Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ², присущих ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ микросхСмам. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ микросхСмы являСтся Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ критСрия ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ размСщСния элСмСнтов. Π’ Π½Π°ΡΡ‚оящСС врСмя ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… микросхСм с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠΈ: минимизация ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ суммарной Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ соСдинСний; минимизация числа пСрСсСчСний мСТэлСмСнтных соСдинСний. ΠŸΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ микросхСм носит ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠ²ΠΈΠ΄ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ ΠΈ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΠΈ слоТности ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ элСктричСской схСмы,*Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°:

1 Для ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚Π° влияния Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ примСси ΠΏΠΎΠ΄ ΠΌΠ°ΡΠΊΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ окисСл, растравливания окисла, ошибок Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ составлСнии топологичСской схСмы всС элСмСнты схСм, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΎΠΊ, рСкомСндуСтся Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Ρ€Π°ΡΡΡ‚оянии ΠΎΡ‚ Ρ‰Π΅Π»ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΡŽ, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π΅ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слои,

2 К ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ всСгда Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π»ΠΎΠΆΠ΅, Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ практичСски осущСствляСтся подсоСдинСниСм ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΈΠ»ΠΈ области Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ схСмы с Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ, Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ напряТСния пробоя.

3. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ элСмСнта микросхСм ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ строго Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ограничСния, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ тСхнологичСскому процСссу.

4. РСзисторы, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ области, которая ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ ΡΠ°ΠΌΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ схСмы, Ρ‚. Π΅. ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ источнику питания.

5. РСзисторы Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ эмиттСрного ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоСв слСдуСт Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… областях.

6. РСальная Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° рСзисторов, ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ подоски, Π½Π΅ ΡΠ²Π»ΡΠ΅Ρ‚ся ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ. РСзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прямыми, ΠΈΠ·ΠΎΠ³Π½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π»ΡŽΠ±ΡƒΡŽ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΊΠΎ Π²ΠΎ Π²ΡΠ΅Ρ… случаях ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ рСзистора ΠΊ Π΅Π³ΠΎ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ согласовано с ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм исходного Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°. ВысокоомныС рСзисторы рСкомСндуСтся Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… полосок с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ. НоминальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рСзистора Π² ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ³Π½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ рСзисторС.

7. Для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ мСст локального Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π° рСзисторы с Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… элСмСнтов, Π° Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ся Π²Ρ‹Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π½Π° ΠΊΡ€Π°ΠΉ кристалла

8. РСзисторы, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΠ², Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΈ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒΡΡ рядом Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ относится И ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ элСмСнтам микросхСм, для Ρ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… трСбуСтся ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ согласованиС характСристик, Ρ‚. Π΅. ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹, Π° Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ΅ располоТСниС — ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ.

9. Π›ΡŽΠ±ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ проводящСй Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ, Π³Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎ ΡΠ»ΠΎΡŽ двуокиси крСмния, ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ рСзистор, Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сущСствСнного Π²Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ влияния.

10. Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° ΠΈ ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΎ располоТСния кондСнсаторов Π½Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ся ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ

11. Для Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… кондСнсаторов Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ области. Π˜ΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ случаи, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² кондСнсатора являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ.

12. Вранзисторы n-Ρ€-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ эмиттСрного повторитСля, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ области вмСстС с Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ.

13. ВсС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ области n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρ‹, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹.

14. Для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — Π±Π°Π·Π°, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдусмотрСна ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ изолированная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ. Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π½Π° ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр— Π±Π°Π·Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ области.

15. Для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ развязки ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ областями ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ рСкомСндуСтся Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Π² Π½Π΅ΠΏΠΎΡΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ близости ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

16. Для Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡Π΅ΠΊ всСгда Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ области.

17- Для ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠΉ Смкости ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… рСкомСндуСтся ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ. Π’ ΡΡ‚ΠΎΠΌ случаС Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ оказываСтся Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ паразитная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ.

18. БоСдинСния, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ для Π²Π²ΠΎΠ΄Π° питания ΠΈ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΡ, слСдуСт Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π³Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΡ… ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΡ… полосок, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… сопротивлСнии.

19, Число Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ порядок располоТСния ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΎΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² микросхСм Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ корпуса.

20- ΠšΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΡ элСмСнтов микросхСм Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ минимальноС количСство пСрСсСчСний. Если ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ пСрСсСчСний Π½Π΅ ΡƒΠ΄Π°Π΅Ρ‚ся, ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ кондСнсаторов, формируя Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ областям транзисторов, примСняя Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΡ‹Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΈ, Π½Π°ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ†, создавая Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ слой изоляции ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ топологичСской схСмы Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ минимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ мСТэлСктродных соСдинСний.

21. Когда Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… СмкостСй Π½Π΅ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎ, рСзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… областях, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Ρ‚ранзисторы. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ значСния, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π»ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой. РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ рСзисторами Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 10 ΠΌΠΊΠΌ. ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ транзистора ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Ρ€Π°ΡΡΡ‚оянии Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 12 ΠΌΠΊΠΌ.

22. РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ провСсти ΠΎΠ΄Π½Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π²Π΅ мСталличСскиС Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· скрытый слон ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρƒ. Однако Ρ‡Π΅ΠΌ большС расстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Ρ‚Π΅ΠΌ большС ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚ная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π° Π·Π° ΡΡ‡Π΅Ρ‚ удлинСния Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ слоя.

23. НаиболСС Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ. ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ являСтся ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ. Π·Π°1Π³ΠΈΠΌΠ°Π΅ΠΌΠΎΠΉ микросхСмой. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ число микросхСм, изготовляСмых Π½Π° ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠ½Π΅ с Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ случайных Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π½ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌ кристаллС возрастаСт с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ.

5. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π΅Π»Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ курсовом ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° топология ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы.

Разработанная ΠΌΠ½ΠΎΠΉ топология соотвСтствуСт элСктричСской ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС, учитывая топологичСскиС ограничСния, ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ исходныС конструктивныС Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅.

Для изготовлСния Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы Π±Ρ‹Π»Π° Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π° планарная тСхнология Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ пластинС. Π˜Π·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡ элСмСнтов схСмы осущСствляСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщённого Ρ€-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

Вопология кристалла Π±Ρ‹Π»Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° с ΡƒΡ‡Ρ‘Ρ‚ΠΎΠΌ конструктивно-тСхнологичСских ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ' ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… рСзисторов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² ΡΡ…Π΅ΠΌΠ΅, Π±Ρ‹Π»ΠΈ рассчитаны ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

Разработанная топология ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ слоТного оборудования ΠΈ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ»Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы.

1. НиколаСв И. М., Ѐилинюк Н. А. Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы ΠΈ ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ирования. — Πœ.: Π Π°Π΄ΠΈΠΎ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·ΡŒ. 1992.

2. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Ρ‚Схнология микросхСм. ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΠ²ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. КолСдова Π›. А. — Πœ: Π²Ρ‹ΡΡˆΠ°Ρ школа. 1984

3. Π‘Ρ‚Π΅ΠΏΠ°Π½Π΅Π½ΠΊΠΎ И. П. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ микроэлСктроники — М.: БовСтскоС Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎ, 1980

4. Π§Π΅Ρ€Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π΅Π΄. ΠšΡƒΠ»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π° А. Π‘. — Πœ: Π²Ρ‹ΡΡˆΠ°Ρ школа, 1989

5. ΠœΠ°Π»Ρ‹ΡˆΠ΅Π²Π° И. А. ВСхнология производства ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм — М: Π Π°Π΄ΠΈΠΎ ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·ΡŒ, 1991.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ