Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработать усилитель медленноменяющего знакопеременного напряжения на базе ОУ и транзисторного каскада

Курсовая Купить готовую Узнать стоимостьмоей работы

В. С. Гутников. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л, Энергоатомиздат, 1988, 305 с. И. П. Степаненко. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, М, Энергия, 1977, 672 с. И источников У. Титце, К.Шенк. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир, 1982. — 510 с. Операционные усилители и компараторы. Справочник. Том 12, М, Додэка XXI, 2002, 560 с. Е. А. Москатов. Справочник… Читать ещё >

Разработать усилитель медленноменяющего знакопеременного напряжения на базе ОУ и транзисторного каскада (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ВВЕДЕНИЕ
  • 2. УСЛОВИЕ ПОСТАВЛЕННОЙ ЗАДАЧИ
  • 3. СТРУКТУРНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ
  • 4. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ
  • 5. ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ, РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ
  • 6. РАСЧЕТ ПОГРЕШНОСТЕЙ СХЕМЫ
  • 7. ПРИЛОЖЕНИЯ
  • 8. СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ И ИСТОЧНИКОВ
  • к. в соответствии с моделью идеального усилителя напряжения на его входах равны) Ток через R1 равен Напряжение на выходе ОУ в этом случае равно (входной ток в ОУ считается равным нулю):

    откуда

    Расчет погрешностей схемы Мультипликативная погрешность неинвертирующего усилителя складывается из двух составляющих (5):

    γМ = γR + γK

    Из формулы [1] дифференцированием легко получается выражение для первой составляющей, обусловленной погрешностью используемых резисторов (γR):

    где γR1 и γR2 — относительные погрешности резисторов. Для используемых резисторов С2−23 погрешности имеют следующие величины:

    ТКС: ±500 ppm/°C

    Допуск ±1%

    Таким образом, основная погрешность будет равна:

    А дополнительная в диапазоне 20.50°С:

    Погрешность γK, связанная с изменением коэффициента собственного усиления ОУ (K) нами учитываться не будет, в силу используемого в работе приближения идеального усилителя — величина K просто не входит в формулу для итогового коэффициента усиления.

    Аддитивная погрешность усилителя связана с наличием напряжения смещения на входе ОУ UСМ и разностным входным током ∆I и равна (5):

    Основная аддитивная погрешность будет равна:

    А дополнительная аддитивная погрешность (также от 20 до 50°С):

    Приложения Приложение, А — Схема электрическая принципиальная А.

    261.

    2 Э3 — 1 лист формата A4

    Приложение Б — Перечень элементов А.

    261.

    2 ПЭ3 — 1 лист формата A4

    Список литературы

    и источников У. Титце, К.Шенк. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир, 1982. — 510 с.

    И.П.Степаненко. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, М, Энергия, 1977, 672 с.

    Операционные усилители и компараторы. Справочник. Том 12, М, Додэка XXI, 2002, 560 с.

    Е.А.Москатов. Справочник по полупроводниковым приборам (электронная книга)

    http://www.moskatov.narod.ru/Reference_book.html

    В.С.Гутников. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л, Энергоатомиздат, 1988, 305 с.

    1) Введение 2

    2) Условие поставленной задачи 3

    3) Структурная схема усилителя 4

    4) Функциональная схема усилителя 5

    5) Электрическая принципиальная схема усилителя, расчет параметров 6

    6) Расчет погрешностей схемы 13

    7) Приложения 15

    8)

    Список литературы

    и источников 16

    9) Содержание 17

    УС

    УМ

    Выход (нагрузка)

    вход

    Выход (нагрузка)

    УМ

    УС

    вход

    ООС Подпись и дата

    Инв. № дуб.

    Взам. инв. №

    Подп. и дата

    Инв. № подл.

    ф. 2.104−2а Копировал Формат А4

    А-261(2)

    Лист

    Дата

    Подп.

    № докум.

    Лист

    Изм

    Перв. примен.

    Справ. №

    Инв. № подл.

    Подп. и дата

    Взам. инв. №

    Инв. № дубл.

    Подп. и дата А-261(2)

    Иванов МГТУ кафедра АиВТ Соглас.

    Солодов ВС

    Разработка усилителя на базе ОУ и транзисторного каскада

    Лит.

    Лист

    Листов

    Дата

    ф. 2.104−2 Копировал Формат А4

    Подп.

    № докум.

    Лист

    Изм.

    Утв.

    Н.контр.

    Пров.

    Разраб.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. У.Титце, К.Шенк. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир, 1982. — 510 с.
    2. И.П.Степаненко. Основы теории транзисторов и транзисторных схем, М, Энергия, 1977, 672 с.
    3. Операционные усилители и компараторы. Справочник. Том 12, М, Додэка XXI, 2002, 560 с.
    4. Е.А.Москатов. Справочник по полупроводниковым приборам (электронная книга) http://www.moskatov.narod.ru/Reference_book.html
    5. В.С.Гутников. Интегральная электроника в измерительных устройствах. Л, Энергоатомиздат, 1988, 305 с.
    Заполнить форму текущей работой
    Купить готовую работу

    ИЛИ