ΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² написании студСнчСских Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚
АнтистрСссовый сСрвис

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы парамСтричСского стабилизатора

ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΠ²Π°ΡΠŸΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒ Π² Π½Π°ΠΏΠΈΡΠ°Π½ΠΈΠΈΠ£Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΠΌΠΎΠ΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

Π’ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ спроСктирована микросхСма «ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ стабилизатор», ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ расчСты элСмСнтов схСмы, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ тСхничСскиС трСбования ΠΈ Ρ‚СхнологичСский ΠΌΠ°Ρ€ΡˆΡ€ΡƒΡ‚ изготовлСния микросхСмы. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ сформирована топология ΠΈ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ навСсныС элСмСнты. Рис. 1. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ стабилизатор Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния — ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ элСктричСской энСргии, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅… Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Ρ‘ >

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы парамСтричСского стабилизатора (Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚, курсовая, Π΄ΠΈΠΏΠ»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ)

Π’Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅

На Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ всС большСй ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ парамСтричСский стабилизатор напряТСния фСррорСзонансный, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ базируСтся Π½Π° Ρ„СррорСзонансном эффСктС Π² ΡƒΠ·Π»Π΅ кондСнсатор-трансформатор. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия позволяСт ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² входящСго Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Если Π½Π΅ Π²Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ физичСского устройства стабилизатора Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ряда ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… минусов Π² ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ с Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ дСйствия, Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΈΠ΄ стабилизаторов всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто. Π­Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ основныС ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹: большой рСсурс Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ устройства ΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹ΡΠΎΡ‡Π°ΠΉΡˆΠ΅Π΅ быстродСйствиС.

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ стабилизатор являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ дСйствСнным ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ‹ΠΌ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ прСкрасно ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ для всСх Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² оборудования. Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСктроприборов. И Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго парамСтричСскиС стабилизаторы ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ благодаря ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ надСТности ΠΈ ΡΠ²ΠΎΠ΅ΠΉ простотС. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ устройства Π½Π΅ ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ Π² ΡΠ²ΠΎΠ΅ΠΌ составС двиТущихся частСй, Π° ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²ΠΎΠΉ эффСкт вСсьма ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ поглощаСтся корпусом ΠΈΠ· ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚массы ΠΈΠ»ΠΈ алюминия. На Π±Π΅ΡΡˆΡƒΠΌΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π° ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ влияниС Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅Π·ΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… элСмСнтов.

1. Π—Π°Π΄Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΊΡƒΡ€ΡΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ Π‘ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ микросхСму, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΡ‘Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Ρ€ΠΈΡ 1.

Рис. 1. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ стабилизатор Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ напряТСния — ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ элСктричСской энСргии, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ напряТСниС, находящССся Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… колСбаниях Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

По Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния стабилизаторы дСлятся Π½Π° ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Ρ‚ΠΈΠΏ питания (постоянный Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ) Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, хотя Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ элСмСнта с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ сопротивлСниСм Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ стабилизаторы дСлятся Π½Π° Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ°:

ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ: Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСмСнт Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ.

ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ: Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСмСнт Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅.

Π’ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΎΡ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π° стабилизации:

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ: Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ стабилизаторС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ участок ВАΠ₯ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ.

ΠšΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ: ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь. Π’ Π½Ρ‘ΠΌ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ стабилизатора сравниваСтся с ΡΡ‚Π°Π»ΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ, ΠΈΠ· Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ формируСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сигнал для Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСмСнта. 2]

2. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ-тСхнологичСскоС исполнСниС схСмы ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° состоит ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π±ΠΈΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзисторов, навСсного рСзистора, навСсного стабилитрона ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтов ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ ΠΏΠΎ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ.

На Ρ€ΠΈΡ. 2. ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° структура биполярного p-n-p транзистора. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π­, Π‘, К — ΠΎΡ‚ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π°, Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора соотвСтствСнно.

На Ρ€ΠΈΡ. 3. Показана структура ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ p-n-p транзистора Рис 2. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° биполярного транзистора Рис. 3. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

ПослС разрСзания слитка монокристалличСского крСмния Π½Π° ΠΏΠ»Π°ΡΡ‚ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΈΡ… ΡˆΠ»ΠΈΡ„ΡƒΡŽΡ‚, химичСски ΠΎΡ‡ΠΈΡ‰Π°ΡŽΡ‚ ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΡƒ окисла крСмния. Π”Π°Π»Π΅Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ, эпитаксии, ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ лСгирования формируСтся коллСкторная, базовая ΠΈ ΡΠΌΠΈΡ‚тСрная области соотвСтствСнно. РСзисторы Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ. ПослС этого Π½Π°ΠΏΡ‹Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹. Π”Π°Π»Π΅Π΅ схСма ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

3. РасчСт ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

1. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ максимальноС ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ukbo ΠΈΠ· Π½Π΅Ρ€Π°Π²Π΅Π½ΡΡ‚Π²Π°.

(Π’), (1)

Π³Π΄Π΅ Ukbmax = 20 (Π’) — максимальноС напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

2. По Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ зависимости UkbΠΏΡ€ (Nak) опрСдСляСм ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π² ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ слоС Nak .

(см-3).

3. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов ΠΈΠ· Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° зависимости подвиТности ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ?(Nak).

(см2/Π’Β· с).

4. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρƒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π² Π±Π°Π·Π΅.

(ΠΌΠΊΠΌ). (2)

5. ВычисляСм Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» U0.

(Π’). (3)

6. РассчитаСм ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²? ΠΊ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

(Π’), (4)

Π³Π΄Π΅ k — постоянная Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π°; e — заряд элСктрона;

; (см-3).

7. Π’Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π² ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½Π΅.

. (5)

8. РасcΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ области объСмного заряда, Ρ€Π°ΡΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽΡΡ Π² ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°? Xkk ΠΈ Π² ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ½Ρƒ Π±Π°Π·Ρ‹? Xkb ΠΏΡ€ΠΈ максимальном напряТСнии Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ukbmax.

(ΠΌΠΊΠΌ). (6)

(ΠΌΠΊΠΌ). (7)

9. Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° высокоомного ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Xkk Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π΅ слоя объСмного заряда? Xkk. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌ ΠΎΠΊΡΠΈΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ Xсс=0.3 ΠΌΠΊΠΌ. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя.

(ΠΌΠΊΠΌ). (8)

10. Учитывая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ?=La?Xi/Ld?Wba вычисляСм врСмя ΠΆΠΈΠ·Π½ΠΈ нСосновных Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Π΅ Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

. (9)

. (10)

11. ΠžΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ.

(ΠΌΠΊΠΌ). (11)

12. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π° ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

(см-3). (12)

13. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ эмиттСра сильно Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π°, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ объСмного заряда Π±ΡƒΠ΄Π΅ Π² ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½ΠΎΠΌ сосрСдоточСна Π² Π±Π°Π·Π΅.

(ΠΌΠΊΠΌ). (13)

. (14)

14. УточняСм Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·Ρ‹.

(ΠΌΠΊΠΌ). (15)

15. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹.

(16)

(ΠΌΠΊΠΌ). (17)

(18)

16. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ?. Для этого Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт D Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Π΅ Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

(19)

(20)

4. РасчСт характСристик ΠœΠ”ΠŸ-транзистора Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

q=1,6?10−19 Кл — заряд элСктрона.

NA=1?1015 см-3 — концСнтрация Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ примСси.

bk=2 ΠΌΠΊΠΌ — ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

hi=0,5 ΠΌΠΊΠΌ — Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π° p-n± ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Cox=4?10−8 Π€/см2 — ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ диэлСктрика.

lk=2 ΠΌΠΊΠΌ — Π΄Π»ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

U`ΠΏΠΎΡ€=0,8 Π’.

Π‘Π—Πš=4,8?10−8 Π€/см2 — ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‘ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-ΠΊΠ°Π½Π°Π».

?nS=750 см2? Π’-1?с-1 — повСрхностная ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов.

UΠ—=3 Π’ — напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅.

UC=0,3 Π’ — напряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅.

Вычислим ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠœΠ”ΠŸ-транзистора:

. (1)

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния для ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠœΠ”ΠŸ-транзистора ΠΏΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ:

(2)

(Π’).

РассчитываСм Ρ‚ΠΎΠΊ стока для Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ:

(3)

(мкА).

Вычислим Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока для ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΎ участка ВАΠ₯:

(4)

(А).

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅ΠΌ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора:

ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° стокозатворной характСристики:

(5)

S (1/Ом).

Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС:

(6)

(Ом).

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ:

(7)

.

Граничная частота ΠœΠ”ΠŸ-транзистора:

(8)

(Π“Ρ†).

Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΠΌ этот ΠΆΠ΅ расчёт, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…:

bk=1 ΠΌΠΊΠΌ — ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°;

hi=0,2 ΠΌΠΊΠΌ — Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π° p-n± ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ²;

lk=1 ΠΌΠΊΠΌ — Π΄Π»ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°;

UΠ—=2 Π’ — напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅;

UC=0,1 Π’ — напряТСниС Π½Π° ΡΡ‚ΠΎΠΊΠ΅.

ΠŸΡ€ΠΈ этих Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ характСристики ΠœΠ”ΠŸ-транзистора:

0,615 (Π’).

(мкА).

(А).

(1/Ом).

(Ом).

.

(Π“Ρ†).

Для изготовлСния микросхСмы Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ.

5. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° тСхничСских Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ

1. НаимСнованиС издСлия:

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Ρ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ микросхСма «ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ стабилизатор».

2. НазначСниС:

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ стабилизации напряТСния Π² ΡΠ»Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТных схСмах стабилизаторов.

3. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: 4 мА.

4. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹: 0.4 мА.

5. ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра: 4.5 мА.

6. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 2 Π’.

7. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС: 2.5 Π’.

9. Π“Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹: 10?10?3 ΠΌΠΌ.

6. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы Вопология ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы — зафиксированноС Π½Π° ΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»Π΅ пространствСнно-гСомСтричСскоС располоТСниС совокупности элСмСнтов ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы ΠΈ ΡΠ²ΡΠ·Π΅ΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ.

На Ρ€ΠΈΡ. 3. прСдставлСны биполярный ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзисторы, всС элСмСнты соСдинСны Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

Рис. 4. Вопология микросхСмы

7. ВСхнологичСский ΠΌΠ°Ρ€ΡˆΡ€ΡƒΡ‚ изготовлСния ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ микросхСмы Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ пластины крСмния КЭБ-4,5 с ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ (111).

Π”ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ пластины — 100 ΠΌΠΌ, Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° — 200 ΠΌΠΊΠΌ. ΠŸΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ слитки монокристаллов Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅Π·Π°ΡŽ Π½Π° ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ станкС ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈ. ПослС этого пластину ΡˆΠ»ΠΈΡ„ΡƒΡŽΡ‚ для получСния 14-Π³ΠΎ класса чистоты повСрхности.

ΠšΠΈΡΡ‚Π΅Π²Π°Ρ ΠΌΠΎΠΉΠΊΠ° (0,05% раствор синтанола).

Π₯имичСская очистка (состав растворитСля H2SO4+H2O2+NH4OH).

ВСрмичСскоС окислСниС оксидом крСмния SiO2.

ΠšΠΈΡΡ‚Π΅Π²Π°Ρ ΠΌΠΎΠΉΠΊΠ° с ΠΈΠ½Ρ„ракрасной ΡΡƒΡˆΠΊΠΎΠΉ.

НанСсСниС фоторСзиста ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠ½Ρ„ракрасная ΡΡƒΡˆΠΊΠ°.

Наносится сплошная ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° элСмСнта, формируСтся ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ… Π½Π΅Π΅ фоторСзистивная контактная маска. Π”Π°Π»Π΅Π΅ стравливаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠΊΠ½Π° Π² Ρ„оторСзистС лишниС участки ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΈ. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Π°Ρ маска воспроизводит рисунок шаблона. Экспонированный фоторСзист удаляСтся ΠΈ ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ° рСзистивного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° стравливаСтся Π½Π° ΡƒΡ‡Π°ΡΡ‚ΠΊΠ°Ρ…, Π½Π΅ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… фоторСзистом.

ΠŸΡ€ΠΎΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ фоторСзиста ΠΈ ΡΡƒΡˆΠΊΠ°.

Плазмо-химичСскоС Ρ‚Ρ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ (30−60 с).

Π—Π°Π΄ΡƒΠ±Π»ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ фоторСзиста.

100%-ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ чистоты повСрхности.

100%-ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ травлСния.

Π₯имичСская очистка (КАРО+H2O2+NH4OH).

Π­ΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π½Π°Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ крСмния p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области).

ΠœΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎ-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ΅ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π½Π°Ρ€Π°Ρ‰ΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… вСщСств Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ испарСнных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π½Π° Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΆΠΊΡƒ с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ взаимодСйствиСм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ.

ОкислСниС.

ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ.

ВскрытиС ΠΎΠΊΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΡŽ.

Π­Ρ‚Π° диффузия n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (фосфор), проводится Π² Π΄Π²Π΅ стадии: Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя крСмния Π² Ρ‚Π΅Ρ… мСстах, Π³Π΄Π΅ вскрыты ΠΎΠΊΠ½Π° Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»Π΅, вводится ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ количСство Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² фосфора, образуя высоко Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ n+ слой, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ стадии Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ высоких Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… Π² ΠΎΠΊΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ срСдС разгоняСтся Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоя.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ рСзистора R1 ΠΈ R2 ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ фосфора.

ИонноС Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ — способ ввСдСния Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ² примСси Π² ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ностный слой пластины ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ Π±ΠΎΠΌΠ±Π°Ρ€Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…ности ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² с Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠΉ энСргиСй (10−2000 ΠšΡΠ’).

ΠšΠΈΡΡ‚Π΅Π²Π°Ρ ΠΌΠΎΠΉΠΊΠ°.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ окисла.

ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ для вскрытия ΠΎΠΊΠΎΠ½, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ввСсти ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒ Π±ΠΎΡ€Π° для формирования сильно Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ эмиттСрного ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½Π°.

100%-ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ травлСния.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ².

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ чистоты алюминия.

100%-ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ чистоты.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя диэлСктрика.

ΠšΠΈΡΡ‚Π΅Π²Π°Ρ ΠΌΠΎΠΉΠΊΠ° Π² Π²ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ ΡΡƒΡˆΠΊΠ°.

ОсвСТСниС пластины Π² Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ растворС Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ 10 с.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΠ² лСгирования Π½Π° Ρ‚Сстовых структурах.

100%-ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ чистоты.

ПодпаиваниС навСсных стабилитронов.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ функционирования.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ спроСктирована микросхСма «ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ стабилизатор», ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ расчСты элСмСнтов схСмы, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ тСхничСскиС трСбования ΠΈ Ρ‚СхнологичСский ΠΌΠ°Ρ€ΡˆΡ€ΡƒΡ‚ изготовлСния микросхСмы. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ сформирована топология ΠΈ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Ρ‹ навСсныС элСмСнты.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ биполярный p-n-p транзистор ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ 2,7 ΠΌΠΊΠΌ.

Данная микросхСма ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для стабилизации напряТСния Π² ΡΠ»Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах. Часто, такая схСма стабилизатора примСняСтся ΠΊΠ°ΠΊ источник ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТных схСмах стабилизаторов.

парамСтричСский стабилизатор микросхСма транзистор

1. http://ru.wikipedia.org/wiki/Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ_схСма.

2. http://ru.wikipedia.org/wiki/Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€.

3. http://electro-voto.ru/publics/arts/post-26/

4. КолСдов Π›. А., ВСхнология ΠΈ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ микросхСм, микропроцСссоров ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΊ, «Π›Π°Π½ΡŒ»: М. — 400 с.

5. Π . М. Π’Π΅Ρ€Π΅Ρ‰ΡƒΠΊ, К. М. Π’Π΅Ρ€Π΅Ρ‰ΡƒΠΊ, Π‘. А. Π‘Π΅Π΄ΠΎΠ², Π‘ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»Ρ, — ГосударствСнноС ΠΈΠ·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ тСхничСской Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π£Π‘Π‘Π , 1957. с. 356.

ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ вСсь тСкст
Π—Π°ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ